AT32F413系列 数据手册
基于ARM® 32位的Cortex® -M4F微控制器+FPU，带64 K字节至256 K字节
内部闪存、sLib、USB、2个CAN、12个定时器、2个ADC、13个通信接口
功能
内核：带有FPU的ARM® 32位的Cortex® -M4F
CPU
多达55个快速I/O端口
− 27/39/55个多功能双向的I/O口，所有I/O口可
以映像到16个外部中断；几乎所有I/O口可容
忍5V输入信号
− 最高200 MHz工作频率，带存储器保护单元
(MPU)，内建单周期乘法和硬件除法
− 内建浮点运算(FPU)
− 所有I/O口均为快速I/O，寄存器存取速度最高
fAHB/2
− 具有DSP指令集
多达12个定时器
存储器
− 从64 K字节至256 K字节的内部闪存程序/数
据存储器
− SPIM接口：额外提供高达16 M字节外部SPI
闪存程序数据存储器接口
− 高达64 K字节的SRAM
− 多达5个16位定时器+2个32位定时器，每个定
时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM
或脉冲计数的通道和增量编码器输入
− 多达2个16位带死区控制和紧急刹车，用于电
机控制的PWM高级控制定时器
− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)
− sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全
库区，此区代码仅能调用无法读取
− 系统时间定时器：24位自减型计数器
多达13个通信接口
时钟、复位和电源管理
− 2.6至3.6伏供电和I/O引脚
− 2个I2C接口(支持SMBus/PMBus)
− 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测
器(PVD)
− 多达5个USART接口(支持ISO7816，LIN，
IrDA接口和调制解调控制)
− 4至25 MHz晶体振荡器
− 2个SPI接口(50 M位/秒)，2个均可复用为I2S
接口
− 内嵌经出厂调校的48 MHz RC振荡器(25 °C
达1 %精度，-40 °C至+105 °C达2.5 %精
度)，带自动时钟校准功能（ACC）
− 2个CAN接口(2.0B主动)
− Crystal-less USB2.0全速接口
− 内嵌带校准的40 kHz RC振荡器
− SDIO接口
− 带校准功能的32 kHz晶体振荡器
CRC计算单元，96位的芯片唯一代码
低功耗
封装
− LQFP64 10 x 10 mm
− LQFP48 7 x 7 mm
− QFN48 6 x 6 mm
− QFN32 4 x 4 mm
− 睡眠、停机、和待机模式
− VBAT为RTC和42个16位的后备寄存器供电
2个12位A/D转换器，0.5 μs转换时间(多达16
个输入通道)
− 转换范围：0至3.6 V
表 1. 选型列表
− 两组采样和保持功能
内部闪存存储器
− 温度传感器
DMA：12通道DMA控制器
− 支持的外设：定时器、ADC、SDIO、I2S、
SPI、I2C、和USART
调试模式
型号
256 K字节
AT32F413RCT7, AT32F413CCT7,
AT32F413CCU7, AT32F413KCU7-4
128 K字节
AT32F413RBT7, AT32F413CBT7,
AT32F413CBU7, AT32F413KBU7-4
64 K字节
AT32F413C8T7
− 串行单线调试(SWD)和JTAG接口
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目录
1
介绍 .......................................................................................................................... 9
2
规格说明 ................................................................................................................ 10
2.1
器件一览 ..................................................................................................................11
2.2
概述 ........................................................................................................................ 12
2.2.1
ARM® Cortex® -M4F，配有 DSP 指令和 FPU .............................................................12
2.2.2
MPU(存储器保护单元) ................................................................................................14
2.2.3
闪存存储器 .................................................................................................................14
2.2.4
CRC(循环冗余校验)计算单元 .....................................................................................14
2.2.5
内置 SRAM .................................................................................................................14
2.2.6
嵌套的向量式中断控制器(NVIC) ................................................................................15
2.2.7
外部中断/事件控制器(EXTI) .......................................................................................15
2.2.8
时钟和启动 .................................................................................................................15
2.2.9
启动模式 .....................................................................................................................17
2.2.10 供电方案 .....................................................................................................................17
2.2.11 供电监控器 .................................................................................................................17
2.2.12 电压调压器 .................................................................................................................17
2.2.13 低功耗模式 .................................................................................................................18
2.2.14 DMA ...........................................................................................................................18
2.2.15 RTC(实时时钟)和后备寄存器 .....................................................................................18
2.2.16 定时器和看门狗 ..........................................................................................................19
2.2.17 I2C 总线.......................................................................................................................21
2.2.18 通用同步/异步收发器(USART) ...................................................................................21
2.2.19 串行外设接口(SPI)......................................................................................................21
2.2.20 芯片互联音频接口(I2S) ...............................................................................................21
2.2.21 SDIO ...........................................................................................................................21
2.2.22 控制器区域网络(CAN) ................................................................................................21
2.2.23 通用串行总线(USB) ....................................................................................................22
2.2.24 通用输入输出接口(GPIO) ...........................................................................................22
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2.2.25 重映射功能 .................................................................................................................22
2.2.26 ADC(模拟/数字转换器) ...............................................................................................22
2.2.27 温度传感器 .................................................................................................................22
2.2.28 串行单线 JTAG 调试口(SWJ-DP) ...............................................................................22
3
引脚定义 ................................................................................................................ 23
4
存储器映像 ............................................................................................................. 29
5
电气特性 ................................................................................................................ 30
5.1
测试条件 ................................................................................................................. 30
5.1.1
最小和最大数值 ..........................................................................................................30
5.1.2
典型数值 .....................................................................................................................30
5.1.3
典型曲线 .....................................................................................................................30
5.1.4
负载电容 .....................................................................................................................30
5.1.5
引脚输入电压 ..............................................................................................................30
5.1.6
供电方案 .....................................................................................................................31
5.1.7
电流消耗测量 ..............................................................................................................31
5.2
绝对最大额定值 ...................................................................................................... 32
5.3
工作条件 ................................................................................................................. 33
5.3.1
通用工作条件 ..............................................................................................................33
5.3.2
上电和掉电时的工作条件............................................................................................33
5.3.3
内嵌复位和电源控制模块特性 ....................................................................................33
5.3.4
内置的参照电压 ..........................................................................................................35
5.3.5
供电电流特性 ..............................................................................................................35
5.3.6
外部时钟源特性 ..........................................................................................................44
5.3.7
内部时钟源特性 ..........................................................................................................48
5.3.8
PLL 特性 .....................................................................................................................50
5.3.9
存储器特性 .................................................................................................................50
5.3.10 EMC 特性 ...................................................................................................................51
5.3.11 绝对最大值(电气敏感性) .............................................................................................52
5.3.12 I/O 端口特性 ...............................................................................................................53
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5.3.13 NRST 引脚特性 ..........................................................................................................55
5.3.14 TMR 定时器特性 .........................................................................................................55
5.3.15 通信接口 .....................................................................................................................56
5.3.16 CAN(控制器局域网络)接口 .........................................................................................64
5.3.17 12 位 ADC 特性 ..........................................................................................................64
5.3.18 温度传感器特性 ..........................................................................................................68
6
封装特性 ................................................................................................................ 69
6.1
LQFP64 封装数据 ................................................................................................... 69
6.2
LQFP48 封装数据 ................................................................................................... 71
6.3
QFN48 封装数据..................................................................................................... 73
6.4
QFN32 封装数据..................................................................................................... 75
6.5
热特性 .................................................................................................................... 77
7
订货代码 ................................................................................................................ 78
8
版本历史 ................................................................................................................ 79
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表目录
表 1. 选型列表 ..................................................................................................................................... 1
表 2. AT32F413 系列器件功能和配置 ................................................................................................ 11
表 3. 启动加载程序(Bootloader)的型号支持和管脚配置.................................................................... 17
表 4. 定时器功能比较 ........................................................................................................................ 19
表 5. AT32F413 系列引脚定义 ........................................................................................................... 26
表 6. 电压特性 ................................................................................................................................... 32
表 7. 电流特性 ................................................................................................................................... 32
表 8. 温度特性 ................................................................................................................................... 32
表 9. 通用工作条件 ............................................................................................................................ 33
表 10. 上电和掉电时的工作条件 ........................................................................................................ 33
表 11. 内嵌复位和电源控制模块特性 ................................................................................................. 34
表 12. 内置的参照电压 ...................................................................................................................... 35
表 13. 运行模式下的最大电流消耗 .................................................................................................... 36
表 14. 睡眠模式下的最大电流消耗 .................................................................................................... 37
表 15. 停机和待机模式下的典型和最大电流消耗 .............................................................................. 38
表 16. VBAT 的典型和最大电流消耗 ..................................................................................................... 39
表 17. 运行模式下的典型电流消耗 .................................................................................................... 40
表 18. 睡眠模式下的典型电流消耗 .................................................................................................... 41
表 19. 内置外设的电流消耗 ............................................................................................................... 42
表 20. 高速外部用户时钟特性 ........................................................................................................... 44
表 21. 低速外部用户时钟特性 ........................................................................................................... 45
表 22. HSE 4~25 MHz 振荡器特性 .................................................................................................... 46
表 23. LSE 振荡器特性(fLSE = 32.768 kHz) ........................................................................................ 47
表 24. HSI 振荡器特性 ....................................................................................................................... 48
表 25. LSI 振荡器特性 ........................................................................................................................ 48
表 26. 低功耗模式的唤醒时间 ........................................................................................................... 49
表 27. PLL 特性 .................................................................................................................................. 50
表 28. 内部闪存存储器特性 ............................................................................................................... 50
表 29. 内部闪存存储器寿命和数据保存期限...................................................................................... 50
表 30. EMS 特性................................................................................................................................. 51
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表 31. ESD 绝对最大值 ...................................................................................................................... 52
表 32. 电气敏感性 .............................................................................................................................. 52
表 33. I/O 静态特性 ............................................................................................................................ 53
表 34. 输出电压特性 .......................................................................................................................... 54
表 35. NRST 引脚特性 ....................................................................................................................... 55
表 36. TMRx 特性 ............................................................................................................................... 55
表 37. I2C 接口特性 ............................................................................................................................ 56
表 38. SCL 频率(fPCLK1 = 36 MHz，VDD = 3.3 V) ................................................................................ 57
表 39. SPI 和 SPIM 特性 .................................................................................................................... 58
表 40. I2S 特性 .................................................................................................................................... 60
表 41. SD/MMC 接口特性 .................................................................................................................. 62
表 42. USB 启动时间 .......................................................................................................................... 63
表 43. USB 直流特性 .......................................................................................................................... 63
表 44. USB 全速电气特性 .................................................................................................................. 63
表 45. ADC 特性 ................................................................................................................................. 64
表 46. fADC = 14 MHz 时的最大 RAIN ................................................................................................... 65
表 47. fADC = 28 MHz 时的最大 RAIN ................................................................................................... 65
表 48. ADC 精度(VDDA = 3.0~3.6 V, TA = 25 °C) ................................................................................ 66
表 49. ADC 精度(VDDA = 2.6~3.6 V, TA = -40~105 °C) ....................................................................... 66
表 50. 温度传感器特性 ...................................................................................................................... 68
表 51. LQFP64 – 10 x 10 mm 64 脚低剖面方形扁平封装数据 .......................................................... 70
表 52. LQFP48 – 7 x 7 mm 48 脚低剖面方形扁平封装数据 .............................................................. 72
表 53. QFN48 – 6 x 6 mm 48 脚封装数据 .......................................................................................... 74
表 54. QFN32 – 4 x 4 mm 32 脚封装数据 .......................................................................................... 76
表 55. 封装的热特性 .......................................................................................................................... 77
表 56. AT32F413 系列订货代码信息图示 ........................................................................................... 78
表 57. 文档版本历史 .......................................................................................................................... 79
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图目录
图 1. AT32F413 系列功能框图 ........................................................................................................... 13
图 2. 时钟树 ....................................................................................................................................... 16
图 3. AT32F413 系列 LQFP64 引脚分布............................................................................................ 23
图 4. AT32F413 系列 LQFP48 引脚分布............................................................................................ 24
图 5. AT32F413 系列 QFN48 引脚分布 ............................................................................................. 24
图 6. AT32F413 系列 QFN32 引脚分布 ............................................................................................. 25
图 7. 存储器图 ................................................................................................................................... 29
图 8. 引脚的负载条件 ........................................................................................................................ 30
图 9. 引脚输入电压 ............................................................................................................................ 30
图 10. 供电方案 ................................................................................................................................. 31
图 11. 电流消耗测量方案 ................................................................................................................... 31
图 12. 上电复位和掉电复位的波形图 ................................................................................................ 34
图 13. 停机模式下的典型电流消耗在不同的 VDD 时与温度的对比..................................................... 38
图 14. 待机模式下的典型电流消耗在不同的 VDD 时与温度的对比..................................................... 39
图 15. VBAT 的典型电流消耗（LSE 和 RTC 开启）在不同的 VBAT 电压时与温度的对比 .................... 39
图 16. 外部高速时钟源的交流时序图 ................................................................................................ 44
图 17. 外部低速时钟源的交流时序图 ................................................................................................ 45
图 18. 使用 8 MHz 晶体的典型应用 ................................................................................................... 46
图 19. 使用 32.768 kHz 晶体的典型应用 ........................................................................................... 47
图 20. HSI 振荡器精度与温度的对比.................................................................................................. 48
图 21. 建议的 NRST 引脚保护........................................................................................................... 55
图 22. I2C 总线交流波形和测量电路 ................................................................................................... 57
图 23. SPI 时序图 – 从模式和 CPHA = 0 .......................................................................................... 59
图 24. SPI 时序图 – 从模式和 CPHA = 1 .......................................................................................... 59
图 25. SPI 时序图 – 主模式 .............................................................................................................. 59
图 26. I2S 从模式时序图(Philips 协议) ................................................................................................ 60
图 27. I2S 主模式时序图(Philips 协议) ................................................................................................ 61
图 28. SDIO 高速模式 ........................................................................................................................ 62
图 29. SD 默认模式 ............................................................................................................................ 62
图 30. USB 时序：数据信号上升和下降时间定义 .............................................................................. 63
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图 31. ADC 精度特性.......................................................................................................................... 66
图 32. 使用 ADC 典型的连接图 ......................................................................................................... 67
图 33. 供电电源和参考电源去藕线路 ................................................................................................ 67
图 34. VSENSE 对温度理想曲线图 ........................................................................................................ 68
图 35. LQFP64 – 10 x 10 mm 64 脚低剖面方形扁平封装图 .............................................................. 69
图 36. LQFP64 封装标记例子(封装俯视图) ........................................................................................ 70
图 37. LQFP48 – 7 x 7 mm 48 脚低剖面方形扁平封装图 .................................................................. 71
图 38. LQFP48 封装标记例子(封装俯视图) ........................................................................................ 72
图 39. QFN48 – 6 x 6 mm 48 脚封装图 ............................................................................................. 73
图 40. QFN48 封装标记例子(封装俯视图).......................................................................................... 74
图 41. QFN32 – 4 x 4 mm 32 脚封装图 ............................................................................................. 75
图 42. QFN32 封装标记例子(封装俯视图).......................................................................................... 76
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AT32F413系列 数据手册
1
介绍
本文给出了AT32F413系列产品的订购信息和器件的机械特性。
AT32F413系列数据手册，必须结合AT32F413系列参考手册一起阅读。有关内部闪存存储器的编
程、擦除和保护等信息，也可在AT32F413系列参考手册中取得。
有关Cortex® -M4核心的相关信息，请参考Cortex-M4技术参考手册，可以在ARM公司的网站下载：
http://infocenter.arm.com
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AT32F413系列 数据手册
2
规格说明
AT32F413系列使用高性能的ARM® Cortex® -M4F 32位的RISC内核，工作频率为200 MHz，
Cortex® -M4F内核带有单精度浮点运算单元(FPU)，支持所有ARM® 单精度数据处理指令和数据类
型。它还具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。
AT32F413系列内置高速存储器(高达256 K字节的内存和64 K字节的SRAM)，并可使用外部存储器
(高达16 M字节的SPI闪存)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。内置存储器可设置任
意范围程序区受sLib保护，成为执行代码安全库区。
器件包含2个12位的ADC、5个通用16位定时器、2个通用32位定时器和多达2个PWM定时器，还包
含标准和先进的通信接口：多达2个I2C接口、2个SPI接口(复用为I2S接口)、1个SDIO接口、5个
USART接口、1个USB接口和2个CAN接口。
AT32F413系列工作于-40 °C至+105 °C的温度范围，供电电压2.6 V至3.6 V，省电模式保证低功耗应
用的要求。
这些丰富的外设配置，使得AT32F413系列微控制器适合于多种应用场合：
消费类产品
− 手持云台
− 微型打印机
− 条形码扫描枪
− 读卡器
− 灯光控制
物联网应用
− 智能家居应用
− 物联网传感器节点
工业应用
− 双CAN应用(OBD-II)
− 光电编码器
− 充电桩/BMS
− 机器人控制
− 电力控制
电机控制
− BLDC/PMSM电机控制
− 变频器
− 伺服电机控制
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AT32F413系列 数据手册
2.1
器件一览
AT32F413系列产品提供包括从32脚至64脚的4种不同封装形式；根据不同的封装形式，其成员之间
是完全地脚对脚兼容，软件和功能上也兼容，仅器件中的外设配置不尽相同。下面给出了该系列产品
中所有外设的基本介绍。
表 2. AT32F413 系列器件功能和配置
型号
AT32F413xxU7-4
KB
KC
AT32F413xxU7
CB
CC
C8
内部闪存(1)
频率 (MHz)
ZW (K
定时器
通信接口
模拟
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RB
RC
96
96
64
96
96
32
160
32
160
0
32
160
32
160
加总 (K 字节)
128
256
128
256
64
128
256
128
256
字节)(2)
32 / 64 / 16 (可配置)
1
1
1
32 / 64 / 16 (可配置)
32
2
1
1
2
1
2
32 位通用
2
2
2
2
16 位通用
5
5
5
5
SysTick
1
1
1
1
IWDG
1
1
1
1
WWDG
1
1
1
1
RTC
1
1
1
1
I2 C
2
2
2
2
SPI/I2S
2/2(4)
2/2(4)
2/2(4)
2/2
USART+UART
2+0
3+0
3+0
3+2
SDIO
1(5)
1(5)
1(5)
1
USB Device
1
1
1
1
CAN
2
2
2
2
12 位 ADC 转换器/
通道数
GPIO
(3)
(4)
(5)
(6)
CC
200
字节)(2)
高级(3)
(2)
CB
NZW (K 字节)(2)
SRAM (K
(1)
AT32F413xxT7
2
10
10
10
16
27
39
39
55
SPIM(6)
1 通道 / 定址范围多达 16 M 字节
工作温度
-40 °C 至+105 °C
QFN32
QFN48
LQFP48
LQFP64
封装形式
4 x 4 mm
6 x 6 mm
7 x 7 mm
10 x 10 mm
ZW = 零等待(zero wait-state)，可达SYSCLK 200 MHz
NZW = 非零等待(non-zero wait-state)
除了AT32F413C8T7外，其他型号透过选择字节设置支持内部闪存存储器和SRAM分配使用。以AT32F413RCT7
为例，内部闪存存储器和SRAM可以设置为以下三种配置：
- ZW: 96 K字节, NZW: 160 K字节, SRAM: 32 K字节 (出厂默认)；
- ZW: 64 K字节, NZW: 192 K字节, SRAM: 64 K字节；
- ZW: 112 K字节, NZW: 144 K字节, SRAM: 16 K字节。
高级定时器除了AT32F413RCT7和AT32F413CCx7支持TMR1和TMR8，其余型号仅支持TMR1。
LQFP48、QFN48、和QFN32封装仅I2S1有MCK引脚。
LQFP48、QFN48、和QFN32封装SDIO最高支持4位(D0~D3)模式。
SPIM = 外部SPI Flash Memory扩展(程序执行/数据储存/程序与数据可加密)。
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2.2
概述
2.2.1
ARM® Cortex® -M4F，配有 DSP 指令和 FPU
带有FPU内核的ARM Cortex® -M4F是最新一代的嵌入式ARM处理器，它为实现MCU的需要提供了低
成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗，同时提供卓越的计算性能和先进的中断系统响应。
带有FPU内核的ARM Cortex® -M4F处理器是一款32位的RISC处理器，具有优异的代码效率，采用通
常8位和16位器件的存储器空间即可发挥ARM® 内核的高性能。
该处理器支持一组DSP指令，能够实现有效的信号处理和复杂的算法执行。
它的单精度FPU(浮点单元)通过使用元语言开发工具，可加速开发，防止饱和。
AT32F413系列与所有的ARM工具和软件兼容。
图1是该系列产品的功能框图。
注：
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配有FPU的Cortex® -M4F内核与Cortex® -M3内核二进制兼容。
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图 1. AT32F413 系列功能框图(1)
HSE 4~25 MHz
SWJTAG
HSI 48 MHz
ARM
Cortex-M4F
(最高频率 200 MHz)
PLL
最高200 MHz
SDIO
RCC
DMA1
7通道
DMA2
5通道
AHB 总线矩阵 (最高频率200 MHz)
NVIC
FCLK
HCLK
PCLK1
PCLK2
@VDD
Flash
控制器
Flash
SRAM
控制器
SRAM
POR/PDR
PVD
LDO 1.2V
GPIOA
GPIOB
GPIOC
GPIOD
GPIOF
APB2
桥接器
APB1
桥接器
AFIO
TMR2
@VDD
EXTI / WKUP
TMR3
PWR
TMR4
IWDG
TMR1
TMR5
LSI
40 kHz
TMR8
USART3
UART4
UART5
I2C1
@VBA T
RTC
BKP
LSE
32 kHz
WWDG
APB2 总线 (最高频率100 MHz)
USART2
SPI1 / I2S1
APB1 总线 (最高频率100 MHz)
SPI2 / I2S2
USART1
TMR9
TMR10
TMR11
温度感测器
ADCIF1
ADC1
2
I C2
ADCIF2
USB 2.0
FS Device
CAN1
ADC2
@VDDA
SRAM 1280字节(2)
CAN2
(1) 工作温度：-40 °C至+105 °C，结温达125 °C。
(2) USB和CAN共用1280字节SRAM可以设置为以下四种配置：
- USB: 1280字节；
- USB: 1024字节, CAN1: 256字节；
- USB: 1024字节, CAN2: 256字节；
- USB: 768字节, CAN1: 256字节, CAN2: 256字节。
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2.2.2
MPU(存储器保护单元)
存储器保护单元(MPU)用于管理CPU 对存储器的访问，防止一个任务意外损坏另一个激活任务所使
用的存储器或资源。此存储区被组织为最多8个保护区，还可依次再被分为最多8个子区。保护区大
小可为32字节至可寻址存储器的整个4 G字节。
若应用中有一些关键的或认证的代码必须受到保护，以免被其它任务的错误行为影响，则MPU尤其
有用。它通常由RTOS(实时操作系统)管理。若程序访问的存储器位置被MPU禁止，则RTOS可检测
到它并采取行动。在RTOS环境中，内核可基于执行的进程，动态更新MPU区的设置。
MPU是可选的，若应用不需要则可绕过。
2.2.3
闪存存储器
内置高达256 K字节的内部闪存存储器，用于存放程序和数据。内置存储器可指定任意一范围程序区
受sLib保护，成为仅能执行无法被读取的执行代码安全库区。sLib是基于保护方案商代码安全之下，
又顾及其客户便于进行二次开发而设计的。
额外提供外部SPI闪存程序数据存储器接口SPIM (SPI Memory)，可访问最大容量高达16 M字节作为
扩充的闪存存储器区块3 (Bank 3)使用。另外增加密文保护功能可透过选择字节存取决定数据是否加
密，可由寄存器控制加密范围。
2.2.4
CRC(循环冗余校验)计算单元
CRC(循环冗余校验)计算单元使用一个固定的多项式发生器，从一个32位的数据字产生一个CRC
码。在众多的应用中，基于CRC的技术被用于验证数据传输或存储的一致性。在EN/IEC60335-1标
准的范围内，它提供了一种检测闪存存储器错误的手段，CRC计算单元可以用于实时地计算软件的
签名，并与在链接和生成该软件时产生的签名对比。
2.2.5
内置 SRAM
高达64 K字节的内置SRAM，CPU能以零等待周期访问(读/写)。
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2.2.6
嵌套的向量式中断控制器(NVIC)
AT32F413系列产品内置嵌套的向量式中断控制器，可管理16个优先级，处理带FPU的Cortex® -M4F
内核的最多63个可屏蔽中断通道及16个中断线。
紧耦合的NVIC能够达到低延迟的中断响应处理
中断向量入口地址直接进入内核
紧耦合的NVIC接口
允许中断的早期处理
处理晚到的较高优先级中断
支持中断尾部链接功能
自动保存处理器状态
中断返回时自动恢复，无需额外指令开销
该模块以最小的中断延迟提供灵活的中断管理功能。
2.2.7
外部中断/事件控制器(EXTI)
外部中断/事件控制器包含19个边沿检测器，用于产生中断/事件请求。每个中断线都可以独立地配置
它的触发事件(上升沿或下降沿或双边沿)，并能够单独地被屏蔽；有一个挂起寄存器维持所有中断请
求的状态。EXTI可以检测到脉冲宽度小于内部AHB的时钟周期。多达55个通用I/O口连接到16个外部
中断线。
2.2.8
时钟和启动
系统时钟的选择是在启动时进行，复位时内部48 MHz的RC振荡器经6分频后(8 MHz)被选为默认的
CPU时钟，随后可以选择外部的、具失效监控的4~25 MHz时钟；当检测到外部时钟失效时，它将被
隔离，系统将自动地切换到内部的RC振荡器，如果使能了中断，软件可以接收到相应的中断。同
样，在需要时可以采取对PLL时钟完全的中断管理(如当一个间接使用的外部振荡器失效时)。
多个预分频器用于配置AHB的频率、APB(APB1和APB2)区域。AHB的最高频率是200 MHz，APB的
最高频率为100 MHz。参考图2的时钟驱动框图。
另外，AT32F413系列产品内嵌一个特别的模块，HSI 48 MHz的RC振荡器可被自动时钟校准(ACC)
模块校准，可保证在整个芯片可操作温度范围内HSI的最佳准确度。
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图 2. 时钟树
USB_DM
HSI_FOR_USB
HSI_DIV_EN
USB_DP
ACC
HSI RC
48 MHz
48 MHz
USB预分频器
/1,1.5,2
2.5,3,3.5,4
/6
I2S[1,2]CLK
I2S[1,2]
外设时钟使能
HSISYSCTRL
SDIOCLK
SDIO
外设时钟使能
/2
PLLSRC
USBCLK
至USB接口
最大200MHz
外设时钟使能
/8
SYSCLKSEL
PLLMUL
*64,…,*16,
*2,*3,*4
PLL
SYSCLK
PLLCLK
HSE
最大
200MHz
AHB
预分频器
/1，2..512
HCLK
至AHB总线、核心
存储器和DMA
至Cortex系统时钟
FCLK Cortex自由运行时钟
APB1
最大100MHz
预分频器
/1，2，4，8，16
至定时器2,3,4,5
如果APB1预分频系数=1
则频率不变，否则频率*2
PLLHSEPSC
OSC_OUT
HSE OSC
4-25 MHz
最大100MHz
APB2
预分频器
/1，2，4，8，16
外设时钟使能
OSC32_OUT
LSE
如果APB2预分频系数=1
则频率不变，否则频率*2
RTC
RTCCLK
ADC
预分频器
/2，4，6，8，
12，16
RTCSEL[1:0]
LSI RC
40 kHz
LSI
至独立看门狗
IWDGCLK
/2
/4
CLKOUT
主时钟输出
PCLK2
至APB2外设
至定时器1,8,9,10,11
/128
LSE OSC
32.768kHz
TIMXCLK
外设时钟使能
/2
OSC32_IN
至APB1外设
外设时钟使能
CFD
OSC_IN
PCLK1
CLKOUT
预分频器
/1,2,4,8,16,64,
128,256,512
TIMxCLK
至ADC1或2
ADCCLK 最大28MHz
PLLCLK
PLLCLK
HSI
HSE
LSI
LSE
SYSCLK
USB48M
ADCCLK
图例：
HSE=高速外部时钟信号
HSI=高速内部时钟信号
LSI=低速内部时钟信号
LSE=低速外部时钟信号
CLKOUT
(1) 当使用USB功能且其时钟源来自PLL时，CPU的频率必须是48 MHz, 72 MHz, 96 MHz, 120 MHz, 144 MHz, 168 MHz, 或192
MHz；当USB时钟源直接来自HSI 48MHz时，CPU的频率可以是≥ 48 MHz的任意频率。
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2.2.9
启动模式
在启动时，通过对启动引脚设置可以选择三种启动模式中的一种：
从程序内部闪存存储器启动。
从系统存储器启动。
从内部SRAM启动。
启动加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中，可以通过USART1，USART2，或USB对闪存重新
编程。若设置SPIM_IO0/1管脚与USB复用，无法通过USB对闪存存储器区块3 (Bank 3)编程。表3提
供启动加载程序(Bootloader)对AT32F413的型号支持和管脚配置。
表 3. 启动加载程序(Bootloader)的型号支持和管脚配置
外设
USART1
USART2
USB
对应管脚
PA9: USART1_TX
PA10: USART1_RX
PA2: USART2_TX(1)
PA3: USART2_RX(1)
PA11: USB_DM
PA12: USB_DP
(1) 注意使用管脚非5V耐压。
2.2.10 供电方案
VDD = 2.6～3.6 V：VDD引脚为I/O引脚和内部调压器供电。
VDDA = 2.6～3.6 V：为A/D转换器和D/A转换器提供供电。VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和
VSS。
VBAT = 1.8～3.6 V：当关闭VDD时，(通过内部电源切换器)为RTC、外部32 kHz振荡器和后备寄
存器供电。
关于如何连接电源引脚的详细信息，参见图10供电方案。
2.2.11 供电监控器
本产品内部集成了上电复位(POR)/掉电复位(PDR)电路，该电路始终处于工作状态，保证系统在供电
超过2.6 V时工作；当VDD低于设定的阀值(VPOR/PDR)时，置器件于复位状态，而不必使用外部复位电
路。
器件中还有一个可编程电压监测器(PVD)，它监视VDD供电并与阀值VPVD比较，当VDD低于或高于阀
值VPVD时产生中断，中断处理程序可以发出警告信息或将微控制器转入安全模式。PVD功能需要通
过程序开启。关于VPOR/PDR和VPVD的值参考表11。
2.2.12 电压调压器
调压器有两个操作模式：主模式(MR)和关断模式
主模式(MR)用于正常的运行操作和CPU的停机模式
关断模式用于CPU的待机模式：调压器的输出为高阻状态，内核电路的供电切断，调压器处于
零消耗状态。(但寄存器和SRAM的内容将丢失。)
该调压器在复位后始终处于工作状态，在待机模式下关闭处于高阻输出。
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2.2.13 低功耗模式
AT32F413系列产品支持三种低功耗模式，可以在要求低功耗、短启动时间和多种唤醒事件之间达到
最佳的平衡。
睡眠模式
在睡眠模式，只有CPU停止，所有外设处于工作状态并可在发生中断/事件时唤醒CPU。
停机模式
在保持SRAM和寄存器内容不丢失的情况下，停机模式可以达到最低的电能消耗。在停机模式
下，停止所有内部1.2 V部分的供电，PLL, HSI的RC振荡器和HSE晶体振荡器被关闭，调压器被
置于主模式。
可以通过任一配置成EXTI的信号把微控制器从停机模式中唤醒，EXTI信号可以是16个外部I/O口
之一、PVD的输出、RTC闹钟或USB的唤醒信号。
待机模式
在待机模式下可以达到最低的电能消耗。内部的电压调压器被关闭，因此所有内部1.2 V部分的
供电被切断。PLL, HSI的RC振荡器和HSE晶体振荡器也被关闭。进入待机模式后，SRAM和寄
存器的内容将消失，但后备寄存器的内容仍然保留，待机电路仍工作。
从待机模式退出的条件是：NRST上的外部复位信号、IWDG复位、WKUP引脚上的一个上升边
沿或RTC的闹钟到时。
注：
在进入停机或待机模式时，RTC、IWDG和对应的时钟不会被停止。
2.2.14 DMA
灵活的12路通用DMA(DMA1上有7个通道，DMA2上有5个通道)可以管理存储器到存储器、设备到存
储器和存储器到设备的数据传输。2个DMA控制器支持环形缓冲区的管理，避免了控制器传输到达缓
冲区结尾时所产生的中断。
每个通道都有专门的硬件DMA请求逻辑，同时可以由软件触发每个通道。传输的长度、传输的源地
址和目标地址都可以通过软件单独设置。
DMA可以用于主要的外设：SPI, I2C, USART，通用和高级控制定时器TMRx, I2S, SDIO和ADC。
2.2.15 RTC(实时时钟)和后备寄存器
RTC和后备寄存器通过一个开关供电，在VDD有效时该开关选择VDD供电，否则由VBAT引脚供电。后
备寄存器(42个16位的寄存器)保存84个字节的用户应用数据。RTC和后备寄存器不会被系统或电源复
位源复位；当从待机模式唤醒时，也不会被复位。
实时时钟具有一组连续运行的计数器，可以通过适当的软件提供日历时钟功能，还具有闹钟中断和阶
段性中断功能。RTC的驱动时钟可以是一个使用外部晶体的32.768 kHz的振荡器、内部低功耗RC振
荡器或高速的外部时钟经128分频。内部低功耗RC振荡器的典型频率为40 kHz。为补偿天然晶体的
偏差，RTC时钟可以经64分频输出到侵入检测引脚TAMPER上对RTC的时钟进行校准。RTC具有一
个32位的可编程计数器，使用比较寄存器可以进行长时间的测量。有一个20位的预分频器用于时基
时钟，默认情况下时钟为32.768 kHz时，它将产生一个1秒长的时间基准。
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2.2.16 定时器和看门狗
AT32F413系列产品包含最多2个高级控制定时器、7个普通定时器，以及2个看门狗定时器和1个系统
嘀嗒定时器。
下表比较了高级控制定时器和普通定时器的功能：
表 4. 定时器功能比较
定时器
计数器分辩率
计数器类型
TMR1, TMR8
16 位
向上，向下，向上/下
TMR2, TMR5
32 位
向上，向下，向上/下
TMR3, TMR4
16 位
向上，向下，向上/下
TMR9
16 位
向上
TMR10, TMR11
16 位
向上
预分频系数
1~65536 之间
的任意整数
1~65536 之间
的任意整数
1~65536 之间
的任意整数
1~65536 之间
的任意整数
1~65536 之间
的任意整数
产生 DMA 请求 捕获/比较通道 互补输出
可以
4
有
可以
4
没有
可以
4
没有
不可以
2
没有
不可以
1
没有
高级控制定时器(TMR1和TMR8)
两个高级控制定时器(TMR1和TMR8)可以被看成是分配到6个通道的三相PWM发生器，它具有带死
区插入的互补PWM输出，还可以被当成完整的通用定时器。四个独立的通道可以用于：
输入捕获
输出比较
产生PWM(边缘或中心对齐模式)
单脉冲输出
配置为16位标准定时器时，它与TMRx定时器具有相同的功能。配置为16位PWM发生器时，它具有
全调制能力(0~100%)。
在调试模式下，计数器可以被冻结，同时PWM输出被禁止，从而切断由这些输出所控制的开关。
很多功能都与标准的TMR定时器相同，内部结构也相同，因此高级控制定时器可以通过定时器链接
功能与TMR定时器协同操作，提供同步或事件链接功能。
通用定时器(TMRx)
AT32F413系列产品中，内置了多达7个可同步运行的定时器。
TMR2, TMR3, TMR4和TMR5
AT32F413系列内置了多达4个通用定时器(TMR2, TMR3, TMR4和TMR5)。TMR2和TMR5是基
于一个32位动加载递加/递减计数器和一个16位的预分频器。而TMR3和TMR4是基于一个16位
动加载递加/递减计数器和一个16位的预分频器。这些定时器都提供4个独立的通道，每个通道都
可用于输入捕获、输出比较、PWM和单脉冲模式输出，在最大的封装配置中可提供最多16个输
入捕获、输出比较或PWM通道。
它们还能通过定时器链接功能与高级控制定时器共同工作，提供同步或事件链接功能。在调试模
式下，计数器可以被冻结。任一标准定时器都能用于产生PWM输出。每个定时器都有独立的
DMA请求机制。
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这些定时器还能够处理增量编码器的信号，也能处理1至3个霍尔传感器的数字输出。
TMR9
TMR9有一个16位的自动加载递加计数器、一个16位的预分频器和2个独立的通道，每个通道都
可用于输入捕获、输出比较、PWM和单脉冲模式输出，它们可以与全功能通用定时器(TMR2，
TMR3，TMR4和TMR5)同步。它们也可以用作简单的定时器。
TMR10和TMR11
这些定时器都有一个16位的自动加载递加计数器、一个16位的预分频器和1个独立的通道，每个
通道都可用于输入捕获、输出比较、PWM和单脉冲模式输出，它们可以与全功能通用定时器
(TMR2，TMR3，TMR4和TMR5)同步。它们也可以用作简单的定时器。
独立看门狗(IWDG)
独立的看门狗是基于一个12位的递减计数器和一个8位的预分频器，它由一个内部独立的40 kHz的
RC振荡器提供时钟；因为这个RC振荡器独立于主时钟，所以它可运行于停机和待机模式。它可以被
当成看门狗用于在发生问题时复位整个系统，或作为一个自由定时器为应用程序提供超时管理。通过
选择字节可以配置成是软件或硬件启动看门狗。在调试模式下，计数器可以被冻结。
窗口看门狗(WWDG)
窗口看门狗内有一个7位的递减计数器，并可以设置成自由运行。它可以被当成看门狗用于在发生问
题时复位整个系统。它由主时钟驱动，具有早期预警中断功能；在调试模式下，计数器可以被冻结。
系统时基定时器(SysTick)
这个定时器是专用于实时操作系统，也可当成一个标准的递减计数器。它具有下述特性：
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24位的递减计数器
自动重加载功能
当计数器为0时能产生一个可屏蔽系统中断
可编程时钟源
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2.2.17 I2C 总线
2个I2C总线接口，能够工作于多主模式或从模式，支持标准和快速模式。
I2C接口支持7位或10位寻址，7位从模式时支持双从地址寻址。内置了硬件CRC发生器/校验器。
它们可以使用DMA操作并支持SMBus总线2.0版/PMBus总线。
2.2.18 通用同步/异步收发器(USART)
AT32F413系列产品中，内置了3个通用同步/异步收发器(USART1, USART2和USART3)，和2个通
用异步收发器(UART4和UART5)。
这5个接口提供异步通信、支持IrDA SIR ENDEC传输编解码、多处理器通信模式、单线半双工通信
模式和LIN主/从功能。
3个USART和2个UART接口通信速率均可达6.25兆位/秒。
USART1, USART2和USART3接口具有硬件的CTS和RTS信号管理、兼容ISO7816的智能卡模式和
类SPI通信模式，除了UART5之外所有其他接口都可以使用DMA操作。
2.2.19 串行外设接口(SPI)
2个SPI接口，在从或主模式下，全双工和半双工的通信速率可达50兆位/秒。3位的预分频器可产生8
种主模式频率，可配置成每帧8位或16位。硬件的CRC产生/校验支持基本的SD卡、MMC模式、和
SDHC模式。
所有的SPI接口都可以使用DMA操作。
2.2.20 芯片互联音频接口(I2S)
2个标准的I2S接口(与SPI复用)可以工作于主或从模式，这2个接口可以配置为16位或32位传输，亦可
配置为输入或输出通道，支持音频采样频率从8 kHz到192 kHz。当任一个I2S接口配置为主模式，它
的主时钟可以以256倍采样频率输出给外部的DAC或CODEC(解码器)。
2.2.21 SDIO
1个SD/SDIO/MMC主机接口，可以支持MMC卡系统规范4.2版中的3个不同的数据总线模式：1位(默
认)、4位和8位。在8位模式下，该接口可以使数据传输速率达到50 MHz，该接口兼容SD存储卡规范
2.0版。
SDIO存储卡规范2.0版支持两种数据总线模式：1位(默认)和4位。
目前的芯片版本只能一次支持一个SD/SDIO/MMC4.2版的卡，但可以同时支持多个MMC4.1版或之前
版本的卡。
除了SD/SDIO/MMC，这个接口完全与CE-ATA数字协议版本1.1兼容。
2.2.22 控制器区域网络(CAN)
2个CAN接口兼容规范2.0A和2.0B(主动)，位速率高达1兆位/秒。它可以接收和发送11位标识符的标
准帧，也可以接收和发送29位标识符的扩展帧。具有3个发送邮箱，2个具3级深度的接收FIFO，和
14个可调节的滤波器。
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2.2.23 通用串行总线(USB)
AT32F413系列产品内嵌一个兼容全速USB的设备控制器，遵循全速USB设备(12兆位/秒)标准，端点
可由软件配置，具有待机/唤醒功能。USB专用的48 MHz时钟由内部主PLL产生或直接来自48MHz
HSI时钟源。
2.2.24 通用输入输出接口(GPIO)
每个GPIO引脚都可以由软件配置成输出(推挽或开漏)、输入(带或不带上拉或下拉)或复用的外设功能
端口。多数GPIO引脚都与数字或模拟的复用外设共享。除了具有模拟输入功能的端口，所有的GPIO
引脚都有大电流通过能力。
在需要的情况下，I/O引脚的外设功能可以通过一个特定的操作锁定，以避免意外的写入I/O寄存器。
2.2.25 重映射功能
此功能使用户可以在选定的器件下实现最多数量的外设功能。那些复用的外设功能不仅仅可以通过默
认的引脚实现，还可以通过其他那些可重映射的引脚实现。这使得引脚的选择更加灵活，制板更加方
便。
具体请参考表5，列出了所有那些可以重映射的外设功能，以及重映射到的引脚。请参考AT32F413
参考手册来获得软件配置的详细信息。
2.2.26 ADC(模拟/数字转换器)
AT32F413系列产品，内嵌2个12位的模拟/数字转换器(ADC)，共享多达16个外部通道，可以实现单
次或扫描转换。在扫描模式下，自动进行在选定的一组模拟输入上的转换。
ADC接口上的其它逻辑功能包括：
同步的采样和保持
交叉的采样和保持
单次采样
ADC可以使用DMA操作。
模拟看门狗功能允许非常精准地监视一路、多路或所有选中的通道，当被监视的信号超出预置的阀值
时，将产生中断。
由标准定时器(TMRx)和高级控制定时器(TMR1和TMR8)产生的事件，可以分别内部级联到ADC的开
始触发和注入触发，应用程序能使A/D转换与时钟同步。
2.2.27 温度传感器
温度传感器产生一个随温度线性变化的电压，转换范围在2.6 V ≤ VDDA ≤ 3.6 V之间。温度传感器在内
部被连接到ADC1_IN16的输入通道上，用于将传感器的输出转换到数字数值。
2.2.28 串行单线 JTAG 调试口(SWJ-DP)
内嵌ARM的SWJ-DP接口，这是一个结合了JTAG和串行单线调试的接口，可以实现串行单线调试接
口或JTAG接口的连接。JTAG的TMS和TCK信号分别与SWDIO和SWCLK共享引脚，TMS脚上的一
个特殊的信号序列用于在JTAG-DP和SW-DP间切换。
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AT32F413系列 数据手册
3
引脚定义
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
VDD
VSS
PB9
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PD2
PC12
PC11
PC10
PA15
PA14
图 3. AT32F413 系列 LQFP64 引脚分布
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
LQFP64
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
PF7
PF6
PA13
PA12
PA11
PA10
PA9
PA8
PC9
PC8
PC7
PC6
PB15
PB14
PB13
PB12
PA3
PF4
PF5
PA4
PA5
PA6
PA7
PC4
PC5
PB0
PB1
PB2
PB10
PB11
VSS
VDD
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
VBAT
PC13/TAMPER-RTC
PC14/OSC32_IN
PC15/OSC32_OUT
PD0/OSC_IN
PD1/OSC_OUT
NRST
PC0
PC1
PC2
PC3
VSSA
VDDA
PA0/WKUP
PA1
PA2
2019.8.6
第 23 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
VDD
VSS
PB9
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PA15
PA14
图 4. AT32F413 系列 LQFP48 引脚分布
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
LQFP48
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
PF7
PF6
PA13
PA12
PA11
PA10
PA9
PA8
PB15
PB14
PB13
PB12
PA3
PA4
PA5
PA6
PA7
PB0
PB1
PB2
PB10
PB11
VSS
VDD
VBAT
PC13/TAMPER-RTC
PC14/OSC32_IN
PC15/OSC32_OUT
PD0/OSC_IN
PD1/OSC_OUT
NRST
VSSA
VDDA
PA0/WKUP
PA1
PA2
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
VDD
VSS
PB9
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PA15
PA14
图 5. AT32F413 系列 QFN48 引脚分布
VSS
2019.8.6
QFN48
49
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
PF7
PF6
PA13
PA12
PA11
PA10
PA9
PA8
PB15
PB14
PB13
PB12
PA3
PA4
PA5
PA6
PA7
PB0
PB1
PB2
PB10
PB11
VSS
VDD
VBAT
PC13/TAMPER-RTC
PC14/OSC32_IN
PC15/OSC32_OUT
PD0/OSC_IN
PD1/OSC_OUT
NRST
VSSA
VDDA
PA0/WKUP
PA1
PA2
第 24 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
32
31
30
29
28
27
26
25
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PA15
图 6. AT32F413 系列 QFN32 引脚分布
VSS/VSSA
2019.8.6
QFN32
33
24
23
22
21
20
19
18
17
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
PA14
PA13
PA12
PA11
PA10
PA9
PA8
VDD
PA3
PA4
PA5
PA6
PA7
PB0
PB1
PB2
VDD
PD0/OSC_IN
PD1/OSC_OUT
NRST
VDDA
PA0/WKUP
PA1
PA2
第 25 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
下表为AT32F413系列引脚定义，”-”表示对应封装下没有该引脚。复用功能按照优先级从高到低排
列，基本原则模拟信号高于数字信号，输出数字信号高于输入数字信号。
表 5. AT32F413 系列引脚定义
复用功能(3)
-
PC13
TAMPER-RTC(5)
-
PC14
OSC32_IN(5)
-
-
PC15
OSC32_OUT(5)
-
I/O
-
OSC_IN
OSC_IN
PD0
I/O
LQFP64
4
LQFP48 /
QFN48
种类(1)
-
PC15(4)
QFN32
4
VBAT
3
VBAT
-
-
PC14(4)
1
3
重映射
2
1
-
默认功能
S
-
2
主功能
PC13(4)
引脚名称
-
IO电平(2)
引脚号
I/O
I/O
-
2
5
5
PD0(6)
3
6
6
PD1(6)
I/O
-
OSC_OUT
OSC_OUT
PD1
4
7
7
NRST
I/O
-
NRST
-
-
-
-
8
PC0
I/O
-
PC0
ADC12_IN10
SDIO_D0
-
-
9
PC1
I/O
-
PC1
ADC12_IN11
SDIO_D1
-
-
10
PC2
I/O
-
PC2
ADC12_IN12
SDIO_D2
-
-
11
PC3
I/O
-
PC3
ADC12_IN13
SDIO_D3
-
8
12
VSSA
S
-
VSSA
-
-
5
9
13
VDDA
S
-
VDDA
-
-
I/O
-
PA0
ADC12_IN0 /
TMR2_CH1(7) / TMR2_ETR(7) /
TMR5_CH1(7) / WKUP /
USART2_CTS / TMR8_ETR
-
6
10
14
PA0WKUP
7
11
15
PA1
I/O
-
PA1
ADC12_IN1 / TMR2_CH2(7) /
TMR5_CH2(7) /
USART2_RTS
-
8
12
16
PA2
I/O
-
PA2
ADC12_IN2 / TMR2_CH3(7) /
TMR5_CH3 / TMR9_CH1(7) /
USART2_TX
SDIO_CK
SDIO_CMD
9
13
17
PA3
I/O
-
PA3
ADC12_IN3 / TMR2_CH4(7) /
TMR5_CH4 / TMR9_CH2(7) /
USART2_RX
-
-
18
PF4
I/O
FT
PF4
-
UART4_TX / TMR5_CH1
-
-
19
PF5
I/O
FT
PF5
-
UART4_RX / TMR5_CH2
10
14
20
PA4
I/O
-
PA4
ADC12_IN4 / USART2_CK /
SPI1_NSS(7) / I2S1_WS(7)
SDIO_D4 / SDIO_D0
11
15
21
PA5
I/O
-
PA5
ADC12_IN5 / SPI1_SCK(7) /
I2S1_CK(7)
SDIO_D5 / SDIO_D1
12
16
22
PA6
I/O
-
PA6
ADC12_IN6 / TMR3_CH1(7) /
SPI1_MISO(7) / TMR8_BKIN
SDIO_D6 / SDIO_D2 /
TMR1_BKIN / TMR10_CH1
PA7
ADC12_IN7 / TMR3_CH2(7) /
TMR8_CH1N / SPI1_MOSI(7) /
I2S1_SD(7)
SDIO_D7 / SDIO_D3 /
TMR1_CH1N / TMR11_CH1
13
17
2019.8.6
23
PA7
I/O
-
第 26 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
LQFP48 /
QFN48
LQFP64
引脚名称
种类(1)
IO电平(2)
复用功能(3)
QFN32
引脚号
主功能
-
-
24
PC4
I/O
-
PC4
ADC12_IN14
SDIO_CK
-
-
25
PC5
I/O
-
PC5
ADC12_IN15
SDIO_CMD
默认功能
重映射
TMR3_CH3(7) /
14
18
26
PB0
I/O
-
PB0
ADC12_IN8 /
TMR8_CH2N / I2S1_MCK(7)
TMR1_CH2N
15
19
27
PB1
I/O
-
PB1
ADC12_IN9 / TMR3_CH4(7) /
TMR8_CH3N / SPIM_SCK
TMR1_CH3N
16
20
28
PB2
I/O
FT
PB2/
BOOT1
-
-
-
21
29
PB10
I/O
FT
PB10
I2C2_SCL(7) / USART3_TX(7)
TMR2_CH3 / SPIM_IO0
I2C2_SDA(7) /
TMR2_CH4 / SPIM_IO1
USART3_RX(7)
-
22
30
PB11
I/O
FT
PB11
-
23
31
VSS
S
-
VSS
-
-
17
24
32
VDD
S
-
VDD
-
-
-
25
33
PB12
I/O
FT
PB12
USART3_CK(7) / I2C2_SMBA(7) /
SPI2_NSS(7) / I2S2_WS(7) /
TMR1_BKIN(7) / CAN2_RX(7)
-
-
26
34
PB13
I/O
FT
PB13
TMR1_CH1N(7) / SPI2_SCK(7) /
I2S2_CK(7) / USART3_CTS /
CAN2_TX(7)
-
-
27
35
PB14
I/O
FT
PB14
TMR1_CH2N(7) / USART3_RTS /
SPI2_MISO(7)
TMR9_CH1
-
28
36
PB15
I/O
FT
PB15
TMR1_CH3N(7) / SPI2_MOSI(7) /
I2S2_SD(7)
TMR9_CH2
-
-
37
PC6
I/O
FT
PC6
TMR8_CH1 / I2S2_MCK(7) /
SDIO_D6
TMR3_CH1
-
-
38
PC7
I/O
FT
PC7
TMR8_CH2 / SDIO_D7
TMR3_CH2 / I2S2_MCK
-
-
39
PC8
I/O
FT
PC8
TMR8_CH3 / SDIO_D0
TMR3_CH3
-
-
40
PC9
I/O
FT
PC9
TMR8_CH4 / SDIO_D1
TMR3_CH4 / I2C2_SDA
18
29
41
PA8
I/O
FT
PA8
TMR1_CH1 / CLKOUT /
USART1_CK / SPIM_NSS
I2C2_SCL
19
30
42
PA9
I/O
FT
PA9
TMR1_CH2 / USART1_TX(7)
I2C2_SMBA
20
31
43
PA10
I/O
FT
PA10
TMR1_CH3 / USART1_RX(7)
-
21
32
44
PA11
I/O
-
PA11
USB_DM / TMR1_CH4 /
SPIM_IO0(7) / USART1_CTS /
CAN1_RX(7)
-
-
22
33
45
PA12
I/O
-
PA12
USB_DP / CAN1_TX(7) /
USART1_RTS / SPIM_IO1(7) /
TMR1_ETR
23
34
46
PA13
I/O
FT
JTMSSWDIO
-
PA13
-
35
47
PF6
I/O
FT
PF6
-
I2C1_SCL / I2C2_SCL
-
36
48
PF7
I/O
FT
PF7
-
I2C1_SDA / I2C2_SDA
24
37
49
PA14
I/O
FT
JTCKSWCLK
-
PA14
-
PA15 / TMR2_CH1 /
TMR2_ETR /
SPI1_NSS / I2S1_WS /
SPI2_NSS / I2S2_WS
25
38
2019.8.6
50
PA15
I/O
FT
JTDI
第 27 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
LQFP48 /
QFN48
LQFP64
引脚名称
种类(1)
IO电平(2)
复用功能(3)
QFN32
引脚号
主功能
-
-
51
PC10
I/O
FT
PC10
UART4_TX(7) / SDIO_D2
USART3_TX
-
-
52
PC11
I/O
FT
PC11
UART4_RX(7) / SDIO_D3
USART3_RX
-
-
53
PC12
I/O
FT
PC12
UART5_TX / SDIO_CK
USART3_CK
-
-
54
PD2
I/O
FT
PD2
UART5_RX / SDIO_CMD /
TMR3_ETR
-
26
39
55
PB3
I/O
FT
JTDO
-
PB3 / TRACESWO /
TMR2_CH2 /
SPI1_SCK / I2S1_CK /
SPI2_SCK / I2S2_CK
27
40
56
PB4
I/O
FT
NJTRST
-
PB4 / TMR3_CH1 /
SPI1_MISO / SPI2_MISO /
I2C2_SDA
默认功能
重映射
28
41
57
PB5
I/O
-
PB5
I2C1_SMBA
TMR3_CH2 /
SPI1_MOSI / I2S1_SD /
SPI2_MOSI / I2S2_SD /
CAN2_RX
29
42
58
PB6
I/O
FT
PB6
TMR4_CH1 / I2C1_SCL(7) /
SPIM_IO3
USART1_TX / CAN2_TX /
I2S1_MCK
30
43
59
PB7
I/O
FT
PB7
TMR4_CH2 / I2C1_SDA(7) /
SPIM_IO2
USART1_RX
31
44
60
BOOT0
I
-
BOOT0
-
-
32
45
61
PB8
I/O
FT
PB8
TMR4_CH3 / TMR10_CH1(7) /
SDIO_D4
I2C1_SCL / CAN1_RX
-
46
62
PB9
I/O
FT
PB9
TMR4_CH4 / TMR11_CH1(7) /
SDIO_D5
I2C1_SDA / CAN1_TX
-
47
63
VSS
S
-
VSS
-
-
1
48
64
VDD
S
-
VDD
-
-
-
-/49
-
VSS
S
-
VSS
-
-
33
-
-
VSS/VSSA
S
-
VSS/VSSA
-
-
(1) I = 输入，O = 输出，S = 电源。
(2) FT = 5V容忍。
(3) 有些功能仅在部分型号芯片中支持。可以使用的功能依选定的型号而定。对于具有较少外设模块的型号，始终是包含较小编
号的功能模块。例如，某个型号只有1个高级定时器时，它即是TMR1。参见表2。
(4) PC13、PC14、和PC15引脚通过电源开关进行供电，而这个电源开关只能够吸收有限的电流(3 mA)。因此这三个引脚作为输
出引脚时有以下限制：作为输出脚时只能工作在适中电流推动/吸入能力模式下，最大驱动负载为30 pF，并且不能作为电流
源(如驱动LED)。
(5) 这些引脚在备份区域第一次上电时处于主功能状态下，之后即使复位，这些引脚的状态由备份区域寄存器控制(这些寄存器不
会被主复位系统所复位)。关于如何控制这些IO口的具体信息，请参考AT32F413系列参考手册的电池备份区域和BKP寄存器
的相关章节。
(6) LQFP64、LQFP48、和QFN48封装的引脚5和引脚6，和QFPN32封装的引脚2和引脚3，在芯片复位后默认配置为OSC_IN和
OSC_OUT功能脚。软件可以重新设置这两个引脚为PD0和PD1功能。更多详细信息请参考AT32F413系列参考手册的复用功
能I/O章节和调试设置章节。
(7) 此类复用功能能够由软件配置到其他引脚上(如果相应的封装型号有此引脚)，详细信息请参考AT32F413系列参考手册的复用
功能I/O章节和调试设置章节。
2019.8.6
第 28 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
4
存储器映像
图 7. 存储器图
0xFFFF_FFFF
Cortex-M4F的
内部外设
0xE000_0000
0xDFFF_FFFF
0x5FFF_FFFF
保留
0x4247_0000
0x4246_FFFF
外设的位绑定映射区
0x4200_0000
0x41FF_FFFF
0x4002_3800
0x4002_37FF
0x4000_0000
保留
外设
保留
0x3FFF_FFFF
保留
0x2210_0000
0x220F_FFFF
SRAM的位绑定映射区
0x2200_0000
0x21FF_FFFF
0x2000_8000
0x2000_7FFF
0x2000_0000
0x1FFF_FFFF
0x1FFF_F830
0x1FFF_F82F
0x1FFF_F800
0x1FFF_F7FF
0x1FFF_F000
0x1FFF_EFFF
保留
SRAM
0x6000_0000
0x5FFF_FFFF
保留
外设
选择字节
0x4000_0000
0x3FFF_FFFF
保留
SRAM
系统存储器
0x1FFF_B000
0x1FFF_AFFF
0x0940_0000
0x093F_FFFF
0x2000_0000
0x1FFF_FFFF
保留
代码
外部SPI闪存存储器
区块3 (Bank 3)
0x0000_0000
0x0840_0000
0x083F_FFFF
保留
0x0804_0000
0x0803_FFFF
0x0800_0000
0x07FF_FFFF
0x0001_8000
0x0001_7FFF
0x0000_0000
2019.8.6
内部闪存存储器
区块1 (Bank 1)
保留
根据BOOT引脚设置
对齐闪存或系统存储器
第 29 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
5
电气特性
5.1
测试条件
除非特别说明，所有电压的都以VSS为基准。
5.1.1
最小和最大数值
除 非 特 别 说 明 ， 在 生 产 线 上 在 环 境 温 度 TA = 25 °C和 TA = Tamax下 执 行 的 测 试(Tamax与选定
的温度范围匹配)，所有最小和最大值将在最坏的环境温度、供电电压和时钟频率条件下得到保证。
在每个表格下方的注解中说明为通过综合评估、设计模拟和/或工艺特性得到的数据，不会在生产线
上进行测试。
5.1.2
典型数值
除非特别说明，典型数据是基于TA = 25 °C和VDD = 3.3 V。这些数据仅用于设计指导而未经测试。
5.1.3
典型曲线
除非特别说明，典型曲线仅用于设计指导而未经测试。
5.1.4
负载电容
测量引脚参数时的负载条件示于图8中。
图 8. 引脚的负载条件
MCU pin
C = 50 pF
5.1.5
引脚输入电压
引脚上输入电压的测量方式示于图9中。
图 9. 引脚输入电压
MCU pin
VIN
2019.8.6
第 30 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
5.1.6
供电方案
图 10. 供电方案
VBAT
1.8-3.6v
Backup circuitry
(OSC32K,RTC,Wake-up logic
Backup registers)
Power switch
Level shifter
OUT
IN
IO
Logic
Kernel logic
(CPU,
Digital
＆ Memories)
VDD
VDD
Regulator
2 x 100 nF
+ 1 x 4.7µF
VSS
VDD
VDDA
10 nF
+ 1 µF
ADC
RCs,PLL,
...
VSSA
5.1.7
电流消耗测量
图 11. 电流消耗测量方案
IDD_VBAT
VBAT
IDD
VDD
VDDA
2019.8.6
第 31 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
5.2
绝对最大额定值
加在器件上的载荷如果超过「绝对最大额定值」列表(表6, 表7, 表8)中给出的值，可能会导致器件永久
性地损坏。这里只是给出能承受的最大载荷，并不意味在此条件下器件的功能性操作无误。器件长
期工作在最大值条件下会影响器件的可靠性。
表 6. 电压特性
符号
VDD-VSS
VIN
描述
最小值
最大值
-0.3
4.0
在5V容忍的引脚上的输入电压
VSS-0.3
6.0
在其它引脚上的输入电压
VSS-0.3
4.0
外部主供电电压(包含VDDA和VDD)
(1)
|ΔVDDx|
不同供电引脚之间的电压差
-
50
|VSSx-VSS|
不同接地引脚之间的电压差
-
50
单位
V
mV
(1) 所有的电源(VDD, VDDA)和地(VSS, VSSA)引脚必须始终连接到外部允许范围内的供电系统上。
表 7. 电流特性
描述
符号
IVDD
(1)
外部主供电电压(包含VDDA和VDD最小值
)
IVSS
经过VSS地线的总电流(流出电流)
IIO
最大值
单位
150
(1)
150
任意I/O和控制引脚上的输出灌电流
25
任意I/O和控制引脚上的输出电流
-25
mA
(1) 所有的电源(VDD, VDDA)和地(VSS, VSSA)引脚必须始终连接到外部允许范围内的供电系统上。
表 8. 温度特性
符号
描述
数值
TSTG
最小值
-60 ~ +150
TJ
2019.8.6
储存温度范围
最大结温度
125
第 32 页
单位
°C
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
5.3
工作条件
5.3.1
通用工作条件
表 9. 通用工作条件
符号
参数
条件
最小值
最大值
未使用闪存存储器区块3
0
200
使用闪存存储器区块3
0
120
单位
fHCLK
内部AHB时钟频率
fPCLK1
内部APB1时钟频率
-
0
100
fPCLK2
内部APB2时钟频率
-
0
100
-
2.6
3.6
V
2.6
3.6
V
1.8
3.6
V
LQFP64
-
289
LQFP48
-
313
QFN48
-
394
QFN32
-
334
-40
105
VDD
标准工作电压
VDDA(1)
模拟部分工作电压
VBAT
备份部分工作电压
PD
TA
必须与VDD(1)相同
-
功率耗散：TA = 105 °C
环境温度
-
MHz
mW
°C
(1) 建议使用相同的电源为VDD和VDDA供电，在上电和正常操作期间，VDD和VDDA之间最多允许有300 mV的差别。
5.3.2
上电和掉电时的工作条件
下表中给出的参数是依据表9列出的环境温度下测试得出。
表 10. 上电和掉电时的工作条件
符号
tVDD
参数
条件
VDD上升速率
-
VDD下降速率
最小值
最大值
单位
0
∞(1)
ms/V
20
∞
μs/V
(1) 若VDD上电速率慢于80 ms/V，必须确认VDD电压高于VPOR + 0.1V，代码才能对后备域寄存器进行存取。
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第 33 页
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5.3.3
内嵌复位和电源控制模块特性
下表中给出的参数是依据表9列出的环境温度下和VDD供电电压下测试得出。
表 11. 内嵌复位和电源控制模块特性
符号
参数
条件
VPVDhyst(2)
可编程的电压检测器的电平选择
2.19
2.28
2.37
V
001(下降沿)(1)
2.09
2.18
2.27
V
PLS[2:0] = 010(上升沿)
2.28
2.38
2.48
V
PLS[2:0] = 010(下降沿)
2.18
2.28
2.38
V
PLS[2:0] = 011(上升沿)
2.38
2.48
2.58
V
PLS[2:0] = 011(下降沿)
2.28
2.38
2.48
V
PLS[2:0] = 100(上升沿)
2.47
2.58
2.69
V
PLS[2:0] = 100(下降沿)
2.37
2.48
2.59
V
PLS[2:0] = 101(上升沿)
2.57
2.68
2.79
V
PLS[2:0] = 101(下降沿)
2.47
2.58
2.69
V
PLS[2:0] = 110(上升沿)
2.66
2.78
2.9
V
PLS[2:0] = 110(下降沿)
2.56
2.68
2.8
V
PLS[2:0] = 111(上升沿)
2.76
2.88
3
V
PLS[2:0] = 111(下降沿)
2.66
2.78
2.9
V
-
100
-
mV
下降沿
1.8
2.0
2.25
V
上升沿
1.95
2.16
2.45
V
-
-
160
-
mV
-
-
8
-
ms
PVD迟滞
VPOR/PDR(3)
上电/掉电复位阀值
VPDRhyst(2)
PDR迟滞
单位
PLS[2:0] = 001(上升沿)(1)
PLS[2:0] =
VPVD
最小值 典型值 最大值
-
TRSTTEMPO(2) 复位持续时间
(1) PLS[2:0] = 001电平可能因低于VPOR/PDR无法使用。
(2) 由设计保证，不在生产中测试。
(3) 产品的特性由设计保证至最小的数值VPOR/PDR。
图 12. 上电复位和掉电复位的波形图
VDD
POR
VPDRhyst
PDR
TRSTTEMPO
t
Reset
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5.3.4
内置的参照电压
下表中给出的参数是依据表9列出的环境温度下和VDD供电电压下测试得出。
表 12. 内置的参照电压
符号
参数
VREFINT
TS_vrefint
TCoeff
(1)
(2)
内置参照电压
条件
最小值
典型值
最大值
单位
-
1.16
1.20
1.24
V
μs
ppm/°C
当读出内部参照电压时，ADC的采样时间
-
-
5.1
17.1(2)
温度系数
-
-
-
120
(1) 最短的采样时间是通过应用中的多次循环得到。
(2) 由设计保证，不在生产中测试。
5.3.5
供电电流特性
电流消耗是多种参数和因素的综合指标，这些参数和因素包括工作电压、环境温度、I/O引脚的负载、
产品的软件配置、工作频率、I/O脚的翻转速率、以及执行的代码等。
电流消耗的测量方法说明，详见图11。
最大电流消耗
微控制器处于下述条件下：
所有的I/O引脚都处于模拟输入模式。
所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。
指令预取功能开启(提示：这个参数必须在设置时钟和总线分频之前设置)。
当开启外设时:
− 若fHCLK > 100 MHz, fPCLK1 = fHCLK/2，fPCLK2 = fHCLK/2；
− 若fHCLK ≤ 100 MHz, fPCLK1 = fHCLK，fPCLK2 = fHCLK。
表13和表14给出的参数是在环境温度和VDD供电电压符合表9的条件测试得到。
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表 13. 运行模式下的最大电流消耗
符号
参数
最大值(1)
条件
fHCLK
单位
TA = 105 °C
(2)
外部时钟 使能所有外设
IDD
运行模式下的供应电流
(2)
外部时钟 关闭所有外设
200 MHz
69.1
144 MHz
52.0
100 MHz
46.0
72 MHz
35.6
48 MHz
26.2
36 MHz
21.4
24 MHz
16.7
16 MHz
13.5
8 MHz
10.1
200 MHz
34.5
144 MHz
26.8
100 MHz
21.1
72 MHz
17.5
48 MHz
14.0
36 MHz
12.3
24 MHz
10.6
16 MHz
9.40
8 MHz
8.02
mA
mA
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
(2) 外部时钟为8 MHz，当fHCLK > 8 MHz时启用PLL。
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表 14. 睡眠模式下的最大电流消耗
符号
参数
最大值(1)
条件
fHCLK
单位
TA = 105 °C
(2)
外部时钟 使能所有外设
IDD
睡眠模式下的供应电流
(2)
外部时钟 关闭所有外设
200 MHz
56.5
144 MHz
42.8
100 MHz
39.6
72 MHz
31.0
48 MHz
23.1
36 MHz
19.1
24 MHz
15.1
16 MHz
12.4
8 MHz
9.32
200 MHz
12.4
144 MHz
10.9
100 MHz
10.0
72 MHz
9.53
48 MHz
8.70
36 MHz
8.27
24 MHz
7.85
16 MHz
7.57
8 MHz
6.86
mA
mA
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
(2) 外部时钟为8 MHz，当fHCLK > 8 MHz时启用PLL。
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表 15. 停机和待机模式下的典型和最大电流消耗
典型值(1)
符号
参数
停机模式下
的供应电流
IDD
条件
最大值(2)
VDD/VBAT VDD/VBAT VDD/VBAT
TA =
TA =
= 2.0 V
= 2.6 V
= 3.3 V
85 °C
105 °C
-
480
490
3800
6670
-
7.1
9.9
13.9
16.9
-
7.7
11.6
14.9
18.3
单位
调压器处于运行模式，高速内部
RC 振荡器和高速外部振荡器处
于关闭状态(没有独立看门狗)
低速外部振荡器和RTC处于关闭
待机模式下 状态
μA
的供应电流 低速外部振荡器和RTC处于开启
状态
(1) 典型值是在TA = 25 °C下测试得到。
(2) 由综合评估得出，不在生产中测试。
图 13. 停机模式下的典型电流消耗在不同的 VDD 时与温度的对比
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图 14. 待机模式下的典型电流消耗在不同的 VDD 时与温度的对比
表 16. VBAT 的典型和最大电流消耗
典型值(1)
符号
参数
条件
最大值(2)
VBAT =
VBAT =
VBAT =
TA =
TA =
2.0 V
2.6 V
3.3 V
85 °C
105 °C
1.5
1.7
2.3
3.0
3.5
备份区域的 低速外部振荡器和RTC处于开启
IDD_VBAT
供应电流
状态，VDD < VPDR
单位
μA
(1) 典型值是在TA = 25 °C下测试得到。
(2) 由综合评估得出，不在生产中测试。
图 15. VBAT 的典型电流消耗（LSE 和 RTC 开启）在不同的 VBAT 电压时与温度的对比
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典型的电流消耗
微控制器处于下述条件下：
所有的I/O引脚都处于模拟输入模式。
所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。
指令预取功能开启(提示：这个参数必须在设置时钟和总线分频之前设置)。
环境温度和VDD供电电压符合表9。
当开启外设时:
− 若fHCLK > 100 MHz, fPCLK1 = fHCLK/2，fPCLK2 = fHCLK/2，fADCCLK = fPCLK2/4；
− 若fHCLK ≤ 100 MHz, fPCLK1 = fHCLK，fPCLK2 = fHCLK，fADCCLK = fPCLK2/4。
表 17. 运行模式下的典型电流消耗
典型值(1)
符号
参数
条件
fHCLK
使能所有外设
关闭所有外设
200 MHz
60.5
28.
144 MHz
44.2
20.6
100 MHz
38.2
15.0
72 MHz
28.4
11.5
48 MHz
19.4
8.07
36 MHz
14.9
6.34
24 MHz
10.3
4.62
16 MHz
7.25
3.48
8 MHz
3.97
2.10
4 MHz
2.51
1.58
2 MHz
1.79
1.33
1 MHz
1.43
1.20
500 kHz
1.25
1.41
运行模式下的
125 kHz
1.11
1.09
供应电流
200 MHz
60.4
28.0
144 MHz
44.0
20.5
100 MHz
38.1
14.9
72 MHz
28.3
11.4
48 MHz
19.3
7.95
36 MHz
14.7
6.23
24 MHz
10.2
4.51
16 MHz
7.14
3.36
8 MHz
3.67
1.76
4 MHz
2.20
1.52
2 MHz
1.48
1.01
1 MHz
1.11
0.88
500 kHz
0.93
1.09
125 kHz
0.80
0.77
(3)
外部时钟
IDD
单位
大值
(2)
运行于高速内部RC振荡器(HSI)
mA
mA
(1) 典型值是在TA = 25 °C, VDD = 3.3 V时测试得到。
(2) 每个ADC的模拟部分要增加额外的0.8 mA电流消耗。在应用环境中，这部分电流只有在开启ADC(设置
ADCx_CTRL2寄存器的ADON位)时才会增加。
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第 40 页
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(3) 外部时钟为8 MHz，当fHCLK > 8 MHz时启用PLL。
表 18. 睡眠模式下的典型电流消耗
典型值(1)
符号
参数
条件
fHCLK
使能所有外设
关闭所有外设
200 MHz
48.3
6.51
144 MHz
35.3
5.02
100 MHz
32.1
4.16
72 MHz
23.9
3.73
48 MHz
16.4
2.89
36 MHz
12.6
2.46
24 MHz
8.79
2.04
16 MHz
6.26
1.77
8 MHz
3.29
1.07
4 MHz
2.08
0.98
2 MHz
1.48
0.93
1 MHz
1.18
0.91
500 kHz
1.03
0.90
睡眠模式下的
125 kHz
0.92
0.89
供应电流
200 MHz
48.2
6.40
144 MHz
35.2
4.90
100 MHz
31.9
4.05
72 MHz
23.8
3.61
48 MHz
16.3
2.76
36 MHz
12.5
2.34
24 MHz
8.67
1.92
16 MHz
6.14
1.64
8 MHz
3.17
0.95
4 MHz
1.96
0.85
2 MHz
1.35
0.80
1 MHz
1.05
0.78
500 kHz
0.90
0.77
125 kHz
0.79
0.76
(3)
外部时钟
IDD
单位
大值
(2)
运行于高速内部RC振荡器(HSI)
mA
mA
(1) 典型值是在TA = 25 °C, VDD = 3.3 V时测试得到。
(2) 每个ADC的模拟部分要增加额外的0.8 mA电流消耗。在应用环境中，这部分电流只有在开启ADC(设置
ADCx_CTRL2寄存器的ADON位)时才会增加。
(3) 外部时钟为8 MHz，当fHCLK > 8 MHz时启用PLL。
2019.8.6
第 41 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
内置外设电流消耗
内置外设的电流消耗列于表19，微控制器的工作条件如下：
所有的I/O引脚都处于模拟输入模式。
所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。
给出的数值是通过测量电流消耗计算得出
− 关闭所有外设的时钟
− 只开启一个外设的时钟
环境温度和VDD供电电压条件列于表9。
表 19. 内置外设的电流消耗
内置外设
AHB (最高至200 MHz)
APB1 (最高至100 MHz)
2019.8.6
典型值
DMA1
9.45
DMA2
9.58
GPIOA
1.22
GPIOB
1.20
GPIOC
1.29
GPIOD
1.23
GPIOF
1.19
CRC
1.57
SDIO
18.5
TMR2
8.65
TMR3
6.50
TMR4
6.57
TMR5
8.76
SPI2/I2S2
2.80
USART2
2.50
USART3
2.49
UART4
2.54
UART5
2.54
I2C1
2.47
I2C2
2.50
USB
6.76
CAN1
3.92
CAN2
3.91
WWDG
0.44
PWR
0.41
BKP
73.6
第 42 页
单位
μA/MHz
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
内置外设
APB2 (最高至100 MHz)
典型值
AFIO
2.13
SPI1/I2S1
2.64
USART1
2.48
TMR1
9.23
TMR8
9.18
TMR9
3.80
TMR10
2.66
TMR11
2.62
ADC1(1)
6.54
ADC2(1)
6.35
ACC
0.97
单位
μA/MHz
(1) 当设置ADCx_CTRL2寄存器的ADON位时，每个ADC的模拟部分要增加0.8 mA的电流消耗。
2019.8.6
第 43 页
版本 1.04
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5.3.6
外部时钟源特性
来自外部振荡源产生的高速外部用户时钟
下表中给出的特性参数是使用一个高速的外部时钟源测得，环境温度和供电电压符合表9的条件。
表 20. 高速外部用户时钟特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
1
8
25
MHz
fHSE_ext
用户外部时钟频率(1)
VHSEH
OSC_IN输入引脚高电平电压
0.7VDD
-
VDD
VHSEL
OSC_IN输入引脚低电平电压
VSS
-
0.3VDD
5
-
-
tw(HSE)
tw(HSE)
tr(HSE)
tf(HSE)
Cin(HSE)
-
OSC_IN高或低的时间(1)
ns
OSC_IN上升或下降的时间(1)
-
-
20
-
-
5
-
pF
-
45
-
55
%
VSS ≤ VIN ≤ VDD
-
-
±1
μA
OSC_IN输入容抗(1)
DuCy(HSE) 占空比
IL
V
OSC_IN输入漏电流
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
图 16. 外部高速时钟源的交流时序图
VHSEH
VHSEL
90%
10%
tr(HSE)
tf(HSE)
tW(HSE)
tW(HSE)
t
THSE
External
clock source
2019.8.6
fHSE_ext
OSC_IN
第 44 页
IL
版本 1.04
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来自外部振荡源产生的低速外部用户时钟
下表中给出的特性参数是使用一个低速的外部时钟源测得，环境温度和供电电压符合表9的条件。
表 21. 低速外部用户时钟特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
-
32.768
1000
kHz
fLSE_ext
用户外部时钟频率(1)
VLSEH
OSC32_IN输入引脚高电平电压
0.7VDD
-
VDD
VLSEL
OSC32_IN输入引脚低电平电压
VSS
-
0.3VDD
450
-
-
tw(LSE)
tw(LSE)
tr(LSE)
tf(LSE)
Cin(LSE)
-
OSC32_IN高或低的时间(1)
ns
OSC32_IN上升或下降的时间(1)
-
-
50
-
-
5
-
pF
-
30
-
70
%
VSS ≤ VIN ≤ VDD
-
-
±1
μA
OSC32_IN输入容抗(1)
DuCy(LSE) 占空比
IL
V
OSC32_IN输入漏电流
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
图 17. 外部低速时钟源的交流时序图
VLSEH
VLSEL
90%
10%
tr(LSE)
tf(LSE)
tW(LSE)
tW(LSE)
t
TLSE
External
clock source
2019.8.6
fLSE_ext
OSC32_IN
第 45 页
IL
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的高速外部时钟
高速外部时钟(HSE)可以使用一个4~25 MHz的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的
信息是基于使用下表中列出的典型外部元器件，通过综合特性评估得到的结果。在应用中，谐振器
和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐振
器的详细参数(频率、封装、精度等)，请咨询相应的生产厂商。
表 22. HSE 4~25 MHz 振荡器特性(1)(2)
符号
参数
fOSC_IN
tSU(HSE)
(3)
振荡器频率
启动时间
条件
最小值
典型值
最大值
单位
-
4
8
25
MHz
-
1.2
-
ms
VDD是稳定的
(1) 谐振器的特性参数由晶体/陶瓷谐振器制造商给出。
(2) 由综合评估得出，不在生产中测试。
(3) tSU(HSE)是启动时间，是从软件使能HSE开始测量，直至得到稳定的8 MHz振荡这段时间。这个数值是在一个标
准的晶体谐振器上测量得到，它可能因晶体制造商的不同而变化较大。
对于CL1和CL2，建议使用高质量的、为高频应用而设计的(典型值为)5 pF~25 pF之间的瓷介电容器，
并挑选符合要求的晶体或谐振器。通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组
合给出负载电容的参数。在选择CL1和CL2时，PCB和MCU引脚的容抗应该考虑在内(可以粗略地把引
脚与PCB板的电容按10 pF估计)。
图 18. 使用 8 MHz 晶体的典型应用
CL1
OSC_IN
8 MHZ
resonator
fHSE
RF
Bias
Controlled
gain
OSC_OUT
CL2
2019.8.6
第 46 页
版本 1.04
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使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟
低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768 kHz的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的
信息是基于使用下表中列出的典型外部元器件，通过综合特性评估得到的结果。在应用中，谐振器
和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐振
器的详细参数(频率、封装、精度等)，请咨询相应的生产厂商。(注：这里提到的晶体谐振器就是我
们通常说的无源晶振)
表 23. LSE 振荡器特性(fLSE = 32.768 kHz)(1)
符号
tSU(LSE)
参数
启动时间
条件
VDD是稳定的
最小值
典型值
最大值
单位
-
150
-
ms
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
对于CL1和CL2，建议使用高质量的5 pF~15 pF之间的瓷介电容器，并挑选符合要求的晶体或谐振
器。通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。
负载电容CL由下式计算：CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray，其中Cstray是引脚的电容和PCB板或
PCB相关的电容，它的典型值是介于2 pF至7 pF之间。
图 19. 使用 32.768 kHz 晶体的典型应用
Resonator with
Integrated capacitors
CL1
OSC32_IN
32.768 kHZ
resonator
fLSE
RF
Bias
Controlled
gain
OSC32_OUT
CL2
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5.3.7
内部时钟源特性
下表中给出的特性参数是使用环境温度和供电电压符合表9的条件测量得到。
高速内部(HSI)RC振荡器
表 24. HSI 振荡器特性(1)
符号
fHSI
参数
频率
DuCy(HSI) 占空比
条件
最小值
典型值
最大值
单位
-
-
48
-
MHz
-
45
-
55
%
-
-
1(2)
-
-
0.25(2)
TA = -40 ~ 105 °C
-2.5
-
2.5
TA = -40 ~ 85 °C
-2
-
2
-1.5
-
1.5
-1
-
1
使用者以寄存器RCC_CTRL
校准
使用者以ACC校准
ACCHSI
HSI振荡器的精度
出厂校准(3)
TA = 0 ~ 70 °C
TA = 25 °C
%
%
tSU(HSI)(3)
HSI振荡器启动时间
-
-
-
10
μs
IDD(HSI)(3)
HSI振荡器功耗
-
-
190
200
μA
(1) VDD = 3.3 V，TA = -40~105 °C，除非特别说明。
(2) 由设计保证，不在生产中测试。
(3) 由综合评估得出，不在生产中测试。
图 20. HSI 振荡器精度与温度的对比
低速内部(LSI)RC振荡器
表 25. LSI 振荡器特性(1)
符号
fLSI(2)
参数
频率
条件
最小值
典型值
最大值
单位
-
30
40
60
kHz
(1) VDD = 3.3 V，TA = -40~105 °C，除非特别说明。
(2) 由综合评估得出，不在生产中测试。
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从低功耗模式唤醒的时间
下表列出的唤醒时间是在一个系统时钟为8 MHz的HSI RC振荡器的唤醒阶段测量得到。唤醒时使用
的时钟源当前依据当前的操作模式而定：
停机或待机模式：时钟源是HSI RC振荡器
睡眠模式：时钟源是进入睡眠模式时所使用的时钟所有的时间是使用环境温度和供电电压符合表
9的条件测量得到。
表 26. 低功耗模式的唤醒时间
符号
参数
典型值
单位
tWUSLEEP(1)
从睡眠模式唤醒
3.3
μs
(1)
tWUSTOP
从停机模式唤醒
280
μs
tWUSTDBY(1)
从待机模式唤醒
3.6
ms
(1) 唤醒时间的测量是从唤醒事件开始至用户程序读取第一条指令。
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5.3.8
PLL 特性
下表列出的参数是使用环境温度和供电电压符合表9的条件测量得到。
表 27. PLL 特性
符号
fPLL_IN
fPLL_OUT
参数
最小值
典型值
最大值(1)
单位
PLL输入时钟(2)
2
8
16
MHz
PLL输入时钟占空比
40
-
60
%
PLL倍频输出时钟
16
-
200
MHz
tLOCK
PLL锁相时间
-
-
200
μs
Jitter
Cycle-to-cycle jitter
-
-
300
ps
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
(2) 需要注意使用正确的倍频系数，从而根据PLL输入时钟频率使得fPLL_OUT处于允许范围内。
5.3.9
存储器特性
除非特别说明，表28中给出的特性参数是基于TA = 25 °C和VDD = 3.3 V的条件测量得到。
表 28. 内部闪存存储器特性
典型值
符号
参数
条件
200
TPROG
16 位编程时间
页(2 K 字节)擦除时间
tERASE
tME
整片擦除时间
IDD
编程电流
144
72
-
50
AT32F413xC
50
AT32F413xB
页(1 K 字节)擦除时间
单位
fHCLK
48
8
μs
ms
40
AT32F413x8
-
MHz
800
ms
写模式
27.5
20.1
11.1
7.8
1.8
擦除模式
35.3
26.9
16.9
13.1
6.4
mA
表 29. 内部闪存存储器寿命和数据保存期限
符号
参数
NEND
寿命(擦写次数)
tRET
数据保存期限
条件
最小值(1)
典型值
最大值
单位
TA = -40 ~ 105 °C
100
-
-
千次
TA = 105 °C
20
-
-
年
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
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5.3.10 EMC 特性
敏感性测试是在产品的综合评估时抽样进行测试的。
功能性EMS(电磁敏感性)
FTB：在VDD和VSS上通过一个100 pF的电容施加一个瞬变电压的脉冲群(正向和反向)直到产生
功能性错误。这个测试符合IEC 61000-4-4标准。
表 30. EMS 特性
符号
参数
条件(1)
级别/类型
VDD = 3.3 V，LQFP64，TA = +25 °C，HSE，
fHCLK = 200 MHz。符合IEC 61000-4-4
VDD = 3.3 V，LQFP64，TA = +25 °C，HSE，
在VDD和VSS上通过100 pF的电容施
VEFTB
加的、导致功能错误的瞬变脉冲群
电压极限
fHCLK = 72 MHz。符合IEC 61000-4-4
VDD = 3.3 V，LQFP64，TA = +25 °C，HSI，
fHCLK = 200 MHz。符合IEC 61000-4-4
4A (4kV)
VDD = 3.3 V，LQFP64，TA = +25 °C，HSI，
fHCLK = 72 MHz。符合IEC 61000-4-4
VDD = 3.3 V，LQFP64，TA = +25 °C，HSI，
fHCLK = 8 MHz。符合IEC 61000-4-4
(1) 外部时钟为8 MHz，当fHCLK > 8 MHz时启用PLL。
设计牢靠的软件以避免噪声的问题
在器件级进行EMC的评估和优化，是在典型的应用环境中进行的。应该注意的是，好的EMC性能与
用户应用和具体的软件密切相关。
因此，建议用户对软件实行EMC优化，并进行与EMC有关的认证测试。
软件建议
软件的流程中必须包含程序跑飞的控制，如：
被破坏的程序计数器
意外的复位
关键数据被破坏(控制寄存器等…)
认证前的试验
很多常见的失效(意外的复位和程序计数器被破坏)，可以通过人工地在NRST上引入一个低电平或在
晶振引脚上引入一个持续1秒的低电平而重现。
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5.3.11 绝对最大值(电气敏感性)
基于三个不同的测试(ESD，LU)，使用特定的测量方法，对芯片进行强度测试以决定它的电气敏感
性方面的性能。
静电放电(ESD)
静电放电(一个正的脉冲然后间隔一秒钟后一个负的脉冲)施加到所有样品的所有引脚上，样品的大小
与芯片上供电引脚数目相关(3片x(n+1)供电引脚)。这个测试符合JS-001-2017/JS-002-2014标准。
表 31. ESD 绝对最大值
符号
参数
条件
类型
最大值(1)
VESD(HBM)
静电放电电压(人体模型)
TA = +25 °C，符合JS-001-2017
3A
5000
VESD(CDM)
静电放电电压(充电设备模型)
TA = +25 °C，符合JS-002-2014
III
1000
单位
V
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
静态栓锁
为了评估栓锁性能，需要在6个样品上进行2个互补的静态栓锁测试：
为每个电源引脚，提供超过极限的供电电压。
在每个输入、输出和可配置的I/O引脚上注入电流。
这个测试符合EIA/JESD78E集成电路栓锁标准。
表 32. 电气敏感性
符号
LU
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参数
静态栓锁类
条件
TA = +105 °C，符合EIA/JESD78E
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级别/类型
II 类A (200 mA)
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5.3.12 I/O 端口特性
通用输入/输出特性
除非特别说明，下表列出的参数是按照表9的条件测量得到。所有的I/O端口都是兼容CMOS和TTL。
表 33. I/O 静态特性
符号
VIL
参数
条件
最小值
典型值
-
–0.3
-
0.31 * VDD +
-
VDD + 0.3
V
0.8
-
5.5
V
200
-
-
mV
5% VDD(3)
-
-
mV
-
-
±1
I/O脚(1)输入低电平电压
标准I/O脚输入高电平电压
VIH
-
5V容忍I/O脚(1)输入高电平电压
最大值
0.28 * VDD +
0.1
单位
V
标准I/O脚施密特触发器电压迟
滞(2)
Vhys
-
5V容忍I/O脚施密特触发器电
压迟滞(2)
VSS ≤ VIN ≤ VDD
Ilkg
输入漏电流(4)
标准I/O端口(5)
VSS ≤ VIN ≤ 5.5 V
5V 容忍端口
μA
-
-
±10
RPU
弱上拉等效电阻
VIN = VSS
60
70
100
kΩ
RPD
弱下拉等效电阻(5)(6)
VIN = VDD
70
80
120
kΩ
CIO
I/O引脚的电容
-
5
-
pF
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
-
5V容忍I/O脚为保持高于VDD + 0.3 电压，必须禁用内部上拉/下拉电阻。
施密特触发器开关电平的迟滞电压。由综合评估得出，不在生产中测试。
至少100mV。
如果在相邻引脚有反向电流倒灌，则漏电流可能高于最大值。
PA11和PA12引脚各有另一不可禁用弱下拉电阻330 kΩ。
BOOT0引脚弱下拉电阻不可禁用。
所有I/O端口都是CMOS和TTL兼容(不需软件配置)，它们的特性考虑了多数严格的CMOS工艺或TTL
参数。
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输出驱动电流
在用户应用中，I/O脚的数目必须保证驱动电流不能超过5.2节给出的绝对最大额定值：
所有I/O端口从VDD上获取的电流总和，加上MCU在VDD上获取的最大运行电流，不能超过绝对
最大额定值IVDD(参见表7)。
所有I/O端口吸收并从VSS上流出的电流总和，加上MCU在VSS上流出的最大运行电流，不能超
过绝对最大额定值IVSS(参见表7)。
输出电压
除非特别说明，下表列出的参数是使用环境温度和VDD供电电压符合表9的条件测量得到。所有的I/O
端口都是兼容CMOS和TTL的。
表 34. 输出电压特性
符号
参数
条件
最小值
最大值
-
0.4
VDD-0.4
-
-
0.4
2.4
-
-
1.3
VDD-1.3
-
-
0.4
VDD-0.4
-
-
0.4
2.4
-
-
1.3
VDD-1.3
-
-
0.4
VDD-0.4
-
-
0.4
2.4
-
-
1.3
VDD-1.3
-
单位
MDEx[1:0]的配置 = 11 (极大电流推动/吸入能力)
VOL
输出低电平
VOH
输出高电平
VOL
输出低电平
VOH
输出高电平
VOL(1)
输出低电平
VOH(1)
输出高电平
CMOS端口，IIO = 15 mA
TTL端口，IIO = 6 mA
IIO = 45 mA
V
V
V
MDEx[1:0]的配置 = 01 (较大电流推动/吸入能力)
VOL
输出低电平
VOH
输出高电平
VOL
输出低电平
VOH
输出高电平
VOL(1)
输出低电平
VOH(1)
输出高电平
CMOS端口，IIO = 6 mA
TTL端口，IIO = 3 mA
IIO = 20 mA
V
V
V
MDEx[1:0]的配置 = 10 (适中电流推动/吸入能力)
VOL
输出低电平
VOH
输出高电平
VOL
输出低电平
VOH
输出高电平
VOL(1)
输出低电平
VOH(1)
输出高电平
CMOS端口，IIO = 4 mA
TTL端口，IIO = 2 mA
IIO = 9 mA
V
V
V
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
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5.3.13 NRST 引脚特性
NRST引脚输入驱动使用CMOS工艺，它连接了一个不能断开的上拉电阻，RPU(参见下表)。除非特别
说明，下表列出的参数是使用环境温度和供电电压符合表9的条件测量得到。
表 35. NRST 引脚特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
VIL(NRST)(1)
NRST输入低电平电压
-
-0.5
-
0.8
(1)
NRST输入高电平电压
-
2
-
VDD + 0.5
NRST施密特触发器电压迟滞
-
-
500
-
mV
30
40
50
kΩ
VIH(NRST)
Vhys(NRST)
弱上拉等效电阻
RPU
VIN = VSS
V
VF(NRST)(1)
NRST输入滤波脉冲
-
-
25
33.3
μs
VNF(NRST)(1)
NRST输入非滤波脉冲
-
66.7
45
-
μs
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
图 21. 建议的 NRST 引脚保护
V DD
External (1)
reset circuit
NRST
(2)
R
PU
Internal Reset
Filter
0.1 µF
(1) 复位网络是为了防止寄生复位。
(2) 用户必须保证NRST引脚的电位能够低于表35中列出的最大VIL(NRST)以下，否则MCU不能得到复位。
5.3.14 TMR 定时器特性
下表列出的参数由设计保证。
有关输入输出复用功能引脚(输出比较、输入捕获、外部时钟、PWM输出)的特性详情，参见5.3.12 I/O
端口特性。
表 36. TMRx(1)特性
符号
tres(TMR)
fEXT
参数
条件
最小值
最大值
单位
-
1
-
tTMRxCLK
10
-
ns
0
fTMRxCLK/2
MHz
0
50
MHz
定时器分辨时间
fTMRxCLK = 100 MHz
CH1至CH4的定时器外部时钟频率
fTMRxCLK = 100 MHz
(1) TMRx是一个通用的名称，代表TMR1~TMR5，TMR8~TMR11。
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5.3.15 通信接口
2
I C接口特性
AT32F413系列产品的I2C接口符合标准I2C通信协议，但有如下限制：SDA和SCL不是”真”开漏的引
脚，当配置为开漏输出时，在引出脚和VDD之间的PMOS管被关闭，但仍然存在。
I2C接口特性列于下表，有关输入输出复用功能引脚(SDA和SCL)的特性详情，参见5.3.12 I/O端口特
性。
表 37. I2C 接口特性
标准I2C(1)(2)
符号
快速I2C(1)(2)
参数
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
tw(SCLL)
SCL时钟低时间
4.7
-
1.3
-
tw(SCLH)
SCL时钟高时间
4.0
-
0.6
-
tsu(SDA)
SDA建立时间
250
-
100
-
SDA数据保持时间
-
3450(3)
-
900(3)
SDA和SCL上升时间
-
1000
-
300
SDA和SCL下降时间
-
300
-
300
th(SDA)
tr(SDA)
tr(SCL)
tf(SDA)
tf(SCL)
μs
ns
th(STA)
开始条件保持时间
4.0
-
0.6
-
tsu(STA)
重复的开始条件建立时间
4.7
-
0.6
-
tsu(STO)
停止条件建立时间
4.0
-
0.6
-
μs
停止条件至开始条件的时间(总线空闲)
4.7
-
1.3
-
μs
-
400
-
400
pF
tw(STO:STA)
Cb
每条总线的容性负载
μs
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
2
2
(2) 为达到标准模式I C的最大频率，fPCLK1必须大于2 MHz。为达到快速模式I C的最大频率，fPCLK1必须大于4 MHz。
(3) 为了跨越SCL下降沿未定义的区域，在MCU内部必须保证SDA信号上至少300 ns的保持时间。
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图 22. I2C 总线交流波形和测量电路(1)
V DD_I2C
Rp
V DD_I2C
Rp
Rs
SDA
2
I C bus
Rs
SCL
S TAR T REPEATED
S TAR T
t
su(STA)
SDA
t
S TAR T
t
r(SDA)
f(SDA)
t su(SDA)
t
S TOP
t
t w(SCLL)
th(STA)
w(STO:STA)
h(SDA)
SCL
t w(SCLH)
t r(SCL)
t
t f(SCL)
su(STO)
(1) 测量点设置于CMOS电平：0.3VDD和0.7VDD。
表 38. SCL 频率(fPCLK1 = 36 MHz，VDD = 3.3 V)(1)(2)
I2C_CLKCTRL 数值
fSCL(kHz)
RP = 4.7 kΩ
400
0x801E
300
0x8028
200
0x803C
100
0x00B4
50
0x0168
20
0x0384
2
(1) RP = 外部上拉电阻，fSCL = I C速度。
(2) 对于200 kHz左右的速度，速度的误差是±5 %。对于其它速度范围，速度的误差是±2 %。这些变化取决于设计中
外部元器件的精度。
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SPI-I2S和SPIM特性
除非特别说明， 表39列出的SPI, SPIM参数和表40列出的I2S参数是使用环境温度，fPCLKx频率和VDD
供电电压符合表9的条件测量得到。
有关输入输出复用功能引脚(SPI的NSS、SCK、MOSI、MISO，I2S的WS、CK、SD)的特性详情，
参见5.3.12 I/O端口特性。
表 39. SPI 和 SPIM 特性
符号
参数
最小值
最大值
SPI1~2主模式
-
50
SPI1~2从模式
-
fPCLK/2
SPIM
-
60
SPI时钟上升和下降时间
负载电容：C = 30 pF
-
8
ns
tsu(NSS)(1)
NSS建立时间
从模式
4tPCLK
-
ns
th(NSS)(1)
NSS保持时间
从模式
2tPCLK
-
ns
15
25
ns
主模式
5
-
从模式
5
-
主模式
5
-
从模式
4
-
fSCK
1/tc(SCK)
tr(SCK)
tf(SCK)
tw(SCKH)(1)
tw(SCKL)(1)
tsu(MI)(1)
tsu(SI)(1)
th(MI)(1)
th(SI)(1)
SPI时钟频率
SCK高和低的时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
条件
主模式，fPCLK = 100 MHz，
预分频系数 = 4
单位
MHz
ns
ns
ta(SO)(1)(2)
数据输出访问时间
从模式，fPCLK = 20 MHz
0
3tPCLK
ns
tdis(SO)(1)(3)
数据输出禁止时间
从模式
2
10
ns
tv(SO)(1)
数据输出有效时间
从模式(使能边沿之后)
-
25
ns
(1)
数据输出有效时间
主模式(使能边沿之后)
-
5
ns
从模式(使能边沿之后)
15
-
主模式(使能边沿之后)
2
-
tv(MO)
th(SO)
(1)
th(MO)
(1)
数据输出保持时间
ns
(1) 由综合评估得出，不在生产中测试。
(2) 最小值表示驱动输出的最小时间，最大值表示正确获得数据的最大时间。
(3) 最小值表示关闭输出的最小时间，最大值表示把数据线置于高阻态的最大时间。
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图 23. SPI 时序图 – 从模式和 CPHA = 0
NSS input
tc(SCK)
th(NSS)
SCK input
tsu(NSS)
CPHA=0
CPOL=0
tw(SCKH)
tw(SCKL)
CPHA=0
CPOL=1
ta(SO)
tv(SO)
MISO
OUTP UT
tr(SCK) tdis(SO)
th(SO)
M S B O UT
tf(SCK)
BI T6 OUT
LSB OUT
tsu(SI)
MOSI
I NP UT
M S B IN
BI T1 IN
LS B IN
th(SI)
图 24. SPI 时序图 – 从模式和 CPHA = 1(1)
NSS input
SCK input
t SU(NSS)
CPHA=1
CPOL=0
t h(NSS)
t c(SCK)
t w(SCKH)
t w(SCKL)
CPHA=1
CPOL=1
t v(SO)
t h(SO)
ta(SO)
MISO
OU T P U T
MS B O UT
t su(SI)
MOSI
I N PU T
t r(SCK)
t
f(SCK)
BI T6 OU T
t
dis(SO)
L SB OUT
t h(SI)
M SB IN
B I T 1 IN
L SB IN
(1) 测量点设置于CMOS电平：0.3VDD和0.7VDD。
图 25. SPI 时序图 – 主模式(1)
High
SCK Output
SCK Output
NSS in put
t c(SCK)
CPHA=0
CPOL=0
CPHA=0
CPOL=1
CPHA=1
CPOL=0
CPHA=1
CPOL=1
MISO
INP U T
MOSI
OUT PU T
t su(MI)
t w(SCKH)
t w(SCKL)
MS BIN
t
t r(SCK)
t f(SCK)
BI T6 IN
LSB IN
h(M)
M SB OUT
t
v(MO)
B IT1 OUT
t
L SB OUT
h(MO)
(1) 测量点设置于CMOS电平：0.3VDD和0.7VDD。
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AT32F413系列 数据手册
表 40. I2S 特性
符号
参数
条件
最小值
最大值
1.522
1.525
0
6.5
-
8
主模式(资料: 16位, 音频: 48 kHz)
fCK
I2S时钟频率
1/tc(CK)
tr(CK)
从模式
I2S时钟上升和下降时间 负载电容：C = 50 pF
tf(CK)
tv(WS)(1)
WS有效时间
主模式
3
-
th(WS)(1)
WS保持时间
主模式
2
-
tsu(WS)(1)
WS建立时间
从模式
4
-
th(WS)(1)
WS保持时间
从模式
0
-
CK高和低的时间
主模式，fPCLK = 16 MHz，音频: 48 kHz
312.5
-
345
-
主接收器
6.5
-
从接收器
1.5
-
主接收器
0
-
从接收器
0.5
-
tw(CKH)(1)
tw(CKL)(1)
tsu(SD_MR)(1)
数据输入建立时间
tsu(SD_SR)(1)
th(SD_MR)
th(SD_SR)
(1)(2)
数据输入保持时间
(1)(2)
(1)(2)
数据输出有效时间
从发送器(使能边沿之后)
-
18
th(SD_ST)(1)
tv(SD_ST)
数据输出保持时间
从发送器(使能边沿之后)
11
-
(1)(2)
数据输出有效时间
主发送器(使能边沿之后)
-
3
th(SD_MT)(1)
数据输出保持时间
主发送器(使能边沿之后)
0
-
tv(SD_MT)
单位
MHz
ns
(1) 由设计模拟和/或综合评估得出，不在生产中测试。
(2) 依赖于fPCLK。例如，如果fPCLK = 8 MHz，则tPCLK = 1/fPCLK = 125 ns。
图 26. I2S 从模式时序图(Philips 协议)(1)
CK Iutput
t
c(CK)
CPOL=0
CPOL=1
t
w(CKH)
t w(CKL)
t h(WS)
WS input
t
SD
transmit
su(WS)
t
LSB transmit (2)
MSB transmit
t su(SD_SR)
SD receive
(2)
LSB receive
V(SD_ST)
Bitn transmit
t h(SD_ST)
LSB transmit
t h(SD_SR)
MSB receive
Bitn receive
LSB receive
(1) 测量点设置于CMOS电平：0.3VDD和0.7VDD。
(2) 前一字节的最低位发送/接收。在第一个字节之前没有这个最低位的发送/接收。
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
图 27. I2S 主模式时序图(Philips 协议)(1)
t
f(CK)
CK output
t
CPOL=0
t r(CK)
c(CK)
t
w(CKH)
CPOL=1
t
t w(CKL)
v(WS)
t h(WS)
WS output
t
V(SD_MT)
SD
transmit
LSB transmit (2)
MSB transmit
t su(SD_MR)
SD receive
(2)
LSB receive
Bitn transmit
t h(SD_MT)
LSB transmit
th(SD_MR)
MSB receive
Bitn receive
LSB receive
(1) 测量点设置于CMOS电平：0.3VDD和0.7VDD。
(2) 前一字节的最低位发送/接收。在第一个字节之前没有这个最低位的发送/接收。
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
SD/SDIO/MMC卡主机接口(SDIO)特性
除非特别说明，下表列出的参数是使用环境温度、fPCLKx频率和VDD供电电压符合表9的条件测量得
到。
有关输入输出复用功能引脚(D[7:0]、CMD、CK)的特性详情，参见5.3.12 I/O端口特性。
图 28. SDIO 高速模式
t
t
tC
tr
f
t W(CKL)
W(CKH)
CK
t OH
t OV
D,CWD
(output)
t ISU
t IH
D,CWD
(input)
图 29. SD 默认模式
CK
t OVD
D,CMD
(output)
t OVD
表 41. SD/MMC 接口特性
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
MHz
数据传输模式下的时钟频率
CL ≤ 30 pF
0
48
tW(CKL)
时钟低时间
CL ≤ 30 pF
32
-
tW(CKH)
时钟高时间
CL ≤ 30 pF
30
-
tr
时钟上升时间
CL ≤ 30 pF
-
4
tf
时钟下降时间
CL ≤ 30 pF
-
5
fPP
ns
CMD、D输入(参照CK)
tISU
时钟上升时间
CL ≤ 30 pF
2
-
tIH
时钟下降时间
CL ≤ 30 pF
0
-
ns
在MMC和SD高速模式CMD、D输出(参照CK)
tOV
输出有效时间
CL ≤ 30 pF
-
6
tOH
输出保持时间
CL ≤ 30 pF
0
-
ns
在SD默认模式CMD、D输出(参照CK)(1)
tOVD
输出有效默认时间
CL ≤ 30 pF
-
7
tOHD
输出保持默认时间
CL ≤ 30 pF
0.5
-
ns
(1) 参见SDIO_CLKCTRL，SDIO时钟控制寄存器，控制CK输出。
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
USB特性
表 42. USB 启动时间
符号
参数
tSTARTUP(1) USB收发器启动时间
最大值
单位
1
μs
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
表 43. USB 直流特性
符号
输入电平
参数
最小值(1)
-
典型值
最大值(1)
单位
3.0(2)
3.6
V
VDD
USB操作电压
VDI(3)
差分输入灵敏度
I (USB_DP，USB_DM)
0.2
-
VCM(3)
差分共模范围
包含VDI范围
0.8
2.5
VSE(3)
单端接收器阀值
1.3
2.0
VOL
静态输出低电平
内部1.24 kΩ的RL接至3.6
-
0.3
静态输出高电平
kΩ的RL接至VSS(4)
2.8
3.6
输出电平
VOH
RPU
(1)
(2)
(3)
(4)
条件
-
15
V(4)
USB_DP内部上拉电阻 VIN = VSS
0.97
1.24
V
V
1.58
kΩ
所有的电压测量都是以设备端地线为准。
AT32F413系列的正确USB功能可以在2.6 V得到保证，而不是在2.6~3.0 V电压范围下降级的电气特性。
由综合评估保证，不在生产中测试。
RL是连接到USB驱动器上的负载。
图 30. USB 时序：数据信号上升和下降时间定义
Crossover
points
Diffierential
data lines
V
CRS
V SS
t
t
f
r
表 44. USB 全速电气特性
符号
参数
条件
最小值(1)
最大值(1)
单位
tr
上升时间(2)
CL ≤ 50 pF
4
20
ns
tf
下降时间(2)
CL ≤ 50 pF
4
20
ns
trfm
上升下降时间匹配
tr/tf
90
110
%
VCRS
输出信号交叉电压
-
1.3
2.0
V
(1) 由设计保证，不在生产中测试。
(2) 测量数据信号从10%至90%。更多详细信息，参见USB规范第7章(2.0版)。
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
5.3.16 CAN(控制器局域网络)接口
有关输入输出复用功能引脚(CANx_TX和CANx_RX)的特性详情，参见5.3.12 I/O端口特性。
5.3.17 12 位 ADC 特性
除非特别说明，下表的参数是使用符合表9的条件的环境温度, fPCLK2频率和VDDA供电电压测量得到。
注：
建议在每次上电时执行一次校准。
表 45. ADC 特性
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单位
-
2.6
-
3.6
V
900
μA
VDDA
供电电压
IDDA
在VDDA输入脚上的电流
-
-
790(1)
fADC
ADC时钟频率
-
0.6
-
28
MHz
fS(2)
采样速率
-
0.05
-
2
MHz
-
-
1.65
MHz
-
-
17
1/fADC
-
VREF+
V
fTRIG(2)
外部触发频率
fADC = 28 MHz
-
转换电压范围(3)
-
RAIN
外部输入阻抗
-
CADC(2)
内部采样和保持电容
-
tCAL(2)
校准时间
tlat(2)
注入触发转换时延
tlatr(2)
常规触发转换时延
tS(2)
采样时间
tSTAB(2)
上电时间
tCONV(2)
总转换时间(包括采样时间)
VAIN
(2)
(1)
(2)
(3)
(4)
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参数
0 (VREF-内部连接到地)
参见表46和表47
-
fADC = 28 MHz
fADC = 28 MHz
fADC = 28 MHz
fADC = 28 MHz
-
-
6.14
μs
172
1/fADC
107
ns
-
-
3(4)
1/fADC
-
-
71.4
μs
-
-
2(4)
1/fADC
0.053
-
8.55
μs
1.5
-
239.5
1/fADC
42
fADC = 28 MHz
pF
-
-
-
15
-
-
Ω
0.5
1/fADC
-
14~252 (采样tS + 逐步逼近12.5)
9
μs
1/fADC
由综合评估保证，不在生产中测试。
由设计保证，不在生产中测试。
VREF+在内部连接到VDDA，VREF-在内部连接到VSSA。
对于外部触发，必须在表45列出的时延中加上一个延迟1/fPCLK2。
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
表46和表47决定最大的外部阻抗，使得误差可以小于1/4 LSB。
表 46. fADC = 14 MHz 时的最大 RAIN(1)
最大RAIN (kΩ)
tS (μs)
TS (周期)
1.5
0.11
0.2
7.5
0.54
1.0
13.5
0.96
2.0
28.5
2.04
4.2
41.5
2.96
6.0
55.5
3.96
8.5
71.5
5.11
11
239.5
17.11
32
(1) 由设计保证。
表 47. fADC = 28 MHz 时的最大 RAIN(1)
最大RAIN (kΩ)
tS (μs)
TS (周期)
1.5
0.05
0.1
7.5
0.27
0.4
13.5
0.48
0.9
28.5
1.02
2.1
41.5
1.48
3.0
55.5
1.98
4.0
71.5
2.55
5.0
239.5
8.55
19
(1) 由设计保证。
2019.8.6
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
表 48. ADC 精度(VDDA = 3.0~3.6 V, T A = 25 °C)(1)(2)
符号
参数
ET
综合误差
EO
偏移误差
EG
增益误差
ED
微分线性误差
EL
积分线性误差
测试条件
fPCLK2 = 56 MHz,
fADC = 28 MHz，RAIN < 10 kΩ,
VDDA = 3.0~3.6 V, TA = 25 °C
测量是在 ADC 校准之后进行的
典型值
最大值(3)
±2
±3
±1
±2
±1.5
±3
±0.5
±1
±0.6
±1
单位
LSB
(1) ADC的直流精度数值是在经过内部校准后测量的。
(2) ADC精度与反向注入电流的关系：需要避免在任何标准的模拟输入引脚上注入反向电流，因为这样会显着地降低
另一个模拟输入引脚上正在进行的转换精度。建议在可能产生反向注入电流的标准模拟引脚上，(引脚与地之间)
增加一个肖特基二极管。
(3) 由综合评估保证，不在生产中测试。
表 49. ADC 精度(VDDA = 2.6~3.6 V, T A = -40~105 °C)(1)(2)
符号
参数
ET
综合误差
EO
偏移误差
EG
增益误差
ED
微分线性误差
EL
积分线性误差
测试条件
fPCLK2 = 56 MHz,
fADC = 28 MHz，RAIN < 10 kΩ,
VDDA = 2.6~3.6 V
测量是在 ADC 校准之后进行的
典型值
最大值(3)
±2
±4
±1
±2.5
±1.5
±3.5
±0.5
±1
±0.6
±1.2
单位
LSB
(1) ADC的直流精度数值是在经过内部校准后测量的。
(2) ADC精度与反向注入电流的关系：需要避免在任何标准的模拟输入引脚上注入反向电流，因为这样会显着地降低
另一个模拟输入引脚上正在进行的转换精度。建议在可能产生反向注入电流的标准模拟引脚上，(引脚与地之间)
增加一个肖特基二极管。
(3) 由综合评估保证，不在生产中测试。
图 31. ADC 精度特性
VREF+
[1LSB IDEAL=——
4096
4095
4094
VDDA
(or——depending
on package) ]
4096
(1)实际ADC转换曲线的例子
EG
(2)理想转换曲线
(3)实际转换终点连线
4093
（2）
（3）
ET
7
ET
综合误差：实际转换曲线与理想转
换曲线间的最大偏离
EO
偏移误差：实际转换曲线上的第一
次跃迁与理想转换曲线上的第一次
跃迁之差
（1）
6
5
EL
EO
4
次跃迁之差
ED 微分线性误差：实际转换曲线上步
距与理想步距(1LSB)之差
ED
3
增益误差：实际转换曲线上的最后
EG 一次跃迁与理想转换曲线上最后一
2
0
VSSA
2019.8.6
EL
1LSBIDEAL
1
1
2
3 456
7
积分线性误差：实际转换曲线与终
点连线间的最大偏离
4093 4094 4095 4096
VDDA
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版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
图 32. 使用 ADC 典型的连接图
V DD
(1)
R
AIN
Sample and hold/ADC
converter
R ADC
12-bit
VT
0.6V
ADCx_INx
VT
0.6V
VAIN
C parasitic
converter
IL
C ADC (1)
(1) 有关RAIN和CADC的数值，参见表45。
(2) Cparasitic表示PCB(与焊接和PCB布局质量相关)与焊盘上的寄生电容(大约7 pF)。较大的Cparasitic数值将降低转换的
精度，解决的办法是减小fADC。
PCB设计建议
电源的去藕必须按照 图33连接。图中的10 nF电容必须是瓷介电容(好的质量)，它们应该尽可能地靠
近MCU芯片。
图 33. 供电电源和参考电源去藕线路
V DDA
1 µF // 10nF
V SSA
2019.8.6
第 67 页
版本 1.04
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5.3.18 温度传感器特性
表 50. 温度传感器特性
符号
参数
TL(1)
VSENSE相对于温度的线性度
Avg_Slope(1)(2)
V25
(1)(2)
典型值
最大值
单位
-
±2
±5
ºC
平均斜率
-4.13
-4.20
-4.35
mV/ºC
在25 ºC时的电压
1.18
1.28
1.38
V
(3)
建立时间
-
-
100
μs
(3)(4)
当读取温度时，ADC采样时间
-
-
17.1
μs
tSTART
TS_temp
最小值
(1) 由综合评估保证，不在生产中测试。
(2) 温度传感器输出电压随温度线性变化，由于生产过程的变化，温度变化曲线的偏移在不同芯片上会有不同（最多
相差50°C）。内部温度传感器更适合于检测温度的变化，而不是测量绝对的温度。如果需要测量精确的温度，应
该使用一个外置的温度传感器。
(3) 由设计保证，不在生产中测试。
(4) 短的采样时间可以由应用程序通过多次循环决定。
利用下列公式得出温度：
温度(°C) = {(V25 – VSENSE) / Avg_Slope} + 25
这里：
V25 = VSENSE在25 °C时的数值
Avg_Slope ＝ 温度与VSENSE曲线的平均斜率(单位为mV/°C)
图 34. VSENSE 对温度理想曲线图
2019.8.6
第 68 页
版本 1.04
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6
封装特性
6.1
LQFP64 封装数据
图 35. LQFP64 – 10 x 10 mm 64 脚低剖面方形扁平封装图
(1) 图不是按照比例绘制。
2019.8.6
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版本 1.04
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表 51. LQFP64 – 10 x 10 mm 64 脚低剖面方形扁平封装数据
英寸(1)
毫米
标号
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
A
-
-
1.60
-
-
0.063
A1
0.05
-
0.15
0.002
-
0.006
A2
1.35
1.40
1.45
0.053
0.055
0.057
b
0.17
0.20
0.27
0.007
0.008
0.011
c
0.09
-
0.20
0.004
-
0.008
D
11.75
12.00
12.25
0.463
0.472
0.482
D1
9.90
10.00
10.10
0.390
0.394
0.398
E
11.75
12.00
12.25
0.463
0.472
0.482
E1
9.90
10.00
10.10
0.390
0.394
0.398
e
0.50 BSC.
0.020 BSC.
Θ
3.5° REF.
3.5° REF.
L
0.45
0.60
0.75
0.018
0.024
L1
1.00 REF.
0.039 REF.
ccc
0.08
0.003
0.030
(1) 英寸的数值是根据毫米的数据按照3位小数精度转换取整得到的。
LQFP64设备标记
下图是一个顶部标记取向与引脚1识别标记位置的例子
图 36. LQFP64 封装标记例子(封装俯视图)
Part No.
Lot No.
AT32F413RCT7
Date Code
(Year + Week)
Pin 1 Identifier
2019.8.6
YYWW R
ARM
Revision Code (1~2 characters)
第 70 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
6.2
LQFP48 封装数据
图 37. LQFP48 – 7 x 7 mm 48 脚低剖面方形扁平封装图
(1) 图不是按照比例绘制。
2019.8.6
第 71 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
表 52. LQFP48 – 7 x 7 mm 48 脚低剖面方形扁平封装数据
英寸(1)
毫米
标号
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
A
-
-
1.60
-
-
0.063
A1
0.05
-
0.15
0.002
-
0.006
A2
1.35
1.40
1.45
0.053
0.055
0.057
b
0.17
0.22
0.27
0.007
0.009
0.011
c
0.09
-
0.20
0.004
-
0.008
D
9.00 BSC
0.345 BSC
D1
7.00 BSC
0.276 BSC
E
9.00 BSC
0.345 BSC
E1
7.00 BSC
0.276 BSC
e
0.50 BSC.
0.020 BSC.
Θ
0°
3.5°
7°
0°
3.5°
7°
L
0.45
0.60
0.75
0.018
0.024
0.030
L1
1.00 REF.
0.039 REF.
(1) 英寸的数值是根据毫米的数据按照3位小数精度转换取整得到的。
LQFP48设备标记
下图是一个顶部标记取向与引脚1识别标记位置的例子
图 38. LQFP48 封装标记例子(封装俯视图)
Part No.
Lot No.
AT32F413CCT7
Date Code
(Year + Week)
YYWW R
ARM
Pin 1 Identifier
Revision Code (1~2 characters)
2019.8.6
第 72 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
6.3
QFN48 封装数据
图 39. QFN48 – 6 x 6 mm 48 脚封装图
(1) 图不是按照比例绘制。
(2) 俯视图。
2019.8.6
第 73 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
表 53. QFN48 – 6 x 6 mm 48 脚封装数据
英寸(1)
毫米
标号
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
A
0.80
0.85
0.90
0.031
0.033
0.035
A1
0.00
0.02
0.05
0.000
0.001
0.002
A3
b
0.203 REF.
0.15
D
D2
0.25
0.006
0.008
6.00 BSC.
4.45
E
E2
0.20
0.008 REF.
4.50
0.236 BSC.
4.55
0.175
0.177
6.00 BSC.
4.45
e
4.50
0.010
0.179
0.236 BSC.
4.55
0.175
0.177
0.40 BSC.
0.179
0.016 BSC.
K
0.20
-
-
0.008
-
-
L
0.35
0.40
0.45
0.014
0.016
0.018
(1) 英寸的数值是根据毫米的数据按照3位小数精度转换取整得到的。
QFN48设备标记
下图是一个顶部标记取向与引脚1识别标记位置的例子
图 40. QFN48 封装标记例子(封装俯视图)
Part No.
Lot No.
AT32F413CCU7
Date Code
(Year + Week)
Pin 1 Identifier
2019.8.6
YYWW R
ARM
Revision Code (1~2 characters)
第 74 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
6.4
QFN32 封装数据
图 41. QFN32 – 4 x 4 mm 32 脚封装图
(1) 图不是按照比例绘制。
(2) 俯视图。
2019.8.6
第 75 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
表 54. QFN32 – 4 x 4 mm 32 脚封装数据
英寸(1)
毫米
标号
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
A
0.80
0.85
0.90
0.031
0.033
0.035
A1
0.00
0.02
0.05
0.000
0.001
0.002
A3
b
0.203 REF.
0.15
D
D2
0.25
0.006
4.00 BSC.
2.65
E
E2
0.20
0.008 REF.
2.70
e
2.70
0.010
0.157 BSC.
2.75
0.104
4.00 BSC.
2.65
0.008
0.106
0.108
0.157 BSC.
2.75
0.104
0.40 BSC.
0.106
0.108
0.016 BSC.
K
0.20
-
-
0.008
-
-
L
0.25
0.30
0.35
0.010
0.012
0.014
(1) 英寸的数值是根据毫米的数据按照3位小数精度转换取整得到的。
QFN32设备标记
下图是一个顶部标记取向与引脚1识别标记位置的例子
图 42. QFN32 封装标记例子(封装俯视图)
Part No.
Lot No.
AT32F413
KCU7-4
Date Code
(Year + Week)
Pin 1 Identifier
2019.8.6
YYWW R
Revision Code (1~2 characters)
第 76 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
6.5
热特性
芯片的最大结温(Tjmax)一定不能超过表9给出的数值范围。芯片的最大结温(Tjmax)用摄氏温度表
示，可用下面的公式计算：
Tjmax = Tamax + (Pdmax x ΘJA)
其中：
Tamax是最大的环境温度，用°C表示，
ΘJA是封装中结到环境的热阻抗，用°C/W标示，
Pdmax是PINTmax和PI/Omax的和(Pdmax = PINTmax + PI/Omax)，
PINTmax是IDD和VDD的乘积，用瓦特(Watt)表示，是芯片的最大内部功耗。
PI/Omax是所有输出引脚的最大功率消耗：
PI/Omax = Σ(VOL + IOL) + Σ((VDD – VOH) x IOH)，
考虑在应用中I/O上低电平和高电平的实际的VOL / IOL和VOH / IOH。
表 55. 封装的热特性
符号
ΘJA
2019.8.6
参数
数值
结到环境的热阻抗—LQFP64 – 10 × 10 mm / 0.5 mm 间距
69.2
结到环境的热阻抗—LQFP48 – 7 × 7 mm / 0.5 mm 间距
63.8
结到环境的热阻抗—QFN48 – 6 × 6 mm / 0.4 mm 间距
50.8
结到环境的热阻抗—QFN32 – 4 × 4 mm / 0.4 mm 间距
59.9
第 77 页
单位
°C/W
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
7
订货代码
表 56. AT32F413 系列订货代码信息图示
例如：
AT32 F
4
1
3
K
C
U
7
-4
产品系列
AT32 = 基于ARM的32位微控制器
产品类型
F = 通用类型
内核
4 = Cortex® -M4+FPU
产品子系列
1 = Value line
产品应用别
3 = CAN + USB系列
引脚数目
K = 32脚
C = 48脚
R = 64脚
内部闪存存储器容量
8 = 64 K字节的内部闪存存储器
B = 128 K字节的内部闪存存储器
C = 256 K字节的内部闪存存储器
封装
T = LQFP
U = QFN
温度范围
7 = -40 °C至+105 °C
封装细节
-4 = QFN32 - 4 x 4 mm封装
無 = 其他封装
关于更多的选项列表(速度、封装等)和其他相关信息，请与邻近的雅特力销售处联络。
2019.8.6
第 78 页
版本 1.04
AT32F413系列 数据手册
8
版本历史
表 57. 文档版本历史
日期
版本
2018.11.23
1.00
变更
最初版本
1. 修正表27 PLL输入时钟最大值为16 MHz
2. 删除表39原注脚(4)
3. 修正表2 USART/UART组数
2019.2.25
1.01
4. 分割原表15为表15和表16
5. 修改表11、表13、表14、表15、表16、表17、表18、表19、表20、表24、和
表26部分数据
6. 新增表30条件
7. 修改表31 HBM最大值为5000 V
1. 新增AT32F413CBU7型号
2019.3.25
1.02
2. 修正章节2.2.22 CAN规格描述错误
3. 新增章节2.2.25重映射功能
1. 修改AT32F413KxU7型号为AT32F413KxU7-4
2019.4.16
1.03
2. 修改表34中关于MDEx[1:0]的描述
3. 修正图42
1. 图2新增CLKOUT预除频图示
2019.8.6
1.04
2. 表2新增封装尺寸说明
3. 表10新增VDD上升速率最大值注脚(1)
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2019.8.6
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