MWT-773

物料型号: MwT-7

器件简介: - MwT-7是一款GaAs MESFET设备，具有1/4微米门长和250微米门宽，非常适合需要在500 MHz至26 GHz频率范围内高增益和中等功率的应用。 - 该器件的直线几何形状使其同样适用于宽带（例如6至18 GHz）或窄带应用。 - 低相位噪声的加工工艺使其特别适合振荡器应用。

引脚分配: 文档中未明确提供引脚分配信息。

参数特性: - IDSS: 饱和漏极电流，范围26 mA至98 mA。 - Gm: 跨导，典型值为45 mS。 - Vp: 夹断电压，范围-1.5 V至-4.5 V。 - BVGSO/BVGDO: 栅源/栅漏击穿电压，分别为-5.0 V至-8.0 V。 - Rth: 热阻，范围180至380°C。

功能详解: - 设计师可以使用MwT的独特BIN选择功能，从狭窄的Idss范围内选择设备，确保电路操作的一致性。

应用信息: - 适用于宽带增益或振荡器应用。

封装信息: - 提供芯片和两种封装类型，具体封装信息请参考网站。

订购信息: - 提供了芯片MwI-7和两种封装MwI-771和MwI-773的订购信息。

安全操作限制: - 提供了与背面芯片相关的安全操作限制。

典型噪声参数: - 在12 GHz频率下，提供了最小噪声系数NT和最佳噪声系数GAMMA OPT的数据。

噪声系数和相关增益与频率的关系: - 提供了不同频率下的噪声系数和相关增益的图表。

BIN选择指南: - 提供了不同Idss范围的BIN选择指南。