超级电容充电保护
B W
6101
超级电容充电保护芯片
■ 产品概述
■ 产品特点
B W6101 是一款超级电容充电保护芯片,它内置高
高精度:±1%
精度基准,确保输出精度达到±1%。内置的功率管使
泄流能力强:700mA@2.65V
得过充保护后的泄流能力达到 0.7A@(VIN=2.65V) ,
报警指示
很好地满足了超级电容级联使用时的充电特性。
外围器件少
小型化封装:SOT23-5L
B W6101 可以通过外部端口选择为两种规格的超
级电容进行充电保护。当选择端口为高电平时,对应保
护点为 2.65V,当选择端口电平为低时,对应保护点为
■ 封装
2.45V。方便用户的灵活使用。
B W6101 采用小型化的 SOT23-5 封装,便于高密
SOT23-5L
度安装。同时外围器件少,极大地降低应用成本。
5
■ 用途
4
LED
IOUT
超级电容保护
电压检测
VDD
GND
SEL
1
2
3
■ 典型应用电路
4
SEL
5
GND
3
LED
VDD
2
IOUT
1
■ 订购信息
B W6101①②
数字项目
符号
①
M
SOT23-5L
R
卷带方向:正向
L
卷带方向:反向
②
描述
1
Shenzhen Bitwell Co,;Ltd TEL:0755-25587677 FAX:0755-25587858
http://www.bitwell.com.cn
超级电容充电保护
B W
6101
■ 引脚配置
5
4
引脚号
引脚名
1
VDD
电源
2
GND
地
3
SEL
内部电压选择端口,高选择2.65V,低选择2.45V
4
LED
过充报警
5
IOUT
泄流端口
LED
IOUT
B W6101
VDD
GND
SEL
1
2
3
功能描述
■ 打印信息
●
SOT23-5L
5
4
*
*
*
*
C1A①
*
*
2
3
1
C1A:代表 B W6101
①:由公司生产部内部规定
6 个”*” 代表质量跟踪信息
■ 功能框图
VDD
250K
1.2V
LED
1.18
2.75/
2.55V
2.65/
2.45V
200K
IOUT
UVLO
GND
SEL
2
Shenzhen Bitwell Co,;Ltd TEL:0755-25587677 FAX:0755-25587858
http://www.bitwell.com.cn
超级电容充电保护
B W
6101
■ 绝对最大额定值
项目
符号
绝对最大额定值
单位
输入电压
Vin
6.0
V
输出电流
Iout
1000
mA
LED源电流
Iled
30
mA
功耗
Pd
350
mW
工作温度
Topr
-40~+85
℃
贮存温度
Tstg
-40~+125
℃
■ 电学特性参数
(Ta=25 ℃除非特殊指定)
测试条件
项目
过充电压
报警电压
符号
条件
最小值
典型值
最大值
SEL=”H”
2.62
2.65
2.68
SEL=”L”
2.42
2.45
2.48
SEL=”H”
2.71
2.75
2.79
V
SEL=”L”
2.51
2.55
2.59
V
20
30
uA
VDET
单位
V
VWAR
工作电流
IDD
泄放电流
IOUT
VDD=2.65V
700
指示电流
ILED
VDD=2.75V
5
VDD=2.8V,空载
mA
30
mA
■ 特性曲线
静态电流 VS 输入电压
输入电压与泄放电流
3
Shenzhen Bitwell Co,;Ltd TEL:0755-25587677 FAX:0755-25587858
http://www.bitwell.com.cn
超级电容充电保护
B W
6101
■ 封装信息
●
SOT23-5
4
Shenzhen Bitwell Co,;Ltd TEL:0755-25587677 FAX:0755-25587858
http://www.bitwell.com.cn
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