FSS2302M A2SHB

安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FSS2302M SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型 MOS 场效应管 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BV DSS 20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +10 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 ID 3.3 A Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDM 12 A Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ PD 1000 mW Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to+150 ℃ ■ DEVICE MARKING 打標 FSS2302M=A2SHB 1 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FSS2302M ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = 250uA,VGS=0V) BVDSS 20 — — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS) VGS(th) 0.5 — 1.5 V Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS=0.75A,VGS=0V) VSD — — 1.5 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 16V) (VGS=0V, VDS= 16V, TA=55℃) IDSS — — 1 10 uA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+10V, VDS=0V) IGSS — — +100 nA Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= 3.6A,VGS= 4.5V) RDS(ON) — 50 60 mΩ Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= 2A,VGS= 2.5V) RDS(ON) — 65 75 mΩ Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= 10V,f=1MHz) CISS — 600 — pF Output Capacitance 輸出電容 (VGS=0V, VDS= 10V,f=1MHz) COSS — 120 — pF Turn-ON Time 开启時間 (VDS= 10V, ID= 3A, RGEN=6Ω) t(on) — 8 — ns Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= 10V, ID= 3A, RGEN=6Ω) t(off) — 60 — ns Pulse Width