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PESD12VS1UB-N

PESD12VS1UB-N

  • 厂商:

    BORN(伯恩)

  • 封装:

    SOD523

  • 描述:

    PESD12VS1UB-N

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
PESD12VS1UB-N 数据手册
PESD12VS1UB-N ESD Protection Diode »Features ■ 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs) ■ Unidirectional configurations ■ Solid-state silicon-avalanche technology ■ Low clamping voltage ■ Low leakage current ■ IEC 61000-4-2 ±8kV contact ±15kV air ■ IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) ■ IEC 61000-4-5 (Lightning) 10A (8/20μs) »Applications »Mechanical Data ■ Microprocessor based equipment ■ SOD523 package ■ Personal Digital Assistants (PDA’s) ■ Molding compound flammability rating: UL 94V-0 ■ Notebooks, Desktops, and Servers ■ Packaging: Tape and Reel ■ Portable Instrumentation ■ RoHS/WEEE Compliant ■ Pagers Peripherals »Schematic & PIN Configuration SOD-523 Revision 2018 www.born-tw.com 1/4 PESD12VS1UB-N »Absolute Maximum Rating Rating Symbol Value Units Peak Pulse Power ( tp =8/20μs) PPP 350 Watts Peak Pulse Current ( tp =8/20μs ) (note1) Ipp 10 A VESD 15 8 kV Lead Soldering Temperature TL 260(10seconds) ℃ Junction Temperature TJ -55 to + 150 ℃ Storage Temperature Tstg -55 to + 150 ℃ ESD per IEC 61000-4-2 (Air) ESD per IEC 61000-4-2 (Contact) »Electrical Characteristics Parameter Symbol Reverse Stand-Off Voltage Reverse Breakdown Voltage Conditions Min Typical VRWM Max Units 12.0 V VBR IT=1mA 13.3 V Reverse Leakage Current IR VRWM=12V,T=25℃ 1 uA Clamping Voltage VC IPP=10A,tp=8/20μs 35 V Junction Capacitance Cj VR = 0V, f = 1MHz 55 pF »Electrical Parameters (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter IPP Maximum Reverse Peak Pulse Current VC Clamping Voltage @ IPP V RW M IR V BR IT I IF Working Peak Reverse Voltage Maximum Reverse Leakage Current @ V RW M VC VBR VRWM IR VF IT Breakdown Voltage @ IT V Test Current IPP Note:. 8/20μs pulsewaveform. Revision 2018 www.born-tw.com 2/4 PESD12VS1UB-N »Typical Characteristics Figure 1: Peak Pulse Power vs. Pulse Time Figure 2: Power Derating Curve 110 350w 8/20µs waveform 1 0.1 0.01 0.1 1 10 100 100 Percent of Rated Power for Ipp Ppp – Peak Pulse Power - Ppp(KW) 10 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 1,000 td – Pulse Duration - µs 90 Ipp 80 Percent 100 125 150 Test Waveform Paramters tr=8µs td=20µs 40 Clamping Voltage–VC (V) 100 e-1 50 40 td=Ipp/2 20 75 45 Waveform Paramters tr=8µs td=20µs 30 50 Figure 4: Clamping Voltage vs.Ipp 110 60 25 Ambient Temperature - TA (℃) Figure3: Pulse Waveform 70 0 30 25 20 15 10 5 10 0 0 5 Revision 2018 10 15 Time (µs) 20 25 30 0 2 4 6 8 10 Peak Pulse Current–IPP (A) www.born-tw.com 3/4 PESD12VS1UB-N »Outline Drawing – SOD523 D -X-YE 1 DIMENSIONS 2 SYMBOL b 2x 0.08 (0.0032) X A b C D E HE L Y A C HE L MILLIMETER INCHES MIN MAX MIN MAX 0.50 0.25 0.07 1.10 0.70 1.50 0.15 0.70 0.35 0.20 1.30 0.90 1.70 0.25 0.020 0.010 0.0028 0.043 0.028 0.059 0.006 0.028 0.014 0.0079 0.051 0.035 0.067 0.010 »Marking 1 ZM 2 »Ordering information Order code PESD12VS1UB-N Revision 2018 Package Base qty Delivery mode SOD523 5000 Tape and reel www.born-tw.com 4/4
PESD12VS1UB-N
物料型号:PESD12VS1UB-N

器件简介: - 该保护二极管具有350瓦的峰值脉冲功率(8/20μs脉冲) - 采用单向配置 - 使用固态硅雪崩技术 - 具有低钳位电压和低漏电流 - 符合IEC 61000-4-2标准,接触放电±8kV,空气放电±15kV - 符合IEC 61000-4-4标准,40A(5/50ns)电快速瞬变脉冲群 - 符合IEC 61000-4-5标准,10A(8/20μs)雷击

引脚分配: - SOD-523封装

参数特性: - 绝对最大额定值包括峰值脉冲功率350瓦,峰值脉冲电流10A,ESD电压15kV(空气)和8kV(接触),焊接温度260℃(10秒),结温-55至+150℃,存储温度-55至+150℃ - 电气特性包括反向工作电压12V,反向击穿电压13.3V,反向漏电流1μA(在12V下,25°C),钳位电压35V(在10A,8/20μs脉冲下),结电容55pF(在0V反向电压,1MHz频率下)

功能详解: - 该器件适用于微处理器基础设备、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、台式电脑和服务器、便携式仪器、寻呼机和外围设备 - 提供了峰值脉冲功率与脉冲时间的关系图、功率降额曲线图、脉冲波形图和钳位电压与峰值脉冲电流的关系图

应用信息: - 适用于微处理器基础设备、个人数字助理、笔记本电脑、台式电脑、服务器、便携式仪器、寻呼机和外围设备

封装信息: - SOD523封装 - 尺寸:长度(L)0.15至0.25毫米,宽度(W)0.50至0.70毫米,高度(H)1.50至1.70毫米 - 标记:ZM - 订购信息:PESD12VS1UB-N,SOD523封装,基础数量5000,交付方式为卷带
PESD12VS1UB-N 价格&库存

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