MT7285
升压, 降压,升降压
高频 PWM 调光 LED 恒流驱动芯片
Maximizing IC Performance
描述
主要特点
MT7285是一款4.2V~40V宽输入电压范围,白光
●
输入电压范围:4.2V~40V
LED恒流驱动芯片,MT7285可设置为降压,升压
●
高达 95%的效率
和升降压型拓扑结构。可在AC12V/DC12V的输入
●
逐周期过流保护
电压下达到20W的驱动能力。
●
外置 MOS 管驱动
●
支持升压,升降压,降压的拓扑结构
MT7285 采用固定工作频率,
电流模式来调节 LED
●
LED 过温保护
电流,系统瞬态响应快,环路稳定,设计简单。
●
稳定的低等效串联电阻(ESR)陶瓷电容即可保
证系统稳定
MT7285 采用高位电流检测技术,可以通过外部电
●
过温保护和过压保护
阻设置 LED 的平均工作电流。205mV 的低基准电
●
过压保护外部可调节
压有效地降低了功率损耗,提高了效率。450kHz
●
固定 450kHz 工作频率
固定工作频率最大限度的减少了外部电感,输入与
●
抖频技术降低电磁干扰 EMI
输出电容。
●
低反馈电压:205mV
●
可调节的软启动
MT7285 通过单个控制引脚支持 PWM 调光和模拟
●
支持模拟调光和高达 10kHz 的 PWM 调光
调光。
●
ESOP8 封装
芯片内部包括过压保护(OVP)
、过流保护(OCP)
应用
和过温保护(OTP)等保护机制,以确保系统安全
●
车用日行灯和船舶照明
可靠地工作。
●
高功率 LED 照明驱动
●
LED 手电筒
●
低压 LED 照明
(景观照明、台灯及室内照明、MR16 射灯)
●
LED 背光照明
典型应用电路
VBAT
Rsen
C1
2
VDD
1
8
ISEN
DRV
VIN
R1
Rcs
CS
Cdd
3
4
MT7285
RB1
OVP
C2
7
6 ADJ
GND
9
COMP
5
RB2
Ccomp
22nF
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管脚排列
芯片标记:
ISEN
1
8
DRV
VDD
2
7
OVP
VIN
3
6
ADJ
5
COMP
CS
MT7285
GND
4
MT7285
X YY WW XX
生产内部代码
生产周代码
生产年代码
生产内部代码
(ESOP8)
管脚描述
管脚名称
管脚号
描述
ISEN
1
过流保护检测引脚。
VDD
2
5V 的基准电压,连接一个 1μF 或更大的陶瓷电容到 GND。
VIN
3
芯片电源脚。连接一个 10uF 的陶瓷电容到 GND。
MT7285 输入电压范围是 4.2V ~40V。
CS
4
LED 电流检测引脚,VIN 和 CS 之间的电压为 205mV。
COMP
5
补偿引脚。
从 COMP 到 GND 接一个 22nF 的陶瓷电容。用来控制回路稳定,及软启
动时间。
ADJ
6
亮度和开/关控制引脚。
电压大于 0.4V 芯片开启。当 ADJ 引脚的电压在 0.8V~1.6V 之间时,
LED 电流将会从 0%变化到 100%;当 ADJ 脚电压大于 1.6V 时,LED 电
流会钳制在 100%。
使用 PWM 进行调光,应用频率为 100Hz 到 10kHz 的矩形波信号,且保
证幅值大于 1.6V。保持 ADJ 低于 200mV 并持续 3.5ms,芯片关断。
OVP
7
过压保护检测引脚。
在 BOOST,BUCK-BOOST 转换电路中,当 OVP 引脚电压高于 1.2V 时,
将会关断芯片,OVP 比较器的迟滞电压为 100mV。
DRV
8
接外部 MOS 管栅极。
GND
9
接地脚。
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极限参数
VIN/CS/OVP引脚
-0.3V 到 +40V
其它引脚
+0.3V 到 6V
贮存温度
-55°C 到 150°C
热阻(PN 结到环境) (RθJA)
注释 1
热阻(PN 结到封装表面) (RθJC)
85°C/W
注释 1
50°C/W
推荐工作条件
电源电压
4.2V 到 40V
输出电压
Vin 到 40V
工作温度
-40°C 到 125°C
驱动最高 LED 串联数目
最多 15 颗 LED 串联
(采用特别电路,LED 灯串电压可以更高)
电气参数
(除非特别说明,测试条件为: VBAT=5V, TA=25°C)
符号
参数
测试条件
最小值
典型值
VBAT
输入(电池)电压
Ishutdown
关断电流 (shut down)
VADJ=0V
30
μA
IQ
静态电流(无开关动作)
Vcomp=0V
280
μA
fSW
开关频率
450
kHz
Dmax
最大占空比
95
%
过压保护参考电压
1.2
V
过压保护迟滞
100
mV
0.8
V
1
uA
4.2
VIN-VCS=0.1V
85
最大值
单位
40
V
过压锁定 (OVP Pin)
OV
启用/调光(ADJ Pin)
VEN
开启电压
ADJ 上升
ADJ 引脚上拉电流
ADJ=0V
模拟调光电压范围
PWM 调光频率
注释 2
ADJ 关机(shutdown)延迟
ADJ 引脚拉低
0.8
1.6
V
0.3
10
kHz
3.5
ms
205
mV
过温保护阈值
160
°C
过温保护迟滞
30
°C
电流检测 (CS Pin)
VIN-VCS
电流检测基准
输出开关 (ISEN Pin )
OTP
注释 1: RθJA, RθJC 的测定是在 TA = 25°C 低效导热性单层测试板上,在自然对流条件下按 JEDEC 51-3
热计量标准进行测试。测试条件: 设备 PCB 安装在 2” X 2” FR-4 的基板上, 2oz 铜箔厚度, 顶层金属放
置最小衬垫,通过散热过孔与底层接地平面相连。
注释 2: 设计保证
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原理框图
VBAT
SW
Rsen
C1
DRV
R
Q
S
Q
ISEN
VIN
CS
RCS
RB1
电压
调节器
C2
OSC
误差放大器
及钳位
RB2
PWM 比较器
OVP 比较器
OTP/UVLO
参考电平
ADJ
关机/调光
GND
OVP
VDD
COMP
图1、 功能原理框图
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典型工作特性
(除非特别说明,测试条件为:VBAT =12V, 6颗LED, BOOST结构,输出电流为350mA。)
正常工作
1us/div
VBAT 启动
4ms/div
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LED 开路保护
4ms/div
ADJ 启动
4ms/div
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典型工作特性 (续)
(除特别说明,测试条件为:VBAT =12V, 6颗LED, BOOST结构,输出电流为350mA。)
LED 电流 VS. 输入电压(6 颗 LED)
输入电压 VBAT(V)
输入电压 VBAT(V)
效率 VS. 输入电压(6 颗 LED)
效率 VS. 输入电压(3 颗 LED)
输入电压 VBAT(V)
(VIN_VCS)电压 VS.
ADJ 电压 (V)
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LED 电流 VS. 输入电压(3 颗 LED)
输入电压 VBAT(V)
ADJ 电压
静态电流(无开关动作)VS. VIN
输入电压 VBAT(V)
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典型应用电路
VBAT
Rsen
C1
2
VDD
1
8
ISEN
DRV
VIN
R1
Rcs
CS
Cdd
3
4
MT7285
6
C2
RB1
OVP
7
ADJ
GND
COMP
9
RB2
5
Ccomp
22nF
图 2、BOOST 应用 VBAT VLED 和 VBAT VLED
VBAT
Rsen
C1
2
1
ISEN
8
DRV
VIN
VDD R1
Rcs
Cdd
R1
CS
MT7285
6
Dim
4
RB1
ADJ
GND
9
RNTC
3
OVP
C2
7
COMP
RB2
5
Ccomp
22nF
图 5、加 NTC 电阻保护的 LED 驱动 BOOST 应用
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功能描述
软启动过程
模拟调光和 PWM 调光
MT7285 是通过电流源(8uA)给 CCOMP 充电实现
MT7285 同时支持模拟调光和 PWM 调光。当 VADJ
软启动。当 CCOMP 电压超过 1.3V,外部 MOS 管
低于 0.2V 时,芯片被关断。在模拟调光状态下,
输出开关信号,并逐渐增大占空比。22nF 的陶瓷
当 VADJ 电压从 0.8V 调整到 1.6V 时,LED 电流会
电容足够满足稳定环路和软启动功能。
从 0%转变为 100%。如果 VADJ 电压高于 1.6V,
LED 电流将会维持在 100%。
关断模式
PWM 调光时,VADJ 振幅必须超过 1.6V。在 ADJ
当 VADJ 电压低于 200mV 并持续 3.5ms,MT7285
引脚外加一个 100Hz 到 10kHz 的 PWM 信号,随
便进入关断模式。在关断模式下,除了 ADJ 电压
着占空比的改变,LED 电流从 5%变化到 100%。
检测电路外,整个芯片都被关断,供电电流降至
40μA。关断期间 CCOMP 被放电至 0V,以便 ADJ
电容的选择
重新触发,芯片能够软启动。
典型输入电容值为 10μF,典型输出电容值为 1μF。
较大的电容可以进一步减少输入和输出纹波。在开
过压保护
关频率下保持电容的低阻抗特性很重要,因此推荐
当 LED 应用在 BOOST 和 BUCK-BOOST 时,一
使用 X5R 或 X7R 材质陶瓷电容。CCOMP 可以稳
旦被触发,过压保护便开始启动。如果没有过压保
定环路和控制软启动时间。从 COMP 引脚连接一
护(OVP)电路,LED 电压过高会将 LED 灯珠击穿。
个 22nF 电容到 GND。
(请参阅“典型工作特性” 中 LED 开路保护的波
形,第 5 页)。根据 LED 灯珠的实际数量,通过外
电感器的选择
部电阻的比例设定过压保护阈值。OVP 比较器的
电感值的范围是从 10μH 到 47μH。一个 22μH 的
基准电压是 1.2V,迟滞电压是 100mV。
电感可以在大多数应用中保持最大效率。为防止磁
在正常工作情况下,MT7285 过压保护阈值计算公
芯饱和,要保证电感饱和电流超过电感峰值电流的
式如下:
30%~40%。
VIN = 205mV + VBAT + VLED×K < VOVP= 1.2
×(1+RB1/RB2)
肖特基二极管的选择
上式中:
MT7285 的高开关频率要求一个高速整流二极管
K :每串灯珠的数目,
来保证最佳的效率。建议使用肖特基二极管,由于
VBAT:输入电池电压,如果用在 BOOST 模式,
VBAT= 0,
其快速恢复时间和较低正向压降。选型时请确保二
极管的平均值和峰值电流超过平均输出电流和峰
值电感电流。此外,二极管反向击穿电压必须超过
VLED :单颗 LED 正向压降,
最大输出电压。
建议 OVP 点是正常输出电压的 1.3~1.5 倍。
PCB 布局
设定 LED 电流
由于存在快速开关波形和大电流通路(VIN, SW)
,
LED电流通过外部电流检测电阻Rcs设置,公式
如下:
需要注意 PCB 板布局。在布板过程中,最大限度
的缩短芯片到 Rcs、电感、二极管、输入电容和输
出电容之间的连线长度。保持连线简短、足够宽。
ILED
205
(mA)
Rcs (ohm)
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确保干扰源(例如 SW 节点)远离 Rcs。 输入电
容 C1 和输出电容 C2 的地线连接应该尽可能的短。
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高频 PWM 调光 LED 恒流驱动芯片
封装外型尺寸
Symbol
Dimensions In Millimeters
MIN
MAX
A
—
1.70
A1
0.00
0.15
A2
1.30
1.60
b
0.35
0.47
c
0.20
0.24
D
4.80
5.00
D1
3.10 REF.
E2
2.21 REF.
E1
5.80
6.20
E
3.80
4.00
e
L
1.27 TYP.
0.400
0.800
重要声明:
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和其它改动其产品和服务,和终止任一产品和服务的权利。客户在下单前,应该获取最新的相关信
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