CT3904M
一、Features 产品特性
1AM
印字 marking:1AM
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大额定值
CHARACTERISTIC 特性参数
Symbol 符号
Rating 额定值
Unit 单位
Collector-Emitter Voltage
集电极-发射极电压
VCEO
40
Vdc
Collector-Base Voltage
集电极-基极电压
VCBO
60
Vdc
Emitter-Base Voltage
发射极-基极电压
VEBO
5
Vdc
Collector Current—Continuous
集电极电流-连续
IC
200
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS 热特性
CHARACTERISTIC 特性参数
Symbol 符号
Max 最大值
Unit 单位
Total Device Dissipation 总耗散功率
FR-5 Board(1)
(TA=25℃ 环境温度=25℃)
PD
225
mW
1.8
mW/℃
Derate above25℃
超过 25℃递减
Thermal Resistance Junction to Ambient 热阻
RJ A
556
℃/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA=25℃
总耗散功率 氧化铝衬底
PD
300
mW
2.4
mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 热阻
RJ A
417
℃/W
Junction and Storage Temperature结温和储存温度
T j,
Tstg
150,
-55 ~150
℃
Derate above25℃
超过 25℃递减
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为 25℃)
Symbol
Test Condition
Characteristic 特性参数
符号
测试条件
Collector Cutoff Current
集电极截止电流
Base Cutoff Current
基极截止电流
Min
最小值
Type
典型值
Max
最大值
Unit
单位
ICEX
VCE=30Vdc,
VEB=3.0 Vdc
—
—
50
nAdc
IBEX
VCE=30Vdc,
VEB=3.0Vdc
—
—
50
nAdc
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Collector-Emitter Breakdown
Voltage(3) 集电极-发射极击穿电压
Collector-Base Breakdown Voltage
集电极-基极击穿电压
Emitter-Base Breakdown Voltage
发射极-基极击穿电压
DC Current Gain
直流电流增益
CT3904M
V(BR)CEO
IC=1.0mAdc, IB=0
40
—
—
Vdc
V(BR)CBO
IC=10µAdc, IE=0
60
—
—
Vdc
V(BR)EBO
IE=10µAdc, IC=0
5
—
—
Vdc
IC=0.1mAdc,
VCE=1.0Vdc
40
—
—
IC=1.0mAdc,
VCE=1.0Vdc
70
—
—
10
0
—
300
60
—
—
IC=100mAdc,
VCE=1.0Vdc
30
—
—
IC=10mAdc,
IB=1.0 mAdc
—
—
0.2
IC=50mAdc,
IB=5.0mAdc
—
—
0.3
0.6
5
—
0.85
hFE
IC=10mAdc,
VCE=1.0Vdc
IC=50mAdc,
VCE=1.0Vdc
Collector-Emitter Saturation
Voltage(3)集电极发射极饱和压降
Base-Emitter Saturation Voltage
基极-发射极极饱和压降
Current-Gain-Bandwidth Product
电流增益-带宽乘积
Output Capacitance
输出电容
Input Capacitance
输入电容
Input Impedance
输入阻抗
Voltage Feedback Ratio
电压反馈系数
Small-Signal Current Gain
小信号电流增益
Output Admittance
输出导纳
Noise Figure 噪声系数
VCE(sat)
VBE(sat)
IC=10mAdc,
IB=1.0mAdc
—
Vdc
IC=50mAdc,
IB=5.0mAdc
Vdc
—
0.95
30
0
—
—
MHz
fT
Ic=10mAdc,
VCE=20Vdc,
f=100MHz
Cobo
VCB=5.0Vdc,IE=0,
f=1.0MHz
—
—
4.0
pF
Cibo
VEB=0.5Vdc,IC=0,
f=1.0MHz
—
—
8.0
pF
1.0
—
10
kΩ
0.5
—
8.0
×10-4
10
0
—
400
1.0
—
40
μmhos
—
—
5.0
dB
hie
VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz
hre
VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz
hfe
VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz
*hoe
VCE=10Vdc,
IC=1.0mAdc,
f=1.0KHz
NF
VCE=5.0Vdc,
IC=100μAdc,
f=1.0KHz
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CT3904M
SWITCHING CHARACTERISTICS 开关特性
1.
2.
3.
Delay Time 延迟时间
td
—
—
35
tr
VCC=3.0Vdc,VBE=-0.5Vdc,
IC=10mAdc,IB1=1.0mAdc
Rise Time 上升时间
—
—
35
Storage Time 储存时间
ts
tf
VCC=3.0Vdc,IC=10mAdc,
IB1=IB2=1.0mAdc
—
—
—
—
200
50
Fall Time 下降时间
FR-5=1.0×0.75×0.062in.
Alumina=0.4×0.3×0.024in, 99.5%alumina.
Pulse Width≤300µS;Duty Cycle≤2.0%.
nS
nS
Typical Characteristics
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二、SOT-23 外形尺寸(SOT-23 DIMENSION)
三、焊盘尺寸设计 SOT-23 Suggested Layout
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CT3904M
四、包装方式 Packings
封装形式
SOT-23
卷盘尺寸
7″
只/卷
内盒尺寸
卷盘/内盒
只/内盒
190X190X135㎜
10
30000
203X203X195㎜
15
45000
外箱尺寸
内盒/外箱
只/外箱
430 X 400 X 215㎜
6
180K
440 X 440 X 230㎜
4
180K
3000
入管
SOT-23 产品编带、包装图
SOT-23 带尾、带头空封数
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