物料型号：HY19P03P/B
器件简介：
- 华微电子生产的P沟道增强型MOSFET。
- 具有-30V/-90A的额定电压和电流。
- 导通电阻低，分别为V_{GS}=-10V时4.7mΩ(typ.)和V_{GS}=-4.5V时6.5mΩ(typ.)。
- 100%雪崩测试，确保可靠性。
- 符合RoHS标准的无铅和绿色设备。
引脚分配：
- S：源极
- D：漏极
- G：栅极
参数特性：
- 绝对最大额定值包括-30V的漏源电压、+20V的栅源电压、-55至150°C的结温范围等。
- 电气特性包括-30V的漏源击穿电压、-1uA的漏源漏电流、-1.7V至-3.0V的栅阈值电压等。
功能详解：
- 该MOSFET适用于开关应用和DC/DC电源管理。
应用信息：
- 用于开关应用和电源管理。
封装信息：
- 提供TO-220FB-3L和TO-263-2L两种封装类型。
- 每种封装类型每管装50个单位。
可靠性测试程序：
- 包括焊接性测试、高温反偏测试、蒸汽压力锅测试和温度循环测试。
客户服务信息：
- 提供全球销售和服务，技术支持。
工商网监
湘ICP备2023018690号
