BFG425W-TOB

BFG425W-TOB SiGe 异质结双极晶体管 微波，低噪音，SiGe 特色 � � � � � � 工作电压：2V 或 3V 工作温度：-55℃至+85℃ 低噪声系数及高增益 NF=1.2dB，Ga=17dB(典型) @ VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz 非常高的功率增益 Gmax=20dB(Typ) @ VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz 高特征频率 低成本，双发射极，4 引脚 SOT343R 封装 应用 � � � � � � 射频前端 宽带应用：例如手机，无线电话 雷达监测器 呼叫器 卫星电视调谐器 高频振荡器 产品介绍 BFG425W-TOB 是 SiGe 双多晶硅 NPN HBT（异质结双极晶体管）。具有低噪声系数，高功 率增益，高电压，宽广动态范围及良好线性特征等特性。采用双发射极，4 引脚 SOT343R 的 封装，主要设计于高频低噪音的应用。 封装形式 引脚 描述 1 发射极 2 基极 3 发射极 4 集电极 电气规格 绝对最大额定值 符号 参数 最大值 单位 IC 集电极电流 30 mA Ptot 总功耗 135 TJ 工作结温 150 mW ℃ 备注: 超过上述的‘绝对最大额定值’将造成本产品永久性的损坏。以上仅提供应力额定值，不包 括功能操作部分。器件长时间在绝对最大额定值下工作，其稳定性有可能会受到影响。 www.slkormicro.com 1 BFG425W-TOB 电气属性 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVCBO 集电极-基极 击穿电压 IC=2.5uA，IE=0 9 - - V BVCEO 集电极-发射极 击穿电压 IC=1mA，IB=0 4.5 - - V BVEBO 发射极-基极 击穿电压 IE=2.5uA，IC=0 1 - - V ICBO 集电极-基极 泄漏电流 IE=0，VCB=4.5V - - 100 nA HFE 直流电流增益 VCE=2V，IC=25mA 50 100 150 - fT 特征频率 VCE=2V，IC=25mA， - 25 - GHz - 20 - dB - 17 - dB - 0.8 - dB - 1.2 - dB - 12 - dBm f=2GHz 最大功率增益 Gmax VCE=2V，IC=25mA， f=2GHz 插入功率增益 2 |S21| VCE=2V，IC=25mA， f=2GHz VCE=2V，f=900MHz， 噪声系数 NF S=Гopt VCE=2V ， f=2GHz ， S=Гopt 输出功率 P1dB 增益压缩为 1dB IO=25mA，VCE=2V， f=2GHz，ZS=ZSopt， ZL=ZLopt 订购信息 产品名称 标准包装 BFG425W-TOB 3K/盘 3K/ www.slkormicro.com 2 BFG425W-TOB 典型属性 图 1：S11（VCE = 2V，IC = 25mV） 图 2：S21（VCE = 2V，IC = 25mV） www.slkormicro.com 3 BFG425W-TOB 图 3：S12（VCE = 2V，IC = 25mV） 图 3：S22（VCE = 2V，IC = 25mV） www.slkormicro.com 4 BFG425W-TOB 4-引脚 SOT343R 封装图 顶视图 尾视图 侧视图 www.slkormicro.com 5