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LTK5128D

LTK5128D

  • 厂商:

    LTKCHIP(联辉科电子)

  • 封装:

    -

  • 描述:

    LTK5128D

  • 数据手册
  • 价格&库存
LTK5128D 数据手册
LTK5128D 2019.2.20修订 LTK5128D 高耐压 3Ω7.3W F类、单声道音频放大器  特性  概述   LTK5128D 是一款 4Ω6W、单声道 AB/D 类音频功 率放大器。LTK5128D 通过一个 MODE 管脚可以方 便地切换为 AB 类模式,完全消除 EMI 干扰。 LTK5128D 的工作电压范围为 2.5-7V。在 D 类放 大器模式下可以提供高于 90%的效率,新型的无 滤波器结构可以省去传统 D 类放大器的输低通滤 波器,LTK5128D 独有的 DRC(Dynamic range control)技术,降低了大功率输出时,由于波 形切顶带来的失真,相比同类产品,动态反应更 加出色。LTK5128D 采用 ESOP-8 封装。         应用     输入电压范围 2.5V-7V 无滤波的 D 类/AB 类放大器、低静态电流和 低 EMI FM 模式无干扰 优异的爆破声抑制电路 超低底噪、超低失真 10% THD+N,VDD=7V,4Ω+33UH 负载下提供 高达 6W 的输出功率 10% THD+N,VDD=7V,3Ω +33UH 负载下 提 供高达 7.3W 的输出功率 过温保护、短路保护 关断电流 < 1ua 蓝牙音箱、智能音箱 导航仪、便携游戏机、 儿童玩具、DVD、MP3、MP4 智能家居等各类音频产品  封装 芯片型号 封装类型 LTK5128D ESOP-8 封装尺寸  典型应用图 2.5V-7V C2 1uF VDD SD状态 芯片状态 低电平 打开模式 高电平 关闭模式 6 SD 1 8 MODE状态 芯片状态 低电平 AB类模式 高电平 悬空 AB类模式 5 OVP OVN MODE 3 D类模式 LTK5128D 信号输入 Cin Rin IN- 2 4 7 BYPASS C2 1uF GND www.ltkchip.cn page1 LTK5128D 北京联辉科电子技术有限公司  管脚说明及定义 8 OVP BYPASS 2 7 GND MODE 3 6 VDD IN- 4 5 OVN XXXX 1 LTK5128D SD 散热焊盘 Bottom View Top View 管脚编号 管脚名称 IO 功 能 1 SD I 关断控制。高电平关断,低电平开启 2 BYPASS IO 内部共模参考电压,接电容下地 3 MODE I 模式切换。高电平D类,低电平AB类.悬空默认为AB类 4 IN I 模拟输入端,反相 5 OVN O 输出端负极 6 VDD IO 电源正端 7 GND IO 电源负端 8 OVP O 输出端正极  最大极限值 参数名称 供电电压 存储温度 结温度 负载阻抗 符号 VDD TSTG TJ RL 数值 7V(MAX) -65℃-150℃ 160℃ ≧2 单位 V ℃ ℃ Ω  推荐工作范围 参数名称 符号 数值 单位 供电电压 VDD 3-6.5V V TSTG ℃ 工作环境温度 20℃ to 35℃ 结温度 TJ ℃ 附注:为保证芯片安全和寿命,在实际应用中请严格按照推荐工作条件使用,否则,可能会损坏芯片。 www.ltkchip.cn page2 LTK5128D 北京联辉科电子技术有限公司  ESD 信息 参数名称 人体静电 机器模型静电 符号 HBM CDM 数值 ±2000 ±300 单位 V ℃  基本电气特性 AV=20dB, TA=25℃,无特殊说明的项目均是在VDD=5V,4Ω+33uH条件下测试: 描述 符号 测试条件 最小值 静9态电流 IDD VDD =5V,D类 3 VDD =4.2V,AB类 关断电流 ISHDN VDD=3V to 5 V 静态底噪 Vn VDD=5V ,AV=20DB,Awting D类频率 FSW VDD=5V 输出失调电压 Vos VIN=0V 启动时间 Tstart Vdd=5V,Bypass=1uF 增益 D类模式,RIN=27k Av 电源关闭电压 Vddsd SD=0 电源开启电压 Vddopen SD=0 Vdd=7V SD关断电压 Vsdsd Vdd=5V Vdd=4V Vdd=3V Vdd=7V SD开启电压 Vsdopen Vdd=5V Vdd=4V Vdd=3V Vdd=7V D类开启电压 MODE/D Vdd=5V Vdd=4V Vdd=3V Vdd=7V AB类开启电压 MODE/AB Vdd=5V Vdd=4V Vdd=3V 过温保护 OTP IDS=0.5A P_MOSFET 静态导通电阻 RDSON VGS=4.2V N_MOSFET 内置输入电阻 内置反馈电阻 效率 www.ltkchip.cn Rs Rf ηC 典型值 5 8 1 110 520 10 174 ≈20 最大值 6 单位 mA mA uA uV kHz mV MS DB 2.5 >1.8 V V >1.6 >1.4 >1.4 1.4
LTK5128D 价格&库存

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