SM7035P

SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 SM7035/SM7035P 特点  宽电压 85Vac~265Vac 输入  恒压精度小于±3%  拓扑结构支持： 概述 SM7035 是一款恒压控制芯片，内置 CS 电阻。全电压范围内恒压 精度小于±3%，外围元件少，方案成本低。 SM7035 具有自恢复的输出开短路等多重保护功能，以提高系统可  可使用贴片电感或棒形电感 管脚图  内置自恢复输出开短路保护功能  外围元件少  成本低  封装形式：DIP8、SOP8 DRAIN 1 2 NC 3 FB 4 VDD GND 8 1 DRAIN GND 7 2 NC NC 6 3 FB NC 5 4 VDD SM7035P 靠性。 SM7035 BUCK/FLYBACK/BUCK-BOOST GND 8 GND 7 NC 6 NC 5 SOP8 DIP8 输出功率表 应用领域  小家电应用  待机电源  MCU 或功能模组供电电源 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 输入电压范围：85Vac~265Vac 封装形式 输出电压 输出电流 SOP8 3.3V~18V 200mA DIP8 3.3V~18V 250mA 典型示意电路图 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -1- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 内部功能框图 VDD DRAIN FB GND 管脚说明 管脚序号 名称 管脚说明 1 DRAIN 内置高压 MOS 管漏极 2，5，6 NC 悬空脚 3 FB 芯片反馈引脚 4 VDD 芯片电源 7，8 GND 芯片地 订购信息 订购型号 封装 SM7035 SM7035P 包装方式 卷盘尺寸 管装 编带 DIP8 20000 只/箱 / / SOP8 100000 只/箱 4000 只/盘 13 寸 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -2- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 DRAIN 内置高压 MOS 管漏极电压 -0.3 ~500 V VDD 芯片电源 -0.3 ~ 7 V VFB FB 端口输入电压 -0.3 ~ 7 V DIP8 80 SOP8 130 RθJA PN 结到环境的热阻 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 ~ 150 ℃ TSTG 存储温度 -55 ~ 150 ℃ VESD HBM 人体放电模式 >2 KV 注：表贴产品焊接最高峰值温度不能超过 260℃，温度曲线依据 J-STD-020 标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃，VDD=6V) 符号 说明 条件 VDD VDD 工作电压 IDD 范围 单位 最小 典型 最大 DRAIN=20V -- 6.0 -- V 芯片静态工作电流 VDD=6V FB=5V -- 450 -- uA VFB_CV FB 端口恒压阈值 -- -- 2 -- V FOSC 芯片工作频率 -- -- 60 -- kHz TLEB 消隐时间 -- -- 300 -- nS BV_DRAIN DRAIN 端耐压 -- -- 500 -- V Rdson 内部集成 MOS 管导通电阻 -- -- 20 -- Ohms 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -3- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 功能表述 SM7035 是一款恒压控制芯片，内置 CS 电阻。全电压范围内恒压精度小于±3%，外围元件少，方案成本低。 SM7035 具有自恢复的输出开短路等多重保护功能，以提高系统可靠性。  内部稳压器 DRAIN 端口通过 JFET 对 VDD 电容充电，利用稳压器的稳压特性，从而稳定 VDD 的电压。  恒压控制 芯片通过 FB 端口电压进行跳频控制，从而稳定输出电压，得到高恒压精度。 V RFBL  FB _ CV RFBL  RFBH VOUT 其中， RFBL 是反馈网络的下分压电阻 RFBH 是反馈网络的上分压电阻 V OUT 是输出稳压点 VFB _ CV 是恒压阈值  前沿消隐电路 为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰造成的干扰，内置前沿消隐电路，避免芯片在功率管开启瞬间 产生误动作。  保护控制 SM7035 芯片完善的各种保护功能提高了电源系统的可靠性，包括：逐周期峰值电流限制，输出短路保护， 输出开路保护等。 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -4- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 阻焊层 PCB layout 注意事项 网状铺铜 SOP8 封装芯片 简要说明： SOP8/DIP8  初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过 EMC 测试。  高压信号与低压信号分开走线，避免高压信号对低压反馈信号产生干扰。  芯片 VDD 及 FB 的地尽量靠近芯片的 GND。  IC 的 7、8 脚 GND 需要铺铜处理，铺铜面积建议大于 8*8mm，以降低芯片的温度。 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -5- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 典型应用方案  SM7035P 5V/200mA BUCK 系统 原理图： SM7035P BOM 清单： 位号 参数 位号 参数 FR1 10R/0.25W D2 RS1M RV1(安规元件) 7D471 C1 0.1uF/16V DB1 MB6S C2 100nF/16V R1 1K/0805 E1 2.2uF/400V R2 10K/0805 E2 330uF/10V R3 18K/0805 L1 470uH/5845 封装 D1 ES1J U1 SM7035P 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -6- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 封装形式 DIP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A - 4.8 A1 0.5 - A2 3.0 3.7 B 0.3 0.6 B1 1.524(BSC) C 0.2 0.4 D 9.1 9.5 E 6.15 6.45 E1 7.2 8.4 e L 2.54(BSC) 2.8 E2 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 4.0 8.8(BSC) Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -7- SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片 QWISIGV1.3 SOP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.75 b 0.25 0.7 c 0.1 0.35 D 4.6 5.3 e 1.27(BSC) E 5.7 6.4 E1 3.7 4.2 L 0.2 1.5 θ 0° 10° 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -8-