CT8550M

CT8550M 一、Features 产品特性 Y2 印字 marking：Y2 MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大额定值 CHARACTERISTIC 特性参数 Rating 额定值 Unit 单位 Collector-Emitter Voltage 集电极-发射极电压 Symbol 符号 VCEO -25 Vdc Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 VCBO -40 Vdc Emitter-Base Voltage 发射极-基极电压 VEBO -5.0 Vdc Collector Current—Continuous 集电极电流-连续 IC -1500 mAdc CHARACTERISTIC 特性参数 Symbol 符号 Max 最大值 Unit 单位 Collector Power Dissipation 集电极耗散功率 Pc 300 mW Junction and Storage Temperature结温和储存温度 T j, Tstg 150， -55 ~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS 热特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Symbol Test Condition Characteristic 特性参数 符号 测试条件 Collector Cutoff Current VCB=-30V，IE=0 ICBO 集电极截止电流 Collector- Emitter Cutoff Current VCB=-20V，IE=0 ICEO 集电极-发射极截止电流 Emitter Cutoff Current VEB=-5V, IC=0 IEBO 发射极截止电流 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极-发射极击穿电压 Collector- Base Breakdown Voltage 集电极-基极击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 发射极-基极击穿电压 DC Current Gain 直流电流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极-发射极饱和压降 Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值 Unit 单位 — — -0.1 µA — — -0.1 µA — — -0.1 µA V(BR)CEO IC=-10mA -25 — — V V(BR)CBO IC=-100µA -40 — — V V(BR)EBO IE=-100µA -5 — — V hFE(1) VCE=-1V, IC=-100mA 200 — 350 hFE(2) VCE=-1V, IC=-1.2A 40 — — — — -0.6 V -100 -0.8 -1.2 V — 120 — MHZ VCE（sat） Base Emitter Voltage 基极发射极电压 VBE Transition Frequency 特微频率 fT IC=-1.2A,IB=-120mA VCE=-1V, IC=-10mA VCE=-5V,IC=-10mA www.coretong.com — 1/5 CT8550M Collector Output Capacitance 输出电容 Vob VCB=-10V,IE=0, f=1MHZ — 13 30 pF Typical Performance Characteristics www.coretong.com 2/5 CT8550M 二、SOT-23 外形尺寸（SOT-23 DIMENSION） www.coretong.com 3/5 CT8550M 三、焊盘尺寸设计 SOT-23 Suggested Layout 单位：mm 公差：±0.05mm 四、包装方式 Packings 封装形式 SOT-23 卷盘尺寸 7″ 只/卷 内盒尺寸 卷盘/内盒 只/内盒 外箱尺寸 内盒/外箱 只/外箱 190X190X135㎜ 10 30000 430 X 400 X 215㎜ 6 180K 203X203X195㎜ 15 45000 440 X 440 X 230㎜ 4 180K 3000 www.coretong.com 4/5 CT8550M 入管 SOT-23 产品编带、包装图 SOT-23 带尾、带头空封数 www.coretong.com 5/5