HR7P201FHS

HR7P201 数据手册 8 位 MCU HR7P201 数 据 手 册  产品简介  数据手册  产品规格 上海东软载波微电子有限公司 2016 年 8 月 16 日 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 1/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 东软载波 MCU 芯片使用注意事项 关于芯片的上/下电 东软载波 MCU 芯片具有独立电源管脚。当 MCU 芯片应用在多电源供电系统时，应先对 MCU 芯片上电， 再对系统其他部件上电；反之，下电时，先对系统其他部件下电，再对 MCU 芯片下电。若操作顺序相反 则可能导致芯片内部元件过压或过流，从而导致芯片故障或元件退化。具体可参照芯片的数据手册说明。 关于芯片的复位 东软载波 MCU 芯片具有内部上电复位。对于不同的快速上/下电或慢速上/下电系统，内部上电复位电路可 能失效，建议用户使用外部复位、下电复位、看门狗复位等，确保复位电路正常工作。在系统设计时，若 使用外部复位电路，建议采用三极管复位电路、RC 复位电路。若不使用外部复位电路，建议采用复位管 脚接电阻到电源，或采取必要的电源抖动处理电路或其他保护电路。具体可参照芯片的数据手册说明。 关于芯片的时钟 东软载波 MCU 芯片具有内部和外部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移，可能会影响时钟 源精度；外部时钟源采用陶瓷、晶体振荡器电路时，建议使能起振延时；使用 RC 振荡电路时，需考虑电 容、电阻匹配；采用外部有源晶振或时钟输入时，需考虑输入高/低电平电压。具体可参照芯片的数据手册 说明。 关于芯片的初始化 东软载波 MCU 芯片具有各种内部和外部复位。对于不同的应用系统，有必要对芯片寄存器、内存、功能 模块等进行初始化，尤其是 I/O 管脚复用功能进行初始化，避免由于芯片上电以后，I/O 管脚状态的不确定 情况发生。 关于芯片的管脚 东软载波 MCU 芯片具有宽范围的输入管脚电平，建议用户输入高电平应在 VIHMIN 之上，低电平应在 VILMAX 之下。避免输入电压介于 VIHMIN 和 VILMAX 之间，以免波动噪声进入芯片。对于未使用的输入/输出管脚，建 议用户设为输入状态，并通过电阻上拉至电源或下拉至地，或设置为输出管脚，输出固定电平并浮空。对 未使用的管脚处理因应用系统而异，具体遵循应用系统的相关规定和说明。 关于芯片的 ESD 防护措施 东软载波 MCU 芯片具有满足工业级 ESD 标准保护电路。建议用户根据芯片存储/应用的环境采取适当静电 防护措施。应注意应用环境的湿度；建议避免使用容易产生静电的绝缘体；存放和运输应在抗静电容器、 抗静电屏蔽袋或导电材料容器中；包括工作台在内的所有测试和测量工具必须保证接地；操作者应该佩戴 静电消除手腕环手套，不能用手直接接触芯片等。 关于芯片的 EFT 防护措施 东软载波 MCU 芯片具有满足工业级 EFT 标准的保护电路。当 MCU 芯片应用在 PCB 系统时，需要遵守 PCB 相关设计要求，包括电源、地走线（包括数字/模拟电源分离，单/多点接地等） 、复位管脚保护电路、 电源和地之间的去耦电容、高低频电路单独分别处理以及单/多层板选择等。 关于芯片的开发环境 东软载波 MCU 芯片具有完整的软/硬件开发环境，并受知识产权保护。选择上海东软载波微电子有限公司 或其指定的第三方公司的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境，必须遵循与芯片相关的规定和 说明。 注：在产品开发时，如遇到不清楚的地方，请通过销售或其它方式与上海东软载波微电子有限公司联系。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 2/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 产品订购信息 型号 程序存储区 数据存储器 封装 DIP20 HR7P201FHD* HR7P201FHS HR7P201FHS3 FLASH： 16K Words SRAM：1K Bytes Data FLASH：2K Words HR7P201FHS4 SOP20 SOP16 SOP14 注*：此型号已停产 HR 7P No. X X X 封装：D—DIP20; S—SOP20/16/14 ROM容量：H—16K Words(32K Bytes) ROM类型：F—FLASH ROM 201：MCU型号 7P：8位 MCU系列号 地 址：中国上海市龙漕路 299 号天华信息科技园 2A 楼 5 层 邮 编：200235 E-mail：support@essemi.com 电 话：+86-21-60910333 传 真：+86-21-60914991 网 址：http://www.essemi.com 版权所有© 上海东软载波微电子有限公司 本资料内容为上海东软载波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成，本资料 中所记载的实例以正确的使用方法和标准操作为前提，使用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件， 上海东软载波微电子有限公司不担保或确认该等实例在使用方的适用性、适当性或完整性，上海东软载波 微电子有限公司亦不对使用方因使用本资料所有内容而可能或已经带来的风险或后果承担任何法律责任。 基于使本资料的内容更加完善等原因，上海东软载波微电子有限公司保留未经预告的修改权。使用方如需 获得最新的产品信息，请随时用上述联系方式与上海东软载波微电子有限公司联系。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 3/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 修订历史 版本 修改日期 更改概要 V1.0 2014-01-23 初版 V1.1 2014-08-07 更新免责声明 V1.2 2014-10-27 1：修改 RXB 寄存器的读写类型； 2：修改数据存储器页擦写及写入应用例程； 3：增加 LDO 稳定时间控制位说明，以及唤醒时间的更改； 4：修改输入端口弱上/下拉电阻的匹配精度在±5%以内； 5：I2C 模块添加中断和暂停章节； 6：增加当 I2CTE=1 时，I2CPU 控制功能的描述注释； 7：添加 I2CIFC 寄存器相关描述的注释； 8: Cx 放电时间选择位 TKDIST 配置修改为 00: 32 * Tosc； 01: 160* Tosc； 10: 288 * Tosc； 11: 416 * Tosc； 9：修改 ADCCL 寄存器 SMPS 位固定为 1； 10：增加 ADCCL 寄存器中的 ADVOUT 位； 11：更新电气特性部分。 V1.3 2014-12-3 新增 SOP16 封装及相关信息 V1.4 2015-6-10 1：添加 ADC 参考电压输出脚 ADV 及相关描述； 2：更新参考电压校准控制寄存器 VREFCAL。 3：修改比较器和 AD 模块的参考电压 VREF 由 2.6V 更新 改为 2.5V。 V1.5 2015-7-29 1：加强芯片配置字 BORVS的设置档位说明。 2：统一修改公司名称、logo 及网址等。 V1.6 2015-9-2 1：更新 WDT RC 时钟范围和 WDT 时钟校准控制寄存器 WDTCAL 等内容； 2：更新 BOR 模块使能位的相关使用说明。 V1.7 2016-08-16 增加了未引出的和未使用的 I/O 管脚处理 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 4/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 目 录 内容目录 第 1 章 1. 1 1. 2 1. 3 1. 4 1. 5 第 2 章 2. 1 2. 2 2. 3 2. 4 2. 5 2. 6 第 3 章 3. 1 3. 2 第 4 章 4. 1 4. 2 芯片简介 ....................................................................................................... 11 概述 .............................................................................................................. 11 应用领域 ....................................................................................................... 13 结构框图 ....................................................................................................... 14 管脚分配图 ................................................................................................... 15 1. 4. 1 20-pin .................................................................................................... 15 1. 4. 2 16-pin .................................................................................................... 15 1. 4. 3 14-pin .................................................................................................... 16 管脚说明 ....................................................................................................... 17 1. 5. 1 管脚封装对照表 ............................................................................. 17 1. 5. 2 管脚复用说明 ................................................................................. 18 内核特性 ....................................................................................................... 21 CPU 内核概述 .............................................................................................. 21 系统时钟和机器周期..................................................................................... 21 指令集概述 ................................................................................................... 21 硬件乘法器 ................................................................................................... 21 硬件除法器 ................................................................................................... 22 特殊功能寄存器 ............................................................................................ 23 存储资源 ....................................................................................................... 25 程序存储器 ................................................................................................... 25 3. 1. 1 概述................................................................................................ 25 3. 1. 2 程序计数器（PC） ........................................................................ 25 3. 1. 3 硬件堆栈 ........................................................................................ 26 3. 1. 4 程序存储器查表操作 ...................................................................... 26 3. 1. 4. 1 概述 ........................................................................................ 26 3. 1. 5 数据 FLASH 存储器查表操作 ........................................................ 26 3. 1. 5. 1 概述 ........................................................................................ 26 3. 1. 5. 2 数据 FLASH 页更新流程 ........................................................ 27 3. 1. 5. 3 操作参考例程 .......................................................................... 28 3. 1. 6 特殊功能寄存器 ............................................................................. 29 数据存储器 ................................................................................................... 31 3. 2. 1 概述................................................................................................ 31 3. 2. 2 寻址方式 ........................................................................................ 31 3. 2. 2. 1 直接寻址 ................................................................................. 31 3. 2. 2. 2 GPR 特殊寻址 ........................................................................ 32 3. 2. 2. 3 间接寻址 ................................................................................. 32 3. 2. 3 特殊功能寄存器地址分配表 ........................................................... 34 3. 2. 4 特殊功能寄存器 ............................................................................. 37 输入/输出端口 .............................................................................................. 39 概述 .............................................................................................................. 39 结构框图 ....................................................................................................... 40 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 5/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 I/O 端口弱上拉 ............................................................................................. 40 I/O 端口大电流驱动能力 ............................................................................... 41 I/O 端口开漏输出 .......................................................................................... 41 外部按键中断（KIN） .................................................................................. 41 外部端口中断（PINT） ................................................................................ 42 特殊功能寄存器 ............................................................................................ 42 外设 .............................................................................................................. 46 定时器/计数器模块（Timer/Counter） ......................................................... 46 5. 1. 1 8 位定时器/计数器（T8N） .................................................................. 46 5. 1. 1. 1 概述 ........................................................................................ 46 5. 1. 1. 2 内部结构图 ............................................................................. 46 5. 1. 1. 3 工作模式 ................................................................................. 46 5. 1. 1. 4 预分频器 ................................................................................. 47 5. 1. 1. 5 中断标志 ................................................................................. 47 5. 1. 1. 6 特殊功能寄存器 ...................................................................... 48 5. 1. 2 8 位时基定时器（T8P1/T8P2/T8P3） .................................................. 49 5. 1. 2. 1 概述 ........................................................................................ 49 5. 1. 2. 2 内部结构图 ............................................................................. 49 5. 1. 2. 3 预分频器和后分频器 ............................................................... 49 5. 1. 2. 4 工作模式 ................................................................................. 50 5. 1. 2. 5 定时器模式 ............................................................................. 50 5. 1. 2. 6 标准 PWM 模式 ...................................................................... 50 5. 1. 2. 7 增强型 PWM 模式................................................................... 52 5. 1. 2. 8 EPWM 自动关断和重启 .......................................................... 53 5. 1. 2. 9 PWM 输出沿启动 AD 转换 ..................................................... 55 5. 1. 2. 10 特殊功能寄存器 ...................................................................... 55 5. 2 触摸按键控制（TK）.................................................................................... 59 5. 2. 1 概述................................................................................................ 59 5. 2. 2 内部结构图..................................................................................... 59 5. 2. 3 触摸按键扫描工作原理 .................................................................. 59 5. 2. 4 触摸按键端口控制 .......................................................................... 61 5. 2. 5 触摸按键扫描参考流程 .................................................................. 61 5. 2. 6 模拟比较器 ACP4 .......................................................................... 62 5. 2. 7 内部参考电压模块 .......................................................................... 62 5. 2. 8 特殊功能寄存器 ............................................................................. 63 5. 3 通用异步接收/发送器（UART） .................................................................. 70 5. 3. 1 概述................................................................................................ 70 5. 3. 2 内部结构图..................................................................................... 70 5. 3. 3 波特率配置..................................................................................... 70 5. 3. 4 传输数据格式 ................................................................................. 70 5. 3. 5 异步发送器..................................................................................... 70 5. 3. 6 异步接收器..................................................................................... 71 5. 3. 7 特殊功能寄存器 ............................................................................. 72 5. 4 I2C 总线从动器（I2CS） ............................................................................. 74 4. 3 4. 4 4. 5 4. 6 4. 7 4. 8 第 5 章 5. 1 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 6/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 5 第 6 章 6. 1 6. 2 6. 3 6. 4 6. 5 6. 6 5. 4. 1 概述................................................................................................ 74 5. 4. 2 I2CS 端口配置....................................................................................... 74 5. 4. 3 通讯协议 ........................................................................................ 74 5. 4. 4 数据传输格式参考 .......................................................................... 75 5. 4. 5 中断和暂停..................................................................................... 76 5. 4. 6 特殊功能寄存器 ............................................................................. 77 模/数转换器（ADC） ................................................................................... 81 5. 5. 1 概述................................................................................................ 81 5. 5. 2 内部结构图..................................................................................... 81 5. 5. 3 AD 通道选择.......................................................................................... 81 5. 5. 4 AD 时序特征示意图............................................................................... 82 5. 5. 5 参考例程 ........................................................................................ 82 5. 5. 6 特殊功能寄存器 ............................................................................. 83 特殊功能及操作特性 .................................................................................... 87 系统时钟与振荡器 ........................................................................................ 87 6. 1. 1 概述................................................................................................ 87 6. 1. 2 晶体/陶瓷振荡器模式（HS、XT） ................................................ 87 6. 1. 3 内部时钟模式（INTOSC 和 INTOSCIO） ..................................... 88 6. 1. 4 特殊功能寄存器 ............................................................................. 88 看门狗定时器................................................................................................ 89 6. 2. 1 概述................................................................................................ 89 6. 2. 2 内部结构图..................................................................................... 89 6. 2. 3 特殊功能寄存器 ............................................................................. 89 复位模块 ....................................................................................................... 91 6. 3. 1 概述................................................................................................ 91 6. 3. 2 复位时序图..................................................................................... 91 6. 3. 3 N_MRST 复位参考................................................................................ 92 6. 3. 4 特殊功能寄存器 ............................................................................. 92 中断处理 ....................................................................................................... 94 6. 4. 1 概述................................................................................................ 94 6. 4. 2 中断模式配置 ................................................................................. 94 6. 4. 3 中断逻辑表..................................................................................... 95 6. 4. 4 向量中断模式 ................................................................................. 95 6. 4. 4. 1 中断向量分组 .......................................................................... 95 6. 4. 4. 2 中断向量分组 .......................................................................... 96 6. 4. 4. 3 中断使能配置 .......................................................................... 97 6. 4. 5 殊功能寄存器 ................................................................................. 98 低功耗操作 ................................................................................................. 103 6. 5. 1 MCU 低功耗模式 ................................................................................. 103 6. 5. 2 低功耗模式配置 ........................................................................... 103 6. 5. 3 IDLE 唤醒方式配置 ............................................................................. 104 6. 5. 4 唤醒时间计算 ............................................................................... 104 6. 5. 5 特殊功能寄存器 ........................................................................... 104 芯片配置字 ................................................................................................. 105 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 7/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 7 章 芯片封装图 ................................................................................................. 107 7. 1 20-pin 封装图............................................................................................. 107 7. 2 16-pin 封装图............................................................................................. 109 7. 3 14-pin 封装图............................................................................................. 110 附录 1 指令集 ........................................................................................................ 111 附录 1. 1 概述 ..................................................................................................... 111 附录 1. 2 寄存器操作指令................................................................................... 111 附录 1. 3 程序控制指令 ...................................................................................... 111 附录 1. 4 算术/逻辑运算指令 .............................................................................. 113 附录 2 特殊功能寄存器总表 .................................................................................. 115 附录 3 电气特性 ..................................................................................................... 119 附录 3. 1 参数特性表 .......................................................................................... 119 附录 3. 2 参数特性图 .......................................................................................... 123 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 8/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 图目录 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 1-1 1-2 1-3 1-4 2-1 2-2 3-1 3-2 3-3 3-4 3-5 3-6 4-1 5-1 5-2 5-3 5-4 5-5 5-6 5-7 5-8 5-9 5-10 5-11 5-12 5-13 5-14 5-15 5-16 5-17 5-18 5-19 5-20 5-21 5-22 6-1 6-2 6-3 6-4 6-5 6-6 6-7 6-8 HR7P201 结构框图.............................................................................................. 14 HR7P201（DIP20/SOP20）顶视图 .................................................................... 15 HR7P201（SOP16）顶视图 ............................................................................... 15 HR7P201（SOP14）顶视图 ............................................................................... 16 硬件乘法器内部结构图 ........................................................................................ 21 硬件除法器内部结构图 ........................................................................................ 22 程序区地址映射和堆栈示意图.............................................................................. 25 FLASH 数据存储器存储空间分布 ........................................................................ 26 页更新参考流程图 ................................................................................................ 27 普通直接寻址示意图 ............................................................................................ 32 GPR 特殊寻址示意图........................................................................................... 32 间接寻址示意图 ................................................................................................... 33 输入/输出端口结构图 ........................................................................................... 40 T8N 内部结构图 ................................................................................................... 46 T8Px 内部结构图 ................................................................................................. 49 标准 PWM 模式示意图......................................................................................... 51 标准 PWM 输出示意图......................................................................................... 51 EPWM 单桥输出示意图 ....................................................................................... 52 EPWM 半桥输出示意图 ....................................................................................... 53 EPWM 关断与自动重启（PRESN=1） ............................................................... 54 EPWM 关断与重启（PRESN=0） ...................................................................... 54 触摸按键触摸结构示意图 ..................................................................................... 59 无触摸状态示意图 .............................................................................................. 60 有触摸状态示意图 .............................................................................................. 60 触摸按键操作流程 .............................................................................................. 61 UART 内部结构图 .............................................................................................. 70 UART 数据格式示意图....................................................................................... 70 UART 发送器操作流程图 ................................................................................... 71 UART 接收器操作流程图 ................................................................................... 71 I2C 总线通讯协议示意图.................................................................................... 75 主控器写入从动器数据示意图............................................................................ 75 主控器读取从动器数据示意图............................................................................ 76 ADC 内部结构图 ................................................................................................ 81 AD 通道配置表 ................................................................................................... 81 ADC 时序特征示意图（SMPS=1） ................................................................... 82 系统时钟内部结构图 ............................................................................................ 87 晶体/陶瓷振荡器模式（HS、XT） ...................................................................... 87 看门狗定时器内部结构图 ..................................................................................... 89 芯片复位原理图 ................................................................................................... 91 上电复位时序示意图 ............................................................................................ 91 低电压复位时序示意图 ........................................................................................ 91 N_MRST 复位参考电路图 1................................................................................. 92 N_MRST 复位参考电路图 2................................................................................. 92 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 9/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 图 6-9 中断控制逻辑 ....................................................................................................... 94 表目录 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 表 1-1 1-2 3-1 4-1 4-2 4-3 4-4 4-5 4-6 5-1 5-2 5-3 6-1 6-2 6-3 6-4 6-5 6-6 6-7 6-8 6-9 管脚封装对照表 ................................................................................................... 17 管脚说明 .............................................................................................................. 20 数据区地址映射示意图 ........................................................................................ 31 I/O 端口弱上拉 ..................................................................................................... 40 I/O 端口弱下拉 ..................................................................................................... 40 I/O 端口大电流驱动能力 ...................................................................................... 41 I/O 端口开漏输出 ................................................................................................. 41 外部按键中断 ....................................................................................................... 41 外部端口中断 ....................................................................................................... 42 T8N 工作模式配置表............................................................................................ 46 T8N 预分频器配置表............................................................................................ 47 UART 波特率配置表 ............................................................................................ 70 晶体振荡器电容参数参考表 ................................................................................. 88 中断处理模式配置表 ............................................................................................ 94 中断逻辑表（默认中断模式）.............................................................................. 95 向量表配置表 ....................................................................................................... 95 中断向量分组表 ................................................................................................... 96 向量中断模式使能配置表 ..................................................................................... 97 低功耗模式配置表 .............................................................................................. 103 休眠唤醒表 ......................................................................................................... 104 唤醒时间计算表 ................................................................................................. 104 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 10/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 1 章 芯片简介 1. 1 概述     内核  HR7P RISC CPU 内核  79 条精简指令  系统时钟工作频率最高为 16MHz  指令周期为 2 个系统时钟周期  复位向量位于 0000H，中断向量位于 0004H  支持中断处理，支持中断优先级和中断向量表 存储资源  16K Words FLASH 程序存储器  8 级程序堆栈  2K Words FLASH 数据存储器  共分为 4 页，支持页擦写 擦写时，支持定时器模块正常工作 擦写时，不支持中断处理 1K Bytes SRAM 数据存储器  程序存储器支持直接寻址、相对寻址和查表读操作  数据存储器支持直接寻址、GPR 特殊寻址和间接寻址 I/O 端口  最多支持 17 个 I/O  PA 端口（PA0~PA1，PA3~PA7） PB 端口（PB0~PB7） PC 端口（PC0~PC1） 支持 2 个外部端口中断 PINT（PINT0~ PINT1 为输入端）  支持 4 个外部按键中断 KINT（KIN0~KIN3 为输入端）  支持独立的可配置内部弱上/下拉输入端口  输入端口上/下拉电阻的匹配精度为±5%以内 支持 17 个独立可配置弱上/下拉输入端口 支持 7 个独立的可配置强驱动能力端口 复位及时钟  内嵌上电复位电路 POR  内嵌掉电复位电路 BOR  支持外部复位  支持独立硬件看门狗定时器  支持外部 HS/XT 振荡时钟源 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 11/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册  支持内部高频 16MHz RC 振荡时钟源 外设  出厂校准精度为±2%（常温 25℃）  8 位定时器 T8N  定时器模式（系统时钟）/计数器模式（外部计数时钟输入） 支持可配置预分频器 支持中断产生 8 位时基定时器 T8P1/T8P2/T8P3  定时器模式（系统时钟） 支持可配置预分频器及可配置后分频器 支持 3 组带死区互补输出的增强型脉宽调制（EPWM）输出扩展功能 支持外部端口关断 EPWM 输出 支持模拟比较器输出关断 EPWM 输出 支持 EPWM 自动重启 支持中断产生 模拟数字转换器 ADC  支持 12 位数字转换精度 支持 15 通道模拟输入端 支持可选择参考源 支持参考电压程序校准修正，校准精度在±2%以内（常温 25℃） 支持中断产生 触摸按键功能模块 TK  支持最多 14 个触摸按键 支持 4MHZ、2MHZ、1MHZ、500KHZ 等 4 种工作频率 支持可选基准电压 支持触摸按键扫描中断 一路高速异步收发器 UART  支持异步全双工收发 支持 8 位/9 位数据格式 约定从最低位接收/发送 支持中断产生 一路 I2C 总线  只支持从动模式 支持标准 I2C 总线协议，最高传输率 400Kbit/s 由软件支持 7 位寻址方式 支持中断产生 模拟比较器模块  支持模拟比较器中断产生 可选择比较器输入端电压源 一个高精度参考电压源 - 支持程序校准修正，校准精度在±2%以内（常温 25℃） 支持校准电压 2.5V 输出 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 12/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册     支持两路参考电压输出 支持多种参考电压可选 低功耗特性  IDLE 电流  16uA@3.0V，25℃，典型值 动态电流 2mA@内部 16MHz，5.0V，25℃，典型值 编程及调试接口  支持在线编程（ISP）接口  支持在线调试（ICD）调试工具  支持编程代码加密保护 设计工艺及封装  低功耗、高速 FLASH CMOS 工艺  20 个管脚，采用 DIP/SOP 封装（HR7P201FHD/S）  16 个管脚，采用 SOP 封装（HR7P201FHS3）  14 个管脚，采用 SOP 封装（HR7P201FHS4） 工作条件  工作电压范围：3.0V ~ 5.5V  工作温度范围：-40℃~ 85℃ 1. 2 应用领域 本芯片可用于触摸按键、小家电等领域。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 13/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 1. 3 结构框图 程序存储器 16K Words FLASH ROM HR7P201 FLASH程序存储器访问控制器 Oscillator 程序总线接口 程序指针 8级程序 堆栈 取指和 指令译码 模块 ALU CPU 特 殊 功 能 接 口 数 据 总 线 接 口 Reset Controller WDT Interrupt Controller 特殊功能 IO/IO MUX N_MRST T8N PA T8P1/T8P2/T8P3 PA ACP/VREF PB UART SRAM访问控制器 IIC 1K Bytes SRAM FLASH数据存储器访问控制器 TK 2K Words Data FLASH ADC PC 外 设 图 1-1 HR7P201 结构框图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 14/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 1. 4 管脚分配图 1. 4. 1 20-pin 1 20 VDD PA0/OSC2/AIN0/TK0/CKO 2 19 PC1/SCL/TX/ISPCK/PINT1 PA1/OSC1/CKI/AIN1/TK1/PWM10 3 18 PC0/SDA/RX/ISPDAT/PINT0 N_MRST 4 17 PB7/VREF/VOUT/CMP/TKCX/KIN3/VREFP PA3/AIN2/TK2/N_EPAS 5 16 PB6/AIN13/TK13/KIN2 PA4/AIN3/TK3/T8NCKI/VREFN 6 15 PB5/AIN12/TK12/KIN1 PA5/AIN4/TK4/PWM11 7 14 PB4/AIN11/TK11/KIN0/ADV PA6/AIN5/TK5/PWM20 8 13 PB3/AIN10/TK10/PWM21 PA7/AIN6/TK6/PWM30 9 12 PB2/AIN9/TK9/PWM31 PB0/AIN7/TK7/PWM20 10 11 PB1/AIN8/TK8/PWM21 HR7P201FHD/S VSS 顶视图 图 1-2 HR7P201（DIP20/SOP20）顶视图 1 16 VDD PA0/OSC2/AIN0/TK0/CKO 2 15 PC1/SCL/TX/ISPCK/PINT1 PA1/OSC1/CKI/AIN1/TK1/PWM10 3 14 PC0/SDA/RX/ISPDAT/PINT0 N_MRST 4 13 PB7/VREF/VOUT/CMP/TKCX/KIN3/VREFP PA3/AIN2/TK2/N_EPAS 5 12 PB6/AIN13/TK13/KIN2 PA4/AIN3/TK3/T8NCKI/VREFN 6 11 PB5/AIN12/TK12/KIN1 PA5/AIN4/TK4/PWM11 7 HR7P201FHS3 1. 4. 2 16-pin VSS 10 PB4/AIN11/TK11/KIN0/ADV PA6/AIN5/TK5/PWM20 8 顶视图 9 PB3/AIN10/TK10/PWM21 图 1-3 HR7P201（SOP16）顶视图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 15/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 VSS 1 PA0/OSC2/AIN0/TK0/CKO 2 PA1/OSC1/CKI/AIN1/TK1/PWM10 3 N_MRST 4 PA3/AIN2/TK2/N_EPAS 5 PA4/AIN3/TK3/T8NCKI /VREFN 6 PA5/AIN4/TK4/PWM11 HR7P201FHS4 1. 4. 3 14-pin 14 VDD 13 PC1/SCL/TX/ISPCK/PINT1 12 PC0/SDA/RX/ISPDAT/PINT0 11 PB7/VREF/VOUT/CMP/TKCX/KIN3/VREFP 10 PB6/AIN13/TK13/KIN2 9 PB5/AIN12/TK12/KIN1 8 PB4/AIN11/TK11/KIN0/ADV 顶视图 7 图 1-4 HR7P201（SOP14）顶视图 注 1：N_MRST、N_EPAS 表示低电平有效； 注 2：T8P2 的 PWM20、PWM21 输出端口可软件配置。 注 3：如果产品封装引脚数小于最大引脚数，则未引出的和未使用的 I/O 管脚都需设置为输出低电平。否 则芯片功耗可能会出现异常， 芯片工作稳定性也容易因外界干扰而降低。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 16/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 1. 5 管脚说明 1. 5. 1 管脚封装对照表 HR7P201 管脚名 20pin 16pin 14pin PA0/AIN0/OSC2/TK0/CKO 2 2 2 PA1/AIN1/OSC1/CKI/TK1/PWM10 3 3 3 PA3/AIN2/TK2/N_EPAS 5 5 5 PA4/AIN3/TK3/T8NCKI/VREFN 6 6 6 PA5/AIN4/TK4/PWM11 7 7 7 PA6/AIN5/TK5/PWM20 8 8 / PA7/AIN6/TK6/PWM30 9 / / PB0/AIN7/TK7/PWM20 10 / / PB1/AIN8/TK8/PWM21 11 / / PB2/AIN9/TK9/PWM31 12 / / PB3/AIN10/TK10/PWM21 13 9 / PB4/AIN11/TK11/KIN0/ADV 14 10 8 PB5/AIN12/TK12/KIN1 15 11 9 PB6/AIN13/TK13/KIN2 16 12 10 PB7/VREF/VOUT/CMP/TKCX/KIN3/VREFP 17 13 11 PC0/SDA/RX/ISPDAT/PINT0 18 14 12 PC1/SCL/TX/ISPCK/PINT1 19 15 13 N_MRST 4 4 4 VDD 20 16 14 VSS 1 1 1 表 1-1 管脚封装对照表 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 17/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 1. 5. 2 管脚复用说明 管脚名 管脚复用 A/D 端口说明 PA0 D 通用 I/O AIN0 A ADC 模拟通道 0 输入 支持大电流/ OSC2 A 晶振/谐振器引脚 2 弱上、下拉/ TK0 A 触摸按键输入 0 CKO D Fosc/16 参考时钟输出 PA1 D 通用 I/O AIN1 A ADC 模拟通道 1 输入 PA1/AIN1/OSC1/CKI/TK1/ OSC1 A 晶振/谐振器引脚 1 PWM10 CKI A/D 系统时钟输入 TK1 A 触摸按键输入 1 PWM10 D T8P1 扩展脉宽调制输出 N_MRST - 外部复位输入（低电平有效） PA3 D 通用 I/O AIN2 A ADC 模拟通道 2 输入 TK2 A 触摸按键输入 2 N_EPAS D 关断事件输入 PA4 D 通用 I/O AIN3 A ADC 模拟通道 4 输入 支持大电流/ TK3 A 触摸按键输入 3 弱上、下拉/ T8NCKI D T8N 外部时钟输入端 VREFN A ADC 外部参考负输入 PA5 D 通用 I/O AIN4 A ADC 模拟通道 4 输入 TK4 A 触摸按键输入 4 PWM11 D T8P1 扩展互补脉宽调制输出 PA6 D 通用 I/O AIN5 A ADC 模拟通道 5 输入 TK5 A 触摸按键输入 5 PWM20 D T8P2 扩展脉宽调制输出 PA7 D 通用 I/O AIN6 A ADC 模拟通道 6 输入 TK6 A 触摸按键输入 6 PA0/AIN0/OSC2/TK0/CKO N_MRST PA3/AIN2/TK2/N_EPAS PA4/AIN3/TK3/T8NCK I/VREFN PA5/AIN4/TK4/PWM11 PA6/AIN5/TK5/PWM20 PA7/AIN6/TK6/PWM30 T8P3 扩展脉宽调制输出 PWM30 PB0/AIN7/TK7/PWM20 PB0 D 通用 I/O AIN7 A ADC 模拟通道 7 输入 TK7 A 触摸按键输入 7 PWM20 D T8P2 扩展脉宽调制输出 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 备注 开漏输出 支持大电流/ 弱上、下拉/ 开漏输出 弱上拉使能 支持大电流/ 弱上、下拉/ 开漏输出 开漏输出 支持大电流/ 弱上、下拉/ 开漏输出 支持大电流/ 弱上、下拉/ 开漏输出 支持大电流/ 弱上、下拉/ 开漏输出 支持弱上、下拉/ 开漏输出 18/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续 1] 管脚名 PB1/AIN8/TK8/PWM21 PB2/AIN9/TK9/PWM31 PB3/AIN10/TK10/PWM21 PB4/AIN11/TK11/KIN0/ADV PB5/AIN12/TK12/KIN1 PB6/AIN13/TK13/KIN2 PB7/VREF/VOUT/CMP/TKCX/ KIN3/VREFP PC0/SDA/RX/ISPDAT/PINT0 管脚复用 A/D 端口说明 PB1 D 通用 I/O AIN8 A ADC 模拟通道 8 输入 TK8 A 触摸按键输入 8 T8P2 扩展脉宽调制输 PWM21 D PB2 D 通用 I/O AIN9 A ADC 模拟通道 9 输入 TK9 A 触摸按键输入 9 支持弱上、下拉/ 开漏输出 出 T8P3 扩展互补脉宽调 PWM31 D PB3 D 通用 I/O AIN10 A ADC 模拟通道 10 输入 TK10 A 触摸按键输入 10 支持弱上、下拉/ 开漏输出 制输出 T8P2 扩展互补脉宽调 PWM21 D PB4 D 通用 I/O AIN11 A ADC 模拟通道 11 输入 TK11 A 触摸按键输入 11 KIN0 D 外部按键中断 0 输入 ADV A ADC 参考电压输出 PB5 D 通用 I/O AIN12 A ADC 模拟通道 12 输入 TK12 A 触摸按键输入 12 KIN1 D 外部按键中断 1 输入 PB6 D 通用 I/O AIN13 A ADC 模拟通道 13 输入 TK13 A 触摸按键输入 13 KIN2 D 外部按键中断 2 输入 PB7 D 通用 I/O VREF A 外部参考电压输入 VOUT D 内部参考电压输出 CMP A 比较器输入公共端 TKCX A TK 外部电容 CX 输入端 KIN3 D 外部按键中断 3 输入 VREFP A ADC 参考电压正输入 PC0 D 通用 I/O SDA D I2C 数据输入/输出 RX D UART 接收输入 ISPDAT D ISP 串行数据输入/输出 PINT0 D 外部端口中断 0 输入 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 备注 支持弱上、下拉/ 开漏输出 制输出 支持弱上、下拉/ 开漏输出 支持弱上、下拉/ 开漏输出 支持弱上、下拉/ 开漏输出 支持弱上、下拉/ 开漏输出 支持弱上、下拉/ 开漏输出 19/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续 2] 管脚名 管脚复用 A/D 端口说明 PC1 D 通用 I/O SCL D I2C 时钟输入 TX D UART 发送输出 ISPCKI D ISP 串行时钟输入 PINT1 D 外部端口中断 1 输入 VDD VDD - 电源 VSS VSS - 地，0V 参考点 PC1/SCL/TX/ISPCK/PINT1 备注 支持弱上、下拉/ 开漏输出 表 1-2 管脚说明 注 1：A = 模拟，D = 数字； 注 2： N_MRST 表示低电平复位有效； 注 2：T8P2 的 PWM20、PWM21 输出端口可软件配置； V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 20/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 2 章 内核特性 2. 1 CPU内核概述  内核特性  HR7P RISC CPU 内核  79 条精简指令  系统时钟工作频率最高为 16MHz  机器周期为 2 个系统时钟周期  支持中断处理，共 7 个中断源，支持中断向量表 2. 2 系统时钟和机器周期 本芯片系统时钟频率最高支持 16MHz。通过片内时钟生成器产生两个不重叠 的正交时钟 phase1（p1） ，phase2（p2）。两个不重叠的正交时钟组成一个机 器周期。 2. 3 指令集概述 本芯片采用 7P 系列 79 条精简指令集系统。 除了部分条件跳转与控制程序流程的指令为双（机器）周期指令，其他指令均 为单（机器）周期指令。若芯片系统时钟频率为 4MHz，一个机器周期的时间 为 500ns。 具体指令集请参考《附录 指令集》。 2. 4 硬件乘法器 系统时钟 MULA 地址总线 总 线 接 口 读数据总线 写数据总线 控制总线 MULB 乘法器 MULL MULH MUL 图 2-1 硬件乘法器内部结构图 硬件乘法器：[8 位乘数 A ]x [8 位乘数 B] = 16 位乘积。 通过 MULA 寄存器设置乘数 A，通过 MULB 寄存器设置乘数 B，这两个寄存 器只能被写入，无法被读取。运算的乘积存入 MULH 和 MULL 寄存器中，这 两个寄存器只能被读取，无法被写入。MULA 和 MULL 共用一个寄存器地址， MULB 和 MULH 共用一个寄存器地址。被乘数和乘数设置完成后，下一条指 令即可读取乘积结果。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 21/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 2. 5 硬件除法器 系统时钟 DIVEL 地址总线 总 线 接 口 读数据总线 写数据总线 DIVEH DIVS 除法器 DIVQL DIVQH 控制总线 DIVR DIV 图 2-2 硬件除法器内部结构图 硬件除法器：16 位被除数 / 8 位除数 = 16 位商和 8 位余数。 通过 DIVEH 和 DIVEL 寄存器设置被除数，通过 DIVS 寄存器设置除数。这三 个寄存器只能被写入，无法被读取。运算的商存入 DIVQH 和 DIVQL 寄存器 中，余数存入 DIVR 寄存器中。这三个寄存器只能被读取，无法被写入。DIVEL 和 DIVQL 共用一个寄存器地址， DIVEH 和 DIVQH 共用一个寄存器地址， DIVS 和 DIVR 共用一个寄存器地址。被除数和除数设置完成后，需要插入 2 条 NOP 指令，才能读取商和余数。若除数为“0”，则商为 0xFFFF，余数为 0xFF， 表示溢出。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 22/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 2. 6 特殊功能寄存器 寄存器名称 程序状态字寄存器（PSW） 地址 FF84H 复位值 x00x xxxx C DC bit0 bit1 R/W 全进位或全借位标志位 0：无进位或有借位 1：有进位或无借位 R/W 半进位或半借位标志位 0：低四位无进位或低四位有借位 1：低四位有进位或低四位无借位 Z bit2 R/W 零标志位 0：算术或逻辑运算的结果不为零 1：算术或逻辑运算的结果为零 OV bit3 R/W 溢出标志位 0：有符号算术运算未发生溢出 1：发生溢出 R/W 负数标志位 0：有符号算术或逻辑运算结果为正数 1：结果为负数 N OF bit4 bit5 R 程序压栈溢出标志位 0：程序压栈未溢出 1：程序压栈溢出 程序出栈溢出标志位 0：程序出栈未溢出 1：程序出栈溢出 UF bit6 R - bit7 - - 注 1：仅部分指令可对 PSW 寄存器进行写操作，包括 JDEC、JINC、SWAP、BCC、BSS、BTT、MOVA 和 SETR。其它指令对 PSW 寄存器的写操作，只根据运行结果影响相应状态标志位。 注 2：OF 和 UF 位为只读标志位，仅上电复位、复位指令和 N_MRST 复位会将其清零，其他复位不影响 该两位标志位。 寄存器名称 A 寄存器（AREG） 地址 FF85H 复位值 xxxx xxxx A bit7-0 R/W A 寄存器 寄存器名称 程序计数器（PCRL） 地址 FF86H 复位值 0000 0000 PCRL bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 程序计数器低 8 位 23/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 程序计数器（PCRH） 地址 FF87H 复位值 0000 0000 PCRH Bit5-0 R/W - Bit7-6 - 程序计数器高 6 位 - 寄存器名称 乘数 A 寄存器（MULA）/乘积低 8 位寄存器（MULL） 地址 FF88H 复位值 xxxx xxxx MULA MULL bit7-0 W 乘数 A R 乘积低 8 位 寄存器名称 乘数 B 寄存器（MULB）/乘积高 8 位寄存器（MULH） 地址 FF89H 复位值 xxxx xxxx MULB MULH bit7-0 W 乘数 B R 乘积高 8 位 寄存器名称 被除数低 8 位寄存器（DIVEL）/ 商低 8 位寄存器（DIVQL） 地址 FF8AH 复位值 xxxx xxxx DIVEL DIVQL bit7-0 W 被除数低 8 位 R 商低 8 位 寄存器名称 被除数高 8 位寄存器（DIVEH）/ 商高 8 位寄存器（DIVQH） 地址 FF8BH 复位值 xxxx xxxx DIVEH DIVQH bit7-0 W 被除数高 8 位 R 商高 8 位 寄存器名称 除数寄存器（DIVS）/ 余数寄存器（DIVR） 地址 FF8CH 复位值 xxxx xxxx DIVS DIVR bit7-0 W 除数 R 余数 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 24/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 3 章 存储资源 3. 1 程序存储器 概述 3. 1. 1 HR7P201 程序存储器为 16K Words FLASH，程序寻址空间为 0000H~3FFFH。 寻址超出地址范围就会导致 PC 循环。 复位向量位于 0000H，默认中断向量入口地址位于 0004H。 0000H 用 户 程 序 存 储 区 程序指针计数器 （PC） 复位向量 …… 0004H 中断向量入口地址 堆栈控制器 …… 3FFFH 8级堆栈 1 2 … 8 图 3-1 程序区地址映射和堆栈示意图 3. 1. 2 程序计数器（PC） HR7P201 是 14 位程序计数器 PC,，程序存储器容量为 16K Words， 地址范围为 0000H ~ 3FFFH；寻址时超出地址范围会导致 PC 循环（又从 0000H 开始访问） 。 程序计数器 PC 的低 8 位 PC可通过 PCRL 直接读写， 而 PC 高 6 位不能直接读写，只能通过 PCRH 寄存器来间接赋值。复位时， PCRL、PCRH 和 PC 都会被清零。PC 硬件堆栈操作不会影响 PCRH 的值。 注：各种指令对 PC 的影响： 1． 通过指令直接修改 PC 值时，对 PCRL 为目标寄存器的操作可直接修改 PC，即 PC=PCRL；而操作 PC的同时也会执行 PC=PCRH，因此，修改 PC 时， 应先修改 PCRH，再修改 PCRL。 2． 执行 RCALL 指令时，PC为寄存器 R 中的值；而 PC =PCRH。 3． 执行 CALL，GOTO 指令时，PC低 11 位为指令中 11 位立即数，而 PC =PCRH。 4． 执行 LCALL 指令时，该指令为双字指令共有 16 位立即数（操作数） 。PC被修改为该 16 位立 即数的值的低 14 位；同时 PCRH被修改为 I的值。 5． 执行 AJMP 指令时，该指令为双字指令共有 16 位立即数（操作数） 。PC 被修改为该 16 位立 即数的值低 14 位，同时 PCRH修改为 I的值。 6． 执行 PAGE 指令时，PCRH的值将被该指令的立即数 I替换。 7． 执行其他指令时，PC 值自动加 1。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 25/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 3. 1. 3 硬件堆栈 芯片内有 8 级硬件堆栈，堆栈位宽与 PC 位宽相等，用于 PC 的压栈和出栈。执行 CALL、LCALL 和 RCALL 指令或中断被响应后，PC 自动压栈保护；当执行 RET、 RETIA 或 RETIE 指令时，堆栈会将最近一次压栈的值返回至 PC。 硬件堆栈只支持 8 级缓冲操作，即硬件堆栈只保存最近的 8 次压栈值，对于连续 超过 8 次的压栈操作，第 9 次的压栈数据使得第 1 次的压栈数据丢失。同样，超 过 8 次的连续出栈，第 9 次出栈操作，可能使得程序流程不可控。 3. 1. 4 程序存储器查表操作 3. 1. 4. 1 概述 程序存储器只支持查表读操作，通过查表读指令将 FRA（FRAH，FRAL）所指向 的程序存储器地址中的一个字（Word）读入 ROMD（ROMDH，ROMDL）中。 3. 1. 5 数据FLASH存储器查表操作 3. 1. 5. 1 概述 数据 FLASH 存储器，共 4 页，每页 1K 字节，可支持查表读和擦写操作，地址范 围为 4000H~47FFH。 查表读操作通过查表读指令将 FRA（FRAH，FRAL）所指向的地址单元中的一个 字（Word）读入 ROMD（ROMDH，ROMDL）中。 擦写操作需通过查表写指令和存储器控制寄存器（ROMCH，ROMCL）共同完成。 包括三个基本操作：数据备份，页擦除，字编程。当用户擦除程序存储区时，数据 FLASH 存储器空间也全部擦除。 数据 FLASH 存储器的擦除以页为单位，通过存储器控制寄存器（ROMCH， ROMCL）可将 FRAH 所指向的页擦除。每页擦除时间至少为 2ms。 字编程将 ROMD（ROMDH，ROMDL）寄存器中的 16 位值写入 FRA 所指向的的 地址单元。单个地址编程时间至少为 20us。 芯片配置字寄存器 CFG_WD（FREN）为查表操作的使能位，若 FREN 为 1 允许进行页擦除，字编程操作，否则擦写操作被忽略。 在进行数据 FLASH 存储器擦写前，先关闭 WDT 定时功能，否则会引起芯片复位。 页码 存储容量（Byte） 地址范围 1 1K 4000H~41FFH 2 1K 4200H~43FFH 3 1K 4400H~45FFH 4 1K 4600H~47FFH 图 3-2 FLASH 数据存储器存储空间分布 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 26/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 3. 1. 5. 2 数据FLASH页更新流程 开始 备份整页数据至RAM 更新所需的RAM数据 执行页擦除 写RAM数据 至ROM 执行字编程 下一地址？ FRA + 1 是 否 错误 校验 正确 完成 图 3-3 页更新参考流程图 更新一页程序存储器的步骤： 1．用查表读指令将一页内容备份至数据存储空间（需 512x2x8 位存储空间，用于存放一页的数据量） ； 2．修改备份数据存储空间要更新的值； 3．通过设置寄存器 ROMCL 和 ROMCH 进行页擦除（必须依照固定程序流程进行） ； 4．通过寄存器 FRAL 和 FRAH 选择需要更新的地址，以及设置寄存器 ROMDL 和 ROMDH 需要更新的数 据； 5．通过寄存器 ROMCL 和 ROMCH 将寄存器 ROMDL 和 ROMDH 中的内容写入 FRA 所指向的页中的地 址（必须依照固定程序流程进行） ； 6．重复 4、5 步骤直至完成整页编程； 7．用查表读指令进行写入区的校验。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 27/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 3. 1. 5. 3 操作参考例程 应用例程 1：数据存储器查表读。 MOVI MOVA MOVI MOVA TBR MOV …… MOV …… 0x05 FRAL 0x41 FRAH ；读取数据 FLASH 存储器 4105H 单元 ；查表读指令，读取数据到 ROMDH/L 寄存器 ROMDH, 0 ROMDL, 0 应用例程 2：数据存储器页擦除。除定时器/计数器可保持运行外，程序停止运行，直 至擦除操作完成自动恢复运行。 MOVI MOVA MOVI MOVA BSS BSS BCC 0X40 FRAH 0X00 FRAL ROMCL, FPEE ROMCL, WREN INTG, GIE MOVI MOVA …… MOVI MOVA …… BSS NOP …… 0x55 ROMCH ；擦除第 1 页（页地址区间为 4000H~41FFH） ；选择擦除操作 ；打开 FLASH 擦除/编程使能 ；关闭全局中断（避免中断影响后续固定程序流 程） ；8 个 NOP 指令，或等待 8 个指令周期 0xAA ROMCH ；8 个 NOP 指令，或等待 8 个指令周期 ROMCL, WR 应用例程 3：将数据缓冲器写入数据存储器。除定时器/计数器可保持运行外，程序停 止运行，直至擦除操作完成自动恢复运行。 MOVI MOVA MOVI MOVA MOVI MOVA MOVI MOVA 0x40 FRAH 0x00 FRAL 0x12 ROMDH 0x34 ROMDL V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ；写入 Flash 数据存储器的第 1 页第 1 个地址 ；写入数据 1234H 28/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 BCC BSS BCC ROMCL, FPEE ROMCL, WREN INTG, GIE MOVI MOVA ... ... MOVI MOVA ... ... BSS NOP 0x55 ROMCH ；选择编程操作 ；打开 FLASH 擦除/编程使能 ；关闭全局中断（避免中断影响后续固定程序流 程） ；8 个 NOP 指令，或等待 8 个指令周期 0xAA ROMCH ；8 个 NOP 指令，或等待 8 个指令周期 ROMCL, WR …… 注：上述应用例程方框中的程序为固定操作格式，客户不可改变。 3. 1. 6 特殊功能寄存器 寄存器名称 存储器查表地址寄存器（FRAL） 地址 FF90H 复位值 xxxx xxxx FRAL bit7-0 R/W 存储器查表地址低 8 位 寄存器名称 存储器查表地址寄存器（FRAH） 地址 FF91H 复位值 xxxx xxxx FRAH bit7-0 R/W 存储器查表地址高 8 位 寄存器名称 存储器查表数据寄存器（ROMDL） 地址 FF92H 复位值 xxxx xxxx ROMDL bit7-0 R/W 存储器查表数据低 8 位 寄存器名称 存储器查表数据寄存器（ROMDH） 地址 FF93H 复位值 xxxx xxxx ROMDH bit7-0 R/W 存储器查表数据高 8 位 寄存器名称 存储器控制寄存器（ROMCL） 地址 FF94H 复位值 0000 0000 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 29/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 WR WREN bit0 bit1 bit2 - - R/W 存储器擦除/编程触发位 0：未启动擦除/编程操作，或操作已完成 1：擦除/编程正在进行操作（硬件自动清零） R/W 存储器页擦除/编程使能位 0：禁止 1：使能 存储器页擦除/编程选择位 0：编程 1：擦除 FPEE bit3 R/W - bit7-4 - - 寄存器名称 存储器控制寄存器（ROMCH） 地址 FF95H 复位值 0000 0000 ROMCH bit7-0 R/W 存储器擦除/编程控制字 注：ROMCH 寄存器为虚拟寄存器，对该寄存器读出始终为全 0。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 30/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 3. 2 数据存储器 3. 2. 1 概述 本芯片的数据存储器由 2 部分组成，通用数据存储器 GPR 和特殊功能寄存器 SFR。 GPR 共有 8 个存储体组（存储体组 0 ~ 7） ，地址范围 0000H~03FFH。 SFR 支持 128 个特殊寄存器，地址范围 FF80H~FFFFH。 数据存储器支持 3 种寻址方式：直接寻址、GPR 特殊寻址和间接寻址。 物理地址映射如下： 地址范围 数据存储器 0000H ~ 007FH GPR SECTION0 0080H ~ 00FFH GPR SECTION1 0100H ~ 017FH GPR SECTION2 0180H ~ 01FFH GPR SECTION3 0200H ~ 027FH GPR SECTION4 0280H ~ 02FFH GPR SECTION5 0300H ~ 037FH GPR SECTION6 0380H ~ 03FFH GPR SECTION7 表 3-1 数据区地址映射示意图 3. 2. 2 寻址方式 3. 2. 2. 1 直接寻址 在直接寻址时，访问地址信息由两部分组成。BKSR 用于选择存储体组，指令 中的 8 位地址信息用于在 BKSR 所选的存储体组中寻址。特别的，当指令中 的 8 位地址信息大于或等于 80H 时，将忽略 BKSR 而直接寻址 SFR 映射区。 示意图如下。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 31/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 GPR SECTION0 R { GPR SECTION1 (＜ 80H) (≥ 80H) GPR地址映射区 ˜ } } BKSR ˜ GPR SECTION7 ˜ 保留 } ˜ SFR SFR 图 3-4 普通直接寻址示意图 3. 2. 2. 2 GPR特殊寻址 为方便较大的数据段（例如数组）在 GPR 中的移动，指令 MOVAR 和 MOVRA 用于对 GPR 进行特殊寻址读写操作，本芯片指令中支持 10 位地址信息 （R） ，可寻址 1K 字节地址空间。无需进行 SECTION 间切换。MOVAR 和 MOVRA 指令无法访问 SFR。 GPR SECTION0~7 R ˜ ˜ 保留 图 3-5 GPR 特殊寻址示意图 3. 2. 2. 3 间接寻址 8 位 IAAH 和 8 位 IAAL 组成 16 位间接寻址索引寄存器，寻址空间 0000H~ FFFFH。通过对间接寻址数据寄存器 IAD 的读写操作，完成间接寻址操作。 由于 IAD 这个寄存器自身也有物理地址 FF80H。因此，这个寄存器也是可以 被间接寻址的。只是，当用间接寻址的方式，读 IAD 这个寄存器的时候，读 出的值始终为 00H，而写入则是一个空操作（可能影响状态位） 。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 32/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 ISTEP 指令，用来对间接寻址索引寄存器 IAAH/IAAL 进行偏移计算。该指令 支持 8 位有符号立即数，即偏移范围-128~127。虽然只有 8 位立即数，但是 该条指令对整个 IAA(IAAL 和 IAAH)进行 16 位计算。计算的结果依然存放于 IAAL 和 IAAH 中。 0000H ISTEP I GPR SECTION0 (0000H~007FH) GPR SECTION1 (0080H~00FFH) IAA+I 03FFH GPR SECTION7 (0380H~03FFH) IAD 保留区 FF80H FF81H ... FFFFH IAD IAAL ... - 间接寻址，数据寄存器 间接寻址，索引寄存器 ... 保留 图 3-6 间接寻址示意图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 33/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 3. 2. 3 特殊功能寄存器地址分配表 地址 寄存器名称 功能说明 FF80H IAD 间接寻址数据寄存器 FF81H IAAL 间接寻址索引寄存器 FF82H IAAH 间接寻址索引寄存器 FF83H BKSR 存储体选择寄存器 FF84H PSW 程序状态字寄存器 FF85H AREG A 寄存器 FF86H PCRL 程序计数器 FF87H PCRH 程序计数器 FF88H MULA/MULL 乘数 A 寄存器/乘积寄存器 FF89H MULB/MULH 乘数 B 寄存器/乘积寄存器 FF8AH DIVEL/DIVQL 被除数寄存器/商寄存器 FF8BH DIVEH/DIVQH 被除数寄存器/商寄存 FF8CH DIVS/DIVR 除数寄存器/余数寄存器 FF8DH - - FF8EH - - FF8FH - - FF90H FRAL 程序存储器查表地址寄存器 FF91H FRAH 程序存储器查表地址寄存器 FF92H ROMDL 程序存储器查表数据寄存器 FF93H ROMDH 程序存储器查表数据寄存器 FF94H ROMCL 程序存储器控制寄存器 FF95H ROMCH 程序存储器控制寄存器 FF96H INTG 中断全局寄存器 FF97H INTP 中断优先级寄存器 FF98H INTC0 中断控制寄存器 0 FF99H - - FF9AH INTE0 中断使能寄存器 0 FF9BH INTF0 中断标志寄存器 0 FF9CH INTE1 中断使能寄存器 1 FF9DH INTF1 中断标志寄存器 1 FF9EH INTE2 中断使能寄存器 2 FF9FH INTF2 中断标志寄存器 2 FFA0H - 内部保留，禁止用户写入该寄存器 FFA1H - 内部保留，禁止用户写入该寄存器 FFA2H VREFCAL 内部参考电压校准寄存器 FFA3H WDTCAL 内部 32KHz RC 校准寄存器 特殊功能控制 FFA4H OSCCALL 内部 16MHz RC 时钟校准寄存器低 8 位 区 FFA5H OSCCALH 内部 16MHz 时钟校准寄存器高 8 位 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 备注 内核控制区 ROM 控制区 中断控制区 34/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续 1] 地址 寄存器名称 功能说明 FFA6H PWRC 电源状态控制寄存器 FFA7H WDTC WDT 控制寄存器 特殊功能控制 FFA8H WKDC 唤醒延时控制寄存器 区 FFA9H PWEN 功耗控制寄存器 FFAAH PA PA 端口电平状态寄存器 FFABH PAT PA 端口输入输出控制寄存器 FFACH PB PB 端口电平状态寄存器 FFADH PBT PB 端口输入输出控制寄存器 FFAEH PC PC 端口电平状态寄存器 FFAFH PCT PC 端口输入输出控制寄存器 FFB0H PAPU PA 端口弱上拉控制寄存器 FFB1H PBPU PB 端口弱上拉控制寄存器 FFB2H PCPU PC 端口弱上拉控制寄存器 FFB3H PALC PA 端口驱动能力控制寄存器 FFB4H PAOD PA 端口开漏输出选择寄存器 FFB5H PBOD PB 端口开漏输出选择寄存器 FFB6H PCOD PC 端口开漏输出选择寄存器 FFB7H PAPD PA 端口弱下拉控制寄存器 FFB8H PBPD PB 端口弱下拉控制寄存器 FFB9H PCPD PC 端口弱下拉控制寄存器 FFBAH - - FFBBH T8N T8N 计数器 FFBCH T8NC T8N 控制寄存器 FFBDH T8P1 T8P1 计数器 FFBEH T8P1C T8P1 控制寄存器 FFBFH T8P1P T8P1 周期寄存器 FFC0H T8P1RL T8P1 精度寄存器 FFC1H T8P1RH T8P1 精度缓冲寄存器 FFC2H T8P1OC T8P1 输出控制寄存器 FFC3H T8P2 T8P2 计数器 FFC4H T8P2C T8P2 控制寄存器 FFC5H T8P2P T8P2 周期寄存器 FFC6H T8P2RL T8P2 精度寄存器 FFC7H T8P2RH T8P2 精度缓冲寄存器 FFC8H T8P2OC T8P2 输出控制寄存器 FFC9H T8P3 T8P3 计数器 FFCAH T8P3C T8P3 控制寄存器 FFCBH T8P3P T8P3 周期寄存器 FFCCH T8P3RL T8P3 精度寄存器 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 备注 I/O 控制区 外设控制区 35/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续 2] 地址 寄存器名称 功能说明 FFCDH T8P3RH T8P3 精度缓冲寄存器 FFCEH T8P3OC T8P3 输出控制寄存器 FFCFH EPWM1C EPWM1 控制寄存器 1 FFD0H EPWM2C EPWM2 控制寄存器 2 FFD1H EPWM3C EPWM3 控制寄存器 3 FFD2H PDD1C EPWM1 死区延时控制寄存器 1 FFD3H PDD2C EPWM2 死区延时控制寄存器 2 FFD4H PDD3C EPWM3 死区延时控制寄存器 3 FFD5H TE1AS EPWM1 自动关断控制寄存器 1 FFD6H TE2AS EPWM2 自动关断控制寄存器 2 FFD7H TE3AS EPWM3 自动关断控制寄存器 3 FFD8H TMRADC PWM 沿启动 ADC 定时器 FFD9H ADCTST ADC 参数寄存器 FFDAH ADCRL ADC 转换值寄存器 FFDBH ADCRH ADC 转换值寄存器 FFDCH ADCCL ADC 控制寄存器 FFDDH ADCCH ADC 控制寄存器 FFDEH ANSL I/O 端口数模选择寄存器 FFDFH ANSH I/O 端口数模选择寄存器 FFE0H RXB UART 接收数据寄存器 FFE1H RXC UART 接收状态寄存器 FFE2H TXB UART 发送数据寄存器 FFE3H TXC UART 发送状态寄存器 FFE4H BRR UART 波特率寄存器 FFE5H TKSEL 触控选择寄存器 FFE6H TKTUN 触控调整寄存器 FFE7H TKCTL 触控控制寄存器 FFE8H TKDAL 扫描结果寄存器低 8 位 FFE9H TKDAM 扫描结果寄存器次低 8 位 FFEAH TKDAH FFEBH TKMODL 放大系数低 8 位 FFECH TKMODM 放大系数次低 8 位 FFEDH TKMODH 放大系数次高 8 位 FFEEH TKMODU 放大系数高 4 位 FFEFH I2CX16 I2C16 倍采样波特率寄存器 FFF0H I2CC I2CS 控制寄存器 FFF1H I2CSA I2CS 地址寄存器 FFF2H I2CTB I2CS 发送数据缓冲寄存器 FFF3H I2CRB I2CS 接收数据缓冲寄存器 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 备注 外设控制区 扫描结果寄存器高 8 位 36/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续 3] 地址 寄存器名称 功能说明 FFF4H I2CIEC I2CS 中断使能寄存器 FFF5H I2CIFC I2CS 中断标志寄存器 FFF6H - - FFF7H - - FFF8H - - FFF9H ACPC4 ACP4 控制寄存器 FFFAH - - FFFBH VRC1 VREF 控制寄存器 FFFCH - - FFFDH - - FFFEH - - FFFFH - - 3. 2. 4 备注 外设控制区 特殊功能寄存器 寄存器名称 间接寻址数据寄存器（IAD） 地址 FF80H 复位值 0000 0000 IAD bit7-0 间接寻址数据 R/W 寄存器名称 间接寻址索引寄存器（IAAL） 地址 FF81H 复位值 0000 0000 IAAL bit7-0 R/W 间接寻址索引低 8 位 寄存器名称 间接寻址索引寄存器（IAAH） 地址 FF82H 复位值 0000 0000 IAAH bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 间接寻址索引高 8 位 37/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 存储体选择寄存器（BKSR） 地址 FF83H 复位值 0000 0000 BKSR bit2-0 R/W - bit7-3 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 存储体选择位 000：选择存储体 0 001：选择存储体 1 010：选择存储体 2 011：选择存储体 3 100：选择存储体 4 101：选择存储体 5 110：选择存储体 6 111：选择存储体 7 - 38/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 4 章 输入/输出端口 4. 1 概述 HR7P201 所有 I/O 端口都是 TTL/SMT 输入和 CMOS 输出驱动。每个端口都有相应的 控制寄存器 PxT，来进行输入/输出控制。若 PxT 置 1，则 I/O 端口为输入状态；若 PxT 清 0，则 I/O 端口为输出状态。 IO 端口都有独立的内部弱上、下拉控制寄存器。若控制寄存器位置 1，则 I/O 端口弱 上或者下拉使能；若控制寄存器位清 0，则 I/O 端口弱上或者下拉禁止。当端口设置为 输出、外部晶振端口或者模拟输入端口时，内部弱上、下拉自动禁止。 IO 端口都有独 立的开漏输出控制寄存器。 PA 端口支持大电流驱动能力。当端口设置为外部晶振端口或者模拟输入端口时，大电 流和开漏输出控制自动禁止。 当 IO 复用设置为模拟端口时，相应的端口方向寄存器 PxT 应设置为输入端口。具体控 制可参考本章的《特殊功能寄存器》小节。 当管脚复用时，管脚电平由复用功能决定。具体说明及设置请参考《管脚说明》章节。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 39/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 4. 2 结构框图 VDD 系统时钟 IO输出 地址总线 IO控制 读数据总线 VDD IO输入 IO逻辑 写数据总线 弱上/下拉 控制总线 Px.n 模拟端 开漏控制 IO MUX 驱动能力 外设使能 外设输出 外设输入 VDD 数字输入 数模选择 模拟输入 模拟输出 图 4-1 输入/输出端口结构图 4. 3 I/O端口弱上拉 PA、PB、PC 端口可软件独立配置弱上拉。 管脚 0 1 2 3 4 5 6 7 PA 支持 支持 - 支持 支持 支持 支持 支持 PB 支持 支持 支持 支持 支持 支持 支持 支持 PC 支持 支持 - - - - - - 表 4-1 I/O 端口弱上拉 PA、PB、PC 端口可软件独立配置弱下拉。 管脚 0 1 2 3 4 5 6 7 PA 支持 支持 - 支持 支持 支持 支持 支持 PB 支持 支持 支持 支持 支持 支持 支持 支持 PC 支持 支持 - - - - - - 表 4-2 I/O 端口弱下拉 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 40/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 4. 4 I/O端口大电流驱动能力 PA 端口可软件独立配置强、弱两种不同的驱动能力。默认为弱驱动能力端口。 管脚 0 1 2 3 4 5 6 7 PA 支持 支持 - 支持 支持 支持 支持 支持 PB - - - - - - - - PC - - - - - - - - 表 4-3 I/O 端口大电流驱动能力 4. 5 I/O端口开漏输出 PA、PB、PC 端口可软件独立配置开漏输出。 管脚 0 1 2 3 4 5 6 7 PA 支持 支持 - 支持 支持 支持 支持 支持 PB 支持 支持 支持 支持 支持 支持 支持 支持 PC 支持 支持 - - - - - - 表 4-4 I/O 端口开漏输出 4. 6 外部按键中断（KIN） 外部端口支持 1 组外部按键中断。按键中断支持最多 4 个按键输入端 KIN，每个 输入端可以由相应的 INTC0屏蔽。任何其中一个按键中断产生将影响中断标志 KIF。 端口电平变化可以产生中断，在端口电平变化中断使能的情况下，输入端口与锁存器 上的最后输入值进行比较，如果不匹配引起中断，中断标志位置 1，此中断能将芯片从 睡眠状态唤醒。 用户可在中断服务程序中用软件清除该中断标志，操作过程如下： 1）对端口寄存器进行读或者写操作，结束端口电平与锁存器值的不匹配条件； 2）软件清除中断标志位。 在按键中断使能（KMSKx=1，KIE=1）前，先对端口寄存器进行读或者写的操作，清 除中断标志位，以免误产生中断。 管脚名 端口输入 按键屏蔽 PB4 KIN0 KMSK0 PB5 KIN1 KMSK1 PB6 KIN2 KMSK2 PB7 KIN3 KMSK3 中断名 中断使能 中断标志 KINT KIE KIF 表 4-5 外部按键中断 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 41/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 4. 7 外部端口中断（PINT） 外部端口支持两个外部端口中断。端口中断支持 2 个输入端 PINT1-0，外部端口中断 由相应的 PIE1-0（INTE0）使能，通过 PEG1-0 （INTC0）选择上升沿触 发还是下降沿触发。中断产生将影响相应的中断标志 PIF。 管脚名 端口输入 边沿选择 中断名 中断使能 中断标志 PC0 PINT0 PEG0 PINT0 PIE0 PIF0 PC1 PINT1 PEG1 PINT1 PIE1 PIF1 表 4-6 外部端口中断 4. 8 特殊功能寄存器 寄存器名称 PA 端口电平状态寄存器（PA） 地址 FFAAH 复位值 xxxx xxxx PA bit7-0 PA 口电平状态 0：低电平 1：高电平 R/W 寄存器名称 PA 端口输入输出控制寄存器（PAT） 地址 FFABH 复位值 1111 1111 PAT bit0 R/W PA 口输入输出状态选择位 0：输出状态 1：输入状态 寄存器名称 PB 端口电平状态寄存器（PB） 地址 FFACH 复位值 xxxx xxxx PB bit7-0 R/W PB 口电平状态 0：低电平 1：高电平 寄存器名称 PB 端口输入输出控制寄存器（PBT） 地址 FFADH 复位值 1111 1111 PBT bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 PB 口输入输出状态选择位 0：输出状态 1：输入状态 42/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 PC 端口电平状态寄存器（PC） 地址 FFAEH 复位值 xxxx xxxx PC bit1-0 R/W - bit7-2 - PC 口电平状态 0：低电平 1：高电平 - 寄存器名称 PC 端口输入输出控制寄存器（PCT） 地址 FFAFH 复位值 0000 0011 PCT bit1-0 R/W - bit7-2 - PC 口输入输出状态选择位 0：输出状态 1：输入状态 - 寄存器名称 PA 端口弱上拉控制寄存器（PAPU） 地址 FFB0H 复位值 0000 0000 PAPU bit7-0 R/W PA 口内部弱上拉控制位 0：禁止 1：使能 寄存器名称 PB 端口弱上拉控制寄存器（PBPU） 地址 FFB1H 复位值 0000 0000 PBPU bit7-0 R/W PB 口内部弱上拉控制位 0：禁止 1：使能 寄存器名称 PC 端口弱上拉控制寄存器（PCPU） 地址 FFB2H 复位值 0000 0000 PCPU bit1-0 R/W - bit7-2 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 PC 口内部弱上拉控制位 0：禁止 1：使能 - 43/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 PA 端口弱下拉控制寄存器（PAPD） 地址 FFB7H 复位值 0000 0000 PAPD bit7-0 R/W PA 口内部弱下拉控制位 0：禁止 1：使能 寄存器名称 PB 端口弱下拉控制寄存器（PBPD） 地址 FFB8H 复位值 0000 0000 PBPD bit7-0 R/W PB 口内部弱下拉控制位 0：禁止 1：使能 寄存器名称 PC 端口弱下拉控制寄存器（PCPD） 地址 FFB9H 复位值 0000 0000 PCPD bit1-0 R/W - bit7-2 - PC 口内部弱下拉控制位 0：禁止 1：使能 - 寄存器名称 PA 端口开漏输出控制寄存器（PAOD） 地址 FFB4H 复位值 0000 0000 PAOD bit7-0 R/W PA 口开漏输出控制位 0：禁止 1：使能 寄存器名称 PB 端口开漏输出控制寄存器（PBOD） 地址 FFB5H 复位值 0000 0000 PBOD bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 PB 口开漏输出控制位 0：禁止 1：使能 44/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 PC 端口开漏输出控制寄存器（PCOD） 地址 FFB6H 复位值 0000 0000 PCOD bit1-0 R/W - bit7-2 - PC 口开漏输出控制位 0：禁止 1：使能 - 寄存器名称 PA 端口驱动能力控制寄存器（PALC） 地址 FFB3H 复位值 0000 0000 PALC bit1-0 R/W - bit2 - PALC bit7-3 R/W PA 口强驱动能力控制位 0：禁止 1：使能 PA 口强驱动能力控制位 0：禁止 1：使能 注：具体 IO 端口的驱动能力，可参考附录 3《电气特性》 。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 45/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 5 章 外设 5. 1 定时器/计数器模块（Timer/Counter） 本芯片包含 1 组 8 位定时器/计数器（T8N） 、3 组 8 位带死区互补输出的增强型 PWM 时基定时器（T8P1/T8P2/T8P3） 。 5. 1. 1 8 位定时器/计数器（T8N） 概述 5. 1. 1. 1         5. 1. 1. 2 8 位定时器/计数器模块 支持定时器模式（时钟源为系统时钟二分频（Fosc/2） 、WDT RC 时钟） 支持计数器模式（时钟源为外部计数时钟，T8NCKI） 支持 1 组 8 位可配置预分频器（T8NPRS） 支持 1 组 8 位计数器（T8N） 支持 1 组 8 位控制寄存器（T8NC） 支持溢出中断标志（T8NIF） T8N 在低功耗模式下不工作 内部结构图 系统时钟 分频控制器 地址总线 总 线 接 口 写数据总线 读数据总线 控制总线 预分频器 模式选择器 T8N计数器 边沿检测 T8NCKI T8NIF 图 5-1 T8N 内部结构图 5. 1. 1. 3 工作模式 工作模式 T8NM 定时器模式 0 同步计数模式 1 表 5-1 T8N 工作模式配置表 注：T8N 工作模式配置 1. 当 T8N 配置为定时器模式时，若不使用预分频器，T8N 计数器的时钟为系统时钟 2 分频(Fosc/2)；若 使用预分频器，T8N 计数器的时钟为 Fosc/2 分频后的输出信号频率。 2. 当 T8N 配置为计数器模式时，T8N 计数器的时钟为外部输入时钟 T8NCKI，内部相位时钟 p2 将对 T8NCKI 进行时钟同步。所以 T8NCKI 保持高电平或者低电平的时间，至少为一个机器周期。通过 T8NEG (T8NC)选择外部时钟的计数边沿为上升沿或下降沿。外部计数模式同样支持预分频器。 另外，T8NCKI 所在 IO 端口必须配置为输入状态。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 46/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 1. 1. 4 预分频器 T8N 定时器频率 T8NPRE T8NPRS T8N_CLK 0 - T8N_CLK /2 1 000 T8N_CLK /4 1 001 T8N_CLK /8 1 010 T8N_CLK /16 1 011 T8N_CLK /32 1 100 T8N_CLK /64 1 101 T8N_CLK /128 1 110 T8N_CLK /256 1 111 表 5-2 T8N 预分频器配置表 注 1：当 T8NPRE=1 时，使能 T8N 预分频器。此时，任何对 T8N 计数器的写操作都会清零预分频器，但 不影响预分频器的分频比，预分频器的计数值无法读写。 注 2：T8N_CLK，在定时器模式下，为系统时钟 2 分频，在计数器模式下，为外部计数时钟 T8NCKI。 5. 1. 1. 5 中断标志 T8N 提供了一个溢出中断标志。当 T8N 计数器递增计数，计数值由 FFH 变为 00H 时， T8N 计数器发生溢出，T8NIF 位置 1，如果 T8NIE 位和全局中断 GIE 位使能，则产生 T8N 溢出中断，否则中断不被响应。在重新使能这个中断之前，为了避免误触发中断， T8NIF 位必须软件清零。在 CPU 进入休眠模式后，T8N 模块不工作，因此不产生中断。 注：T8NIE 和 T8NIF 位请参考《中断处理》章节中的中断使能寄存器和中断标志寄存器。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 47/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 1. 1. 6 特殊功能寄存器 寄存器名称 T8N 计数器（T8N） 地址 FFBBH 复位值 0000 0000 T8N bit7-0 R/W T8N 计数器 00 H ~ FF H 寄存器名称 T8N 控制寄存器（T8NC） 地址 FFBCH 复位值 0000 0000 T8NPRS T8NPRE T8NEG T8NM T8NCLK T8NEN bit2-0 bit3 bit4 bit5 bit6 bit7 R/W 预分频器分频比选择位 000：1:2 001：1:4 010：1:8 011：1:16 100：1:32 101：1:64 110：1:128 111：1:256 R/W 预分频器使能位 0：禁止 1：使能 R/W T8NCKI 计数边沿选择位 0：T8NCKI 上升沿计数 1：T8NCKI 下降沿计数 R/W T8N 模式选择位 0：定时器模式（时钟源为系统时钟二分频， Fosc/2） 1：计数器模式（时钟源为 T8NCKI） R/W T8N 定时时钟选择 WDT RC 时钟位（需设置 T8NPRE=1） 0：禁止 1：使能 R/W T8N 使能位 0：关闭 T8N 模块 1：使能 T8N 模块 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 48/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 8 位时基定时器（T8P1/T8P2/T8P3） 5. 1. 2 5. 1. 2. 1            5. 1. 2. 2 T8PxIF 系统时钟 地址总线 读数据总线 概述 T8Px 支持 2 种工作模式：定时器模式，EPWM 模式 时钟源为系统时钟 2 分频（Fosc/2） T8Px 支持 3 组带死区互补的增强型 EPWM 输出端口，并且 EPWM 输出 端口可配置 EPWM 输出死区延时可配置 T8Px 支持一个可配置预分频器和一个可配置后分频器 T8Px 包括 8 位计数器(T8Px)，精度寄存器(T8PxRL)，精度缓冲寄存器 (T8PxRH)和周期寄存器(T8PxP) T8Px 计数器的初值可任意配置 T8Px 支持中断产生 T8PxIF（不同工作模式作用不同，必须软件清零） T8Px 在低功耗模式下不工作 支持 EPWM 自动关断和重启 支持 EPWM 沿启动 ADC 内部结构图 分频控制器 总 线 接 口 预分频器 写数据总线 后分频器 中断发生器 T8Px计数器 比较器 控制总线 T8Px输出 T8PxP周期值 图 5-2 T8Px 内部结构图 5. 1. 2. 3 预分频器和后分频器 T8Px 匹配中断 T8PxPOS 计数器与周期寄存器匹配 1 次 0000 计数器与周期寄存器匹配 2 次 0001 计数器与周期寄存器匹配 3 次 0010 计数器与周期寄存器匹配 4 次 0011 计数器与周期寄存器匹配 5 次 0100 计数器与周期寄存器匹配 6 次 0101 计数器与周期寄存器匹配 7 次 0110 计数器与周期寄存器匹配 8 次 0111 计数器与周期寄存器匹配 9 次 1000 计数器与周期寄存器匹配 10 次 1001 计数器与周期寄存器匹配 11 次 1010 计数器与周期寄存器匹配 12 次 1011 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 49/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 T8Px 匹配中断 T8PxPOS 计数器与周期寄存器匹配 13 次 1100 计数器与周期寄存器匹配 14 次 1101 计数器与周期寄存器匹配 15 次 1110 计数器与周期寄存器匹配 16 次 1111 表 5-3 T8Px 后分频器配置表 T8Px 定时器频率 T8PxPRS Fosc/2 00 Fosc/8 01 Fosc/32 1x 表 5-3 T8Px 预分频器配置表 注：T8Px 包括 1 个可配置预分频器和 1 个可配置后分频器。预分频器与后分频器的计数值都无法读写， 修改 T8PxC 控制寄存器或 T8Px 计数器都会把预分频器和后分频器清零。 5. 1. 2. 4 工作模式 工作模式 T8PxM 定时器模式 0 PWM 输出模式 1 表 5-4 5. 1. 2. 5 T8Px 工作模式配置表 定时器模式 T8PxM=0 时，T8Px 为定时器模式。 T8Px 计数器的时钟源为系统时钟 2 分频 Fosc/2，可选择预分频器对计数时钟进行 分频。T8Px 在定时器模式下对计数时钟进行递增计数，当 T8Px 的计数值与周期 寄存器 T8PxP 相等时，T8Px 被自动清零并重新开始计数，同时后分频器加 1 计 数。当后分频器的计数值与后分频器分频比相同时，复位后分频器，并将中断标志 T8PxIF 置 1，该中断标志需要软件清零。当 T8PxIF 置 1，如果 T8PxIE 使能，且 全局中断 GIE 使能，则产生 T8Px 中断，否则中断不被响应。在重新使能这个中 断之前，为了避免误触发中断，T8PxIF 位必须软件清零。在 CPU 进入休眠模式 后，T8Px 停止工作。 5. 1. 2. 6 标准PWM模式 T8PxM=1 时，T8Px 为 PWM 模式，如果相应的 PXT 设置为输出状态，以及 T8PxOC设置为 1，则 Px 端口输出 PWM 波形。 使能 PWM 模式后，首先从一个起始周期开始，起始周期完成后不断循环 PWM 周 期。 起始周期 T8Px 在起始周期内从初始值递增计数到与周期寄存器 T8PxP 相等，此时将精度 寄存器 T8PxRL 的数值载入精度缓冲寄存器 T8PxRH 内，并产生 T8PxIF 中断标 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 50/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 志。起始周期内 PWM 输出始终为 1。 PWM 周期 起始周期完成后，T8Px 从零开始重新递增计数，并保持 PWM 输出为 1，当 T8Px 与 T8PxRH 的值相等时，PWM 输出改变为 0，并继续递增计数。当 T8Px 的计数 值与 T8PxP 再次相等时，PWM 输出恢复为 1，同时将当前 T8PxRL 的数值载入 精度缓冲寄存器 T8PxRH 内，并产生 T8PxIF 中断标志。T8Px 清零并重新开始计 数，循环 PWM 周期。在 PWM 输出模式下，T8PxRH 寄存器只可读。 特别的，若精度缓冲寄存器 T8PxRH 的值为 0，则当前 PWM 周期内 PWM 输出始 终为 0；若精度缓冲寄存器 T8PxRH 的值大于 T8PxP，则当前 PWM 周期内 PWM 输出始终为 1。 PWM 输出模式下，计数时钟源为系统时钟二分频 Fosc/2，并支持预分频器。此模 式下，后分频器的设置不影响 PWM 输出周期和占空比；只影响 T8PxIF 中断标志 位的产生，详见表 5-3 《T8Px 后分频器配置表》 。 对于 PWM 输出，波形如下图所示： 1 T8PxM T8Px X X+1 ... X+2 P T8PxP 00H 01H 02H ... A+1 A ... P ... 00H P T8PxRL A B T8PxRH A B PWM T8PxIF 脉宽 起始周期 PWM周期 图 5-3 标准 PWM 模式示意图 周期 脉宽 T8Px的计数值 等于T8PxP的值 图 5-4 标准 PWM 输出示意图 PWM 计算公式如下： PWM 周期 = [(T8PxP)+1]×2×Tosc×(T8Px 预分频比) PWM 频率 = 1/ (PWM 周期) PWM 脉宽 = T8PxRL×2×Tosc×(T8Px 预分频比) V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 51/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 PWM 占空比 = [PWM 脉宽] / [PWM 周期] PWM 的分辨率计算公式： log( 分辨率 = Fosc / 2 ) Fpwm * Fckps 位 log 2 注 1：Tosc = 1/Fosc ，Fpwm = 1/(PWM 周期)，Fckps 为 T8Px 预分频比 5. 1. 2. 7 增强型PWM模式 本芯片支持 3 组增强型 PWM 功能（即 EPWM） ，选择 T8Px 作为其时基。EPWM 输出包括单桥输出和半桥输出。 单桥输出就是标准 PWM 输出，5.1.2.6 节《标准 PWM 模式》已经详细介绍。 在半桥输出模式下，两个端口作为驱动推拉式负载输出，其中一个调制输出信号输 出到 PWMx0 端口，及其互补信号输出到 PWMx1 端口来驱动负载。这两个调制波 输出之间，可设置一个可编程死区延时间 Tdelay，来防止半桥功率器件直通，引 起瞬间大电流损坏半桥功耗设备。死区时间由主时钟频率和死区控制寄存器 PDDxC 的值决定。 在系统时钟频率固定的条件下， 死区时间通过设置 PDDxC 来设置。Tdelay = 2 * Tosc *（PDDxC） 。如果死区时间设置大于或者等于 PWM 的工作周期，则 PWM 输出无效。 0 T8PxP+1 周期 工作周期 PWMx0 调制(高有效) PWMx1 调制(低有效) 图 5-5 EPWM 单桥输出示意图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 52/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 0 T8PxP+1 周期 工作周期 死区时间 PWMx0 调制 PWMx0 /PWMx1均高有效 死区时间 PWMx1 调制 死区时间 PWMx0 调制 PWMx0 /PWMx1均低有效 PWMx1 调制 死区时间 死区时间 PWMx0高有效, PWMx1低有效 PWMx0 调制 PWMx1 调制 死区时间 PWMx0 调制 PWMx0低有效, PWMx1高有效 死区时间 死区时间 PWMx1 调制 图 5-6 EPWM 半桥输出示意图 5. 1. 2. 8 EPWM自动关断和重启 本芯片支持一种关断事件，为 PA3/N_EPAS 管脚输入关断事件。当自动关断位 EPWMxAS0 使能，PA3/N_EPAS 管脚输入为“0”时，会发生自动关断事件。 当关断事件发生后，EPWM 输出管脚处于关断状态，管脚的关断状态可通过设置 TExAS 寄存器的低四位来控制，可以被设置输出为“1” 、 “0”或者高阻（三态）。 同时，在关断状态下，关断事件标志位 EPWMxASF （EPWMxAS）置 1。如 果关断事件一直保持，关断事件标志位就不会被清零。 EPWM 重启，通过配置寄存器 PRSEN（PDDxC）位来决定在关断状态下的 事件是否自动重启。如果 PRSEN 位为 1，当关断事件撤离后，硬件会自动清零关 断事件标志位，并重启 EPWM 功能；如果 PRSEN 位为 0，当关断事件撤离后， 需要用软件清零关断事件标志位，重启 EPWM 功能；EPWM 重启后，EPWM 的 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 53/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 输出会在下一个 PWM 周期正常输出。可参考图 5-7 和图 5-8。 自动重启位 PRSEN 关断事件 EPWMASF位 EPWM调制波 正常工作 PWM周期 EPWM 周 期的起点 关断事 件发生 EPWM自 动重启 关断事 件清除 图 5-7 EPWM 关断与自动重启（PRESN=1） 自动重启位 PRSEN 关断事件 EPWMASF位 EPWM调制波 正常工作 PWM周期 EPWM 周 期的起点 关断事 件发生 关断事 件清除 软件 EPWM 清零 重启 图 5-8 EPWM 关断与重启（PRESN=0） 启动注意事项： 注 1：EPWMxC位允许用户为每一组 EPWM 输出引脚选择输出有效信号。避免导致应用电路的损坏， 因此不推荐在 EPWM 引脚为输出状态时，改变输出极性的配置。 注 2：在 EPWM 功能扩展模块初始化工作完成后，再将 PWMx0 和 PWMx1 所在的 EPWM 引脚设置为输 出状态。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 54/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 1. 2. 9 PWM输出沿启动AD转换 本芯片支持 PWM 输出沿启动 AD 转换，为了保证有效沿启动 AD 转换，在 PWM 输出沿后增加了可配置延时滤波电路。当 ADC 模块和 PWMADEN 置为 1 时，通 过软件配置 TMRADC 延时定时器，设置寄存器 PWMADS 选择启动沿，当 PWMADS 为 0 时，计数器在 PWM 的上升沿开始计数；当 PWMADS 为 1 时，计 数器在 PWM 的下降沿开始计数。当计数器计数大于 TMRADC 定时器时，产生启 动 AD 转换的触发信号，启动 AD 转换。在 AD 转换还未完成前，任何 PWM 触发 信号沿都无效。延时计数器计数时钟为系统时钟。当系统进入 IDLE 状态时，PWM 跳变沿不能触发 AD 转换。使用 PWM 输出沿启动 AD 转换的功能时，必须设置 SMPS 位为 1，将 AD 采样模式设置为硬件控制。 5. 1. 2. 10 特殊功能寄存器 寄存器名称 T8Px 计数器（T8Px） 地址 T8P1：FFBDH T8P2：FFC3H T8P3：FFC9H 复位值 0000 0000 T8Px bit7-0 R/W T8Px 计数器 00 H ~ FF H 寄存器名称 T8PxC 控制寄存器（T8PxC） 地址 T8P1C：FFBEH T8P2C：FFC4H T8P3C：FFCAH 复位值 0000 0000 T8PxPRS bit1-0 R/W T8Px 预分频器分频比选择位 00：分频比为 1:1 01：分频比为 1:4 1x：分频比为 1:16 T8PxE bit2 R/W T8Px 使能位 0：关闭 T8P1 1：使能 T8P1 T8PxPOS bit6-3 R/W T8Px 后分频器分频比选择位 0000：分频比为 1:1 0001：分频比为 1:2 0010：分频比为 1:3 … 1111：分频比为 1:16 T8PxM bit7 R/W T8Px 工作模式选择位 0：定时器模式 1：PWM 模式 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 55/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 T8PxP 周期寄存器（T8PxP） 地址 T8P1P：FFBFH T8P2P：FFC5H T8P3P：FFCBH 复位值 1111 1111 T8PxP bit7-0 R/W T8Px 周期寄存器 00 H ~ FF H 寄存器名称 T8Px 精度寄存器（T8PxRL） 地址 T8P1RL：FFC0H T8P2RL：FFC6H T8P3RL：FFCCH 复位值 0000 0000 T8PxRL bit7-0 8 位精度寄存器 00 H ~ FF H R/W 寄存器名称 T8Px 精度缓冲寄存器（T8PxRH） 地址 T8P1RH：FFC1H T8P2RH：FFC7H T8P3RH：FFCDH 复位值 0000 0000 T8PxRH bit7-0 8 位精度缓冲寄存器 00 H ~ FF H R/W 寄存器名称 EPWM 输出控制寄存器（T8PxOC） 地址 T8P1OC：FFC2H T8P2OC：FFC8H T8P3OC：FFCEH 复位值 0000 0000 PWMx0EN PWMx1EN - R/W PWMx0 端口使能位 0：通用 I/O 1：PWMx0 输出功能 bit1 R/W PWMx1 端口使能位 0：通用 I/O 1：PWMx1 输出功能 bit7-2 - bit0 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 - 56/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 EPWM配置寄存器（EPWMxC） 地址 EPWM1C：FFCFH EPWM2C：FFD0H EPWM3C：FFD1H 复位值 0000 0000 EPWMxM EPWM2OS bit1-0 bit2 R/W EPWM 输出极性选择位 00：EPWM，PWMx0，PWMx1 高有效 01：EPWM，PWMx0 高有效，PWMx1 低有效 10：EPWM，PWMx0 低有效，PWMx1 高有效 11：EPWM，PWMx0，PWMx1低有效 R/W PWM20，PWM21 输出端口选择位 0：PWM20，PWM21 分别从 PA6，PB3 输出 1：PWM20，PWM21 分别从 PB0，PB1 输出 PWM 沿启动 ADC 选择位 0：上升沿 1：下降沿 PWMxADS bit3 R/W - bit5-4 - - R/W T8PxM=1，EPWM 输出端口选择位 0：单桥输出，PWMx0、PWMx1 为 6 路 PWM 输出端 口 1：半桥输出，PWMx0 与 PWMx1 为 3 组带死区互补 EPWM 输出端口 R/W PWM 沿启动 ADC 使能位 0：禁止 1：使能 P1Mx PWMxADEN bit6 bit7 寄存器名称 EPWM死区控制寄存器（PDDxC） 地址 PDD1C：FFD2H PDD2C：FFD3H PDD3C：FFD4H 复位值 0000 0000 PDDxC PRSENx bit6-0 bit7 R/W EPWM 死区延时计数位 00H ~ 7FH R/W EPWM 重启控制位 0：当自动关断事件撤离后，自动关断事件标志位必须软 件清零，才能重启 EPWM。 1：当自动关断事件撤离后，自动关断事件标志位硬件自 动清零，EPWM 自动重启。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 57/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 EPWM自动关断寄存器（TExAS） 地址 TE1AS：FFD5H TE2AS：FFD6H TE3AS：FFD7H 复位值 0000 0000 PSSxBD bit1-0 R/W - bit3-2 - 管脚 PWMx0 和 PWMx1 关断状态控制位 00：端口输出“0” 01：端口输出“1” 1x：端口为三态 - bit4 R/W EPWM 自动关断位 0 0：N_EPAS 端口不影响 EPWM 1：N_EPAS 端口为“0”引起关断 - Bit5 - - - bit6 - - R/W EPWM 自动关断事件标志位 0：没有关断事件发生 1：关断事件已经发生 EPWMxAS0 EPWMxASF bit7 寄存器名称 PWM沿启动ADC定时器（TMRADC） 地址 FFD8H 复位值 0000 0000 TMRADC bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 PWM 沿启动 ADC 定时器 00 H ~ FF H 58/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 2 触摸按键控制（TK） 概述 5. 2. 1        支持最多 14 个触摸按键 支持 4MHZ、2MHZ、1MHZ、500KHZ 4 种工作频率 支持可选基准电压 支持触摸按键扫描中断 支持 1 个模拟比较器 ACP4 支持 2 路高精度内部参考电压 支持比较器中断 内部结构图 5. 2. 2 系统时钟 ... S2 sw1 时钟分频 充电计时器 计算结果 S1 Cp sw2 S3 空闲 Cx CX_DISCH 放电计时器 计算 + ACP4 - COUT 滤波 放电 扫描 参考电压VREF 图 5-9 触摸按键触摸结构示意图 5. 2. 3 触摸按键扫描工作原理 本芯片实现一种电容式感应按键检测，电容式感应按键检测方法采用了“电容电荷 转移”的工作原理。 在上图中，开关 S1 由按键选通寄存器控制；开关 S2 由脉宽调制后的系统时钟分 频信号控制；开关 S3 由脉宽调制后的系统时钟分频信号的互补信号控制。当有手 指触摸按键时，相当于增加了一个到地的电容 Cf，实际电容变成 Cp+Cf，相对于 未触摸时，电容 Cx 充电的时间将会变短，如下面的触摸状态示意图所示。根据电 容 Cx 充电时间的长短，来实现触摸按键的扫描。具体的工作原理如下： 1、S1，S2 闭合，S3 断开，系统开始对电容 Cp 充电。 2、S1，S3 闭合，S2 断开，电容 Cp 对电容 Cx 放电。 3、循环往复 1、2 步骤给电容 Cx 充电，直到电容 Cx 上的电压大于比较器 ACP4 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 59/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 负端的参考电压 VREF 时，模拟比较器 COUT 输出高电平，滤波器开始采样处理。 4、滤波器采样处理后，放电计时器输出高电平，并驱动 N 管导通，此时 S2，S3 断开，电容 Cx 开始放电。 （为了保证电容 Cx 放电完全，可增加放电时间，即用户 可根据电容 Cx 的容量大小，软件配置不同的放电时间。 ） 5、滤波器输出为低电平并且电容 Cx 放电结束时，充电计时器将开始统计电容 Cx 充电的时间。每统计一次电容 Cx 充电的时间即为一次采样结果，软件可配置多次 采样，硬件会自动计算多次采样的平均值。 6、当滤波器输出高电平时，充电计时器把统计的数值送到运算放大器放大，以便 增加当前状态值的噪声容限。同时放电计时器开始电容 Cx 放电的计时。如果没有 错误启动和计算溢出，硬件会自动产生运算结束中断，并加载 24 位的采样值，从 而完成一次按键扫描。 滤波 Cx充电 COUT SW1 Cp充电 SW2 Cp放电 Cx放电 CX_DISCH TKEN 图 5-10 无触摸状态示意图 滤波 Cx充电 COUT SW1 Cp充电 SW2 Cp放电 Cx放电 CX_DISCH TKEN 图 5-11 有触摸状态示意图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 60/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 2. 4 触摸按键端口控制 当触摸按键模块使能，且寄存器 TKCTR 控制为 1 时，未被选中的按键端口自动设 置为数字输出端口，可通过寄存器 TKOUTS 设置未触摸按键的输出状态。 5. 2. 5 触摸按键扫描参考流程 配置工作状态寄存器 等待10uS 配置开始寄存器 无 扫描TK模块中断 判断是否有中断 有 模块中断清 0，启动错误 标志清0 有 是否有启动错误标志 无 模块中断清 0，计数溢出 标志清零 有 是否有计数溢出标志 无 是否有运算溢出标志 有 模块中断清 0，溢出中 断清0 无 模块中断清0 修改参考值 寄存器 读24位数据 寄存器 结束 图 5-12 触摸按键操作流程 注 1：TK 启动错误标志 TKERR，主要是用于判断 Cx 放电时间设置和 Cx 电容大小的选择是否合适。 注 2：28 位放大系数为将触摸与非触摸的运算差值放大，如果运算结果的高位 25~28 位的数据不为零（此 四位客户不可读） ，则会发生运算结果溢出，运算结果溢出标志 TKOV 会置 1。如果运算结果溢出，也就是 24 位运算结果大于 ffffffH 时，则应适当减小 28 位放大系数寄存器的值。 注 3：发生 TK 扫描计数溢出，标志 SCANOV 置 1 时，可通过 TKFS适当降低 TK 模块的工作频率等。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 61/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 2. 6 模拟比较器ACP4 比较器 4 的正输入端与 PB7 管脚复用，负输入端可通过软件配置选择接内部参考 电压、外部参考电压。 特别注意：当使用模拟比较器时，同时使能 TKCTL（TKEN）寄存器。 5. 2. 7 内部参考电压模块 通过设置 VRC1（VREFEN）寄存器，使能参考电源电压 VREF 模块，可通过 校准寄存器 VREFCAL[2:0]位校准到 2.5V，参考电压 VREF 可配置输出到 IO 端口。 出厂前，在常温下，VREF 已经校准到±2%以内。 支持两路 VREF1/VREF2 电压输出，输出范围在 0.6V~2. 5V 间，两路输出电压可 分别配置。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 62/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 2. 8 特殊功能寄存器 寄存器名称 触控选择寄存器(TKSEL) 地址 FFE5H 复位值 0000 0000 TKCHS TKFS TKDUS TKCTR bit3-0 bit5-4 bit6 bit7 R/W 14 个按键（TK0~TK13）通道选择位 0000：选择 TK0 0001：选择 TK1 0010：选择 TK2 0011：选择 TK3 0100：选择 TK4 0101：选择 TK5 0110：选择 TK6 0111：选择 TK7 1000：选择 TK8 1001：选择 TK9 1010：选择 TK10 1011：选择 TK11 1100：选择 TK12 1101：选择 TK13 1110~1111：屏蔽通道选择 R/W 控制电路工作频率选择位（触摸按键的工作频率 越快扫描效率越高，推荐工作在 4Mhz） 00：fosc/4 01：fosc/8 10：fosc/16 11：fosc/32 R/W 模拟充放电开关占空比控制位 0：充放电占空比 1:4 1：充放电占空比 1:2 R/W TK 模块未触摸的按键 KIN0~KIN6 输出使能位 0：禁止 1：使能 注：KIN7~KIN13 未触摸的按键的输出使能位，参考芯片配置字控制位。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 63/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 触控调整寄存器(TKTUN) 地址 FFE6H 复位值 0000 0000 TKOUTS TKDIST TKCFT TKTMS bit1-0 bit3-2 bit5-4 bit7-6 R/W TK 开关电平输出控制位 00：未触摸按键输出低电平 01：未触摸按键输出高电平 10：未触摸按键输出为 SW1 信号 11：未触摸按键输出为 SW1 的反向信号 R/W Cx 放电时间选择位 00: 32 * Tosc； 01: 160* Tosc； 10: 288 * Tosc； 11: 416 * Tosc； R/W 比较器输出滤波时间选择位 00：无滤波 01：2 * Tosc 10：4 * Tosc 11：8 * Tosc R/W 采样次数选择位 00：采样 1 次，结果为 1 次采样的平均值 01：采样 4 次，结果为 4 次采样的平均值 10：采样 8 次，结果为 8 次采样的平均值 11：采样 16 次，结果为 16 次采样的平均值 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 64/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 触控控制寄存器(TKCTL) 地址 FFE7H 复位值 0000 0000 TKGO TKEN TKOV TKERR bit0 bit1 bit2 bit3 R/W 按键启动扫描控制位（软件置 1，硬件自动清零， 软件清零将强制结束当前扫描） 0：未启动按键扫描 1：按键扫描进行中 R/W 触摸按键使能控制位 0：关闭触摸按键模块 1：使能触摸按键模块 R 运算结果溢出标志位 0：本次运算结果未溢出 1：本次运算结果溢出 R 扫描启动错误标志位 0：未发生扫描启动错误 1：发生扫描启动错误 扫描计数器溢出标志位 0：未发生扫描计数器溢出 1：发生扫描计数器溢出 SCANOV bit4 R - bit7-5 R/W - 寄存器名称 扫描结果寄存器低 8 位(TKDAL) 地址 FFE8H 复位值 0000 0000 TKDAL bit7-0 R 扫描结果寄存器低 8 位 寄存器名称 扫描结果寄存器次低 8 位(TKDAM) 地址 FFE9H 复位值 0000 0000 TKDAM bit7-0 R 扫描结果寄存器次低 8 位 寄存器名称 扫描结果寄存器高 8 位(TKDAH) 地址 FFEAH 复位值 0000 0000 TKDAH bit7-0 R V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 扫描结果寄存器高 8 位 65/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 放大系数寄存器(TKMODL) 地址 FFEBH 复位值 1111 1111 TKMODL bit7-0 放大系数低 8 位 R/W 寄存器名称 放大系数寄存器(TKMODM) 地址 FFECH 复位值 1111 1111 TKMODM bit7-0 放大系数次低 8 位 R/W 寄存器名称 放大系数寄存器(TKMODH) 地址 FFEDH 复位值 1111 1111 TKMODH bit7-0 放大系数次高 8 位 R/W 寄存器名称 放大系数寄存器(TKMODU) 地址 FFEEH 复位值 0000 1111 TKMODU bit3-0 R/W - bit7-4 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 放大系数高 4 位 - 66/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 模拟比较器控制寄存器（ACPC4） 地址 FFF9H 复位值 0000 0000 C4EN bit0 R/W 比较器使能控制位 0：禁止 1：使能 比较器输出极性控制位 0：输出不反向 1：输出反向 C4INV bit1 R/W - bit3-2 - C4NM bit5-4 R/W 比较器负输入端选择位 00：外部 VREF 01：内部 VREF1 10：内部 VREF2 11：外部 VREF C4OUT bit6 R 比较器输出状态位 0：CINN 大于 CINP 1：CINN 小于 CINP - bit7 - - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 67/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 内部参考电压控制寄存器 1（VRC1） 地址 FFFBH 复位值 0000 0000 VOUTEN VRC1S VRC2S VREFEN bit0 bit3-1 bit6-4 bit7 R/W 内部参考电压 VREF 2.5V 输出 PB7 使能位 0：禁止 1：使能 R/W 内部参考电压 VREF1 选择位 000：0.6V 001：1.4V 010：1.5V 011：2.0V 100：2.1V 101：2.2V 110：2.4V 111：2.5V - 内部参考电压 VREF2 选择位 000：0.6V 001：1.4V 010：1.5V 011：2.0V 100：2.1V 101：2.2V 110：2.4V 111：2.5V R/W VREF 和 ADCVREF 2.5V 参考电压模块使能位 0：禁止 1：使能 注 1：使用 VREF2.5 和 ADVREF2.5 时，必须使能 VREFEN。 注 2：在配置 TK 工作时，VOUTEN 必须配置为 0，VREFEN 也要配置为 1。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 68/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 VBG 校准控制寄存器（VREFCAL） 地址 FFA2H 复位值 0000 0000 VR2D6CAL AD2D6CAL Bit7 Bit3-0 Bit6-4 R/W 参考电压模块 VREF 2.5V 校准控制位 00000：最小 …… 10000：典型值 …… 11111：最大 R/W ADCVREF 2.5V 参考电压校准控制位 000：最小 ..... 100：典型值 ...... 111：最大 注：在出厂前，芯片 2.5V 参考电压已经在常温 25℃条件下校准，校准精度在±2%以内。 寄存器名称 PPG 控制寄存器（PPGC） 地址 FFFCH 复位值 0000 0000 - Bit3-0 R/W 设置保持为 0 CMXOFFSET Bit7-4 R/W 比较器偏置电压调节位 0000：（推荐值） 注：操作 PPGC 寄存器时，PPGC建议烧写为全 0。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 69/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 3 通用异步接收/发送器（UART） 5. 3. 1 概述        5. 3. 2 支持异步接收器和异步发送器 支持 8/9 位数据格式 支持全双工模式 支持高速模式和低速模式，传输波特率可配置 支持接收中断标志 支持发送中断标志 兼容 RS-232/RS-442/RS-485 的通讯接口 内部结构图 系统时钟 TXB 发送移位寄存器 TXC 波特率 发生器 TX 地址总线 总线接口 读数据总线 写数据总线 BRR 控制总线 RXC 接收移位寄存器 RXB 接收缓冲寄存器 RX TXIF RXIF UART 图 5-13 UART 内部结构图 5. 3. 3 波特率配置 波特率 计算公式 BRGH 低速模式 Fosc/(64x(BRR+1)) 0 高速模式 Fosc/(16x(BRR+1)) 1 表 5-3 UART 波特率配置表 5. 3. 4 传输数据格式 帧 TX/RX 起始 RXB0 TXB0 RXB1 TXB1 RXB2 TXB2 RXB3 TXB3 RXB4 TXB4 RXB5 TXB5 RXB6 TXB6 RXB7 TXB7 RXB8 TXB8 停止 数据码 图 5-14 UART 数据格式示意图 5. 3. 5 异步发送器 异步发送器发送数据时，起始位(Start)和结束位(Stop)由芯片内部产生，用户只 需要使能异步发送器，并将所要发送的数据写入 TXB 和 TXR8 内，就能实现异 步发送，异步发送器还可以实现数据连续发送。操作流程图如下： V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 70/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 开始 9位格式？ 初始化IO N Y 设置波特率 修改TXR8 设置8/9位数据格式 修改TXB 使能发送器 N 完成？ N TXB空? Y 关闭发送器 Y 结束 图 5-15 UART 发送器操作流程图 5. 3. 6 异步接收器 异步接收器接收数据时，用户可以查询 RXIF 中断标志位，来判断是否收到完整 的一帧数据，并通过读取 RXB 和 RXR8 获得数据。芯片内部提供 2 级 9 位 FIFO 作为 RXB，若用户在第三个数据接收完毕前，未读取 RXB，则溢出标志位 OERR 将置 1。FERR 在用户未接收到结束位 Stop 时置 1。操作流程图如下： 开始 9位模式？ N 初始化IO Y 设置异步模式 读取RXR8 设置波特率 读取RXB 设置8/9位数据格式 接收出错？ Y N 使能接收器 完成? RXIF=1? N Y 关闭接收器 Y 结束 图 5-16 UART 接收器操作流程图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 71/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 3. 7 特殊功能寄存器 寄存器名称 UART 接收数据寄存器（RXB） 地址 FFE0H 复位值 0000 0000 RXB bit7-0 R 接收数据寄存器 00H ~ FFH 寄存器名称 UART 接收控制寄存器（RXC） 地址 FFE1H 复位值 0000 000x RXR8 FERR bit0 bit1 R 第 9 位接收数据位 0：第 9 位数据为 0 1：第 9 位数据为 1 R 帧格式错标志位 0：无帧格式错误 1：帧格式错（读 RXB，该位被刷新） OERR bit2 R 接收溢出标志位 0：无溢出错误 1：有溢出错误（清 RXEN 位可将此位清除） - bit5-3 - - RXM RXEN bit6 bit7 R/W 接收器数据格式选择位 0：8 位数据接收格式 1：9 位数据接收格式 R/W 接收器使能位 0：禁止 1：使能 寄存器名称 UART 发送数据寄存器（TXB） 地址 FFE2H 复位值 0000 0000 TXB bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 发送数据寄存器 00H ~ FFH 72/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 UART 发送控制寄存器（TXC) 地址 FFE3H 复位值 0000 0010 TXR8 第 9 位发送数据位 0：第 9 位数据为 0 1：第 9 位数据为 1 bit0 R/W 发送移位寄存器（TXR）空标志位 0：TXR 不空 1：TXR 空 TRMT bit1 R - bit4-2 - BRGH bit5 R/W 波特率模式选择位 0：低速模式 1：高速模式 R/W 发送器数据格式选择位 0：8 位数据格式 1：9 位数据格式 R/W 发送器使能位 0：禁止 1：使能 TXM TXEN bit6 bit7 - 寄存器名称 UART 波特率寄存器（BRR） 地址 FFE4H 复位值 0000 0000 BRR bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 UART 波特率设置 00H ~ FFH 73/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 4 I2C总线从动器（I2CS） 5. 4. 1 概述  只支持从动模式 支持 7 位从机地址 支持标准 I2C 总线协议，最大传输速率 400Kbit/s 支持 I2CS 端口 SCL/SDA 开漏或者推挽输出 支持 2 级发送/接收缓冲 支持自动时钟下拉等待功能 支持自动发送“未应答”功能 约定数据从最高位开始接收/发送  I2CS 支持以下功能组件 5 位 I2C 采样滤波寄存器（I2CX16） I2C 控制寄存器（I2CC） 从机地址寄存器（I2CSA） 发送数据缓冲器（I2CTB） 接收数据缓冲器（I2CRB） 中断使能寄存器（I2CIEC） 中断标志寄存器（I2CIFC）  中断和暂停 支持接收“起始位+从机地址匹配+发送应答位”中断标志（I2CSRIF） 支持接收结束位中断标志（I2CSPIF） 支持发送空中断标志（I2CTBIF，只可读） 支持接收满中断标志（I2CRBIF，只可读） 支持发送错误标志（I2CTEIF） 支持接收溢出中断标志（I2CROIF） 支持接收未应答标志（I2CNAIF） 在 IDLE 模式下，暂停接收和发送 5. 4. 2 5. 4. 3 I2CS端口配置 I2CTE I2CS 时钟端口配置 I2CS 数据端口配置 1 SCL SDA 0 PC1 PC0 通讯协议 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 74/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 主控器 主控器 从动器 从动器 启动信号 启动信号 寻呼从机地址＋读操作 寻呼从机地址＋写操作 应答信号 应答信号 数据字节1 数据字节1 应答信号 应答信号 数据字节2 数据字节2 应答信号 应答信号 停止信号 停止信号 图 5-17 I2C 总线通讯协议示意图 注：I2C 通讯中，必须遵循以下协议 1： 通讯由主控器发起，发送启动信号 S（开始）控制总线，发送停止信号 P（结束）释放总线； 2： 总线上可以同时有多个主控器（前提是每个主控器都支持多主机仲裁机制） ，但至少需要一个从动器， 且每一个从动器都必须有一个独立且唯一的寻呼地址。 3： 主控器在发送启动信号后，紧接着寻呼从动器地址以及发送读写方式位。 （根据通讯协议可以支持 7 位地址，如果是 7 位地址只需要一个字节） ； 4： 读写控制位 R/#W（称为方向位）用于通知从动器数据传送的方向， “0”表示这次通讯是由主控器向 从动器“写”数据， “1”表示这次通讯是由主控器向从动器“读”数据； 5： I2C 通讯协议支持应答机制，即发送方每传送一个字节的数据（包括寻呼地址） ，接收方必须回答一 个应答信号(ACK 或者 NACK)，发送方再根据应答信号进行下一步的操作。 6： 如果主控器和从动器的时钟线（SCL）都使用开漏设计，且主控器支持时钟线等待请求操作，那么从 动器可以在时钟线为低电平时下拉时钟线，使主控器等待从动器，直到从动器释放时钟线； 7： 每个数据字节在传送时都是高位在前。 5. 4. 4 数据传输格式参考 I2C 存储器的数据传输参考格式如下： S SLAVE ADDRESS #W ACK 设置片内访问地址 寻呼7位从动器地址 DATA1 Memory Address ACK ... ... DATAn ACK DATA0 ACK 写入数据0 ACK (NACK) P 主控器接收操作 主控器发送操作 写入数据1 写入数据n 图 5-18 主控器写入从动器数据示意图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 75/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 S SLAVE ADDRESS #W ACK 设置片内访问地址 寻呼7位从动器地址 R-S SLAVE ADDRESS R ACK 读取数据1 ACK DATA0 ACK 读取数据0 寻呼7位从动器地址 DATA1 ACK Memory Address ... ... 主控器接收操作 DATAn NACK P 主控器发送操作 读取数据n 图 5-19 主控器读取从动器数据示意图 5. 4. 5 中断和暂停 当 I2CSRIF、I2CSPIF、I2CTBIF、I2CRBIF、I2CTEIF、I2CROIF 和 I2CNAIF 中 任何一个中断标志位置 1 时，I2C 总中断标志位 I2CIF（INTF2）就会置 1， 需要软件清零 I2CIF， 在清零 I2CIF 总中断标志位之前，先清零 I2CSRIF、I2CSPIF、 I2CTEIF、I2CROIF 和 I2CNAIF 等相关中断标志位。如果中断使能位 I2CIE （INTE2）和全局中断使能位 GIE（INTG）使能，则产生 I2C 中断，否则 不响应中断。 在 IDLE 模式下，I2CS 模块通讯暂停。 注 1：GIE、I2CIE 和 I2CIF 位请参考《中断处理》章节中的中断使能寄存器和中断标志寄存器。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 76/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 4. 6 特殊功能寄存器 寄存器名称 I2C 采样滤波寄存器（I2CX16） 地址 FFEFH 复位值 0000_0000 I2CX16 bit4-0 R/W 采样滤波控制位 00H：禁止采样滤波 01H~1FH ： 通 信 时 钟 和 数 据 采 样 滤 波 时 间 为 Tosc x(I2CX16+1)x3 - bit7-5 - - 寄存器名称 I2C 控制寄存器(I2CC) 地址 FFF0H 复位值 0000_0000 I2CEN I2CRST I2CCSE I2CANAE I2CTAS I2COD bit0 bit1 bit2 bit3 bit4 bit5 R/W I2C 模块使能位 0：禁止 1：使能 R/W 软件复位 I2C 模块位 0：禁止 1：使能（复位后，硬件自动清零） R/W I2C 时钟下拉等待使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 自动未应答使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 发送应答设置位 0：发送 ACK 1：发送 NACK R/W I2C 开漏输出使能位 0：推挽输出 1：开漏输出 I2CPU bit6 R/W I2C 内部弱上拉使能 （当 I2CTE=1 时，I2CPU 控制 SCL/SDA 端口的弱上拉 功能） 0：禁止 1：使能 I2CTE bit7 R/W I2C 通信端口使能位 0：禁止 1：使能 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 77/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 注 1：当 I2C 时钟下拉等待使能， 当片外主控器寻呼从动器地址+R 时，若在数据发送之前，2 级发送数据缓冲器全空，则在本机地址后的应 答位之前下拉时钟线（此原则在 I2CANAE 不使能的条件下成立） ；若在数据发送之后，2 级发送数据缓冲 器全空，则在从动器接收应答位之后下拉时钟线； 当片外主控器寻呼从动器地址+#W 时，若在数据接收之前，且 I2CANAE=0，2 级接收数据缓冲器全满， 则在本机地址后的应答位之前下拉时钟线；若在数据接收之后，2 级接收数据缓冲器全满，则在从动器发 送应答位之前下拉时钟线。 注 2：当 I2C 自动未应答使能， 当片外主控器寻呼本机地址+R 时，若 2 级发送数据缓冲器全空，则本机地址后的应答位为“NACK” ； 当片外主控器寻呼本机地址+#W 时，若在数据接收之前，2 级接收数据缓冲器全满时，本机地址后的应答 位为“NACK” ；若在接收数据后，且 I2CCSE=0，2 级接收数据缓冲器全满时，则接收数据后的应答位为 “NACK” 。 注 3：当 I2CTE=1 时，I2CPU 控制 SCL/SDA 端口的弱上拉功能；否则，由 PCPU控制 PC 端口的 弱上拉功能。 寄存器名称 I2C 地址寄存器(I2CSA) 地址 FFF1H 复位值 0000_0000 从机地址匹配后，自动更新读/写位 0：写 1：读 I2CRW bit0 R I2CSADR bit7-1 R/W 从机地址 接收到“启动/重启动”后用于匹配比较 寄存器名称 I2C 发送数据缓冲器（I2CTB） 地址 FFF2H 复位值 I2CTB 0000_0000 bit7-0 R/W 发送数据缓冲器 注：第一个需要发送的数据，在发送使能前写入发送数据缓冲器。 寄存器名称 I2C 接收数据缓冲器（I2CRB） 地址 FFF3H 复位值 I2CRB 0000_0000 bit7-0 R 接收数据缓冲器 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 78/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 I2C 中断使能寄存器（I2CIEC） 地址 FFF4H 复位值 I2CSRIE I2CSPIE 0000_0000 bit0 bit1 R/W I2C 接收“起始位+从机地址匹配+发送应答位”中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 接收结束位中断使能位 0：禁止 1：使能 I2CTBIE bit2 R/W I2C 发送缓冲器未满中断使能位 0：禁止 1：使能 I2CRBIE bit3 R/W I2C 接收满中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 发送错误中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W I2C 接收溢出中断使能位 0：禁止 1：使能 I2C 接收未应答中断使能位 0：禁止 1：使能 I2CTEIE I2CROIE bit4 bit5 I2CNAIE bit6 R/W - bit7 - - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 79/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 I2C 中断状态寄存器（I2CIFC） 地址 FFF5H 复位值 I2CSRIF I2CSPIF 1000 0100 bit0 bit1 R/W I2C 接收“起始位+从机地址匹配+发送应答位”中断标志位 0：未接收到“起始位+地址位且地址匹配+发送应答位” 1：接收到“起始位+地址位且地址匹配+发送应答位” ，产生中 断标志（软件清零） 。 R/W I2C 接收结束位中断标志位 0：未接收到结束位 1：接收到结束位，产生中断标志（软件清零） I2CTBIF bit2 R I2C 发送缓冲器未满中断标志位 0：2 级发送数据缓冲器满 1：2 级发送数据缓冲器未满时，产生中断标志 I2CRBIF bit3 R I2C 接收满中断标志位 0：2 级接收数据缓冲器未满 1：2 级接收数据缓冲器未空时，产生中断标志 I2CTEIF I2CROIF bit4 bit5 R/W I2C 发送错误中断标志位 0：主机读从机数据操作正常 1：2 级发送数据缓冲器全空，主机继续读从机数据，产生中断 标志（软件清零） R/W I2C 接收溢出中断标志位 0：2 级接收数据缓冲器和 I2C 移位寄存器未全满 1：2 级接收数据缓冲器和 I2C 移位寄存器全满，产生中断标志 （软件清零） I2C 未应答中断标志位 0：未接收或者未发送 NACK 1：接收或发送 NACK ，产生中断标志（软件清零） I2CNAIF bit6 R/W - bit7 - - 注 1：清总中断标志位 I2CIF 前，先清除 I2CIFC 寄存器的相关中断标志位； 注 2：连续接收数据超过 2 个时，发生接收溢出，并且第 3 个接收数据会丢失； 注 3：I2C 模块在每帧数据发送完成后，接收到结束位时，硬件自动清零发送缓冲寄存器。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 80/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 5 模/数转换器（ADC） 5. 5. 1 概述       5. 5. 2 支持 12 位 AD 采样精度 支持 14 个模拟输入端 支持 12 位转换结果，高位对齐放置或低位对齐放置 支持可配置参考电压，可选择外部或内部参考电压 ADCVREF 支持可配置 AD 转换时钟 支持自动控制 AD 采样时间 内部结构图 ADVREF 系统时钟 地址总线 读数据总线 写数据总线 控制总线 ADCRH/ADCRL 总 线 接 口 模数 转换器 AIN0 AIN1 AIN2 AIN3 通道 选择 转换时钟选择器 ADIF AIN6 AIN7 AIN8 AIN13 ADC控制寄存器 ADC 图 5-20 ADC 内部结构图 5. 5. 3 AD通道选择 模拟输入端 ADCHS AIN0 0000 AIN1 0001 AIN2 0010 AIN3 0011 AIN4 0100 AIN5 0101 AIN6 0110 AIN7 0111 AIN8 1000 AIN9 1001 AIN10 1010 AIN11 1011 AIN12 1100 AIN13 1101 ADCVREF 1110 保留 1111 图 5-21 AD 通道配置表 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 81/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 注 1：配置 AD 输入通道前，必须将 AINx 所在管脚设置为模拟端口； 注 2：内部 ADC 参考电压模块输出 2.5V 电压（ADCVREF） 。 5. 5. 4 ADEN AD时序特征示意图 Tog* 13Tadclk ADC_RST ADC_CVNT ADTRG 采样时间 软件清零 ADIF ADCR 新数据 原数据 图 5-22 ADC 时序特征示意图（SMPS=1） 注 1：Tog>0； 注 2：AD 转换时钟周期 Tadclk，Tadclk 可通过 ADCKS 寄存器配置。 5. 5. 5 参考例程 应用例程：对模拟输入通道 0（AIN0 进行模数转换） BCC BCC MOVI MOVA BSS AD_WAIT JBC GOTO MOV …… MOV ANS,0 ADCCH, ADFM 0X01 ADCCL ADCCL, SMPS ；AIN0 所在端口配置为模拟端口 ；转换结果高位对齐放置 ADCCL, ADTRG AD_WAIT ADCRH, 0 ；等待 ADC 转换完成 ；读取高 8 位转换结果 ADCRL, 0 ；读取低 4 位转换结果 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ；使能 ADC 转换器，选中通道 0 ；硬件控制 ADC 采样模式 82/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 5. 5. 6 特殊功能寄存器 寄存器名称 ADC 参数寄存器（ADCTST） 地址 FFD9H 复位值 0000 0000 AINEN bit0 R/W 模拟信号输入缓冲使能位 0：禁止 1：使能（输入电压在 0.2V ~ VDD-0.2V 之间） AD 转换速度控制位 0：低速（AD 转换时钟频率在 2MHz 以下） 1：高速 ADHSEN bit1 R/W - bit7-2 - - 注 1：当设置为低速（ADHSEN=0）时，要求 Tadclk 的频率低于 2MHz。 注 2：当设置为高速（ADHSEN=1）时，要求 VDD 大于 4V 以上。 注 3：其它参考附录 3.1《参数特性表》中 12 位 ADC 特性表。 寄存器名称 ADC 转换值寄存器（ADCRL） 地址 FFDAH 复位值 xxxx xxxx ADCRL bit7-0 R/W A/D 转换结果低 8 位/低 4 位 寄存器名称 ADC 转换值寄存器（ADCRH） 地址 FFDBH 复位值 xxxx xxxx ADCRH bit7-0 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 R/W A/D 转换结果高 4 位/高 8 位 83/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 ADC 控制寄存器（ADCCL） 地址 FFDCH 复位值 0000 0000 ADEN R/W A/D 转换使能位 0：关闭 A/D 转换器 1：运行 A/D 转换器 bit0 ADTRG bit1 R/W A/D 转换状态位 0：A/D 未进行转换，或 A/D 转换已完成 1：A/D 转换正在进行，该位置 1 启动 A/D 转 换 SMPS Bit2 R/W 此位需固定为 1 R/W A/D 参考电压输出控制位 0：禁止 ADV 2.5V 从 PB4 端口输出 1：使能 ADV 2.5V 从 PB4 端口输出 R/W A/D 模拟通道选择位 0000：通道 0（AIN0） 0001：通道 1（AIN1） 0010：通道 2（AIN2） 0011：通道 3（AIN3） 0100：通道 4（AIN4） 0101：通道 5（AIN5） 0110：通道 6（AIN6） 0111：通道 7（AIN7） 1000：通道 8（AIN8） 1001：通道 9（AIN9） 1010：通道 10（AIN10） 1011：通道 11（AIN11） 1100：通道 12（AIN12） 1101：通道 13（AIN13） 1110：通道 14（ADCVREF） 1111：屏蔽通道选择 ADVOUT ADCHS Bit3 bit7-4 注：如果由软件控制 AD 采样时间，客户需根据实际应用电路，确认 AD 采样时间，否则 AD 转换可能不正 确。不推荐使用软件控制 AD 采样时间，以简化对 ADC 工作的控制。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 84/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 ADC 控制寄存器（ADCCH） 地址 FFDDH 复位值 0100 1000 ADVREFS ADST ADCKS ADFM bit1-0 bit3-2 bit6-4 bit7 R/W 参考源选择位 00：A/D 参考电压正端为 VDD，负端为 VSS 01：A/D 参考电压正端为内部 ADCVREF，负 端为 VSS（必须配置 VRC1(VREFEN) 为 1） 10：A/D 参考电压正端为外部 VREFP，负端 为 VSS 11：A/D 参考电压正端为外部 VREFP，负端为 外部 VREFN R/W A/D 采样时间选择位（有一个指令周期的偏差） 00：大约 2 个 Tadclk 01：大约 4 个 Tadclk 10：大约 8 个 Tadclk 11：大约 16 个 Tadclk R/W A/D 转换时钟频率（Tadclk）选择位 000：Fosc 001：Fosc/2 010：Fosc/4 011：Fosc/8 100：Fosc/16 101：Fosc/32 110：Fosc/64 111：WDT_RC R/W A/D 转换数据放置格式选择位 0：高位对齐（ADCRH, ADCRL） 1：低位对齐（ADCRH, ADCRL） 注：如果在 AD 转换过程中，进行转换时钟切换，切换后第一次 AD 转换结果有可能存在误差。 寄存器名称 端口数模控制寄存器（ANSL） 地址 FFDEH 复位值 0000 0000 ANSL bit6-0 R/W - bit7 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 数模选择位 0：AIN0~AIN6 为模拟输入端口 1：AIN0~AIN6 为数字输入端口 - 85/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 端口数模控制寄存器（ANSH） 地址 FFDFH 复位值 0000 0000 ANSH bit6-0 R/W - bit7 - 数模选择位 0：AIN7~AIN13 为模拟输入端口 1：AIN7~AIN13 为数字输入端口 - 寄存器名称 内部参考电压控制寄存器 1（VRC1） 地址 FFFBH 复位值 0000 0000 VOUTEN bit0 R/W - bit6-1 - VREFEN bit7 R/W 内部参考电压 VREF 2.5V 输出 PB7 使能位 0：禁止 1：使能 VREF 和 ADCVREF 2.5V 参考电压模块使能 位 0：禁止 1：使能 注 1：使用 VREF2.5 和 ADVREF2.5 时，必须使能 VREFEN； V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 86/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 6 章 特殊功能及操作特性 6. 1 系统时钟与振荡器 6. 1. 1 概述 本芯片支持外部振荡器和 2 种内部时钟源模式，外部振荡器包括 HS/XT 振荡 模式，内部 16MHz RC 振荡包括 INTOSC 和 INTOSCIO 模式。具体的的时钟 源和对应模式选择由芯片配置字 OSCS 位来决定。 OSCS OSC2 外部振荡器 OSC1 16MHz 8MHz 内部16MHz RC时钟 时钟选择器 4MHz Fosc 2MHz 1MHz 内部WDT RC时钟 内部振荡器 图 6-1 系统时钟内部结构图 6. 1. 2 晶体/陶瓷振荡器模式（HS、XT） 当芯片配置字的 OSCS = 000 时，选择 HS 模式；OSCS = 001 时，选择 XT 模式。 OSC1/CLKI 至内部逻辑 C1 Rf C2 使能 RS OSC2/CLKO 图 6-2 晶体/陶瓷振荡器模式（HS、XT） 注：RS 为可选配置。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 87/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 晶振频率 Osc Type C1* C2* 15 ~ 33pF 15 ~ 33pF 15pF 15pF 1MHz XT 4MHz 8MHz HS 16MHz 表 6-1 晶体振荡器电容参数参考表 注*：此数据可根据晶振频率大小、外围电路的不同作微调。 内部时钟模式（INTOSC和INTOSCIO） 6. 1. 3 在 INTOSCIO 模式下，PA0，PA1 管脚复用为通用 I/O 口。 在 INTOSC 模式下，PA0 管脚复用输出 CLKO，CLKO 输出系统时钟的 16 分 频时钟 Fosc/16，PA1 复用为通用 I/O 口。 在出厂前，芯片已经在常温 25℃条件下校准，在芯片工作电压范围 （VDD=3.0V~5.5V）内，校准精度为±2%。 特殊功能寄存器 6. 1. 4 寄存器名称 内部 16MHz 时钟校准寄存器低 8 位(OSCCALL) 地址 FFA4H 复位值 0000 0000 OSCCALL bit7-0 R/W 内部 16MHz 频率调节低 8 位 0000 0000：最小 …… 1111 1111：最大 寄存器名称 内部 16MHz 时钟校准寄存器高 2 位(OSCCALH) 地址 FFA5H 复位值 0000 0000 OSCCALH bit1-0 R/W - bit7-2 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 内部 16MHz 频率调节高 2 位 00：最小 …… 11：最大 - 88/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 2 看门狗定时器 概述 6. 2. 1 如果芯片配置字看门狗使能位 WDTEN=1 时，看门狗使能，如果 WDTEN=0 时，看门狗禁止。 当看门狗超时溢出时，芯片复位或者唤醒 IDLE 模式。使用 CWDT 指令可将 WDT 计数器清零。WDT 支持一个预分频器，对 WDT 输入时钟进行预分频， 再将分频后的时钟信号作为 WDT 定时器的计数时钟。在禁止预分频器时， WDT 使用内部 WDT 时钟进行计数，常温下时钟频率约为 32KHz，WDT 的 计数溢出时间约为 8ms。 内部结构图 6. 2. 2 内部WDT时钟 系统时钟 地址总线 读数据总线 写数据总线 WDT 溢出复位 看门狗定时器 总 线 接 口 控制总线 预分频器 分频控制器 控制字 WDT 图 6-3 看门狗定时器内部结构图 6. 2. 3 特殊功能寄存器 寄存器名称 WDT 时钟校准控制寄存器（WDTCAL） 地址 FFA3H 复位值 1000 0000 VREFBGCAL WDTCAL Bit2-0 bit7-3 R/W R/W VREF2.5V 校准寄存器（禁止用户写） WDT 32KHz 时钟校准寄存器 0 0000：最大 …… 1 1111：最小 注：WDTCAL寄存器，用于对 ADC 内部参考电压 2.5V 和 WDT 32KHz 时钟进行校准，在芯片出厂 前，已经设置好校准值，禁止用户程序改写该寄存器，否则会导致芯片对应的功能模块工作异常。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 89/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 WDT 控制寄存器（WDTC） 地址 FFA7H 复位值 0000 1111 WDTPRS bit2-0 R/W WDT 预分频器分频比选择位 000：1:2 001：1:4 010：1:8 011：1:16 100：1:32 101：1:64 110：1:128 111：1:256 WDT 预分频器使能位 0：禁止 1：使能 WDTPRE bit3 R/W - bit7-4 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 - 90/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 3 复位模块 6. 3. 1 概述  上电复位 POR  低电压检测复位 BOR  外部端口 N_MRST 复位（低电平有效）  看门狗定时器 WDT 溢出复位  软件执行指令 RST 复位 Fosc PWRTEB BOREN 低电压检测 BOR POR 上电检测 72ms 上电等待定时器 POR_BOR 晶振稳定 定时器 POR_BOR_RST POR/BOR 稳定等待定时器 系 统 复 位 RESET N_MRST WDT_RST 指令RST 图 6-4 芯片复位原理图 6. 3. 2 复位时序图 工作电压 VDD 0V Tfilter 晶振稳定时间 72ms RESET 图 6-5 上电复位时序示意图 工作电压 电压检测 预设电压 VDD 0V Tfilter 72ms RESET 晶振稳定时间 图 6-6 低电压复位时序示意图 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 91/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 注 1：72ms 等待稳定时间可以通过 PWRTEB 屏蔽； 注 2：Tfilter 时间为 220us 左右； 注 3：晶振稳定时间为 1024 个系统时钟周期。 6. 3. 3 N_MRST复位参考 VDD D1 R1 DIODE R2 N_MRST管脚 C1 图 6-7 N_MRST 复位参考电路图 1 注：采样 RC 复位，其中 47KΩ≤R1≤100KΩ，电容 C1（0.1μF） ，R2 为限流电阻，0.1KΩ≤R2≤1KΩ。 VDD VDD R1 PNP Q1 R4 R2 N_MRST管脚 R3 C1 图 6-8 N_MRST 复位参考电路图 2 注：采用 PNP 三极管复位，通过 R1（2KΩ）和 R2（10KΩ）分压作为基极输入，发射极接 VDD，集电极 一路通过 R3（20KΩ）接地，另一路通过 R4（1KΩ）和 C1（0.1μF）接地，C1 另一端作为 N_MRST 输 入。 6. 3. 4 特殊功能寄存器 寄存器名称 电源控制寄存器（PWRC） 地址 FFA6H 复位值 0111 1101 N_BOR bit0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 低电压复位状态位 0：低电压复位发生（低电压复位后，必须软件置位） 1：无低电压复位发生 92/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 上电复位状态位 0：上电复位发生（上电复位后，必须软件置位） 1：无上电复位发生 N_POR bit1 R/W N_PD bit2 R 低功耗标志位 0：执行 IDLE 指令后清零 1：上电复位或执行 CWDT 指令后置 1 R WDT 溢出标志位 0：WDT 计数溢出时被清零 1：上电复位或执行 CWDT、IDLE 指令后被置 1 N_TO bit3 N_RSTI bit4 R/W 复位指令标志位 0：执行复位指令（清零后必须用软件置位） 1：未执行复位指令 VRST bit6-5 R/W LDO 稳定时间选择位（建议设置默认值“11” ） 11：约 64 个 WDT_RC 时钟周期 R/W 休眠模式选择位 0：IDLE0 模式 1：IDLE1 模式 LPM bit7 注：LDO 为芯片内置供电模块，给芯片内部电路模块供电。 寄存器名称 功耗控制寄存器（PWEN） 地址 FFA9H 复位值 0000 0011 SREN bit0 R/W RCEN bit1 R/W - bit7-2 - 低电压检测复位软件使能位（软件需设置为 1） WDT 内部 RC 时钟使能位 0：关闭 WDT 内部 RC 时钟（禁止使用） 1：使能 WDT 内部 RC 时钟 - 注 1：RCEN 的设置，如果进行数据 FLASH 擦写操作时，必须设置 RCEN=0，关闭 WDT 功能模块。其它 情况下，禁止关闭。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 93/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 4 中断处理 6. 4. 1 概述 本芯片支持 14 个中断源。支持两种中断模式，默认中断模式和向量中断模式，通 过软件设置寄存器 INTVEN0 选择。 系统时钟 地址总线 读数据总线 写数据总线 控制总线 软中断 总 线 接 口 中断控制器 中断仲裁逻 辑 中断请求(CPU) 中断使能逻辑 外设中断标志 中断处理 图 6-9 中断控制逻辑 6. 4. 2 中断模式配置 {INTVEN0，INTVEN1} 中断模式 00 01 10 默认中断模式 11 向量中断模式 表 6-2 中断处理模式配置表 注： INTG 控制寄存器 INTVEN0 位与配置字 INTVEN1 位必须同时为 1 才能使用向量中断模式。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 94/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 4. 3 中断逻辑表 序号 中断名 中断标志 中断屏蔽 中断使能 全局使能 备注 1 软中断 SOFTIF - - GIE - KIE GIE - - KMSK0 2 KINT KIF KMSK1 KMSK2 KMSK3 3 PINT0 PIF0 - PIE0 GIE 4 PINT1 PIF1 - PIE1 GIE 5 T8NINT T8NIF - T8NIE GIE - 6 T8P1INT T8P1IF - T8P1IE GIE - 7 T8P2INT T8P2IF - T8P2IE GIE - 8 T8P3INT T8P3IF - T8P3IE GIE - 9 ACP4INT ACP4IF - ACP4IE GIE - 10 ADINT ADIF - ADIE GIE - 11 TXINT TXIF - TXIE GIE - 12 RXINT RXIF - RXIE GIE - 13 I2CINT I2CIF - I2CIE GIE - 14 TKINT TKIF - TKIE GIE 表 6-3 中断逻辑表（默认中断模式） 注 1：当配置为默认中断模式时，所有中断向量的入口地址均位于 0004H。用户需通过中断服务程序对各 中断标志及中断使能进行判断，确认引起中断操作的中断源，从而执行相应的中断服务子程序。该模式不 支持中断优先级配置。 6. 4. 4 向量中断模式 6. 4. 4. 1 中断向量分组 优先级 0（高） 1 2 3 4 5 6 7 8（低） 入口地址 0004H 0008H 000CH 0010H 0014H 0018H 001CH 0020H 0024H IG0 IG1 IG2 IG3 IG4 IG5 IG6 IG7 IG0 IG1 IG6 IG7 IG4 IG5 IG2 IG3 IG4 IG5 IG2 IG3 IG0 IG1 IG6 IG7 IG7 IG6 IG5 IG4 IG3 IG2 IG1 IG0 00 INTV 01 10 11 软中断 表 6-4 向量表配置表 注：当配置为向量中断模式时，系统支持中断向量表。此时，各中断源按组划分，每组中断对应一个中断 向量入口地址。软中断入口地址为 0004H，优先级最高；其他硬件中断分 8 组(IG0~IG7)，配置 INTV 支持不同的向量表优先级排序，并对应 8 个中断入口地址。每组硬件中断可以分别设置高低优先级，响应 中断嵌套。通过配置 IGPx 将所有硬件中断源分为高低两个优先级仲裁区。根据 INTV的设置，对处 于该仲裁区内的硬件中断组，进行优先级排序，并响应优先级最高的。高低两个优先级仲裁区分别由 GIE 和 GIEL 来使能。在执行低优先级中断服务程序时，可嵌套响应高优先级中断组。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 95/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 4. 4. 2 中断向量分组 中断组号 高低优先级选择 IG0 IGP0 中断名 备注 KINT - T8NINT T8P1INT IG1 IGP1 - T8P2INT T8P3INT PINT0 IG2 IGP2 IG3 IGP3 IG4 IGP4 ADINT IG5 IGP5 ACP4INT IG6 IGP6 IG7 IGP7 - PINT1 TXINT - RXINT I2CINT - TKINT - - - 表 6-5 中断向量分组表 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 96/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 4. 4. 3 中断使能配置 序号 中断名 中断标志 中断使能 IGPx 高/低优先级 中断使能位 备注 1 软中断 SOFTIF - - GIE SOFTIF 软件置 1 2 PINT0 PIF0 PIE0 0 GIEL - 1 GIE - 3 PINT1 PIF1 PIE1 0 GIEL - 1 GIE - 4 T8NINT T8NIF T8NIE 0 GIEL - 1 GIE - 5 T8P1INT T8P1IF T8P1IE 0 GIEL - 1 GIE - 6 T8P2INT T8P2IF T8P2IE 0 GIEL - 1 GIE - 7 T8P3INT T8P3IF T8P3IE 0 GIEL - 1 GIE - 8 TXINT TX1IF TX1IE 0 GIEL - 1 GIE - 9 RXINT RX1IF RX1IE 0 GIEL - 1 GIE - 10 ADINT ADIF ADIE 0 GIEL - 1 GIE - 11 KINT KIF KIE 0 GIEL - 1 GIE - 12 ACP4INT ACP4IF ACP4IE 0 GIEL - 1 GIE - 13 I2CINT I2CIF I2CIE 0 GIEL - 1 GIE - 14 TKINT TKIF TKIE 0 GIEL - 1 GIE - 表 6-6 向量中断模式使能配置表 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 97/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 4. 5 殊功能寄存器 寄存器名称 中断全局寄存器（INTG） 地址 FF96H 复位值 0000 0000 INTV bit1-0 R/W 中断向量表选择位，参考向量表配置 INTVEN0 bit2 R/W 中断向量表 0：默认中断模式 1：向量中断模式（芯片配置字 INTVEN1 必须为 1） SOFTIF bit3 R/W 软中断标志位 0：无软中断 1：有软中断 - bit5-4 - GIEL GIE bit6 bit7 - R/W 低优先级中断使能位（向量中断模式） 0：禁止低优先级中断 1：使能低优先级中断 R/W 全局中断使能位，或高优先级中断使能位 0：禁止所有的中断，或禁止高优先级中断 1：使能所有未屏蔽的中断，或使能高优先级中断 寄存器名称 中断优先级寄存器（INTP） 地址 FF97H 复位值 0000 0000 IGP bit7-0 R/W IG7-IG0 中断优先级设置 0：低优先级 1：高优先级 寄存器名称 中断控制寄存器 0（INTC0） 地址 FF98H 复位值 0000 0000 KMSKx bit3-0 R/W - bit5-4 - PEG0 PEG1 bit6 bit7 KINx 按键输入屏蔽位 0：屏蔽 1：不屏蔽 - R/W PINT0 触发边沿选择位 0：PINT0 下降沿触发 1：PINT0 上升沿触发 R/W PINT1 触发边沿选择位 0：PINT1 下降沿触发 1：PINT1 上升沿触发 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 98/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 中断标志寄存器 0（INTF0） 地址 FF9BH 复位值 0000 0000 KIF bit0 R/W 电平变化中断标志位 0：未产生中断 1：产生中断 T8NIF bit1 R/W T8N 溢出中断标志位 0：T8N 计数未溢出 1：T8N 计数溢出（必须用软件清零） R/W T8P1 中断标志位 0：T8P1 计数器计数未发生匹配 1：T8P1 计数器计数发生匹配（必须软件清零） R/W T8P2 中断标志位 0：T8P2 计数器计数未发生匹配 1：T8P2 计数器计数发生匹配（必须软件清零） T8P3 中断标志位 0：T8P3 计数器计数未发生匹配 1：T8P3 计数器计数发生匹配（必须软件清零） T8P1IF T8P2IF bit2 bit3 T8P3IF bit4 R/W - bit5 - PIF0 PIF1 bit6 bit7 - R/W 外部端口中断 0 标志位 0：外部端口 PINT0 上无中断信号 1：外部端口 PINT0 上有中断信号（必须用软件清 零） R/W 外部端口中断 1 标志位 0：外部端口 PINT1 上无中断信号 1：外部端口 PINT1 上有中断信号（必须用软件清 零） V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 99/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名称 中断使能寄存器 0（INTE0） 地址 FF9AH 复位值 0000 0000 KIE bit0 R/W 电平变化中断使能位 0：禁止 1：使能 T8NIE bit1 R/W T8N 溢出中断使能位 0：禁止 T8N 中断 1：使能 T8N 中断 R/W T8P1 中断使能位 0：禁止 T8P1 中断 1：使能 T8P1 中断 R/W T8P2 中断使能位 0：禁止 T8P2 中断 1：使能 T8P2 中断 T8P3 中断使能位 0：禁止 T8P3 中断 1：使能 T8P3 中断 T8P1IE T8P2IE bit2 bit3 T8P3IE bit4 R/W - bit5 - PIE0 PIE1 bit6 bit7 - R/W 外部端口中断 0 使能位 0：禁止外部端口中断 0 1：使能外部端口中断 0 R/W 外部端口中断 1 使能位 0：禁止外部端口中断 1 1：使能外部端口中断 1 寄存器名称 中断标志寄存器 1（INTF1） 地址 FF9DH 复位值 0000 0000 ADIF bit0 R/W - bit3-1 - ACP4IF bit4 R/W - bit7-5 - V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ADC 中断标志位 0：正在进行 AD 转换 1：AD 转换已经完成（必须用软件清零） ACP4 中断标志位 0：模拟比较器 4 输出未发生改变 1：模拟比较器 4 输出发生改变（必须软件清零） - 100/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名 称 中断使能寄存器 1（INTE1） 地址 FF9CH 复位值 0000 0000 ADIE bit0 R/W - bit3-1 - ACP4IE bit4 R/W - bit7-5 - ADC 中断使能位 0：禁止 ADC 中断 1：使能 ADC 中断 ACP4 模拟比较器中断使能位 0：禁止 ACP4 中断 1：使能 ACP4 中断 - 寄存器名 称 中断标志寄存器 2（INTF2） 地址 FF9FH 复位值 0000 0000 TXIF bit0 R UART 发送中断标志位 0：发送缓冲区满（发送未完成） 1：发送缓冲区空（发送完成），写 TXB 清零 RXIF bit1 R UART 接收中断标志位 0：接收缓冲区空（接收未完成） 1：接收缓冲区满（接收完成），读 RXB 清零 - bit5-2 - - I2CIF TKIF bit6 bit7 R/W I2C 通讯总中断标志位 0：未发生通讯中断 1：发生通讯中断 R/W 触摸按键中断标志位 0：未启动或者扫描未完成 1：扫描完成 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 101/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 寄存器名 称 中断使能寄存器 2（INTE2） 地址 FF9EH 复位值 0000 0000 TXIE bit0 R/W UART 发送中断使能位 0：禁止 1：使能 UART 接收中断使能位 0：禁止 1：使能 RXIE bit1 R/W - bit5-2 - I2CIE TKIE bit6 bit7 - R/W I2C 通讯总中断使能位 0：禁止 1：使能 R/W 触摸按键检测中断使能位 0：禁止 1：使能 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 102/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 5 低功耗操作 6. 5. 1 MCU低功耗模式 本芯片支持两种低功耗休眠模式：IDLE0 模式或 IDLE1 模式，通过设置 PWRC 寄 存器 LPM（PWRC）进行选择。  支持 IDLE0 模式 -  - 当 LPM = 0 时，执行 IDLE 指令，芯片进入 IDLE0 模式： 时钟源停振，主系统时钟暂停 程序暂停、同步模块暂停、异步模块运行，器件功耗降低 支持低功耗唤醒，唤醒时间可配，同时需要考虑 LDO 稳定时间 所有 I/O 端口将保持进入 IDLE0 模式前的状态 若使能 WDT，则 WDT 将被清零并保持运行 N_PD 位被清零，N_TO 位被置 1 支持 IDLE1 模式 当 LPM = 1 时，执行 IDLE 指令，芯片进入 IDLE1 模式： 时钟源保持运行，主系统时钟暂停 程序暂停、同步模块暂停、异步模块运行，器件功耗降低 支持低功耗唤醒，唤醒时间可配，最小 1 个机器周期 所有 I/O 端口将保持进入 IDLE1 前的状态 若使能 WDT，则 WDT 将被清零并保持运行 N_PD 位被清零，N_TO 位被置 1 6. 5. 2 低功耗模式配置 低功耗模式 LPM IDLE0 模式 0 IDLE1 模式 1 表 6-7 低功耗模式配置表 注：配置 LPM（PWRC）选择低功耗模式，执行 IDLE 指令进入低功耗模式。为了降低功耗，所有 I/O 管脚都应保持为 VDD 或 VSS。为了避免输入管脚悬空而引入开关电流，应在外部将高阻输入的 I/O 管脚 拉为高电平或低电平。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 103/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 5. 3 IDLE唤醒方式配置 序号 唤醒方式 1 N_MRST 2 WDT 中断使能 中断模式 备注 - - - - - - - WDT 溢出 KIE 默认/向量 - KMSK0 3 KINT KMSK1 KMSK2 KMSK3 4 PINT0 - PIE0 默认/向量 - 5 PINT1 - PIE1 默认/向量 - 6 ACP4INT - ACP4IE 默认/向量 - 表 6-8 休眠唤醒表 注 1：低功耗唤醒与全局中断使能无关。在低功耗模式时，若外设产生中断信号，即使默认中断模式下， 全局中断使能 GIE 为 0，或向量中断模式下，高优先级中断使能 GIE 和低优先级中断使能 GIEL 均为 0， 低功耗模式依然会被唤醒，只是唤醒后不会执行中断程序。 注 2：外部按键，当中断使能和中断屏蔽位使能前，先对端口寄存器进行读或者写的操作，清除中断标志 位，以免误产生中断。 6. 5. 4 唤醒时间计算 低功耗模式 计算公式 IDLE0 模式 VRwkdly + (WKDC[7:4] + 1) × 16 × 2 Tosc IDLE1 模式 (WKDC[7:0]+1) × 2 Tosc 表 6-9 唤醒时间计算表 注： 当唤醒事件发生后，需要在主时钟运行 n 个时钟周期后，才执行 IDLE 指令的下一条指令。n 可以通 过 WKDC 进行设置；在 IDLE1 模式下，支持最小 1 个机器周期唤醒；在 IDLE0 模式下，需要先等主时钟 源稳定后，再计算 n 个周期。 6. 5. 5 特殊功能寄存器 寄存器名称 唤醒延时控制寄存器（WKDC） 地址 FFA8H 复位值 1111 1111 WKDC bit7-0 R/W V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 IDLE 唤醒延时控制位 当 WKDC = FFH 时，延时最长 …… 当 WKDC = 00H 时，延时最短 104/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 6. 6 芯片配置字 寄存器名称 芯片配置字（CFG_WD） 地址 8001H OSCS WDTEN PWRTEB TKPB6 BORVS bit2-0 振荡器选择位 000 ： HS 模式，高速晶振/谐振器连接到 PA0 和 PA1 管脚 001 ： XT 模式，晶振/谐振器连接到 PA0 和 PA1 管脚 010 ： INTOSCIO 1MHz 模式，PA0，PA1 为 I/O 管脚 011 ： INTOSCIO 2MHz 模式，PA0，PA1 为 I/O 管脚 100 ： INTOSCIO 4MHz 模式，PA0，PA1 为 I/O 管脚 101 ： INTOSCIO 8MHz 模式，PA0，PA1 为 I/O 管脚 110 ： INTOSC 16MHz 模式，PA0 管脚功能为 CLKO，PA1 为 I/O 管脚 111 ： INTOSCIO 16MHz 模式，PA0，PA1 为 I/O 管脚 bit3 硬件看门狗使能位 0：禁止 1：使能 bit4 上电/低电压定时器使能位 0：使能 1：禁止 bit5 PB6 /TK13 未触摸按键输出控制位 0：禁止 1：使能 bit7-6 低电压选择位 00：4.0V 01：3.3V 10：2.4V 11：2.1V（默认，如果应用系统电源不稳定，则建议不要选此档位） bit8 低电压检测复位使能位 0：禁止 1：使能 FREN bit9 FLASH 数据存储区读写使能位 0：禁止 1：使能 ICDEN bit10 ICD 调试模式使能位 0：使能 1：禁止 bit11 中断模式选择位 0：默认中断模式 1：向量中断模式（控制寄存器位 INTVEN0 也必须为 1） bit12 PB5/TK12，PB4/TK11 未触摸按键输出控制位 0：禁止 1：使能 BOREN INTVEN1 TKPB54 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 105/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续] 寄存器名称 芯片配置字（CFG_WD） VTKVSEL bit13 TK 模块开关电源选择位 0：2.6V（VDD 必须大于 4V 以上） 1：VDD TKPB32 bit14 PB3/TK10，PB2/TK9 未触摸按键输出控制位 0：禁止 1：使能 TKPB10 bit15 PB1/TK8，PB0/TK7 未触摸按键输出控制位 0：禁止 1：使能 注 1：CLKO 为系统时钟的 16 分频输出； 注 2：未触摸按键输出控制状态可参考寄存器 TKTUN(TKOUTS)； 注 3：对低电压选择档位，在常温，VDD=5V 条件下，校准精度在±0.2V 范围内； 注 4：建议用户在配置字设置时，使能低电压检测复位模块（BOREN=1） ，以免因电源不稳定，导致芯片 工作异常。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 106/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 第 7 章 芯片封装图 7. 1 20-pin 封装图 SOP20 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 107/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 DIP20 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 108/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 7. 2 16-pin 封装图 SOP16 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 109/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 7. 3 14-pin 封装图 SOP14 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 110/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 附录1 附录1. 1 指令集 概述 本芯片提供了 79 条精简指令。 汇编指令为了方便程序设计者使用，指令名称大多是由指令功能的英文缩写所组成的。 这些指令所组成的程序经过编译器的编译与连接后，会被转换为相对应的指令码。转 换后的指令码可以分为操作码（OP Code）与操作数（Operand）两个部分。 操作码部分对应到指令本身。 芯片运行在 4MHz 振荡时钟时，一个机器周期的时间为 500ns。 按照指令执行的机器周期数可将指令分为双周期指令和单周期指令，其中 CALL、 LCALL、RCALL、GOTO、JUMP、RET、RETIA、RETIE 为双周期指令；满足跳转 条件时，JBC、JBS、JDEC、JINC 指令为双周期指令，否则为单周期指令；其它指令 为单周期指令。 附录1. 2 寄存器操作指令 序 号 影响 状态位 指令 机器 周期 操作 1 SECTION I - 1 I->BKSR 2 PAGE I - 1 I->PCRH 3 ISTEP I - 1 IAA+i->IAA(-128≤i≤127) 4 MOVI I - 1 I->(A) 5 MOV R,F Z,N 1 (R)->(目标) 6 MOVA R - 1 (A)->(R) 7 MOVAR R - 1 (A)->( R)（R 为 GPR） 8 MOVRA R - 1 (R)->(A) （R 为 GPR） 附录表 1-1 附录1. 3 序 号 寄存器操作指令表 程序控制指令 影响 状态位 指令 机器周期 操作 9 JUMP I - 2 PC+1+i->PC (-128≤i≤127) 10 AJMP I - 2 I->PC I->PCRH 11 GOTO I - 2 I->PC PCRH->PC 12 CALL I - 2 PC+1->TOS,I->PC PCRH->PC 13 LCALL I - 2 PC+1->TOS,I->PC I->PCRH 附录表 1-2 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 程序控制指令表 111/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续] 序号 影响 状态 位 指令 R - 机器 周期 2 操作 PC+1→TOS, (R)→PC, PCRH→PC, 14 RCALL 15 JBC R,B - 2或1 当 R = 0 时跳过下一条指令 16 JBS R,B - 2或1 当 R = 1 时跳过下一条指令 17 JCAIE I - 2或1 当(A) = I 时跳过下一条指令 18 JCAIG I - 2或1 当(A) > I 时跳过下一条指令 19 JCAIL I - 2或1 当(A) < I 时跳过下一条指令 20 JCRAE R - 2或1 当(R) = (A)时跳过下一条指令 21 JCRAG R - 2或1 当(R) > (A)时跳过下一条指令 22 JCRAL R - 2或1 当(R) < (A)时跳过下一条指令 23 JCCRE R,B - 2或1 当 C = R(B)时跳过下一条指令 24 JCCRG R,B - 2或1 当 C > R(B)时跳过下一条指令 25 JCCRL R,B - 2或1 当 C < R(B)时跳过下一条指令 26 JDEC R,F - 2或1 (R-1)->(目标寄存 器 ), 当目 标寄 存器的值为 0 时则跳过下一条指 令 27 JINC R,F - 2或1 (R+1)->(目标寄存器), 当目标寄 存器的值为 0 时则跳过下一条指 令 28 NOP - - 1 空操作 29 POP - - 1 AS->A, PSWS->PSW, PCRHS->PCRH 30 PUSH - - 1 A->AS, PSW->PSWS, PCRH->PCRHS 31 RET - - 2 TOS->PC 32 RETIA I - 2 I->(A),TOS->PC 33 RETIE - - 2 TOS->PC,1->GIE 1 软件复位指令 34 RST - 全 状 位 被 响 35 CWDT - N_TO, N_PD 1 00H->WDT, 0->WDT Prescaler, 1-> N_TO, 1-> N_PD 36 IDLE - N_TO, N_PD 1 00H->WDT, 0->WDT Prescaler, 1-> N_TO, 0-> N_PD 附录表 1-3 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 部 态 均 影 程序控制指令表[续] 112/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 附录1. 4 算术/逻辑运算指令 序 号 指令 影响 状态位 机器 周期 操作 37 ADD R,F C, DC,Z,OV,N 1 (R)+(A)->(目标) 38 ADDC R,F C, DC,Z,OV,N 1 (R)+(A)+C->(目标) 39 ADDCI I C, DC,Z,OV,N 1 I+(A)+C->(A) 40 ADDI I C, DC,Z,OV,N 1 I+(A)->(A) 41 AND R,F Z,N 1 (A).AND.(R)->(目标) 42 ANDI I Z,N 1 I.AND.(A)->(A) 43 BCC R,B - 1 0->R 44 BSS R,B - 1 1->R 45 BTT R,B - 1 (~R)->R 46 CLR R Z 1 (R)=0 47 SETR R - 1 FFH->(R) 48 NEG R C, DC,Z,OV,N 1 ~(R)+1-> (R) 49 COM R,F Z,N 1 (~R)->(目标) 50 DAR R,F C 1 对(R)十进制调整->(目标) 51 DAA - C 1 对(A)十进制调整->(A) 52 DEC R,F C, DC,Z,OV,N 1 (R-1)->(目标) 53 INC R,F C, DC,Z,OV,N 1 (R+1)->(目标) 54 IOR R,F Z,N 1 (A).OR.(R)->(目标) 55 IORI I Z,N 1 I.OR.(A)->(A) R C 56 RLB R,F,B C,Z,N 1 C R （R 带 C 向 右循环移位） R 59 RRBN C 60 SUB 61 SUBC Z,N 1 R >> R（R 不带 C 向右循环移位） R,F C,DC,Z,OV,N 1 (R)-(A)->(目标) R,F C,DC, Z,OV,N 1 (R)-(A)- (~C)->(目标) R,F,B 附录表 1-4 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 算术/逻辑运算指令表 113/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续] 序 号 指令 影响状态位 机器 周期 操作 62 SUBCI I C,DC,Z,OV,N 1 I-(A)- (~C)->(A) 63 SUBI I C,DC,Z,OV,N 1 I-(A)->(A) 64 SSUB R,F C,DC,Z,OV,N 1 (A)-(R)->(目标) 65 SSUBC R,F C,DC,Z,OV,N 1 (A)-(R)- (~C)->(目标) 66 SSUBCI I C,DC,Z,OV,N 1 (A)-I- (~C)->(A) 67 SSUBI I C,DC,Z,OV,N 1 (A)-I->(A) 68 SWAP R,F - 1 R->(目标), R->(目标) 69 TBR - - 2 Pmem(FRA)->ROMD 70 TBR#1 - - 2 Pmem(FRA)-> ROMD, FRA+1->FRA 71 TBR_1 - - 2 Pmem(FRA)-> ROMD, FRA-1->FRA 72 TBR1# - - 2 FRA+1->FRA, Pmem(FRA)-> ROMD 73 TBW - - 2 本芯片不支持该条指令 74 TBW#1 - - 2 本芯片不支持该条指令 75 TBW_1 - - 2 本芯片不支持该条指令 76 TBW1# - - 2 本芯片不支持该条指令 77 XOR R, F Z,N 1 (A).XOR.(R)->(目标) 78 XORI I Z,N 1 I.XOR.(A)->(A) 附录表 1-5 算术/逻辑运算指令表[续] 注：指令集说明 1： i－立即数， F－标志位，A－寄存器 A，R－寄存器 R，B－寄存器 R 的第 B 位。 2： C－进位/借位，DC－半进位/半借位，Z－零标志位，OV－溢出标志位，N－负标志位。 3： TOS－顶级堆栈。 4： 如果 F = 0，则目标寄存器为寄存器 A；如果 F = 1，则目标寄存器为寄存器 R。 5： 79 条指令中另有一条 NOP 指令未在上表中描述。 6： SECTION 指令中，N 的位数，视实际芯片而定。对本芯片，通用数据存储器 GPR 分为 8 个存储体 组，所以 N 的位数是 3 位。 7： PAGE 指令中，N 的位数，视实际芯片而定。对本芯片，没有 PCRU 寄存器，N 的位数是 3 位。 8： PC 的位数以及 PCRU 寄存器，视实际芯片而定。对本芯片，PC 的位数是 14 位，没有 PCRU 寄存器。 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 114/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 附录2 特殊功能寄存器总表 上电 复位值 地址 名称 FF80H IAD 间接寻址数据寄存器 0000 0000 FF81H IAAL 间接寻址索引寄存器 0000 0000 FF82H IAAH 间接寻址索引寄存器 0000 0000 FF83H BKSR FF84H PSW FF85H AREG A 寄存器 xxxx xxxx FF86H PCRL 程序计数器 0000 0000 FF87H PCRH 程序计数器 0000 0000 FF88H MULA/MULL 乘数 A 寄存器/乘积寄存器 xxxx xxxx FF89H MULB/MULH 乘数 B 寄存器/乘积寄存器 xxxx xxxx FF8AH DIVEL/DIVQL 被除数寄存器/商寄存器 xxxx xxxx FF8BH DIVEH/DIVQH 被除数寄存器/商寄存器 xxxx xxxx FF8CH DIVS/DIVR 除数寄存器/余数寄存器 xxxx xxxx FF8DH - - - FF8EH - - - FF8FH - - - FF90H FRAL 程序存储器查表地址寄存器 xxxx xxxx FF91H FRAH 程序存储器查表地址寄存器 xxxx xxxx FF92H ROMDL 程序存储器查表数据寄存器 xxxx xxxx FF93H ROMDH 程序存储器查表数据寄存器 xxxx xxxx FF94H ROMCL FF95H ROMCH FF96H INTG FF97H INTP FF98H INTC0 FF99H - FF9AH INTE0 PIE1 PIE0 - T8P3IE T8P2IE T8P1IE T8NIE KIE 0000 0000 FF9BH INTF0 PIF1 PIF0 - T8P3IF T8P2IF T8P1IF T8NIF KIF 0000 0000 FF9CH INTE1 - ACP4IE - ADIE 0000 0000 FF9DH INTF1 - ACP4IF - ADIF 0000 0000 FF9EH INTE2 TKIE I2CIE - RXIE TXIE 0000 0000 FF9FH INTF2 TKIF I2CIF - RXIF TXIF 0000 0000 FFA0H - 内部保留，禁止用户写入该寄存器 - FFA1H - 内部保留，禁止用户写入该寄存器 - FFA2 H VREFCAL FFA3 H WDTCAL bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 - UF bit1 bit0 BKSR OF N OV - Z FPEE DC WREN 0000 0000 C WR - 程序存储器控制寄存器 GIE GIEL - SOFTIF PEG0 INTVEN0 INTV AL - KMSKx AD2D6CAL V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - VR2D6C 0000 0000 0000 0000 中断优先级寄存器 IGP PEG1 x00x xxxx - VR2D6CAL 内部 32KHz RC 校准寄存器 0000 0000 1000 0000 115/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续] 上电 地址 名称 FFA4 H OSCCALL FFA5 H OSCCALH FFA6 H PWRC FFA7 H WDTC FFA8 H WKDC FFA9 H PWEN FFAA H PA PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 FFAB H PAT PAT7 PAT6 PAT5 PAT4 FFAC H PB PB7 PB6 PB5 FFAD H PBT PBT7 PBT6 PBT5 FFAE H PC FFAF H PCT FFB0 H PAPU PA 端口内部弱上拉控制位 0000 0000 FFB1 H PBPU PB 端口内部弱上拉控制位 0000 0000 FFB2 H PCPU PC 端口内部弱上拉控制位 0000 0000 FFB3 H PALC FFB4 H PAOD PA 端口开漏输出选择位 1111 1111 FFB5 H PBOD PB 端口开漏输出选择位 0000 0000 FFB6 H PCOD PC 端口开漏输出选择位 0000 0000 FFB7 H PAPD PA 端口内部弱下拉控制位 0000 0000 FFB8 H PBPD PB 端口内部弱下拉控制位 0000 0000 FFB9 H PCPD PC 端口内部弱下拉控制位 0000 0000 FFBA H - - - FFBB H T8N T8N 计数器 0000 0000 FFBC H T8NC FFBD H T8P1 FFBE H T8P1C FFBF H T8P1P T8P1 周期寄存器 1111 1111 FFC0 H T8P1RL T8P1 精度寄存器 0000 0000 FFC1 H T8P1RH T8P1 精度缓冲寄存器 1111 1111 FFC2 H T8P1OC FFC3 H T8P2 FFC4H T8P2C FFC5H T8P2P T8P2 周期寄存器 0000 0000 FFC6H T8P2RL T8P2 精度寄存器 1111 1111 FFC7H T8P2RH T8P2 精度缓冲寄存器 0000 0000 FFC8H T8P2OC FFC9H T8P3 FFCAH T8P3C bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0 内部 16MHz RC 时钟校准寄存器低 8 位 LPM VRST 0000 0000 OSCCALH N_RSTI - N_TO N_PD WDTPRE N_POR N_BOR WDTPRS RCEN SREN 0000 0011 - PA1 PA0 0000 xxxx PAT3 - PAT1 PAT0 1111 1111 PB4 PB3 PB2 PB1 PB0 xxxx xxxx PBT4 PBT3 PBT2 PBT1 PBT0 1111 1111 - PC1 PC0 xxxx xxxx - PCT1 PCT0 0000 0011 PALC T8NM - T8NEG PALC T8NPRE T8NPRS T8P1 计数器 T8P1M T8P1POS T8P1E T8P1PRS PWM11EN PWM10EN T8P2 计数器 T8P2POS T8P2E T8P2PRS PWM21EN PWM20EN T8P3 计数器 T8P3POS V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 0000 - T8P3M 0000 0000 0000 0000 - T8P2M 0111 1101 1111 1111 - T8NCLK 0000 0010 0000 1111 IDLE 唤醒延时控制位 T8NEN 复位值 0000 0000 0000 0000 0000 0000 T8P3E T8P3PRS 116/129 http://www.essemi.com 0000 0000 HR7P201 数据手册 [续] 上电 复位值 地址 名称 FFCBH T8P3P T8P3 周期寄存器 1111 1111 FFCCH T8P3RL T8P3 精度寄存器 0000 0000 FFCDH T8P3RH T8P3 精度缓冲寄存器 0000 0000 FFCEH T8P3OC FFCFH EPWM1C PWM1ADEN P1M1 - PWM1ADS - EPWM1M 0000 0000 FFD0H EPWM2C PWM2ADEN P1M2 - PWM2ADS EPWM2OS EPWM2M 0000 0000 FFD1H EPWM3C PWM3ADEN P1M3 - PWM3ADS - EPWM3M 0000 0000 FFD2H PDD1C PRSEN1 PDD1C 0000 0000 FFD3H PDD2C PRSEN2 PDD2C 0000 0000 FFD4H PDD3C PRSEN3 PDD3C 0000 0000 FFD5H TE1AS EPWM1ASF - EPWM1AS0 - PSS1BD 0000 0000 FFD6H TE2AS EPWM2ASF - EPWM2AS0 - PSS2BD 0000 0000 FFD7H TE3AS EPWM3ASF - EPWM3AS0 - PSS3BD 0000 0000 FFD8H TMRADC FFD9H ADCTST FFDAH ADCRL ADC 转换结果低 8 位/低 4 位 xxxx xxxx FFDBH ADCRH ADC 转换结果高 4 位/高 8 位 xxxx xxxx FFDCH ADCCL FFDDH ADCCH ADFM FFDEH ANSL - I/O 端口数模选择寄存器 0000 0000 FFDFH ANSH - I/O 端口数模选择寄存器 0000 0000 FFE0H RXB FFE1H RXC FFE2H TXB FFE3H TXC FFE4H BRR FFE5H TKSEL FFE6H TKTUN FFE7H TKCTL FFE8H TKDAL 扫描结果寄存器低 8 位 0000 0000 FFE9H TKDAM 扫描结果寄存器次低 8 位 0000 0000 FFEAH TKDAH 扫描结果寄存器高 8 位 0000 0000 FFEBH TKMODL 放大系数低 8 位 1111 1111 FFECH TKMODM 放大系数次低 8 位 1111 1111 FFEDH TKMODH 放大系数次高 8 位 1111 1111 FFEEH TKMODU FFEFH I2CX16 FFF0H I2CC FFF1H I2CSA bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 - bit1 PWM31EN bit0 PWM30EN PWM 沿启动 ADC 定时器 0000 0000 - ADHSEN ADCHS ADVOUT ADCKS SMPS ADST ADTRG AINEN ADEN ADVREFS UART 接收数据寄存器 RXEN RXM - TXM OERR BRGH FERR RXR8 TKDUS - TRMT TXR8 TKCHS TKCFT - TKDIST SCANOV TKERR I2CTE I2CPU TKOUTS TKOV TKEN TKGO I2COD V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 I2CTAS I2CANAE I2CSADR 0000 0010 I2CCSE I2CRST 0000 0000 0000 0000 0000 1111 16 倍采样波特率控制位 - 0000 000x 0000 0000 放大系数高 4 位 - 0100 1000 0000 0000 TKFS TKTMS 0000 0000 0000 0000 UART 波特率设置 TKCTR 0000 0000 0000 0000 UART 发送数据寄存器 TXEN 0000 0000 0000 0000 I2CEN 0000 0000 I2CRW 0000 0000 117/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 [续] 上电 复位值 地址 名称 FFF2H I2CTB 发送数据缓冲寄存器 0000 0000 FFF3H I2CRB 接收数据缓冲寄存器 0000 0000 FFF4H I2CIEC - I2CNAIE I2CROIE I2CTEIE I2CRBIE I2CTBIE I2CSPIE I2CSRIE 0000 0000 FFF5H I2CIFC - I2CNAIF I2CROIF I2CTEIF I2CRBIF I2CTBIF I2CSPIF I2CSRIF 1000 0100 FFF6H - - - FFF7H - - - FFF8H - - - FFF9H ACPC4 FFFAH - FFFBH VRC1 FFFCH PPGC FFFDH - - - FFFEH - - - FFFFH - - - bit7 - bit6 C4OUT bit5 bit4 bit3 C4NM bit2 bit1 - C4INV bit0 C4EN VREFEN VRC2S V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 VRC1S CMXOFFSET 0000 0000 VOUTEN - 118/129 http://www.essemi.com 0000 0000 - HR7P201 数据手册 附录3 附录3. 1  电气特性 参数特性表 最大标称值 参数 符号 条件 标称值 单位 电源电压 VDD - -0.3 ~ 7.5 V 输入电压 VIN - -0.3 ~ VDD + 0.3 V 输出电压 VOUT - -0.3 ~ VDD + 0.3 V 存储温度 TSTG - -55 ~ 125 ℃ 操作温度 TOPR -40 ~ 85 ℃  VDD：3.0 ~ 5.5V 芯片功耗特性参数表 参数 芯片内核供电电压 芯片静态电流 IDLE0 休眠模式下 芯片电流 符号 VDD 最小值 典型值 最大值 3.0 - 5.5 IDD - 500 - 单位 V -40℃ ~ 85℃ uA 25℃，VDD = 5V，BOR 不使能，所有的 I/O 端 口 输 入 低 电 平 ， N_MRST = 0，OSC1 = 0，OSC2 悬空。 IPD1 - 16 - μA 25 ℃ ， VDD = 5V ， BOR 不使能，WDT 使 能。 IPD2 - 25 - μA 25 ℃ ， VDD = 5V ， BOR 使能，WDT 使能。 μA 25 ℃ ， VDD = 5V ， BOR 使能，WDT 使能， 内部振荡器。 μA 25 ℃ ， VDD = 5V ， BOR 使能，WDT 使能， 外部振荡器。 mA 25℃，VDD = 5V，正常 运行模式，内部 16MHz 时钟，I/O 端口输出固定 电平，无负载。 mA 25℃，VDD = 5V，正常 运行模式，外部 HS 模 式下 16MHz 时钟，I/O 端口输出固定电平，无 负载。 mA 25℃，VDD = 5V IPD3 - 400 - IDLE1 休眠模式下 芯片电流 IPD4 IOP1 - - 700 2 - - 正常运行模式 芯片电流 VDD 管脚的 最大输入电流 工作条件 IOP2 - 3.5 IMAXVDD - 80 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 - 119/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 VSS 管脚的 最大输出电流 IMAXVSS - 200 非大电流 I/O 端口 灌电流 IOL - 10 非大电流 I/O 端口 拉电流 IOH - 大电流 I/O 端口灌 电流 IOL 大电流 I/O 端口拉 电流 IOH  mA 25℃，VDD = 5V - mA 25℃，VDD = 5V VOL = 0.6V 10 - mA 25℃，VDD = 5V VOH = 4.4V - 40 - mA 25℃，VDD = 5V VOL = 0.6V - 18 - mA 25℃，VDD = 5V VOH = 4.4V 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 芯片输入端口特性表 芯片工作温度范围：-40℃ ~ 85℃ 参数 符号 I/O 端口输入高电平 （有施密特输入特 性） 0.8VDD - VDD V 主 复 位 信 号 VIH N_MRST 输入高电 平（有施密特输入特 性） 0.8VDD - VDD V I/O 端口输入低电平 VSS - 0.18VDD V 主 复 位 信 号 VIL N_MRST 输入低电 平 VSS - 0.20VDD V I/O 端口输入漏电流 - - +1 μA 3.0V≤VDD≤5.5V VSS≤Vpin≤VDD （端口处于高阻状 态） - - 5 μA VSS≤Vpin≤VDD IIL 主复位端口漏电流 3.0V≤VDD≤5.5V I/O 端口输入 弱上拉电流 IWPU - 300 - μA 3.0V≤VDD≤5.5V Vpin = VSS I/O 端口输入 弱下拉电流 IWPD - 300 - μA 3.0V≤VDD≤5.5V Vpin = VDD I/O 输 入 端 口 VDD/2 输出 VVDD - /2 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 ±5% - - 25℃，VDD=5V，弱 上拉和弱下拉同时使 能 120/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册  芯片输出端口特性表 芯片工作温度范围：-40℃ ~ 85℃ 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 I/O 端口 输出高电平 VOH VDD-0.7 - - V 3.0V≤VDD≤5.5V IOH = 6.0 mA I/O 端口 输出低电平 VOL - - 0.6 V 3.0V≤VDD≤5.5V IOL = 12 mA 最小值 典型值 最大值 单位  系统时钟要求表 参数 符号 测试条件 系统时钟频率 FOSC - - 16M Hz 3.0V≤VDD≤5.5V 系统时钟周期 TOSC 62.5 - - ns 3.0V≤VDD≤5.5V 机器周期 Tinst 125 - - ns - 外部时钟高电平 和低电平时间 TOSL， TOSH 15 - - ns - 外部时钟上升 和下降时间 TOSR， TOSF - - 15 ns - TWDT 2.4 (54KHz) 8 (32KHz) 13.6 (9.6KHz) ms 3.0V≤VDD≤ 5.5V， -40℃ ~ 85℃ WDT 溢出时间 （不分频）  参数 12 位 ADC 特性表 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 4 - 5.5 V ADHSEN=1（高速） VDD 3 - 5.5 V ADHSEN=0（低速） RR - 11 12 bit 差分线性度 DNL - - ±2 LSB 积分线性度 INL - - ±2 LSB VOFFSET 0.5 1 25 ℃ ， VDD=5V ， fADCCLK=2MHz ， ADHSEN=0，采样时 间为 8 个 ADCCLK ， 参考电压为内部 VDD 2.5 - VDD V 25℃，VDD=5V，内部 VDD 参考 2.45 2.5 2.55 V 25℃，VDD=5V，内部 2.5V 参考 2 - VDD V 25℃，VDD=5V，外部 VREFP 参考 电源电压 分辨率 失调误差 符号 VREF1 参考电压范围 VREF2 VREF3 LSB 模拟输入电压 VADIN - - VREF1~3 V - 输入电容 CADIN - - 40 Pf - 输入电阻 RADIN - - 10 KΩ - FADCLK（高速） - - 16 MHz ADHSEN=1 FADCLK（低速） - - 2 MHz ADHSEN=0 转换时钟频率 V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 121/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 转换时间（不 包括采样时 间） 采样时间 TADC - - 13 TADS 高速 1 - - TADS 低速 8 - - Tadclk ADHSEN=1 us ADHSEN=0 注：以上为设计理论值。  ADC 转换时间对照表 工作频率 A/D 时钟源 选择 16M 8M 4M 1M Fosc 不推荐使用 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 1us Fosc/2 不推荐使用 不推荐使用 TADCLK = 0.5us TADCLK = 2us Fosc/4 不推荐使用 TADCLK = 0.5us TADCLK = 1us TADCLK = 4us Fosc/8 TADCLK = 0.5us TADCLK = 1us TADCLK = 2us TADCLK = 8us Fosc/16 TADCLK = 1us TADCLK = 2us TADCLK = 4us TADCLK = 16us Fosc/32 TADCLK = 2us TADCLK = 4us TADCLK = 8us TADCLK = 32us Fosc/64 TADCLK = 4us TADCLK = 8us TADCLK = 16us TADCLK = 64us  模拟比较器特性表 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 电源电压 VDD 3 - 5.5 V - 输入失调电压 (校准后) VOFFSET - 5 - mV 25℃，VDD=5V 输入共模电压 VCOM 0.6 - VDD-1 V - 响应时间 TRESP - 1 - us - 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 - 2.5 - V 25℃，VDD=5V  参考电压特性表 符号 参数 内部参考电压 输出 VREF2.5  VREF 内部 16MHz 时钟校准性表 校准条件 工作条件 25℃，将频率校 准至 16MHz -40℃～85℃， VDD = 3.0V~5.5V V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 最小值 典型值 15.52 16 最大值 16.48 单位 MHz 122/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 附录3. 2 参数特性图 本节中所列图示未经过量产测试，仅作为设计参考之用。其中部分图示中所列的数据 已超出指定的操作范围，此类信息也仅供参考，芯片只保证在指定的范围内正常工作。  芯片静态电流随芯片电压变化特性图 -40℃ 25℃ 85℃ 400.00 350.00 300.00 静态功耗(uA) 250.00 200.00 150.00 100.00 50.00 0.00 3.0  5.0 VDD(V) 5.5 I/O 端口信号输入特性图（室温 25℃） 25℃ 4.00 3.50 3.00 VILmax(V) 2.50 2.00 1.50 1.00 0.50 0.00 2.50 3.00 3.50 5.00 5.50 5.00 5.50 VDD(V) 25℃ 2.50 2.00 VIHmin(V) 1.50 1.00 0.50 0.00 2.50 3.00 3.50 VDD(V) V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 123/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册  I/O 端口信号输入特性图（非大电流端口） A: VOH vs IOH@VDD=3.0V VDD=3V -40℃ 18.000 25℃ 85℃ 16.000 14.000 12.000 IOH(mA) 10.000 8.000 6.000 4.000 2.000 0.000 0 0.5 1 1.5 VOH(V) 2 2.5 3 B: VOL vs IOL@VDD=3.0V VDD=3.0V IOL(mA) -40℃ 25℃ 85℃ 18.000 16.000 14.000 12.000 10.000 8.000 6.000 4.000 2.000 0.000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VOL(V) V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 124/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 C: VOH vs IOH@VDD=5.0V D: VOL vs IOL@VDD=5.0V VDD=5.0V -40℃ 25℃ 85℃ 35.000 30.000 IOL(mA) 25.000 20.000 15.000 10.000 5.000 0.000 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V) V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 125/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 E: VOH vs IOH@VDD=5.5V F: VOL vs IOL@VDD=5.5V VDD=5.5V -40℃ 25℃ 85℃ 40.000 35.000 30.000 IOL(mA) 25.000 20.000 15.000 10.000 5.000 0.000 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VOL(V) V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 126/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册  I/O 端口信号输入特性图（大电流端口） A: VOH vs IOH@VDD=3.0V B: VOL vs IOL@VDD=3.0V V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 127/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 C: VOH vs IOH@VDD=5.0V D: VOL vs IOL@VDD=5.0V V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 128/129 http://www.essemi.com HR7P201 数据手册 E: VOH vs IOH@VDD=5.5V F: VOL vs IOL@VDD=5.5V V1.7 版权所有©上海东软载波微电子有限公司 129/129 http://www.essemi.com