S8050LT1-J3Y

广东风华芯电科技股份有限公司 S8050 GUANGDONG FENGHUA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路 10 号 NPN Transistor NO.10,2nd Nanxiang Road, Guangzhou Science Park,Guangzhou City,Guangdong Province,China. ■■ 主要用途：通用运用程序 、放大等。 Applications:. General purpose application，switching。 ■■ 特性 Features 特性参数 CHARACTERISTIC 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter-Base Voltage 集电极电流 Collector Current 集电极耗散功率 符号 SYMBOL 额定值 RATING 单位 UNIT VCBO 40 V VCEO 25 V VEBO 6 V IC 500 mA PC 625 mW Tj 150 ℃ Tstg ﹣55~150 ℃ Collector Power Dissipation 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature ■■引脚说明 Pin assignment PIN NAME 管脚符号 B E C PIN NUMBER 引脚序号 FUNCTION 功能 BASE EMITTER COLLECTOR SOT-23 1 2 3 ■■电参数 Electrical Characteristics( TC = 25°C unless otherwise noted) 特性参数 CHARACTERISTIC 集电极-基极反向截止电流 Collector Cut-off Current 集电极-基极反向击穿电压 Collector-Base Breakdown Voltage 集电极-发射极反向击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage 发射极-基极反向击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 直流电流增益 DC Current Gain 集电极-发射极饱和压降 Collector-Emitter Saturation Voltage 基极-发射极饱和压降 版本：A 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITIONS 最小值 MIN. 典型值 TYP. 最大值 MAX. 单位 UNIT ICBO VCB= 35V，IE=0 0.1 μA BVCBO Ic= 0.01mA，IE=0 40 V BVCEO Ic= 2mA，IB=0 25 V BVEBO IE= 0.1mA，Ic=0 6 V hFE hFE VCE= 1V，Ic= 100mA VCE= 1V，Ic= 500mA 100 40 VCE(sat) Ic= 500mA，IB= 50mA 0.5 V VBE(sat) Ic= 500mA，IB= 50mA 1.2 V 500 第 1 页 共 2 页 广东风华芯电科技股份有限公司 S8050 GUANGDONG FENGHUA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路 10 号 NPN Transistor NO.10,2nd Nanxiang Road, Guangzhou Science Park,Guangzhou City,Guangdong Province,China. Base-Emitter Saturation Voltage 特征频率 Gain Bandwidth Product 输出电容 Collector Output Capacitance fT Ic= 10mA，VCE=5V 100 MHz Cob VCB= 10V, IE=0, f = 1MHz 12 PF ■■ 打标、分档 DEVICE MARKING 打标 Marking 分档 Value J3Y 200~300 ■■尺寸图 DIMENSION A E 1.90 REF I 5° M 0-0.1 +0.05 N 7° O 7° B 1.30±0.10 F 2.90±0.10 J 0.10 C 0.55±0.10 G 1.00±0.10 K 0.2 MIN L 0.08±0.02 D 版本：A 2.40±0.10 0.40±0.05 H 0.40 -0.05 第 2 页 共 2 页