物料型号:PESD12VS1UB-N
器件简介:
- 该保护二极管具有350瓦的峰值脉冲功率(8/20μs脉冲)
- 采用单向配置
- 使用固态硅雪崩技术
- 具有低钳位电压和低漏电流
- 符合IEC 61000-4-2标准,接触放电±8kV,空气放电±15kV
- 符合IEC 61000-4-4标准,40A(5/50ns)电快速瞬变脉冲群
- 符合IEC 61000-4-5标准,10A(8/20μs)雷击
引脚分配:
- SOD-523封装
参数特性:
- 绝对最大额定值包括峰值脉冲功率350瓦,峰值脉冲电流10A,ESD电压15kV(空气)和8kV(接触),焊接温度260℃(10秒),结温-55至+150℃,存储温度-55至+150℃
- 电气特性包括反向工作电压12V,反向击穿电压13.3V,反向漏电流1μA(在12V下,25°C),钳位电压35V(在10A,8/20μs脉冲下),结电容55pF(在0V反向电压,1MHz频率下)
功能详解:
- 该器件适用于微处理器基础设备、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、台式电脑和服务器、便携式仪器、寻呼机和外围设备
- 提供了峰值脉冲功率与脉冲时间的关系图、功率降额曲线图、脉冲波形图和钳位电压与峰值脉冲电流的关系图
应用信息:
- 适用于微处理器基础设备、个人数字助理、笔记本电脑、台式电脑、服务器、便携式仪器、寻呼机和外围设备
封装信息:
- SOD523封装
- 尺寸:长度(L)0.15至0.25毫米,宽度(W)0.50至0.70毫米,高度(H)1.50至1.70毫米
- 标记:ZM
- 订购信息:PESD12VS1UB-N,SOD523封装,基础数量5000,交付方式为卷带