ME8112AD7G-A

ME8112 高性能电流模式 PWM 控制器 特点 概述  超低启动电流  降噪功能  轻载进入绿色模式  频率抖动功能 ME8112 低至 10uA 的启动电流，以及在输出功率较  过功率补偿 小时自动进入绿色模式，从而实现了在 220V 输入电压时  前沿消隐 小于 100mW 的待机空耗。并且使进入 20KHz 以下的音  斜坡补偿 频区的范围最小化，以保证在正常工作状态无异音。另外  完善的保护：OCP，OLP，UVLO，OVP，OTP ME8112 是一个高性能电流模式 PWM 控制器，内置 650V/2A 功率 MOSFET。在 85V~265V 的宽电压范围内 提供高达 15W 的输出功率， 峰值输出功率更可高达 18W。 ME8112 集成频率抖动功能，可以有效简化 EMI 设计。 ME8112 拥有完善的保护功能，包括过流保护（OCP） ， 过载保护（OLP） ，欠压锁定（UVLO） ，过压保护（OVP）, 过温保护（OTP）等，以确保系统可靠的工作。 应用场合  适配器  机顶盒  开放式电源 V03 封装形式 ● www.microne.com.cn 7-pin DIP7 Page 1 of 9 ME8112 典型应用图 VOUT+ VOUT- VDD ME8112 GND VDD FB ACIN DRAIN cs DRAIN 选型指南 ME 81 12 X X G 环保标识 封装形式 : D7- DIP7 版本 产品品种 产品类别 公司标识 产品型号 ME8112AD7G V03 产品说明 封装形式：DIP7 www.microne.com.cn Page 2 of 9 ME8112 产品脚位图 DIP7 脚位功能说明 符号名 脚位名 DIP7 作用 说明 VDD 1，2 供电脚 电源 FB 3 输入脚 反馈 CS 4 输入脚 电流检测 D 5,6 输入脚 高压功率 MOS 的漏极 GND 7 接地脚 地 V03 www.microne.com.cn Page 3 of 9 ME8112 芯片功能示意图 D S VDD UVLO PRO R OVP VDD clamping OTP SET CLR Soft Driver Q Q Burst mode control OSC VDD Frequency Shuffling Control cs Regulator Internal supply ʄ ʄ Voc_ref OC Line Compensati on LEB Slope Compensati on GND FB OLP 极限参数 V03 参数 极限值 单位 D 电压 650 V VDD 电压 -0.3~30 V VDD 电流 0~10 mA FB、CS 电压 -0.3~7 V 工作温度范围 -20～150 ºC 储存温度范围 -55～150 ºC 焊接温度和时间 +260（10秒） ºC www.microne.com.cn Page 4 of 9 ME8112 推荐工作条件 电气参数 参数 极限值 单位 电源电压 10~30 V 工作温度 -20~85 °C (除非特殊说明，测试条件为：TA = 25°C,VDD=16V) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源(VDD) IStartup 启动电流 VDD= UVLOOFF -1V，流入 VDD 的电流 - 5 20 μA IOperation 工作电流 VFB=3V - 1 2 mA UVLOON VDD 欠压锁定电压 8 9 10 V UVLOOFF VDD 欠压锁定解锁电压 14 15 16 V VDD_Clamp VDD 嵌位电压 32 35 37 V OVPON VDD 过压保护电压 28 30 32 V OVPOFF VDD 过压保护释放电压 24 26 28 V 145 155 165 °C - 2 - V/V 75 80 85 % 4.5 5 5.5 V - 0.4 - mA IVDD = 10 mA OTP 反馈 (FB) AVCS PWM 输入增益 ΔVFB /ΔVCS Maximum duty cycle 最大占空比 VFB_Open FB 开路电压 IFB_Short FB 短路电流 VREF_GREEN 进入绿色模式时的 FB 电压 - 1.8 - V VREF_BURST_H 解除突发模式时的 FB 电压 - 1.1 - V VREF_BURST_L 进入突发模式时的 FB 电压 - 1 - V VTH_PL 过功率保护 FB 电压 - 3.5 - V TD_PL 过功率保护反跳时间 30 38 46 mS VDD=16V，VFB=3V， VCS=0V FB 对 GND 短路时流出 FB 的电流 电流检测 (Sense) T_blanking 前沿消隐时间 - 220 - nS TD_OC 检测到控制的延迟时间 - 120 - nS VTH_OC 最大电流限制比较电压 - 0.75 - V 65 70 75 KHz FB=3.3V 振荡器 FOSC 工作频率 ∆f_Temp 频率随温度的变化 V03 VDD=16V,FB=3V,CS=0V VDD = 16V, TA -20°C to 140 °C www.microne.com.cn 5 Page 5 of 9 % ME8112 ∆f_VDD 频率随 VDD 的变化 VDD = 9-25V, 5 % ∆f_OSC 频率抖动幅度 - ±6 - % F_shuffling 频率抖动周期 - 32 - Hz F_Burst 突发模式基础频率 - 25 - KHz 650 - - V - - 4.5 Ω - 2 - A 高压功率 MOSFET (D) BVdss 源漏耐压 Vgs=0 Ron 源漏之间导通电阻 VGS=10V, Id=1.0A ID 标称工作电流 典型性能参数 V03 www.microne.com.cn Page 6 of 9 ME8112 功能描述 ME8112 是一个高性能电流模式 PWM 控制器，内置 绿色模式和突发模式 650V/2A 功率 MOSFET。用在小于 15W 的离线式反激拓 在空载或者轻载时，大部分能量损耗在功率开关管， 扑的开关电源上的控制芯片。 而这损耗是和开关频率成正比的，因此低的开关频率可以 启动过程 有效降低损耗。 启动过程中，因为芯片设计的超低启动电流，VDD ME8112 设计开关频率在空载和轻载时调整，在空载 通过一大阻值电阻充电，使损耗降到最低。当 VDD 升到 和轻载时 FB 电压会降低，降到 1.4V 时进入绿色模式， 15V 时，芯片内部模块逻辑开始工作，驱动高压 MOS 开 芯片频率随着 FB 电压降低而降低，当 FB 电压进一步降 关。正常工作状态，辅助绕组上的电压会随着输出电压的 低到 0.57V 时，芯片进入突发模式，及芯片驱动关断，直 升高而升高，到一定程度后开始给芯片供电。如果 VDD 到 FB 升到 0.67V 时恢复开关。因此可以有效降低系统待 电压低于 9V，芯片将自动关闭，重新进入启动过程。 机功耗。另外绿色模式的最低频率在 22KHz，以保证在 频率抖动 任何负载情况下没有音频噪声。 ME8112 集成频率抖动功能，正常工作状态，芯片工 保护功能 ME8112 拥有完善的保护功能，以确保系统可靠的工 作频率围绕中心频率在±4%的范围内随机变化，有效改 善系统的 EMI 特性，简化系统的设计。 作。包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP）， 电流检测以及前沿消隐 VDD 欠压锁定（UVLO） ，VDD 过压保护（OVP），过温 ME8112 进行逐周期电流检测，开关电流经过一个检 保护(OTP)等。 测电阻被 CS 脚检测到，到达一定阈值时控制开关关闭。 当 ME8112 工作在超负载状态时，输出电压无法到 为避免功率管开启时产生的尖峰造成误触发，有必要做一 达额定电压，FB 电压超过内部设置的功率限制阈值电压 个前沿消隐时间，这里是 220nS。在这个时间里，开关 达到 38mS 左右时控制电路关闭开关管，辅助绕组无法继 不能被关闭。 续供电，VDD 开始下降，直到降低到 9V，芯片重新启动。 V03 www.microne.com.cn Page 7 of 9 ME8112 封装信息 ● 封装类型： DIP7 参数 A A1 A2 A3 b B1 C D E1 eA eB e eC L V03 尺寸（mm） 最小值 3.6 0.5 3.2 1.47 0.38 1.474 0.204 9 6.1 7.32 7.62 2.44 0 3 尺寸（Inch） 最大值 4.31 一 3.6 1.65 0.57 1.574 0.36 9.4 6.6 7.92 9.3 2.64 0.84 3.6 www.microne.com.cn 最小值 0.1417 0.0197 0.126 0.0579 0.015 0.058 0.008 0.3543 0.2402 0.2882 0.3 0.09614 0 0.1181 最大值 0.1697 一 0.1417 0.065 0.0224 0.062 0.0142 0.37 0.2598 0.3118 0.3661 0.1039 0.0331 0.1417 Page 8 of 9 ME8112  本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之更改。  本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。 另外，应用电路示例为产品之代表性应用说明，非保证批量生产之设计。  本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载或复制等。  本资料所记载之产品，未经本公司书面许可，不得作为健康器械、医疗器械、防灾器械、 瓦斯关联器械、车辆器械、航空器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使 用。  尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性，但是半导体产品有可能按照某种概率发生故 障或错误工作。为防止因故障或错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等， 请充分留心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计。 V03 www.microne.com.cn Page 9 of 9