鎵能半導體(佛山)有限公司
GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd.
www.ganpowersemi.com
650V N-channel GaN FET in DFN6X8
GP16515DS
产品摘要(典型)
89.9
39
650
RDS(on) (m)
Qrr (nC)
VDS (V)
产品特点 :
低 QRR
无需续流二极管
用于降低 EMI 的高端安静标签™
符合 RoHS 标准
高频操作
产品应用:
紧凑型 DC-DC 变换器
交流电机驱动
电池充电器
开关电源
极限参数 (TC=25 °C
若无特殊说明)
符号
参数名称
极限值
单位
ID 25°C
漏极电流(直流) @TC=25 °C
19.5
A
ID 125°C
漏极电流(直流) @TC=125 °C
8.6
A
IDM
漏极脉冲电流(pulse width:50 us)
39
A
VDSS
漏源击穿电压
650
V
VGSS
栅源电压(直流)
±6
V
TJ
结温工作温度
-55 to 150
°C
PD 25°C
漏极最大允许耗散功率
82.5
W
TS
贮存温度
-55 to 150
°C
TCsold
焊接峰值温度b
260
°C
耐热性
符号
参数名称
典型值
单位
RΘJC
结壳热阻
1.6
°C /W
中國廣東省佛山市南海區桂城寶石西路 1 號 C 時代 2 座 7 樓 706(AB 电梯) Tel:0757-86790868
Fax:0757-81023712
Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China
Post Code: 528251
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电气特性
符号
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(TC=25 °C 若无特殊说明)
参数名称
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
静态
VDSS-MAX
漏源击穿电压
VGS(th)
栅极阈值电压
RDS(on)
RDS(on)
IDSS
漏源通态电阻
(TJ = 150 °C)
漏源通态电阻
(TJ = 25 °C)
漏极漏电流测试
650
V
1.4
VGS=0 V, ID=150 µA
V
VDS=0.1 V, ID=18 mA
212.7
mΩ
VGS=6V, ID =7.5A,TJ = 150 °C
89.9
mΩ
VGS=6V, ID =7.5A, TJ = 25 °C
0.4
µA
VDS=650V, VGS=0V, TJ = 25 °C
15
µA
VDS=650V, VGS=0V, TJ = 150 °C
漏极正向漏电流
62.22
漏极正向漏电流
504
CISS
栅短路共源输入电容
127
COSS
栅短路共源输出电容
42
CRSS
栅短路共源反向传输电
IGSS
VGS=0 V,ID=1.5 µA
µA
VGS= 6 V,VDS=0V,TJ = 25 °C
VGS= 6 V, VDS=0V,TJ = 150 °C
动态
pF
Vds=400V, Vgs=0, f=1MHz
0.8
容
Qg
总栅极电荷b
2.8
-
nC
Qgs
栅源电荷
0.2
Qgd
栅漏电荷
1.7
td(on)
开通延迟时间
6.2
tr
上升时间
12.7
Td(off)
关断延迟时间
5.8
tf
下降时间
10
Rg
Gate Resistance
2.3
Ω
Vs=Vd=0V, Vg=2V, f=1MHz
Rdson (Dynamic)
Dynamic Rdson
1.3
Ratio
Vds=400V, Id=1.5A, f=10KHz,duty=10%
ID-VD
源极反向电流
39
A
VGS=6V, VDS=10V,Pulse Width=50us
VSD
源漏反向电压
2.7
V
VGS=0V, ISD=7.5A
trr
反向恢复时间
14
ns
Qrr
反向恢复充电电量
39
nC
Vds=400V, Id=1A, Vg=0~6V
ns
Vgs=400V, Vgs=0~6V, Id=7.5A,
Rg=6.7 Ohm, Wheeling Diode=G-S Shorted
DUI
反向特性
-
Vr=400V, If=7.5A, dI/dt=100A/us
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Fax:0757-81023712
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电特性曲线(TC=25℃):
封装形式 (DFN6X8,Unit:mm):
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