SH367309
5-16串锂电池BMS用前端芯片
Preliminary
1. 特点
硬件保护功能
- 过充电保护功能
- 过放电保护功能
- 充电高温保护功能
- 充电低温保护功能
- 放电高温保护功能
- 放电低温保护功能
- 充放电过流保护功能
- 短路保护功能
- 二次过充电保护功能
- 断线保护功能
内置平衡开关
禁止低压电芯充电功能
小电流检测功能
支持乱序上下电
内置看门狗模块
模式设计
- 采集模式(SH367309配合MCU应用)
- 保护模式(SH367309独立应用)
- 仓运模式
- 烧写模式
13-bit VADC用于采集电压/温度/电流
- 转换频率：10Hz
- 16路电压采集通道
- 1路电流采集通道
- 3路温度采集通道
16-bit Ʃ- ∆CADC用于采集电流
- 转换频率：4Hz
内置EEPROM
- 编程/擦除次数：≤100次
稳压电源
- 3.3V(25mA@MAX)
MOSFET驱动：电池组负端NMOS驱动
CTL管脚：优先控制充放电MOSFET关闭
TWI通讯接口：支持CRC8校验
低功耗设计：
- IDLE状态
- SLEEP状态
- Powerdown状态
封装
- TQFP48
2. 概述
SH367309是锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。
SH367309工作在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短
路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。
SH367309工作在采集模式下，可配合MCU管理锂电池Pack，同时使能所有保护功能。
SH367309内置VADC，用于采集电芯电压、温度以及电流；内置CADC采集电流，用于统计Pack剩余容量；内置EEPROM，
用于保存保护阈值及延时等可调参数；内置TWI通讯接口，用于操作相关寄存器及EEPROM。
1
V0.9A
Preliminary
SH367309
LDO_P
LDO_O
CAPS
CAPN
CAPP
V11
VCC
SHIP
LDO_EN
MODE
3. 方框图
VBAT
Power module
LDO1/2
LDO3
WatchDog
VSS
RC
T1
Temperature
module
VC16
Channels
MUX
VC17
T2
T3
VPRO
VADC
EEPROM
SCL
Level shift&
Balance module
TWI
module
Logic Module
SDA
Registers
CADC
ALARM
VC2
PF
VC1
Charger&Load
Detection
CHGD
DSGD
OC module
CTL
DSG
CHG
PCHG
RS2
RS1
MOS Driver
module
图1 SH367309系统方框图
2
V0.9A
Preliminary
SH367309
ALARM
SCL
SDA
VCC
VSS
CAPS
CAPN
CAPP
V11
DSG
PCHG
CHG
4. 管脚配置图
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
LDO_P
37
LDO_O
NC
24
NC
38
23
NC
39
22
T3
VPRO
40
21
T2
DSGD
41
20
T1
CHGD
42
19
RS2
SH367309
46
15
VC3
PF
47
14
VC4
VBAT
48
13
VC5
4
5
6
7
8
9 10 11 12
VC6
3
VC7
2
VC8
1
VC9
CTL
VC10
VC2
VC11
16
VC12
45
VC13
VC1
MODE
VC14
RS1
17
VC15
18
44
VC16
43
LDO_EN
VC17
SHIP
图2 SH367309管脚配置图(TQFP48)
3
V0.9A
Preliminary
SH367309
5. 管脚描述
管脚号
管脚名
I/O
功能描述
1-17
VC17~VC1
I
电芯连接端(VC17为最高压电芯的正端，VC1为最低压电芯的负端)
18
RS1
I
电流采集端负端
19
RS2
I
电流采集端正端
20~22
T1~T3
I
温度电阻连接端
23
NC
-
不连接端
24
NC
-
不连接端
25
ALARM
O
对外通讯端(开漏输出)
26
SCL
I
TWI时钟信号线(开漏输出)
27
SDA
I/O
TWI数据信号线(开漏输出)
28
VCC
O
3.3V稳压源输出端
29
VSS
P
芯片供电负端
30
CAPS
I/O
DCDC转换控制端
31
CAPN
I/O
DCDC转换控制端
32
CAPP
I/O
DCDC转换控制端
33
V11
O
11V稳压源输出端
34
DSG
O
放电MOSFET控制端
35
PCHG
O
预充电MOSFET控制端(开漏输出)
36
CHG
O
充电MOSFET控制端(开漏输出)
37
LDO_P
P
LDO3供电正端
38
LDO_O
O
LDO3稳压源输出端
39
NC
-
不连接端
40
VPRO
P
EEPROM烧写供电端
41
DSGD
I
负载检测端
42
CHGD
I
充电器检测端
43
SHIP
I
仓运模式控制端
44
LDO_EN
I
LDO3使能控制端
45
MODE
I
模式切换控制端
46
CTL
I
充放电MOSFET优先控制端
47
PF
O
二次过充电过充电保护输出端
48
VBAT
P
芯片供电正端
表1 管脚描述(共计48管脚)
4
V0.9A
Preliminary
SH367309
6. 典型应用电路
6.1 保护模式16串同口应用
图3 SH367309 16串同口应用
5
V0.9A
Preliminary
SH367309
6.2 保护模式16串半分口应用
图4 SH367309 16串半分口应用
6
V0.9A
Preliminary
SH367309
6.3 保护模式带平衡16串半分口应用
图5 SH367309 16串半分口及外部平衡应用
7
V0.9A
Preliminary
SH367309
6.4 保护模式16串全分口应用
图6 SH367309 16串全分口应用
8
V0.9A
Preliminary
SH367309
6.5 保护模式10串全分口应用
图7 SH367309 10串全分口应用
9
V0.9A
Preliminary
SH367309
6.6 采集模式16串半分口应用
图8 SH367309 16串半分口应用
10
V0.9A
Preliminary
SH367309
7. 工作模式
7.1 概述
SH367309支持四种工作模式：保护模式、采集模式、仓运模式、烧写模式。
保护模式
VPRO管脚
SHIP 管脚
接入高压
接入低电平
MODE 管脚
输入低电平
VPRO管脚
移除高压
烧写模式
SHIP 管脚
输入高电平
复位状态
仓运模式
MODE 管脚
输入高电平
VPRO管脚
SHIP 管脚
接入高压
接入低电平
采集模式
图9 工作模式转换
保护模式
Powerdown
正常状态
状态
功能/模块
正常状态
采集模式
IDLE
状态
SLEEP
状态
仓运
模式
过充电/过放电/温度保护
功能
√
X
√
X
X
X
电流保护功能
√
X
√
√
X
X
二次过充电保护功能
√
X
√
X
X
X
平衡功能
√
X
√
X
X
X
VADC
√
X
√
X
X
X
CADC
X
X
√
X
X
X
TWI
X
X
√
√
X
X
√
√
√
√
√
X
X
X
X
√
√
X
充放电电流检测
X
X
X
√
X
X
看门狗WDT
X
X
√
O
X
X
LDO1，LDO2
√
X
√
√
√
X
X
X
√
√
√
X
＜55
＜5
＜105
＜50
＜45
＜2
充电器检测
STA检测
LDO3
功耗（uA）
表2 功能模式列表
注释：功耗测试条件见AC/DC部分。
注释：“√”表示功能开启；“X”表示功能关闭；“O”表示该功能维持进入IDLE之前的状态。
注释：采集模式下，CADC和WDT上电默认关闭，需要MCU通过TWI通讯模块对SH367309内部寄存器进行操作置位。
STA检测定义为系统内部检测电路（TWI通讯的起始信号），主要用于采集模式低功耗唤醒使用。其中，充放电电流检测电压
阈值为VCD，如果超过VCD，且维持充放电电流检测延时tCD以上，则置位WAKE_FLG，产生ALARM中断。LDO3可通过LDO_EN
管脚控制，LDO_EN为VL-LDO_EN时， LDO3关闭，LDO_EN为VH-LDO_EN时， LDO3开启。
11
V0.9A
Preliminary
SH367309
7.2 保护模式
MODE管脚外接低电平VL-MODE，SH367309工作在保护模式。
7.2.1 正常工作状态
SH367309开启内置保护功能模块，开启平衡功能，关闭看门狗和TWI通讯模块。
7.2.2 Powerdown状态
当满足以下条件，SH367309进入Powerdown状态，关闭充放电MOSFET：
(1) 任意节电芯电压低于Powerdown允许电压VPD
(2) 状态(1)持续时间超过Powerdown允许延时TPD
当满足以下条件，SH367309退出Powerdown状态：
(1) 连接充电器(检测到CHGD管脚电平低于VCHGD3)
注释：当充电器连接时，不能进入Powerdown状态；退出PowerDown状态后，SH367309产生硬件复位。
7.3 采集模式
MODE管脚外接高电平VH-MODE，SH367309工作在采集模式。
7.3.1 正常状态
SH367309开启内置保护功能模块，开启TWI通讯模块，MCU可通过TWI通讯模块操作SH367309内部寄存器。
7.3.2 IDLE状态
当满足以下条件，SH367309进入IDLE状态：
(1) 未发生任何保护，也未触发任何保护延时
(2) 检测Sense电阻两端(RS2-RS1)电压大于充电电流检测阈值VCD2且(RS2-RS1)电压小于放电电流检测阈值VCD1
(3) 寄存器CONF中的IDLE位置1
注释：保护状态包括过充电保护、过放电保护、二次过充电保护、短路保护、充电过流保护、放电过流1保护、放电过流2
保护、放电高温保护、放电低温保护、充电高温保护、充电低温保护、预充电状态、禁止低压充电状态，并不包括看门狗保护
及CTL管脚关充放电MOSFET情况。
SH367309进入IDLE状态后，执行以下操作：
(1) 关闭VADC、CADC、TWI模块，同时关闭电压和温度相关的保护功能
(2) 清零BALANCEH和BALANCEL寄存器
(3) 开启STA检测和充放电电流检测模块
当满足以下任一条件，SH367309退出IDLE状态：
(1) 检测到STA信号（TWI通讯的起始信号）
(2) 检测Sense电阻两端(RS2-RS1)电压小于充电电流检测阈值VCD2或电压大于放电电流检测阈值VCD1，且持续时间超过充
放电电流检测延时tCD
方式(2)退出IDLE状态时，SH367309通过ALARM管脚输出低电平脉冲通知MCU。
7.3.3 SLEEP状态
当满足以下条件，SH367309进入SLEEP状态：
(1) 寄存器CONF中的SLEEP位置1
SH367309进入SLEEP状态后，执行以下操作：
(1) 关闭充放电MOSFET，关闭VADC、CADC、TWI和WDT模块，同时关闭所有保护功能
(2) 清零BALANCEH和BALANCEL寄存器
(3) 开启STA检测
(4) 开启充电器检测
当满足以下任一条件，SH367309退出SLEEP状态：
(1) 检测到STA信号（TWI通讯的起始信号）
(2) 连接充电器(检测到CHGD管脚电平低于VCHGD1，且延时超过tD3)
方式(2)退出SLEEP状态时，SH367309通过ALARM管脚输出低电平脉冲通知MCU。
注释：当连接充电器时，寄存器CONF中的SLEEP位置1，SH367309会先进入SLEEP状态再退出。
12
V0.9A
Preliminary
SH367309
7.4 仓运模式
SHIP管脚外接低电平VL-SHIP，SH367309进入仓运模式：
(1) 关闭充放电MOSFET，同时关闭所有功能模块
(2) 连接充电器无任何动作
当SH367309处于仓运模式，只有SHIP管脚外接高电平VH-SHIP，才可退出仓运模式，产生硬件复位。
7.5 烧写模式
VPRO管脚外接EEPROM烧写电压VPRO，且延时10mS，SH367309进入烧写模式，关闭充放电MOSFET及内置保护功能模
块。此时其他设备可通过TWI接口读/写内置EEPROM，且内置EEPROM仅在烧写模式下方可进行写操作。
7.6 WarmUp
7.6.1 硬件复位
硬件复位方式包括上电复位、LVR复位、退出仓运模式以及退出PowerDown状态。
发生上电复位、退出仓运模式以及退出PowerDown状态后：
(1) LDO_EN管脚外接高电平VH-LDO_EN，SH367309进入待激活状态，关闭充放电MOSFET和TWI通讯模块
(2) LDO_EN管脚外接低电平VL-LDO_EN，SH367309进入WarmUp状态
系统处于方式(1)时，需满足以下条件才可退出待激活状态,，进入WarmUp状态：
(1) 连接充电器(CHGD管脚电平低于VCHGD1)
(2) 状态(1)持续时间超过tD3
发生LVR复位后，SH367309直接进入WarmUp状态。
WarmUp状态持续时间为TWARMUP，期间关闭充放电MOSFET，禁止TWI通讯，WarmUp结束后，系统开始正常工作。
7.6.2 软件复位
SH367309工作在采集模式，当TWI模块接收到MCU发送的软件复位指令后，发生软件复位，进入WarmUp状态。
注释：WarmUp结束后，8分钟内不检测断线和二次过充电保护状态。
硬件复位
待激活状态?
Y
N
N
充电器是否连接?
Y
系统WarmUp
工作模式
图10 上电时序图
13
V0.9A
Preliminary
SH367309
8. 保护功能
8.1 概述
工作在保护模式或者采集模式下，SH367309内置完备的锂电池保护功能。
8.2 过充电保护
同时满足下述条件时，SH367309进入过充电保护状态：
(1) 任意电芯电压高于过充电保护电压VOV
(2) 状态(1)持续时间超过过充电保护延时tOV
SH367309处于过充电保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭充电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中OV状态位置1
(3) BFLAG1寄存器中OV_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出过充电保护状态：
(1) 所有电芯电压均低于过充电恢复电压VOVR
(2) 状态(1)持续时间超过过充电保护恢复延时tOVR
SH367309退出过充电保护状态时，执行下述动作：
(1) 开启充电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中OV状态位置0
注释：VOV、VOVR、tOV可以在相应的EEPROM寄存器中设置。
Table 8.1 系统状态RAM寄存器BSTATUS1
43H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS1
WDT
PF
SC
OCC
OCD2
OCD1
UV
OV
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit2
Bit1
Bit0
UV_FLG
OV_FLG
Bit Number
Bit Mnemonic
0
OV
Description
过充电保护状态位
1：发生过充电保护
0：未发生过充电保护
Table 8.2 系统标志RAM寄存器BFLAG1
70H
Bit7
Bit6
Bit5
BFLAG1
WDT_FLG
PF_FLG
SC_FLG
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
0
OV_FLG
Bit4
Bit3
OCC_FLG LOAD_FLG OCD_FLG
Description
过充电保护标志位
1：发生过过充电保护
0：未发生过过充电保护
14
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.3 过充电保护设置EEPROM寄存器
02H，03H
OVH
OVL
读/写
第7位
第6位
第5位
第4位
OVT3
OV.7
读/写
OVT2
OV.6
读/写
OVT1
OV.5
读/写
OVT0
OV.4
读/写
位编号
位符号
7:4
OVT3~OVT0
1:0
7:0
OV.9~OV.0
第3位
LDRT1
OV.3
读/写
第2位
LDRT0
OV.2
读/写
第1位
OV.9
OV.1
读/写
第0位
OV.8
OV.0
读/写
第1位
OVR.9
OVR.1
读/写
第0位
OVR.8
OVR.0
读/写
说明
过充电保护延时设置控制位
OVT[3:0] = 0000：过充电保护延时 = 100mS
OVT[3:0] = 0001：过充电保护延时 = 200mS
OVT[3:0] = 0010：过充电保护延时 = 300mS
OVT[3:0] = 0011：过充电保护延时 = 400mS
OVT[3:0] = 0100：过充电保护延时 = 600mS
OVT[3:0] = 0101：过充电保护延时 = 800mS
OVT[3:0] = 0110：过充电保护延时 = 1S
OVT[3:0] = 0111：过充电保护延时 = 2S
OVT[3:0] = 1000：过充电保护延时 = 3S
OVT[3:0] = 1001：过充电保护延时 = 4S
OVT[3:0] = 1010：过充电保护延时 = 6S
OVT[3:0] = 1011：过充电保护延时 = 8S
OVT[3:0] = 1100：过充电保护延时 = 10S
OVT[3:0] = 1101：过充电保护延时 = 20S
OVT[3:0] = 1110：过充电保护延时 = 30S
OVT[3:0] = 1111：过充电保护延时 = 40S
过充电保护电压，计算方式：VOV =寄存器值×5mV
Table 8.4 过充电恢复设置EEPROM寄存器
04H，05H
OVRH
OVRL
读/写
第7位
第6位
第5位
第4位
UVT3
OVR.7
读/写
UVT2
OVR.6
读/写
UVT1
OVR.5
读/写
UVT0
OVR.4
读/写
位编号
位符号
3:2
-
1:0
7:0
OVR.9~OVR.0
第3位
OVR.3
读/写
第2位
OVR.2
读/写
说明
Reserved
过充电恢复电压，计算方式：VOVR=寄存器值×5mV(VOVR＜ VOV)
8.3 过放电保护
同时满足下述条件时，SH367309进入过放电保护状态：
(1) 任意电芯电压低于过放电保护电压VUV
(2) 状态(1)持续时间超过过放电保护延时tUV
SH367309处于过放电保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭放电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中UV状态位置1
(3) BFLAG1寄存器中UV_FLG标志位置1
15
V0.9A
Preliminary
SH367309
EUVR=0，同时满足下述条件时，SH367309退出过放电保护状态：
(1) 所有电芯电压均高于过放电恢复电压VUVR
(2) 状态(1)持续时间超过过放电保护恢复延时tUVR
EUVR=1，同时满足下述条件时，SH367309退出过放电保护状态：
(1) 所有电芯电压均高于过放电恢复电压VUVR
(2) 状态(1)持续时间超过过放电保护恢复延时tUVR
(3) 负载断开 (DSGD管脚电平低于VDSGD)
SH367309退出过放电保护状态时，执行下述动作：
(1) 开启放电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中UV状态位置0
SH367309允许通过UV_OP位设置过放电保护后是否关闭充电MOSFET：
(1) UV_OP=1，过放电保护后，关闭充放电MOSFET，此时连接充电器(CHGD管脚电平低于VCHGD1)，延时100mS开启充
电MOSFET
(2) UV_OP=0，过放电保护后，关闭放电MOSFET
注释：VUV、VUVR、tUV可以在相应的EEPROM寄存器中设置。
Table 8.5 系统配置EEPROM寄存器2
01H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
5
UV_OP
0
EUVR
说明
过放电时MOSFET控制位
0：过放电只关闭放电MOSFET
1：过放电关闭充放电MOSFET
过放电恢复设置控制位
0：过放电保护状态释放与负载释放无关
1：过放电保护状态释放还需负载释放
Table 8.6 系统状态寄存器BSTATUS1
43H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS1
WDT
PF
SC
OCC
OCD2
OCD1
UV
OV
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
1
UV
Description
过放电保护状态位
1：发生过放电保护
0：未发生过放电保护
16
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.7 系统标志寄存器BFLAG1
70H
Bit7
Bit6
Bit5
BFLAG1
WDT_FLG
PF_FLG
SC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
复位值
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
1
UV_FLG
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
UV_FLG
OV_FLG
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
0
0
0
OCC_FLG LOAD_FLG OCD_FLG
Description
过放电保护标志位
1：发生过过放电保护
0：未发生过过放电保护
Table 8.8 过充电恢复电压/过放电保护延时设置寄存器
04H，05H
OVRH
OVRL
读/写
第7位
第6位
第5位
第4位
UVT3
OVR.7
读/写
UVT2
OVR.6
读/写
UVT1
OVR.5
读/写
UVT0
OVR.4
读/写
位编号
位符号
7:4
UVT3~UVT0
第3位
OVR.3
读/写
第2位
OVR.2
读/写
第1位
OVR.9
OVR.1
读/写
第0位
OVR.8
OVR.0
读/写
第1位
UV.1
读/写
第0位
UV.0
读/写
说明
过放电保护延时设置控制位
UVT[3:0] = 0000：过放电保护延时 = 100mS
UVT[3:0] = 0001：过放电保护延时 = 200mS
UVT[3:0] = 0010：过放电保护延时 = 300mS
UVT[3:0] = 0011：过放电保护延时 = 400mS
UVT[3:0] = 0100：过放电保护延时 = 600mS
UVT[3:0] = 0101：过放电保护延时 = 800mS
UVT[3:0] = 0110：过放电保护延时 = 1S
UVT[3:0] = 0111：过放电保护延时 = 2S
UVT[3:0] = 1000：过放电保护延时 = 3S
UVT[3:0] = 1001：过放电保护延时 = 4S
UVT[3:0] = 1010：过放电保护延时 = 6S
UVT[3:0] = 1011：过放电保护延时 = 8S
UVT[3:0] = 1100：过放电保护延时 = 10S
UVT[3:0] = 1101：过放电保护延时 = 20S
UVT[3:0] = 1110：过放电保护延时 = 30S
UVT[3:0] = 1111：过放电保护延时 = 40S
Table 8.9 过放电保护电压设置寄存器
06H
UV
读/写
第7位
UV.7
读/写
第6位
UV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
UV.7~ UV.0
第5位
UV.5
读/写
第4位
UV.4
读/写
第3位
UV.3
读/写
第2位
UV.2
读/写
说明
过放电保护电压，计算方式：VUV =寄存器值×20mV
17
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.10 过放电恢复电压设置寄存器
07H
UVR
读/写
第7位
UVR.7
读/写
第6位
UVR.6
读/写
位编号
位符号
7:0
UVR.7~UVR.0
第5位
UVR.5
读/写
第4位
UVR.4
读/写
第3位
UVR.3
读/写
第2位
UVR.2
读/写
第1位
UVR.1
读/写
第0位
UVR.0
读/写
说明
过放电恢复电压，计算方式：VUVR =寄存器值×20mV(VUVR > VUV)
8.4 电流保护
SH367309内置三档放电过流保护以及一档充电过流保护，统称为电流保护。放电过流1保护和放电过流2保护的操作方法和
执行动作一致，故以放电过流保护1为例介绍。
8.4.1 放电过流1保护
同时满足下述条件时，SH367309进入放电过流1保护状态：
(1) RS2-RS1的电压值大于VDOC1
(2) 状态(1)持续时间超过放电过流1保护延时tDOC1
SH367309处于放电过流1保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭放电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中OCD1状态位置1
(3) BFLAG1寄存器中OCD_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出放电过流1保护状态：
(1) 负载断开 (DSGD管脚电平低于VDSGD)
(2) 状态(1)持续时间超过负载释放延时tD1
8.4.2 短路保护
同时满足下述条件时，SH367309进入短路保护状态：
(1) RS2-RS1的电压值大于VDOC3
(2)状态(1)持续时间超过放电过流3保护延时tDOC3
SH367309处于短路保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭放电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中SC状态位置1
(3) BFLAG1寄存器中SC_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出短路保护状态：
(1) 负载断开 (DSGD管脚电平低于VDSGD)
(2) 状态(1)持续时间超过负载释放延时tD1
8.4.3 充电过流保护
同时满足下述条件时，SH367309进入充电过流保护状态：
(1) RS2-RS1的电压值小于VCOC
(2)状态(1)持续时间超过充电过流保护延时tCOC
SH367309处于充电过流保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭充电MOSFET
(2) BSTATUS1寄存器中OCC状态位置1
(3) BFLAG1寄存器中OCC_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出充电过流保护状态：
(1) 充电器断开 (CHGD管脚电平高于VCHGD2)
(2) 状态(1)持续时间超过延时tD2
注释：VDOC1、tDOC1、VDOC2、tDOC2、VDOC3、tDOC3、VCOC以及tCOC可在EEPROM内设置。
18
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.11 系统状态寄存器BSTATUS1
43H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS1
WDT
PF
SC
OCC
OCD2
OCD1
UV
OV
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit2
Bit1
Bit0
UV_FLG
OV_FLG
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
5
SC
4
OCC
充电过流保护状态位
1：发生充电过流保护
0：未发生充电过流保护
3
OCD2
放电过流2保护状态位
1：发生放电过流2保护
0：未发生放电过流2保护
2
OCD1
放电过流1保护状态位
1：发生放电过流1保护
0：未发生放电过流1保护
短路保护状态位
1：发生短路保护
0：未发生短路保护
Table 8.12 系统标志寄存器BFLAG1
70H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
BFLAG1
WDT_FLG
PF_FLG
SC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
OCC_FLG LOAD_FLG OCD_FLG
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
5
SC_FLG
4
OCC_FLG
充电过流保护标志位
1：发生过充电过流保护
0：未发生过充电过流保护
2
OCD_FLG
放电过流保护标志位
1：发生过放电过流保护
0：未发生过放电过流保护
短路保护标志位
1：发生过短路保护
0：未发生过短路保护
19
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.13 放电过流1设置寄存器
0CH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCD1V/OCD1T
OCD1V3
OCD1V2
OCD1V1
OCD1V0
OCD1T3
OCD1T.2
OCD1T.1
OCD1T.0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
放电过流1保护电压设置控制位
OCD1V[3:0] = 0000：放电过流1保护电压 = 20mV
OCD1V[3:0] = 0001：放电过流1保护电压 = 30mV
OCD1V[3:0] = 0010：放电过流1保护电压 = 40mV
OCD1V[3:0] = 0011：放电过流1保护电压 = 50mV
OCD1V[3:0] = 0100：放电过流1保护电压 = 60mV
OCD1V[3:0] = 0101：放电过流1保护电压 = 70mV
OCD1V[3:0] = 0110：放电过流1保护电压 = 80mV
OCD1V3~
7:4
OCD1V[3:0] = 0111：放电过流1保护电压 = 90mV
OCD1V0
OCD1V[3:0] = 1000：放电过流1保护电压 = 100mV
OCD1V[3:0] = 1001：放电过流1保护电压 = 110mV
OCD1V[3:0] = 1010：放电过流1保护电压 = 120mV
OCD1V[3:0] = 1011：放电过流1保护电压 = 130mV
OCD1V[3:0] = 1100：放电过流1保护电压 = 140mV
OCD1V[3:0] = 1101：放电过流1保护电压 = 160mV
OCD1V[3:0] = 1110：放电过流1保护电压 = 180mV
OCD1V[3:0] = 1111：放电过流1保护电压 = 200mV
放电过流1保护延时设置控制位
OCD1T[3:0] = 0000：放电过流1保护延时 = 50mS
OCD1T[3:0] = 0001：放电过流1保护延时 = 100mS
OCD1T[3:0] = 0010：放电过流1保护延时 = 200mS
OCD1T[3:0] = 0011：放电过流1保护延时 = 400mS
OCD1T[3:0] = 0100：放电过流1保护延时 = 600mS
OCD1T[3:0] = 0101：放电过流1保护延时 = 800mS
OCD1T[3:0] = 0110：放电过流1保护延时 = 1S
OCD1T3~
3:0
OCD1T[3:0] = 0111：放电过流1保护延时 = 2S
OCD1T0
OCD1T[3:0] = 1000：放电过流1保护延时 = 4S
OCD1T[3:0] = 1001：放电过流1保护延时 = 6S
OCD1T[3:0] = 1010：放电过流1保护延时 = 8S
OCD1T[3:0] = 1011：放电过流1保护延时 = 10S
OCD1T[3:0] = 1100：放电过流1保护延时 = 15S
OCD1T[3:0] = 1101：放电过流1保护延时 = 20S
OCD1T[3:0] = 1110：放电过流1保护延时 = 30S
OCD1T[3:0] = 1111：放电过流1保护延时 = 40S
注释：放电过流1保护电压值为VRS2-VRS1。
20
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.14 放电过流2设置寄存器
0DH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCD2V/OCD2T
OCD2V3
OCD2V2
OCD2V1
OCD2V0
OCD2T3
OCD2T2
OCD2T1
OCD2T0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
放电过流2保护电压设置控制位
OCD2V[3:0] = 0000：放电过流2保护电压 = 30mV
OCD2V[3:0] = 0001：放电过流2保护电压 = 40mV
OCD2V[3:0] = 0010：放电过流2保护电压 = 50mV
OCD2V[3:0] = 0011：放电过流2保护电压 = 60mV
OCD2V[3:0] = 0100：放电过流2保护电压 = 70mV
OCD2V[3:0] = 0101：放电过流2保护电压 = 80mV
OCD2V[3:0] = 0110：放电过流2保护电压 = 90mV
OCD2V3~
7:4
OCD2V[3:0] = 0111：放电过流2保护电压 = 100mV
OCD2V0
OCD2V[3:0] = 1000：放电过流2保护电压 = 120mV
OCD2V[3:0] = 1001：放电过流2保护电压 = 140mV
OCD2V[3:0] = 1010：放电过流2保护电压 = 160mV
OCD2V[3:0] = 1011：放电过流2保护电压 = 180mV
OCD2V[3:0] = 1100：放电过流2保护电压 = 200mV
OCD2V[3:0] = 1101：放电过流2保护电压 = 300mV
OCD2V[3:0] = 1110：放电过流2保护电压 = 400mV
OCD2V[3:0] = 1111：放电过流2保护电压 = 500mV
放电过流2保护延时设置控制位
OCD2T[3:0] = 0000：放电过流2保护延时 = 10mS
OCD2T[3:0] = 0001：放电过流2保护延时 = 20mS
OCD2T[3:0] = 0010：放电过流2保护延时 = 40mS
OCD2T[3:0] = 0011：放电过流2保护延时 = 60mS
OCD2T[3:0] = 0100：放电过流2保护延时 = 80mS
OCD2T[3:0] = 0101：放电过流2保护延时 = 100mS
OCD2T[3:0] = 0110：放电过流2保护延时 = 200mS
OCD2T3~
3:0
OCD2T[3:0] = 0111：放电过流2保护延时 = 400mS
OCD2T0
OCD2T[3:0] = 1000：放电过流2保护延时 = 600mS
OCD2T[3:0] = 1001：放电过流2保护延时 = 800mS
OCD2T[3:0] = 1010：放电过流2保护延时 = 1S
OCD2T[3:0] = 1011：放电过流2保护延时 = 2S
OCD2T[3:0] = 1100：放电过流2保护延时 = 4S
OCD2T[3:0] = 1101：放电过流2保护延时 = 8S
OCD2T[3:0] = 1110：放电过流2保护延时 = 10S
OCD2T[3:0] = 1111：放电过流2保护延时 = 20S
注释：放电过流2保护电压值为VRS2-VRS1。
21
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.15 短路保护设置寄存器
0EH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCV/SCT
SCV3
SCV2
SCV1
SCV0
SCT3
SCT2
SCT1
SCT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
7:4
SCV3~
SCV0
3:0
SCT3~
SCT0
说明
短路保护保护电压设置控制位
SCV[3:0] = 0000：短路保护电压 = 50mV
SCV[3:0] = 0001：短路保护电压 = 80mV
SCV[3:0] = 0010：短路保护电压 = 110mV
SCV[3:0] = 0011：短路保护电压 = 140mV
SCV[3:0] = 0100：短路保护电压 = 170mV
SCV[3:0] = 0101：短路保护电压 = 200mV
SCV[3:0] = 0110：短路保护电压 = 230mV
SCV[3:0] = 0111：短路保护电压 = 260mV
SCV[3:0] = 1000：短路保护电压 = 290mV
SCV[3:0] = 1001：短路保护电压 = 320mV
SCV[3:0] = 1010：短路保护电压 = 350mV
SCV[3:0] = 1011：短路保护电压 = 400mV
SCV[3:0] = 1100：短路保护电压 = 500mV
SCV[3:0] = 1101：短路保护电压 = 600mV
SCV[3:0] = 1110：短路保护电压 = 800mV
SCV[3:0] = 1111：短路保护电压 = 1000mV
短路保护延时设置控制位
SCT[3:0] = 0000：短路保护延时 = 0uS
SCT[3:0] = 0001：短路保护延时 = 64uS
SCT[3:0] = 0010：短路保护延时 = 128uS
SCT[3:0] = 0011：短路保护延时 = 192uS
SCT[3:0] = 0100：短路保护延时 = 256uS
SCT[3:0] = 0101：短路保护延时 = 320uS
SCT[3:0] = 0110：短路保护延时 = 384uS
SCT[3:0] = 0111：短路保护延时 = 448uS
SCT[3:0] = 1000：短路保护延时 = 512uS
SCT[3:0] = 1001：短路保护延时 = 576uS
SCT[3:0] = 1010：短路保护延时 = 640uS
SCT[3:0] = 1011：短路保护延时 = 704uS
SCT[3:0] = 1100：短路保护延时 = 768uS
SCT[3:0] = 1101：短路保护延时 = 832uS
SCT[3:0] = 1110：短路保护延时 = 896uS
SCT[3:0] = 1111：短路保护延时 = 960uS
注释：短路保护电压值为VRS2-VRS1。
注释：短路保护延时仅指内部电路检测延时，如果Sense电阻两端有RC滤波网络，则会因此引入一定延时（＜100uS）。
22
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.16 充电过流设置寄存器
0FH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCCV/OCCT
OCCV3
OCCV2
OCCV1
OCCV0
OCCT3
OCCT2
OCCT1
OCCT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
充电过流保护电压设置控制位
OCCV[3:0] = 0000：充电过流保护电压 = 20mV
OCCV[3:0] = 0001：充电过流保护电压 = 30mV
OCCV[3:0] = 0010：充电过流保护电压 = 40mV
OCCV[3:0] = 0011：充电过流保护电压 = 50mV
OCCV[3:0] = 0100：充电过流保护电压 = 60mV
OCCV[3:0] = 0101：充电过流保护电压 = 70mV
OCCV[3:0] = 0110：充电过流保护电压 = 80mV
OCCV3~
7:4
OCCV[3:0] = 0111：充电过流保护电压 = 90mV
OCCV0
OCCV[3:0] = 1000：充电过流保护电压 = 100mV
OCCV[3:0] = 1001：充电过流保护电压 = 110mV
OCCV[3:0] = 1010：充电过流保护电压 = 120mV
OCCV[3:0] = 1011：充电过流保护电压 = 130mV
OCCV[3:0] = 1100：充电过流保护电压 = 140mV
OCCV[3:0] = 1101：充电过流保护电压 = 160mV
OCCV[3:0] = 1110：充电过流保护电压 = 180mV
OCCV[3:0] = 1111：充电过流保护电压 = 200mV
充电过流保护延时设置控制位
OCCT[3:0] = 0000：充电过流保护延时 = 10mS
OCCT[3:0] = 0001：充电过流保护延时 = 20mS
OCCT[3:0] = 0010：充电过流保护延时 = 40mS
OCCT[3:0] = 0011：充电过流保护延时 = 60mS
OCCT[3:0] = 0100：充电过流保护延时 = 80mS
OCCT[3:0] = 0101：充电过流保护延时 = 100mS
OCCT[3:0] = 0110：充电过流保护延时 = 200mS
OCCT3~
3:0
OCCT[3:0] = 0111：充电过流保护延时 = 400mS
OCCT0
OCCT[3:0] = 1000：充电过流保护延时 = 600mS
OCCT[3:0] = 1001：充电过流保护延时 = 800mS
OCCT[3:0] = 1010：充电过流保护延时 = 1S
OCCT[3:0] = 1011：充电过流保护延时 = 2S
OCCT[3:0] = 1100：充电过流保护延时 = 4S
OCCT[3:0] = 1101：充电过流保护延时 = 8S
OCCT[3:0] = 1110：充电过流保护延时 = 10S
OCCT[3:0] = 1111：充电过流保护延时 = 20S
注释：充电过流1保护电压值为VRS1-VRS2。
23
V0.9A
Preliminary
SH367309
8.4.4 电流保护特殊设置
8.4.4.1 电流保护自恢复设置
EEPROM寄存器SCONF2中OCRA位可设置是否允许电流保护自动恢复。
Table 8.17 系统配置寄存器2
01H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
电流恢复设置控制位
0：不允许电流保护定时恢复
1：允许电流保护定时恢复
当寄存器SCONF2中OCRA=1时，此时电流保护恢复条件为下述任意之一：
1
OCRA
(1) 放电过流保护发生后，负载释放且延时超过负载释放延时tD1
(2) 充电过流保护发生后，充电器断开且延时超过tD2
(3) 电流保护后持续时间超过电流保护自恢复延时tAUTO
Table 8.18 电流保护自动恢复/二次过充电保护延时设置寄存器
10H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
MOST/OCRT/PFT
CHS1
CHS0
MOST1
MOST0
OCRT1
OCRT0
PFT1
PFT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
1)
位编号
3:2
位符号
OCRT1~OCRT0
说明
电流保护自恢复延时设置
OCRT[1:0] = 00：电流保护自动恢复延时 = 8S
OCRT[1:0] = 01：电流保护自动恢复延时 = 16S
OCRT[1:0] = 10：电流保护自动恢复延时 = 32S
OCRT[1:0] = 11：电流保护自动恢复延时 = 64S
8.4.4.2 电流保护软件恢复设置
SH367309工作在采集模式时，MCU可通过写RAM寄存器CONF中OCRC位来释放电流保护状态，开启已关闭的MOSFET：
(1) 按照“0-1-0”时序连续写OCRC位
Table 8.19 系统配置寄存器
40H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CONF
OCRC
PCHMOS
DSGMOS
CHGMOS
CADCON
ENWDT
SLEEP
IDLE
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
复位值
(POR/WDT/LVR/PIN)
0
1
1
1
0
0
0
0
位编号
位符号
7
OCRC
说明
电流保护控制位
电流保护状态清除需在OCRC位连续写：0-1-0
8.4.4.3 电流保护执行动作设置
EEPROM寄存器SCONF中OCPM位可设置电流保护发生后是否同时关闭充放电MOSFET。
24
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.20 系统配置寄存器1
00H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
CN2
CN1
CN0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
5
OCPM
说明
电流保护MOSFET控制位
0：充电过流只关闭充电MOSFET；放电过流/短路只关闭放电MOSFET
1：电流保护关闭充放电MOSFET
8.5 温度保护
温度保护包括充电高温保护、充电低温保护、放电高温保护以及放电低温保护。
8.5.1 充电高温保护
同时满足下述条件时，SH367309进入充电高温保护状态：
(1) 任意温度点温度高于充电高温保护温度TOTC
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309处于充电高温保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭充电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中OTC状态位置1
(3) BFLAG2寄存器中OTC_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出充电高温保护状态：
(1) 所有温度点温度低于充电高温恢复温度TOTCR
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309退出充电高温保护状态时，执行下述动作：
(1) 开启充电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中OTC状态位清0
8.5.2 充电低温保护
同时满足下述条件时，SH367309进入充电低温保护状态：
(1) 任意温度点温度低于充电低温保护温度TUTC
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309处于充电低温保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭充电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中UTC状态位置1
(3) BFLAG2寄存器中UTC_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出充电低温保护状态：
(1) 所有温度点温度高于充电低温恢复温度TUTCR
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309退出充电低温保护状态时，执行下述动作：
(1) 开启充电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中UTC状态位清0
25
V0.9A
Preliminary
SH367309
8.5.3 放电高温保护
同时满足下述条件时，SH367309进入放电高温保护状态：
(1) 任意温度点温度高于放电高温保护温度TOTD
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309处于放电高温保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭放电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中OTD状态位置1
(3) BFLAG2寄存器中OTD_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出放电高温保护状态：
(1) 所有温度点温度低于放电高温恢复温度TOTDR
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309退出放电高温保护状态时，执行下述动作：
(1) 开启放电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中OTD状态位清0
8.5.4 放电低温保护
同时满足下述条件时，SH367309进入放电低温保护状态：
(1) 任意温度点温度低于放电低温保护温度TUTD
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309处于放电低温保护状态时，执行下述动作：
(1) 关闭放电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中UTD状态位置1
(3) BFLAG2寄存器中UTD_FLG标志位置1
同时满足下述条件时，SH367309退出放电低温保护状态：
(1) 所有温度点温度高于放电低温恢复温度TUTDR
(2) 状态(1)持续时间超过温度保护延时tT
SH367309退出过放电保护状态时，执行下述动作：
(1) 开启放电MOSFET
(2) BSTATUS2寄存器中UTD状态位清0
注释：TOTC、TOTCR、TUTC、TUTCR、TOTD、TOTDR、TUTD、TUTDR可在EEPROM中设置。
26
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.21 系统状态寄存器BSTATUS2
44H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS2
-
-
-
-
OTD
UTD
OTC
UTC
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
1)
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
7:4
-
3
OTD
放电高温保护状态位
1：发生放电高温保护
0：未发生放电高温保护
2
UTD
放电低温保护状态位
1：发生放电低温保护
0：未发生放电低温保护
1
OTC
充电高温保护状态位
1：发生充电高温保护
0：未发生充电高温保护
0
UTC
充电低温保护状态位
1：发生充电低温保护
0：未发生充电低温保护
Reserved
27
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.22 系统标志寄存器BFLAG2
71H
BFLAG2
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
RST_FLG WAKE_FLG CADC_FLG VADC_FLG OTD_FLG UTD_FLG OTC_FLG UTC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读
读
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写”0”
复位值
1
0
0
0
0
0
0
0
2)
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
3
OTD_FLG
放电高温保护标志位：
1：发生过放电高温保护
0：未发生过放电高温保护
2
UTD_FLG
放电低温保护标志位
1：发生过放电低温保护
0：未发生过放电低温保护
1
OTC_FLG
充电高温保护标志位
1：发生过充电高温保护
0：未发生过充电高温保护
0
UTC_FLG
充电低温保护标志位
1：发生过充电低温保护
0：未发生过充电低温保护
Table 8.23 充电高温保护设置寄存器
11H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTC
OTC7
OTC6
OTC5
OTC4
OTC3
OTC2
OTC1
OTC0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTC7~OTC0
说明
充电高温保护阈值
Table 8.24 充电高温保护释放设置寄存器
12H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTCR
OTCR7
OTCR6
OTCR5
OTCR4
OTCR3
OTCR2
OTCR1
OTCR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTCR7~OTCR0
说明
充电高温保护释放阈值
28
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.25 充电低温保护设置寄存器
13H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTC
UTC7
UTC6
UTC5
UTC4
UTC3
UTC2
UTC1
UTC0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTC7~UTC0
说明
充电低温保护阈值
Table 8.26 充电低温保护释放设置寄存器
14H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTCR
UTCR7
UTCR6
UTCR5
UTCR4
UTCR3
UTCR2
UTCR1
UTCR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTCR7~UTCR0
说明
充电低温保护释放阈值
Table 8.27 放电高温保护设置寄存器
15H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTD
OTD7
OTD6
OTD5
OTD4
OTD3
OTD2
OTD1
OTD0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTD7~OTD0
说明
放电高温保护阈值
Table 8.28 放电高温保护释放设置寄存器
16H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTDR
OTDR7
OTDR6
OTDR5
OTDR4
OTDR3
OTDR2
OTDR1
OTDR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTDR7~OTDR0
说明
放电高温保护释放阈值
29
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.29 放电低温保护设置寄存器
17H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTD
UTD7
UTD6
UTD5
UTD4
UTD3
UTD2
UTD1
UTD0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTD7~UTD0
说明
放电低温保护阈值
Table 8.30 放电低温保护释放设置寄存器
18H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTDR
UTDR7
UTDR6
UTDR5
UTDR4
UTDR3
UTDR2
UTDR1
UTDR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTDR7~UTDR0
说明
放电低温保护释放阈值
8.5.5 温度保护阈值计算公式
(1) 充放电高温保护及保护释放阈值设置公式为：
阈值（OTC、OTC、OTD、OTDR）
(2) 充放电低温保护及保护释放阈值设置公式为：
（
阈值（UTC、UTC、UTD、UTDR）
其中RT1为温度保护阈值对应的热敏电阻阻值(单位为kΩ)，RREF为内部参考电阻阻值(单位为kΩ)。
内部参考电阻RREF计算公式为：
：
Table 8.31 温度内部参考电阻系数寄存器
19H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
TR
-
TR6
TR5
TR4
TR3
TR2
TR1
TR0
读
-
读
读
读
读
读
读
读
位编号
7
6:0
位符号
TR6~ TR0
说明
Reserved
温度内部参考电阻系数
8.6 二次过充电保护
EEPROM寄存器SCONF2中DIS_PF=0，同时满足下述条件时，SH367309进入二次过充电保护状态：
(1) 任意电芯电压高于二次过充电保护电压VP2N
(2) 状态(1)持续时间超过二次过充电保护延时tP2N
SH367309处于二次过充电保护状态时，不允许进入Powerdown状态和SLEEP状态，执行下述动作：
(1) 关闭充放电MOSFET
(2) 关闭VADC和CADC模块(VADC和CADC相关寄存器值保持之前的数据)
(3) PF管脚输出VSS电平
(4) BSTATUS1寄存器中PF状态位置1
30
V0.9A
Preliminary
SH367309
(5) BFLAG1寄存器中PF_FLG标志位置1
(6) ALARM管脚输出低电平脉冲(采集模式)
满足下述任意条件时，SH367309退出二次过充电保护状态：
(1) 系统重新上电
(2) 软件复位
(3) 进入SHIP模式后再退出SHIP模式
注释：VP2N和tP2N可在EEPROM中设置。
Table 8.32 系统配置寄存器2
01H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
4
位符号
DIS_PF
说明
二次过充电保护模块使能控制位
0：启用二次过充电保护
1：禁止二次过充电保护
Table 8.33 系统状态寄存器BSTATUS1
43H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS1
WDT
PF
SC
OCC
OCD2
OCD1
UV
OV
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit2
Bit1
Bit0
UV_FLG
OV_FLG
Bit Number
Bit Mnemonic
6
PF
Description
二次过充电保护状态位
1：发生二次过充电保护
0：未发生二次过充电保护
Table 8.34 系统标志寄存器BFLAG1
70H
Bit7
Bit6
Bit5
BFLAG1
WDT_FLG
PF_FLG
SC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
6
PF_FLG
Bit4
Bit3
OCC_FLG LOAD_FLG OCD_FLG
Description
二次过充电保护标志位
1：发生过二次过充电保护
0：未发生过二次过充电保护
31
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 8.35 二次过充电保护电压设置寄存器
第7位
PFV.7
读/写
0BH
PFV
读/写
第6位
PFV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
PFV.7~ PFV.0
第5位
PFV.5
读/写
第4位
PFV.4
读/写
第3位
PFV.3
读/写
第2位
PFV.2
读/写
第1位
PFV.1
读/写
第0位
PFV.0
读/写
说明
二次过充电保护电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：二次过充电保护电压= PFV寄存器值x20mV。
Table 8.36 充放电过流自动恢复/二次过充电保护延时设置寄存器
10H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
MOST/OCRT/PFT
CHS1
CHS0
MOST1
MOST0
OCRT1
OCRT0
PFT1
PFT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
1:0
PFT1~PFT0
说明
二次过充电保护延时设置
PFT[1:0] = 00：二次过充电保护延时 =8S
PFT[1:0] = 01：二次过充电保护延时= 16S
PFT[1:0] = 10：二次过充电保护延时= 32S
PFT[1:0] = 11：二次过充电保护延时= 64S
8.7 断线保护功能
EEPROM寄存器SCONF2中DIS_PF=0，使能断线保护功能，当发生断线保护后，不允许进入Powerdown状态和SLEEP状
态，且执行下述动作：
(1) 关闭充放电MOSFET
(2) 关闭VADC和CADC模块(VADC和CADC相关寄存器值保持之前的数据)
(3) PF管脚输出VSS电平
(4) BSTATUS1寄存器中PF状态位置1
(5) BFLAG1寄存器中PF_FLG标志位置1
(6) ALARM管脚输出低电平脉冲(采集模式)
满足下述任意条件时，SH367309退出断线保护状态：
(1) 系统重新上电
(2) 软件复位
(3) 进入SHIP模式后再退出SHIP模式
注释：断线保护延时和二次过充电保护延时复用设置寄存器PFT[1:0]。
32
V0.9A
Preliminary
SH367309
8.8 禁止低压电芯充电功能
EEPROM中寄存器SCONF2的E0VB可开关低压电芯充电禁止功能。
Table 8.37 系统配置寄存器2
01H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7
位符号
E0VB
说明
禁止低压电芯充电功能设置控制位
0：关闭“禁止低压电芯充电”功能
1：开启“禁止低压电芯充电”功能
开启禁止低压电芯充电功能时，满足下述条件SH367309关闭充电MOSFET：
(1) 当任意电芯电压低于低电压禁止充电电压VL0V
(2) 状态(1)持续时间超过10* tcycle
VL0V小于过放电保护电压VUV，当禁止低压电芯充电功能启动，一旦电芯电压低于VL0V则电芯永久无法充电。
注释：低电压禁止充电电压VL0V可在EEPROM中设置。
Table 8.38 低电压禁止充电电压设置寄存器
0AH
L0V
读/写
第7位
读/写
第6位
L0V.6
读/写
位编号
位符号
7:0
L0V.6~ L0V.0
第5位
L0V.5
读/写
第4位
L0V.4
读/写
第3位
L0V.3
读/写
第2位
L0V.2
读/写
第1位
L0V.1
读/写
第0位
L0V.0
读/写
说明
低电压禁止充电电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：低电压禁止充电电压VL0V设定值= L0V寄存器值x20mV。
33
V0.9A
Preliminary
SH367309
8.9 平衡功能
SH367309内置平衡功能，EEPROM寄存器SCONF1中BAL位可设置平衡模块的工作模式。
Table 8.39 系统配置寄存器1
00H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
CN2
CN1
CN0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
4
BAL
说明
平衡功能模块使能控制位
0：平衡开启由SH367309内部逻辑控制
1：平衡开启由外部MCU控制，平衡时序仍由SH367309内部逻辑控制
平衡由SH367309控制时，满足下述条件时，开启CellN的平衡：
(1) 未发生温度保护
(2) 未发生二次过充电保护
(3) CellN电压超过平衡开启电压VBAL
(4) 状态(1)~(3)持续时间超过tbalanceT
SH367309停止CellN平衡的条件：
(1) CellN电压小于平衡开启电压VBAL
(2) 发生温度保护
(3) 发生二次过充电保护
注释：VBAL可在EEPROM中设置。
SH367309内部平衡采取奇偶平衡时序，具体如下图：
tcycle
tbalanceT
tcycle
tbalanceT
tcycle
电压检测
奇数节平衡
电压检测
偶数节平衡
电压检测
图11 奇偶平衡时序
Table 8.40 平衡开启电压设置寄存器
08H
BALV
读/写
第7位
BALV.7
读/写
第6位
BALV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
BALV.7~ BALV.0
第5位
BALV.5
读/写
第4位
BALV.4
读/写
第3位
BALV.3
读/写
第2位
BALV.2
读/写
第1位
BALV.1
读/写
第0位
BALV.0
读/写
说明
平衡开启电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：平衡开启电压= BALV寄存器值x20mV。
34
V0.9A
Preliminary
SH367309
9. AFE功能
SH367309处于采集模式时，具备AFE的相应功能，开启TWI模块。 ADC模块以及TWI模块在12章中介绍。
9.1 平衡控制功能
采集模式下，EEPROM寄存器SCONF1中BAL位置位时，MCU可自主控制平衡模块。
Table 9.1 系统配置寄存器1
00H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
CN2
CN1
CN0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
4
BAL
说明
平衡功能模块使能控制位
0：平衡开启由SH367309内部逻辑控制
1：平衡开启由外部MCU控制，平衡时序仍由SH367309内部逻辑控制
平衡由外部MCU控制时，同时满足下述条件，开启CellN的平衡回路：
(1) 未发生温度保护
(2) 未发生二次过充电保护
(3) BALANCE寄存器中任意CBn被置位
当满足下述任一条件，关闭CellN平衡回路：
(1) BALANCE寄存器中的CBn被清零
(2) 平衡开启持续1分钟
(3) 发生温度保护
(4) 发生二次过充电保护
注释：当平衡持续1分钟后，会自动停止平衡，Balance寄存器中所有位均被清零，如果需要继续平衡，MCU需要重新配置
Balance寄存器。平衡过程中，平衡寄存器中任意位被置1，会重新开始1分钟计时。
Table 9.2 平衡寄存器
41H，42H
BALANCEH
BALANCEL
读/写
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CB16
CB8
读/写
CB15
CB7
读/写
CB14
CB6
读/写
CB13
CB5
读/写
CB12
CB4
读/写
CB11
CB3
读/写
CB10
CB2
读/写
CB9
CB1
读/写
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
位符号
15:0
CBn
说明
平衡回路控制位
1：开启CellN平衡回路
0：关闭CellN平衡回路
9.2 充放电状态
同时满足下述条件时，SH367309判定系统处于充电状态：
(1) (RS2-RS1)电压≤-VCH
(2) 状态(1)持续时间超过2* tcycle
处于充电状态时，SH367309置位寄存器BSTATUS3的CHGING位。
同时满足下述条件时，SH367309判定系统处于放电状态：
(1) (RS2-RS1)电压≥VCH
(2) 状态(1)持续时间超过2* tcycle
处于放电状态时，SH367309置位寄存器BSTATUS3的DSGING位。
35
V0.9A
Preliminary
SH367309
SH367309实时检测系统充放电状态，当寄存器BSTATUS3的CHGING位和DSGING位均为零时，SH367309判定系统处于
静置状态。
Table 9.3 系统状态寄存器BSTATUS3
45H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
BSTATUS3
CHGING
DSGING
-
EEPR_WR
L0V
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
7
CHGING
充电状态位
1：充电状态
0：非充电状态
6
DSGING
放电状态位
1：放电状态
0：非放电状态
Bit2
Bit1
Bit0
PCHG_FET CHG_FET DSG_FET
Description
9.3 看门狗寄存器（WDT）
SH367309内置看门狗功能，但是只有采集模式下才允许启用看门狗功能。看门狗定时器是一个递减计数器，有效的TWI
通讯可复位看门狗计数器，重新开始计数。
当看门狗定时器溢出时，SH367309执行下述动作：
(1) 关闭充放电MOSFET及预充电MOSFET
(2) 清零平衡控制寄存器BALANCEH和BALANCEL
满足下述任一条件时，SH367309解除看门狗溢出状态：
(1) TWI通讯清零寄存器BFLAG1的WDT_FLG位
(2) 芯片复位
SH367309内置看门狗模块溢出的进退(复位除外)，不清除任何保护状态。
RAM寄存器RSTSTAT可设置看门狗溢出时间，RAM寄存器CONF的ENWDT位可开关看门狗模块。
Table 9.4 看门狗寄存器
72H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
-
-
-
-
WDT.1
WDT.0
读
读
读
读
读/写
读/写
0
0
0
0
0
RSTSTAT
-
-
读/写
读
读
复位值
0
0
0
位编号
位符号
1:0
WDT.1~
WDT.0
说明
看门狗溢出时间控制位
WDT[1-0]=00：看门狗溢出时间为32S；
WDT[1-0]=01：看门狗溢出时间为16S；
WDT[1-0]=10：看门狗溢出时间为8S；
WDT[1-0]=11：看门狗溢出时间为4S；
36
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 9.5 系统配置寄存器
40H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CONF
OCRC
PCHMOS
DSGMOS
CHGMOS
CADCON
ENWDT
SLEEP
IDLE
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
复位值
(POR/WDT/LVR/PIN)
0
1
1
1
0
0
0
0
位编号
位符号
2
ENWDT
说明
看门狗设置控制位
0：SH367309关闭看门狗模块
1：SH367309开启看门狗模块
10. MOSFET驱动
SH367309内置N沟道MOSFET驱动，包含放电MOSFET驱动、充电MOSFET驱动以及预充电MOSFET驱动。
驱动管脚
说明
高电平
低电平
DSG
放电MOSFET驱动管脚
VDSGH
VDSGL
CHG
充电MOSFET驱动管脚
VCHGH
高阻态
PCHG
预充电MOSFET驱动管脚
VPCHGH
高阻态
表3 MOSFET驱动电压表
RAM寄存器BSTATUS3中可以查看MOSFET管脚驱动状态。
Table 10.1 系统状态寄存器BSTATUS3
45H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
BSTATUS3
CHGING
DSGING
-
EEPR_WR
L0V
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
2
PCHG_FET
1
CHG_FET
充电MOSFET开关状态位
1：充电MOSFET开启
0：充电MOSFET关闭
0
DSG_FET
放电MOSFET开关状态位
1：放电MOSFET开启
0：放电MOSFET关闭
Bit2
Bit1
Bit0
PCHG_FET CHG_FET DSG_FET
Description
预充电MOSFET开关状态位
1：预充电MOSFET开启
0：预充电MOSFET关闭
通过操作RAM寄存器CONF中相应位，可控制MOSFET驱动。
37
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 10.2 系统配置寄存器
40H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CONF
OCRC
PCHMOS
DSGMOS
CHGMOS
CADCON
ENWDT
SLEEP
IDLE
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
复位值
(POR/WDT/LVR/PIN)
0
1
1
1
0
0
0
0
位编号
位符号
说明
6
PCHMOS
预充电MOSFET控制位
0：预充电MOSFET关闭
1：预充电MOSFET由硬件保护模块决定
5
DSGMOS
放电MOSFET控制位
0：放电MOSFET关闭
1：放电MOSFET由硬件保护模块决定
4
CHGMOS
充电MOSFET控制位
0：充电MOSFET关闭
1：充电MOSFET由硬件保护模块决定
10.1 预充电MOSFET
寄存器SCONF1中ENPCH位可开关SH367309的预充电功能模块。
Table 10.3 系统配置寄存器1
第7位
00H
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CN2
CN1
CN0
读/写
读/写
读/写
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7
位符号
ENPCH
说明
预充电模块控制位
0：禁用预充电功能
1：启用预充电功能
ENPCH=1时，当满足以下条件时，开启预充电MOSFET：
(1) 过放电状态下，任意节电芯低于预充电开启电压VPCH，且持续时间超过预充电延时tPCHG
(2) 未发生过充电保护、充电高温/低温保护、充电过流保护、放电过流保护(OCPM=1时)、二次过充电过充电保护
(3) CTL管脚未控制预充电MOSFET关闭
(4) 看门狗寄存器未溢出
(5) CONF寄存器的PCHMOS控制位设置为1(预充电MOSFET开启)；（保护模式此条件无效）
(6) 关闭低电压禁止充电功能，或者低电压禁止功能有效，但此时电芯电压都在低电压禁止充电电压VL0V以上
预充电MOSFET开启期间，SH367309关闭充电MOSFET。处于预充电过程中，平衡功能有效。
满足以下任一条件时，关闭预充电MOSFET：
(1) 所有电芯电压高于预充电开启电压VPCH，且持续时间超过2* tcycle
(2) 发生过充电保护、充电高温/低温保护、充电过流保护、放电过流保护(OCPM=1时)、二次过充电过充电保护
(3) CTL管脚控制预充电MOSFET关闭
(4) 看门狗寄存器溢出
(5) CONF寄存器的PCHMOS控制位设置为0(预充电MOSFET开启)；（保护模式此条件无效）
(6) 低电压禁止功能有效，且此时有电芯电压低于低电压禁止充电电压VL0V
38
V0.9A
Preliminary
SH367309
注释：预充电开启电压VPCH可在EEPROM中设置，是否允许预充电功能也可在EEPROM中设置。
Table 10.4 预充电电压设置寄存器
09H
PREV
读/写
第7位
PREV.7
读/写
第6位
PREV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
PREV.7~ PREV.0
第5位
PREV.5
读/写
第4位
PREV.4
读/写
第3位
PREV.3
读/写
第2位
PREV.2
读/写
第1位
PREV.1
读/写
第0位
PREV.0
读/写
说明
预充电电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：预充电开启电压VPCH设定值= PREV寄存器值x20mV。
10.2 强制开启充电MOSFET功能
EEPROM寄存器SCONF1中ENMOS位可设置SH367309强制开启充电MOSFET功能：
Table 10.5 系统配置寄存器1
00H
第7位
第6位
SCONF1
ENPCH
ENMOS
读/写
读/写
读/写
位编号
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCPM
BAL
CN3
CN2
CN1
CN0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位符号
说明
充电MOSFET恢复控制位
0：禁用充电MOSFET恢复控制位
6
ENMOS
1：启用充电MOSFET恢复控制位。当过充电/温度保护关闭充电MOSFET后，如果检
测到放电过流1或者放电状态，则开启充电MOSFET；
ENMOS=1时，当满足下述任一条件时，SH367309强制开启充电MOSFET
(1) 检测到放电电流超过放电过流1电流，且超过充放电MOSFET开启延时tMOSFET
(2) 检测到当前为放电状态
若充电MOSFET强制开启条件均不满足，相应保护状态未解除，且充电MOSFET已开启，延迟10mS后关闭充电MOSFET。
39
V0.9A
Preliminary
SH367309
11. 管脚功能
11.1 CTL管脚
通过SH367309的CTL管脚可控制充放电MOSFET，通过RAM寄存器SCONF2的CTLC[1:0]可设置CTL管脚功能。
Table 11.1系统配置寄存器2
01H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
3:2
位符号
说明
CTLC1~0
CTL管脚功能设置控制位
CTLC[1:0]=00：不控制任何MOSFET，CTL管脚输入无效
CTLC[1:0]=01：同时控制充电和预充电MOSFET。
CTLC[1:0]=10：控制放电MOSFET。
CTLC[1:0]=11：同时控制充放电和预充电MOSFET。
CTL管脚输入和控制功能对应关系如下表：
CTL 管脚输入
高电平 VH-CTL
低电平 VL-CTL
MOSFET 状态
取决于 SH367309 内部逻辑
关闭相应 MOSFET
表4 CTL管脚功能
11.2 LDO_EN管脚
LDO_EN管脚为SH367309 LDO3使能控制端，功能模式如下表：
LDO_EN管脚输入
LDO3功能模块
高电平VH-LDO_EN
开启
低电平VL-LDO_EN
关闭
表5 LDO_EN管脚功能
11.3 MODE管脚
MODE管脚为SH367309 采集模式和保护模式选择端，功能模式如下表：
MODE管脚输入
SH367309工作模式
高电平VH-MODE
采集模式
低电平VL-MODE
保护模式
表6 MODE管脚功能
40
V0.9A
Preliminary
SH367309
11.4 ALARM管脚
SH367309处于采集模式下，ALARM管脚为对外通讯管脚；处于保护模式下，ALARM管脚为高阻态。
采集模式下，ALARM管脚正常输出逻辑高电平。出现下表中的系统状态，ALARM管脚输出一个低电平脉冲。
系统状态（状态位从0→1）
ALARM管脚输出
VADC采集完成(100mS采集周期)
低电平脉冲
CADC采集完成(250mS采集周期)
低电平脉冲
进入过充电/过放电保护状态
低电平脉冲
进入充电过流/放电过流/短路保护状态
低电平脉冲
进入温度保护状态
低电平脉冲
进入二次过压保护状态
低电平脉冲
看门狗溢出
低电平脉冲
外部LDO3供电电路发生过流保护
低电平脉冲
电流检测唤醒IDLE状态
低电平脉冲
充电器连接唤醒SLEEP状态
低电平脉冲
表7 ALARM管脚功能
ALARM管脚低电平脉冲的时序图如下：
A
安全保护/
ADC中断
B
C
间隔1mS
低电平
1mS
图12 ALARM管脚对外通讯示意图
11.5 STA检测
SH367309工作在采集模式，且处于IDLE状态或SLEEP状态，系统会开启STA检测。当系统接收到TWI通讯的的Start信号，
SH367309先下拉SCL引脚，退出IDLE或SLEEP状态，并同时释放SCL引脚。此时，寄存器BFLAG2的WAKE_FLG位被置1。
41
V0.9A
Preliminary
SH367309
12. 功能模块
12.1 电压/温度/电流采集用VADC
12.1.1 特性
13位Σ-Δ模/数转换器
10Hz转换频率
20通道数据采集
12.1.2 采集范围及结果存放
SH367309内置VADC有20个通道的数据采集：16个电芯电压采集通道，1个电流采集通道以及3个温度采集通道。
电压采集通道输入范围：0~5V；
电流采集通道电压输入范围：-0.2~0.2V；
温度采集通道电压输入范围：0~3.0V。
3路温度
1路电流
寄存器
16路电压
通道控制
图13 VADC通道示意图
VADC的电压转换结果以电芯电压值的形式存放于寄存器，转换结果为有符号16bit数据，CELL1是靠近VSS端口的电芯，
CELL16是靠近VBAT端口的电芯；温度转换结果以温度电阻分压比的形式存放于寄存器，转换结果为有符号16bit数据；电流以
采样电阻电压值的形式存放于寄存器，转换结果为有符号16 bit数据。
所有VADC转换结果均有专用寄存器存储，具体如下：
Table 12.1 Cell1电芯电压寄存器
4EH，4FH
CELL1H
CELL1L
读/写
第7位
CELL1.15
CELL1.7
读
第6位
CELL1.14
CELL1.6
读
第5位
CELL1.13
CELL1.5
读
第4位
CELL1.12
CELL1.4
读
第3位
CELL1.11
CELL1.3
读
第2位
CELL1.10
CELL1.2
读
第1位
CELL1.9
CELL1.1
读
第0位
CELL1.8
CELL1.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL1.15- CELL1.0
说明
当转换完成后，数据更新为电芯1电压对应的数值
42
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 12.2 Cell2电芯电压寄存器
50H，51H
CELL2H
CELL2L
读/写
第7位
CELL2.15
CELL2.7
读
第6位
CELL2.14
CELL2.6
读
第5位
CELL2.13
CELL2.5
读
第4位
CELL2.12
CELL2.4
读
第3位
CELL2.11
CELL2.3
读
第2位
CELL2.10
CELL2.2
读
第1位
CELL2.9
CELL2.1
读
第0位
CELL2.8
CELL2.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
说明
CELL2.15- CELL2.0
当转换完成后，数据更新为电芯2电压对应的数值
Table 12.3 Cell3电芯电压寄存器
52H，53H
CELL3H
CELL3L
读/写
第7位
CELL3.15
CELL3.7
读
第6位
CELL3.14
CELL3.6
读
第5位
CELL3.13
CELL3.5
读
第4位
CELL3.12
CELL3.4
读
第3位
CELL3.11
CELL3.3
读
第2位
CELL3.10
CELL3.2
读
第1位
CELL3.9
CELL3.1
读
第0位
CELL3.8
CELL3.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
说明
CELL3.15- CELL3.0
当转换完成后，数据更新为电芯3电压对应的数值
Table 12.4 Cell4电芯电压寄存器
54H，55H
CELL4H
CELL4L
读/写
第7位
CELL4.15
CELL4.7
读
第6位
CELL4.14
CELL4.6
读
第5位
CELL4.13
CELL4.5
读
第4位
CELL4.12
CELL4.4
读
第3位
CELL4.11
CELL4.3
读
第2位
CELL4.10
CELL4.2
读
第1位
CELL4.9
CELL4.1
读
第0位
CELL4.8
CELL4.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
说明
CELL4.15- CELL4.0
当转换完成后，数据更新为电芯4电压对应的数值
Table 12.5 Cell5电芯电压寄存器
56H，57H
CELL5H
CELL5L
读/写
第7位
CELL5.15
CELL5.7
读
第6位
CELL5.14
CELL5.6
读
第5位
CELL5.13
CELL5.5
读
第4位
CELL5.12
CELL5.4
读
第3位
CELL5.11
CELL5.3
读
第2位
CELL5.10
CELL5.2
读
第1位
CELL5.9
CELL5.1
读
第0位
CELL5.8
CELL5.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL5.15- CELL5.0
说明
当转换完成后，数据更新为电芯5电压对应的数值
43
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 12.6 Cell6电芯电压寄存器
58H，59H
CELL6H
CELL6L
读/写
第7位
CELL6.15
CELL6.7
读
第6位
CELL6.14
CELL6.6
读
第5位
CELL6.13
CELL6.5
读
第4位
CELL6.12
CELL6.4
读
第3位
CELL6.11
CELL6.3
读
第2位
CELL6.10
CELL6.2
读
第1位
CELL6.9
CELL6.1
读
第0位
CELL6.8
CELL6.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
说明
CELL6.15- CELL6.0
当转换完成后，数据更新为电芯6电压对应的数值
Table 12.7 Cell7电芯电压寄存器
5AH，5BH
CELL7H
CELL7L
读/写
第7位
CELL7.15
CELL7.7
读
第6位
CELL7.14
CELL7.6
读
第5位
CELL7.13
CELL7.5
读
第4位
CELL7.12
CELL7.4
读
第3位
CELL7.11
CELL7.3
读
第2位
CELL7.10
CELL7.2
读
第1位
CELL7.9
CELL7.1
读
第0位
CELL7.8
CELL7.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
说明
CELL7.15- CELL7.0
当转换完成后，数据更新为电芯7电压对应的数值
Table 12.8 Cell8电芯电压寄存器
5CH，5DH
CELL8H
CELL8L
读/写
第7位
CELL8.15
CELL8.7
读
第6位
CELL8.14
CELL8.6
读
第5位
CELL8.13
CELL8.5
读
第4位
CELL8.12
CELL8.4
读
第3位
CELL8.11
CELL8.3
读
第2位
CELL8.10
CELL8.2
读
第1位
CELL8.9
CELL8.1
读
第0位
CELL8.8
CELL8.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
说明
CELL8.15- CELL8.0
当转换完成后，数据更新为电芯8电压对应的数值
Table 12.9 Cell9电芯电压寄存器
5EH，5FH
CELL9H
CELL9L
读/写
第7位
CELL9.15
CELL9.7
读
第6位
CELL9.14
CELL9.6
读
第5位
CELL9.13
CELL9.5
读
第4位
CELL9.12
CELL9.4
读
第3位
CELL9.11
CELL9.3
读
第2位
CELL9.10
CELL9.2
读
第1位
CELL9.9
CELL9.1
读
第0位
CELL9.8
CELL9.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL9.15- CELL9.0
说明
当转换完成后，数据更新为电芯9电压对应的数值
44
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 12.10 Cell10电芯电压寄存器
60H，61H
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL10.4
读
第3位
CELL10.1
1
CELL10.3
读
第2位
CELL10.1
0
CELL10.2
读
CELL10H
CELL10.15
CELL10.14
CELL10.13
CELL10.12
CELL10L
读/写
CELL10.7
读
CELL10.6
读
CELL10.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL10.15CELL10.0
第1位
CELL10.9
第0位
CELL10.
8
CELL10.1
读
CELL10.0
0
0
第1位
第0位
CELL11.
8
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯10电压对应的数值
Table 12.11 Cell11电芯电压寄存器
62H，63H
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL11.4
读
第3位
CELL11.1
1
CELL11.3
读
第2位
CELL11.1
0
CELL11.2
读
CELL11H
CELL11.15
CELL11.14
CELL11.13
CELL11.12
CELL11L
读/写
CELL11.7
读
CELL11.6
读
CELL11.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL11.15CELL11.0
CELL11.9
CELL11.1
读
CELL11.0
0
0
第1位
第0位
CELL12.
8
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯11电压对应的数值
Table 12.12 Cell12电芯电压寄存器
64H，65H
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL12.4
读
第3位
CELL12.1
1
CELL12.3
读
第2位
CELL12.1
0
CELL12.2
读
CELL12H
CELL12.15
CELL12.14
CELL12.13
CELL12.12
CELL12L
读/写
CELL12.7
读
CELL12.6
读
CELL12.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL12.15CELL12.0
CELL12.9
CELL12.1
读
CELL12.0
0
0
第1位
第0位
CELL13.
8
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯12电压对应的数值
Table 12.13 Cell13电芯电压寄存器
66H，67H
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL13.4
读
第3位
CELL13.1
1
CELL13.3
读
第2位
CELL13.1
0
CELL13.2
读
CELL13H
CELL13.15
CELL13.14
CELL13.13
CELL13.12
CELL13L
读/写
CELL13.7
读
CELL13.6
读
CELL13.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL13.15CELL13.0
CELL13.9
CELL13.1
读
CELL13.0
0
0
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯13电压对应的数值
45
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 12.14 Cell14电芯电压寄存器
68H，69H
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL14.4
读
第3位
CELL14.1
1
CELL14.3
读
第2位
CELL14.1
0
CELL14.2
读
CELL14H
CELL14.15
CELL14.14
CELL14.13
CELL14.12
CELL14L
读/写
CELL14.7
读
CELL14.6
读
CELL14.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL14.15CELL14.0
第1位
CELL14.9
第0位
CELL14.
8
CELL14.1
读
CELL14.0
0
0
第1位
第0位
CELL15.
8
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯14电压对应的数值
Table 12.15 Cell15电芯电压寄存器
6AH，6BH
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL15.4
读
第3位
CELL15.1
1
CELL15.3
读
第2位
CELL15.1
0
CELL15.2
读
CELL15H
CELL15.15
CELL15.14
CELL15.13
CELL15.12
CELL15L
读/写
CELL15.7
读
CELL15.6
读
CELL15.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL15.15CELL15.0
CELL15.9
CELL15.1
读
CELL15.0
0
0
第1位
第0位
CELL16.
8
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯15电压对应的数值
Table 12.16 Cell16电芯电压寄存器
6CH，6DH
第7位
第6位
第5位
第4位
CELL16.4
读
第3位
CELL16.1
1
CELL16.3
读
第2位
CELL16.1
0
CELL16.2
读
CELL16H
CELL16.15
CELL16.14
CELL16.13
CELL16.12
CELL16L
读/写
CELL16.7
读
CELL16.6
读
CELL16.5
读
复位值
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CELL16.15CELL16.0
CELL16.9
CELL16.1
读
CELL16.0
0
0
读
说明
当转换完成后，数据更新为电芯16电压对应的数值
Table 12.17 T1温度寄存器
46H，47H
TEMP1H
TEMP1L
读/写
第7位
TEMP1.15
TEMP1.7
读
第6位
TEMP1.14
TEMP1.6
读
第5位
TEMP1.13
TEMP1.5
读
第4位
TEMP1.12
TEMP1.4
读
第3位
TEMP1.11
TEMP1.3
读
第2位
TEMP1.10
TEMP1.2
读
第1位
TEMP1.9
TEMP1.1
读
第0位
TEMP1.8
TEMP1.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
TEMP1.15- TEMP1.0
说明
当转换完成后，数据更新为温度电阻1上的电压分压比对应的数值
46
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 12.18 T2温度寄存器
48H，49H
第7位
第6位
第5位
第4位
TEMP2H
TEMP2.15
TEMP2.14
TEMP2.13
TEMP2.12
TEMP2L
读/写
TEMP2.7
读
TEMP2.6
读
TEMP2.5
读
TEMP2.4
读
第3位
TEMP2.1
1
TEMP2.3
读
复位值
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
第2位
第1位
第0位
TEMP2.10
TEMP2.9
TEMP2.8
TEMP2.2
读
TEMP2.1
读
TEMP2.0
读
0
0
0
说明
TEMP2.15- TEMP2.0
当转换完成后，数据更新为温度电阻2上的电压分压比对应的数值
Table 12.19 T3温度寄存器
4AH，4BH
第7位
第6位
第5位
第4位
TEMP3H
TEMP3.15
TEMP3.14
TEMP3.13
TEMP3.12
TEMP3L
读/写
TEMP3.7
读
TEMP3.6
读
TEMP3.5
读
TEMP3.4
读
第3位
TEMP3.1
1
TEMP3.3
读
复位值
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
第2位
第1位
第0位
TEMP3.10
TEMP3.9
TEMP3.8
TEMP3.2
读
TEMP3.1
读
TEMP3.0
读
0
0
0
说明
TEMP3.15- TEMP3.0
当转换完成后，数据更新为温度电阻3上的电压分压比对应的数值
Table 12.20 电流寄存器
4CH，4DH
CURH
CURL
读/写
第7位
CUR.15
CUR.7
读
第6位
CUR.14
CUR.6
读
第5位
CUR.13
CUR.5
读
第4位
CUR.12
CUR.4
读
第3位
CUR.11
CUR.3
读
第2位
CUR.10
CUR.2
读
第1位
CUR.9
CUR.1
读
第0位
CUR.8
CUR.0
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CUR.15- CUR.0
说明
CUR15为符号位，“1”表示放电；“0”表示充电。
当转换完成后，数据更新为Sense电阻两端电压对应的数值
12.1.3 电压/温度/电流计算公式
根据VADC转换结果可以计算出各电芯电压值、温度检测值以及电流值。
(1) 电芯电压计算公式，以CELL1为例(单位：mV，其中CELL1为CELL1寄存器值)：
(2) 温度计算公式，以TEMP1为例(单位：kΩ，其中RT1为外部热敏电阻阻值， RREF为内部参考电阻阻值，TEMP1为TEMP1
寄存器值，可依据外部热敏电阻阻值RT1与温度之间对应关系获取真实温度值)：
内部参考电阻RREF计算公式为(单位：kΩ，其中TR[6:0]是寄存器TR的低7bit)：
：
47
V0.9A
Preliminary
SH367309
(3) 电流计算公式(单位：mA,其中CUR为CUR寄存器值，RSENSE为Sense电阻(单位为Ω))：
12.1.4 VADC采集时序
SH367309的VADC转换频率为10Hz， VADC以固有时序采集电芯电压、温度以及电流。
(1) 每1个tcycle周期内，VADC按照固定的时序采集16通道电压以及1通道电流
(2) 每1S周期内， VADC按照固定的时序采集一次3通道温度
每个tcycle周期采集完成后，SH367309会置起VADC_FLG中断标志位，同时ALARM管脚输出一个低电平脉冲。当BFLAG2
寄存器被读取后，VADC_FLG标志自动被清除。电芯串数和温度检测点数的调整不改变VADC的检测时序。
Table 12.21 系统标志寄存器BFLAG2
71H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
RST_FLG WAKE_FLG CADC_FLG VADC_FLG OTD_FLG UTD_FLG OTC_FLG UTC_FLG
BFLAG2
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读
读
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写”0”
复位值
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
4
Bit Mnemonic
VADC_FLG
Description
VADC转换完成标志位
1：VADC转换完成
0：VADC未转换完成
该bit被读取之后，硬件会自动清零
若发生平衡动作，VADC采集时序相应调整：VADC采集循环与平衡间隔进行，具体如下图。
tcycle
tbalanceT
tcycle
tbalanceT
tcycle
电压检测
奇数节平衡
电压检测
偶数节平衡
电压检测
图14 奇偶平衡时序
若平衡开启后，SH367309相应的检测和状态进退时间会发生变化：
(1) 发生过充电/过充电恢复/过放电/过放电恢复/Powerdown/二次过充电保护/预充电/禁止低压充电等异常现象，此时保护延
时可能产生最大tbalanceT的偏差
(2) 温度检测和保护不受影响
(3) 电流检测和保护不受影响
12.2 电流采集专用CADC
12.2.1 特性
16位Σ-Δ模/数转换器
4Hz转换频率
1通道双端差分输入
12.2.2 采集范围及结果存放
CADC仅有1个采集通道：电流采集通道。
电流通道电压输入范围：-0.20~0.20V。
CADC采集结果存放在专用寄存器CADCD中。
48
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 12.22 CADC电流寄存器
6EH，6FH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CADCDH
CDATA.15
CDATA.14
CDATA.13
CDATA.12
CDATA.11
CDATA.10
CDATA.9
CDATA.8
CADCDL
CDATA.7
CDATA.6
CDATA.5
CDATA.4
CDATA.3
CDATA.2
CDATA.1
CDATA.0
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
位编号
7:0
7:0
位符号
CDATA.15- CDATA.0
说明
CDATA.15为符号位，“1”表示放电；“0”表示充电。
当转换完成后，数据更新为Sense电阻两端电压对应的数值
12.2.3 电流计算公式
根据CADC转换结果可以计算出电流值(单位：mA，其中CADCD为CADCD寄存器值，RSENSE为Sense电阻，单位为Ω)：
12.2.4 CADC工作模式设置
RAM寄存器CONF中CADCON位可用于开关CADC模块，每250mS完成一次电流通道的数据采集。每次采集完成后，寄存
器BFLAG2的CADC_FLG被置位同时ALARM管脚会输出一个低电平脉冲。CADC的工作不受CADC_FLG影响，当BFLAG2寄存
器被读取后，CADC_FLG标志被清除。
Table 12.23 系统配置寄存器
40H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CONF
OCRC
PCHMOS
DSGMOS
CHGMOS
CADCON
ENWDT
SLEEP
IDLE
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
复位值
(POR/WDT/LVR/PIN)
0
1
1
1
0
0
0
0
Bit2
Bit1
Bit0
位编号
3
位符号
说明
CADC设置控制位
0：SH367309关闭CADC
1：SH367309开启CADC进行电流采集
CADCON
Table 12.24 系统标志寄存器BFLAG2
71H
BFLAG2
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
RST_FLG WAKE_FLG CADC_FLG VADC_FLG OTD_FLG UTD_FLG OTC_FLG UTC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读
读
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写”0”
复位值
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
5
Bit Mnemonic
CADC_FLG
Description
CADC中断标志位
1：发生过CADC中断
0：未发生过CADC中断
该bit被读取之后，硬件会自动清零
49
V0.9A
Preliminary
SH367309
12.3 TWI串行通讯接口
12.3.1 特性
两线模式，简单快捷
只支持从机模式(Slave)，且地址固定为0x1A
允许发送数据(Transmitter)和接收数据(Receiver)
具有低电平总线超时判断(Timeout)
支持CRC8校验
IDLE状态和SLEEP状态下通信可唤醒系统
12.3.2 工作方式
SH367309工作在采集模式，开启TWI模块。TWI串行总线采用两根线(SDA和SCL)在总线和装置之间传递信息。SH367309
完全符合TWI总线规范，自动对字节进行传输进行处理，并对串行通讯进行跟踪。
12.3.3 数据传输格式
数据传输中数据线上每一位的传输均需要时钟线上一个脉冲。在时钟高电平时数据线应保持稳定。但发送起始条件和终止
条件时不需要遵守此规则。
和I2C通讯协议相似，TWI定义了两个特殊的波形：起始条件和终止条件。在时钟线为高电平时数据线的下降沿定义为起始
条件；在时钟线为高电平时数据线的上升沿定义为终止条件。起始条件和终止条件均由主机发出。
主机可以发起和终结一次传输。当主机发送一个起始条件时开始一次传输， 发送一个终止条件时结束本次传输。在起始条
件和终止条件之间，总线定义为“忙碌”状态。其它主机不应该去试图发起传输。在“忙碌”状态下，如果主机再次发送起始条件，
则定义为“重复起始条件”，表示主机希望不放弃总线的情况下开始一次新的传输。发送重复起始条件后，总线仍处于“忙碌”状态，
一直到总线出现终止条件。鉴于重复起始条件和起始条件性质完全一致，除非特别声明，本文中将采用起始条件来代替两者。
所有数据包(包括地址包)均有9位组成，包括1个字节和一个应答位。主机负责发出时钟和起始及终止条件，接收者负责给出
应答信号。接收者通过在第九个时钟脉冲处将数据线拉低发出“应答(ACK)”信号；或维持第九个脉冲处维持高电平表示“不应答
(NACK)”信号。当接收方接收到最后一个字节，或因某种原因无法继续接收数据时，应回应“不应答(NACK)”信号。TWI采用从高
到低逐位进行传输。
一次传输通常包括一个起始条件，地址+读/写，一个或多个数据包和一个终止条件。仅包含起始条件和终止条件的数据格式
是不合通讯规则的。值得注意的是“线与”结构给主机和从机之间的握手信号提供了方便。当主机相对太快或从机需要处理其它事
务时，从机可以通过拉低时钟线来拉长时钟线的低电平时间，从而降低通讯频率。从机可以拉长时钟线低电平周期但不会影响
到时钟线高电平的周期。
在产生应答信号时，SH367309拉低SDA信号线。当SH367309接收好数据后，释放SCL信号线。
50
V0.9A
Preliminary
SH367309
12.3.4 传输模式
(1) 概述
下面将分别介绍TWI作为从机通讯的两种模式：从机发送模式和从机接收模式。在初始状态，SH367309等待总线对自己地
址的响应。如果方向标志位是“读”，则TWI进入从机发送模式，否则将进入从机接收模式。下图中有如下缩写：
S
：开始条件
Rs
：重复开始条件
R
：读控制位
W
：写控制位
A
：应答位
Ā
：无应答位
DATA
：8位数据
P
：终止条件
SLA
：从机地址
(2) 从机发送模式
从机发送模式中，从机发送一系列数据给主机。传送完一个字节，如果主机回应“应答”信息，则SH367309准备发送下一个
字节；如果主机回应“不应答”，则不继续发送数据(如果主机还在继续读取数据，则返回全“1”数据)，等待主机发送“停止条件”或
者“重复起始条件”。
Reception of the own
slave address and
transmission of one
or more data bytes
S
SLA+R
Ack
DATA
Ack
DATA
Ack
DATA
P or S
Other Device Actions
Nack
SH367309 Actions
All '1'
P or S
(3) 从机接收模式
从机接收模式中，从主机接收一系列数据。
Reception of the own
slave address and one
or more data bytes, All
are acknowledged
S
SLA+W
Ack
DATA
Ack
DATA
Ack
P or S
Nack
P or S
Other Device Actions
Nack
SH367309 Actions
P or S
12.3.5 通信协议
12.3.5.1 概述
TWI通讯协议包括两部分：读写EEPROM寄存器和读写RAM寄存器。
当VPRO管脚外接EEPROM烧写电压VPRO时，TWI通信可写EEPROM寄存器。
TWI通讯中，SH367309作为从机，其固定地址为：
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
0
0
1
1
0
1
0
R/W
12.3.5.2 EEPROM寄存器读写协议
(1) 写操作指令
51
V0.9A
Preliminary
SH367309
SH367309 VPRO管脚接EEPROM烧写电压VPRO时，EEPROM寄存器才可被改写。可写EEPROM寄存器地址为00H~18H，
写操作的数据长度固定为1Byte。
当写完一个寄存器后需要延时35mS才能开始写下一个寄存器。
START
SLA+W
Ack
Reg Address
Ack
DATA
Ack
CRC
Ack
STOP
图15 TWI EEPROM写时序
(2) 读操作指令
SH367309可读取EEPROM的寄存器地址为00H~19H。可读取的数据长度需发送给SH367309，单位是Byte(该长度不包括
读取的CRC字节)。如果读取的寄存器地址超出定义，则返回 “全1”数据。
START
SLA+W
Ack
RS
SLA+R
Ack
Reg Address
DATA
Ack
Read Data
Length(Byte)
Ack
DATA
Ack
Ack
DATA
Ack
Nack
CRC
STOP
图16 TWI EEPROM读时序
12.3.5.3 RAM寄存器读写协议
(1) 写操作指令
SH367309 可写RAM寄存器地址为40H~42H、70H~72H。写操作的数据长度固定为1Byte，当写完1个寄存器后需要延时
1mS才能开始写下一个寄存器。
START
SLA+W
Ack
Reg Address
Ack
DATA
Ack
CRC
Ack
STOP
图17 TWI RAM写单字节时序
(2) 读操作指令
SH367309可读取RAM寄存器地址为40H~72H。可读取的数据长度需发送给SH367309，单位是Byte(该长度不包括读取的
CRC字节)。如果读取的寄存器地址超出定义，则返回 “全1”数据。
START
SLA+W
Ack
RS
SLA+R
Ack
Reg Address
DATA
Ack
Ack
Read Data
Length(Byte)
DATA
Ack
Ack
DATA
Ack
CRC
Nack
STOP
图18 TWI RAM读字节时序
12.3.5.4 软件复位协议
SH367309 接收到以下指令协议后，会执行软件复位操作(如果EEPROM寄存器被改写，需执行软件复位操作才有效)。
START
SLA+W
Ack
0xEA
Ack
0xC0
Ack
CRC
Ack
STOP
图19 系统软件复位时序
12.3.5.5 CRC8校验
TWI写操作固定为写1Byte，CRC8会从起始位之后的数据开始校验，包括从机地址(含读/写位)、寄存器地址、写数据，多
8
2
项式=X +X +X+1，如果CRC校验正确，SH367309会将数据更新至指定的寄存器，并返回ACK给主机，反之，则不会更新，并
返回NACK给主机。
TWI读操作的数据长度可通过主机设置，CRC8会从起始位之后的数据开始校验，包括从机地址(含读/写位)、寄存器地址、
8
2
所读取的数据长度N、以及重复开始条件之后的从机地址(含读/写位)、N字节数据进行校验，多项式=X +X +X+1，SH367309
会将计算后的CRC8传递给主机。
软件复位指令按照固定格式。SH367309会根据接收到的第1Byte“0xEA”判定后续接收到的数据长度及CRC8。
注释：CRC8初始值固定为0x00。
52
V0.9A
Preliminary
SH367309
13. EEPROM及RAM寄存器设置
13.1 EEPROM及RAM概述
EEPROM
0x1A~0x3F
DE Option
0x00~0x19
Data Block
Register
DE Option
Mapping
Data Block
Configuration
Area
System Area
0x40~0x72
ADC Data
EEPROM
Interface
RAM Interface
TWI
Communication
图20 寄存器配置图
53
V0.9A
Preliminary
SH367309
13.2 EEPROM寄存器列表及详述
序号(Hex)
状态位
名字
7
6
5
4
3
2
1
0
00H
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
CN2
CN1
CN0
01H
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
02H
OVT/LDRT /OVH
OVT3
OVT2
OVT1
OVT0
LDRT1
LDRT0
OV.9
OV.8
03H
OVL
OV.7
OV.6
OV.5
OV.4
OV.3
OV.2
OV.1
OV.0
04H
UVT/OVRH
UVT3
UVT2
UVT1
UVT0
-
-
OVR.9
OVR.8
05H
OVRL
OVR.7
OVR.6
OVR.5
OVR.4
OVR.3
OVR.2
OVR.1
OVR.0
06H
UV
UV.7
UV.6
UV.5
UV.4
OV.3
UV.2
UV.1
UV.0
07H
UVR
UVR.7
UVR.6
UVR.5
UVR.4
UVR.3
UVR.2
UVR.1
UVR.0
08H
BALV
BALV.7
BALV.6
BALV.5
BALV.4
BALV.3
BALV.2
BALV.1
BALV.0
09H
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0AH
L0V
-
L0V.6
L0V.5
L0V.4
L0V.3
L0V.2
L0V.1
L0V.0
0BH
PFV
PFV.7
PFV.6
PFV.5
PFV.4
PFV.3
PFV.2
PFV.1
PFV.0
0CH
OCD1V/OCD1T
OCD1V3
OCD1V2
OCD1V1
OCD1V0
OCD1T3
OCD1T2
OCD1T1
OCD1T0
0DH
OCD2V/OCD2T
OCD2V3
OCD2V2
OCD2V1
OCD2V0
OCD2T3
OCD2T2
OCD2T1
OCD2T0
0EH
SCV/SCT
SCV3
SCV2
SCV1
SCV0
SCT3
SCT2
SCT1
SCT0
0FH
OCCV/OCCT
OCCV3
OCCV2
OCCV1
OCCV0
OCCT3
OCCT2
OCCT1
OCCT0
10H
MOST/OCRT/PFT
CHS1
CHS0
MOST1
MOST0
OCRT1
OCRT0
PFT1
PFT0
11H
OTC
OTC7
OTC6
OTC5
OTC4
OTC3
OTC2
OTC1
OTC0
12H
OTCR
OTCR7
OTCR6
OTCR5
OTCR4
OTCR3
OTCR2
OTCR1
OTCR0
13H
UTC
UTC7
UTC6
UTC5
UTC4
UTC3
UTC2
UTC1
UTC0
14H
UTCR
UTCR7
UTCR6
UTCR5
UTCR4
UTCR3
UTCR2
UTCR1
UTCR0
15H
OTD
OTD7
OTD6
OTD5
OTD4
OTD3
OTD2
OTD1
OTD0
16H
OTDR
OTDR7
OTDR6
OTDR5
OTDR4
OTDR3
OTDR2
OTDR1
OTDR0
17H
UTD
UTD7
UTD6
UTD5
UTD4
UTD3
UTD2
UTD1
UTD0
18H
UTDR
UTDR7
UTDR6
UTDR5
UTDR4
UTDR3
UTDR2
UTDR1
UTDR0
19H
TR
-
TR6
TR5
TR4
TR3
TR2
TR1
TR0
1AH~1FH
Reserved
-
-
-
-
-
-
-
-
表8 EEPROM寄存器列表
54
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.1 系统配置寄存器1
00H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CN2
CN1
CN0
读/写
读/写
读/写
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
7
ENPCH
6
ENMOS
5
OCPM
4
BAL
3:0
CN3~CN0
说明
预充电模块控制位
0：禁用预充电功能
1：启用预充电功能
充电MOSFET恢复控制位
0：禁用充电MOSFET恢复控制位
1：启用充电MOSFET恢复控制位。当过充电/温度保护关闭充电MOSFET后，如果检
测到放电过流1或者放电状态，则开启充电MOSFET；
充放电过流MOSFET控制位
0：充电过流只关闭充电MOSFET；放电过流只关闭放电MOSFET
1：充放电过流关闭充放电MOSFET
平衡功能模块使能控制位
0：平衡开启由SH367309内部逻辑控制
1：平衡开启由外部MCU控制，平衡时序仍由SH367309内部逻辑控制
串数配置控制位
CN[3:0] = 0101：5串电芯应用
CN[3:0] = 0110：6串电芯应用
CN[3:0] = 0111：7串电芯应用
CN[3:0] = 1000：8串电芯应用
CN[3:0] = 1001：9串电芯应用
CN[3:0] = 1010：10串电芯应用
CN[3:0] = 1011：11串电芯应用
CN[3:0] = 1100：12串电芯应用
CN[3:0] = 1101：13串电芯应用
CN[3:0] = 1110：14串电芯应用
CN[3:0] = 1111：15串电芯应用
CN[3:0] = 其它：16串电芯应用
注释：SH367309兼容5～16串锂电池保护，当串数设置小于16串数，不使用的电芯
输入端(靠近VBAT)短接至最高串电芯的正端即可
55
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.2 系统配置寄存器2
01H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
7
E0VB
6
-
5
UV_OP
4
DIS_PF
3:2
CTLC1~0
1
OCRA
0
EUVR
说明
禁止低压电芯充电功能设置控制位
0：关闭“禁止低压电芯充电”功能
1：开启“禁止低压电芯充电”功能
Reserved
过放电时MOSFET控制位
0：过放电只关闭放电MOSFET
1：过放电关闭充放电MOSFET
二次过充电模块使能控制位
0：启用二次过充电保护
1：禁止二次过充电保护
CTL管脚功能设置控制位
CTLC[1:0]=00：充放电和预充电MOSFET由内部逻辑控制，CTL管脚输入无效
CTLC[1:0]=01：控制充电和预充电MOSFET。CTL输入VL-CTL电平时强制关闭充电和
预充电MOSFET；CTL输入VH-CTL电平时充电和预充电MOSFET由内
部逻辑控制
CTLC[1:0]=10：控制放电MOSFET。CTL输入VL-CTL电平时强制关闭放电MOSFET；
CTL输入VH-CTL电平时，放电MOSFET由内部逻辑控制
CTLC[1:0]=11：控制充放电和预充电MOSFET。CTL输入VL-CTL电平时强制关闭充放
电和预充电MOSFET；CTL输入VH-CTL 电平时，充放电和预充电
MOSFET由内部逻辑控制
电流恢复设置控制位
0：不允许电流保护定时恢复
1：允许电流保护定时恢复
过放电恢复设置控制位
0：过放电保护状态释放与负载释放无关
1：过放电保护状态释放还需负载释放
56
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.3 过充电保护电压/过充电保护延时/负载释放延时设置寄存器
02H，03H
OVH
OVL
读/写
第7位
第6位
第5位
第4位
OVT3
OV.7
读/写
OVT2
OV.6
读/写
OVT1
OV.5
读/写
OVT0
OV.4
读/写
位编号
位符号
7:4
OVT3~OVT0
3:2
LDRT1~LDRT0
1:0
7:0
OV.9~OV.0
第3位
LDRT1
OV.3
读/写
第2位
LDRT0
OV.2
读/写
第1位
OV.9
OV.1
读/写
第0位
OV.8
OV.0
读/写
说明
过充电保护延时设置控制位
OVT[3:0] = 0000：过充电保护延时 = 100mS
OVT[3:0] = 0001：过充电保护延时 = 200mS
OVT[3:0] = 0010：过充电保护延时 = 300mS
OVT[3:0] = 0011：过充电保护延时 = 400mS
OVT[3:0] = 0100：过充电保护延时 = 600mS
OVT[3:0] = 0101：过充电保护延时 = 800mS
OVT[3:0] = 0110：过充电保护延时 = 1S
OVT[3:0] = 0111：过充电保护延时 = 2S
OVT[3:0] = 1000：过充电保护延时 = 3S
OVT[3:0] = 1001：过充电保护延时 = 4S
OVT[3:0] = 1010：过充电保护延时 = 6S
OVT[3:0] = 1011：过充电保护延时 = 8S
OVT[3:0] = 1100：过充电保护延时 = 10S
OVT[3:0] = 1101：过充电保护延时 = 20S
OVT[3:0] = 1110：过充电保护延时 = 30S
OVT[3:0] = 1111：过充电保护延时 = 40S
负载释放延时设置控制位
LDRT[1:0] = 00: 负载释放延时 = 100mS
LDRT[1:0] = 01: 负载释放延时 = 500mS
LDRT[1:0] = 10: 负载释放延时 = 1000mS
LDRT[1:0] = 11: 负载释放延时 = 2000mS
过充电保护电压，计算方式：寄存器值×5mV
注释：过充电保护电压=OV寄存器值x5mV。
57
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.4 过充电恢复电压/过放电保护延时设置寄存器
04H，05H
OVRH
OVRL
读/写
第7位
第6位
第5位
第4位
UVT3
OVR.7
读/写
UVT2
OVR.6
读/写
UVT1
OVR.5
读/写
UVT0
OVR.4
读/写
位编号
位符号
7:4
UVT3~UVT0
3:2
-
1:0
7:0
OVR.9~OVR.0
第3位
OVR.3
读/写
第2位
OVR.2
读/写
第1位
OVR.9
OVR.1
读/写
第0位
OVR.8
OVR.0
读/写
第2位
UV.2
读/写
第1位
UV.1
读/写
第0位
UV.0
读/写
第2位
UVR.2
读/写
第1位
UVR.1
读/写
第0位
UVR.0
读/写
第2位
BALV.2
读/写
第1位
BALV.1
读/写
第0位
BALV.0
读/写
说明
过放电保护延时设置控制位
UVT[3:0] = 0000：过放电保护延时 = 100mS
UVT[3:0] = 0001：过放电保护延时 = 200mS
UVT[3:0] = 0010：过放电保护延时 = 300mS
UVT[3:0] = 0011：过放电保护延时 = 400mS
UVT[3:0] = 0100：过放电保护延时 = 600mS
UVT[3:0] = 0101：过放电保护延时 = 800mS
UVT[3:0] = 0110：过放电保护延时 = 1S
UVT[3:0] = 0111：过放电保护延时 = 2S
UVT[3:0] = 1000：过放电保护延时 = 3S
UVT[3:0] = 1001：过放电保护延时 = 4S
UVT[3:0] = 1010：过放电保护延时 = 6S
UVT[3:0] = 1011：过放电保护延时 = 8S
UVT[3:0] = 1100：过放电保护延时 = 10S
UVT[3:0] = 1101：过放电保护延时 = 20S
UVT[3:0] = 1110：过放电保护延时 = 30S
UVT[3:0] = 1111：过放电保护延时 = 40S
Reserved
过充电恢复电压，计算方式：寄存器值×5mV
注释：过充电恢复电压=OVR寄存器值x5mV，OVR＜OV。
Table 13.5 过放电保护电压设置寄存器
06H
UV
读/写
第7位
UV.7
读/写
第6位
UV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
UV.7~ UV.0
第5位
UV.5
读/写
第4位
UV.4
读/写
第3位
UV.3
读/写
说明
过放电保护电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：过放电保护电压=UV寄存器值x20mV。
Table 13.6 过放电恢复电压设置寄存器
07H
UVR
读/写
第7位
UVR.7
读/写
第6位
UVR.6
读/写
位编号
位符号
7:0
UVR.7~UVR.0
第5位
UVR.5
读/写
第4位
UVR.4
读/写
第3位
UVR.3
读/写
说明
过放电恢复电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：过放电恢复电压= UV寄存器值x20mV，且UV＜UVR。
Table 13.7 平衡开启电压设置寄存器
08H
BALV
读/写
第7位
BALV.7
读/写
第6位
BALV.6
读/写
第5位
BALV.5
读/写
第4位
BALV.4
读/写
58
第3位
BALV.3
读/写
V0.9A
Preliminary
SH367309
位编号
位符号
7:0
BALV.7~ BALV.0
说明
平衡开启电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：平衡开启电压= BALV寄存器值x20mV。
Table 13.8 预充电电压设置寄存器
09H
PREV
读/写
第7位
PREV.7
读/写
第6位
PREV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
PREV.7~ PREV.0
第5位
PREV.5
读/写
第4位
PREV.4
读/写
第3位
PREV.3
读/写
第2位
PREV.2
读/写
第1位
PREV.1
读/写
第0位
PREV.0
读/写
第2位
L0V.2
读/写
第1位
L0V.1
读/写
第0位
L0V.0
读/写
第1位
PFV.1
读/写
第0位
PFV.0
读/写
说明
预充电电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：预充电电压设定值= PREV寄存器值x20mV。
Table 13.9 低电压禁止充电电压设置寄存器
0AH
L0V
读/写
第7位
读/写
第6位
L0V.6
读/写
位编号
位符号
7:0
L0V.6~ L0V.0
第5位
L0V.5
读/写
第4位
L0V.4
读/写
第3位
L0V.3
读/写
说明
低电压禁止充电电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：低电压禁止充电电压设定值= L0V寄存器值x20mV。
Table 13.10 二次过充电保护电压设置寄存器
0BH
PFV
读/写
第7位
PFV.7
读/写
第6位
PFV.6
读/写
位编号
位符号
7:0
PFV.7~ PFV.0
第5位
PFV.5
读/写
第4位
PFV.4
读/写
第3位
PFV.3
读/写
第2位
PFV.2
读/写
说明
二次过充电保护电压，计算方式：寄存器值×20mV
注释：二次过充电保护电压= PFV寄存器值x20mV。
Table 13.11 电压阈值关系
PFV
二次过充电保
护电压
OV
过充电保护电
压
OVR
过充电恢复电
压
高 →低
UVR
UV
过放电恢复电 过放电保护电
压
压
59
VPD
Powerdown
允许电压
PREV
预充电开启电
压
L0V
低电压禁止充
电电压
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.12 放电过流1设置寄存器
0CH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCD1V/OCD1T
OCD1V3
OCD1V2
OCD1V1
OCD1V0
OCD1T3
OCD1T.2
OCD1T.1
OCD1T.0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
放电过流1保护电压设置控制位
OCD1V[3:0] = 0000：放电过流1保护电压 = 20mV
OCD1V[3:0] = 0001：放电过流1保护电压 = 30mV
OCD1V[3:0] = 0010：放电过流1保护电压 = 40mV
OCD1V[3:0] = 0011：放电过流1保护电压 = 50mV
OCD1V[3:0] = 0100：放电过流1保护电压 = 60mV
OCD1V[3:0] = 0101：放电过流1保护电压 = 70mV
OCD1V[3:0] = 0110：放电过流1保护电压 = 80mV
OCD1V3~
7:4
OCD1V[3:0] = 0111：放电过流1保护电压 = 90mV
OCD1V0
OCD1V[3:0] = 1000：放电过流1保护电压 = 100mV
OCD1V[3:0] = 1001：放电过流1保护电压 = 110mV
OCD1V[3:0] = 1010：放电过流1保护电压 = 120mV
OCD1V[3:0] = 1011：放电过流1保护电压 = 130mV
OCD1V[3:0] = 1100：放电过流1保护电压 = 140mV
OCD1V[3:0] = 1101：放电过流1保护电压 = 160mV
OCD1V[3:0] = 1110：放电过流1保护电压 = 180mV
OCD1V[3:0] = 1111：放电过流1保护电压 = 200mV
放电过流1保护延时设置控制位
OCD1T[3:0] = 0000：放电过流1保护延时 = 50mS
OCD1T[3:0] = 0001：放电过流1保护延时 = 100mS
OCD1T[3:0] = 0010：放电过流1保护延时 = 200mS
OCD1T[3:0] = 0011：放电过流1保护延时 = 400mS
OCD1T[3:0] = 0100：放电过流1保护延时 = 600mS
OCD1T[3:0] = 0101：放电过流1保护延时 = 800mS
OCD1T[3:0] = 0110：放电过流1保护延时 = 1S
OCD1T3~
3:0
OCD1T[3:0] = 0111：放电过流1保护延时 = 2S
OCD1T0
OCD1T[3:0] = 1000：放电过流1保护延时 = 4S
OCD1T[3:0] = 1001：放电过流1保护延时 = 6S
OCD1T[3:0] = 1010：放电过流1保护延时 = 8S
OCD1T[3:0] = 1011：放电过流1保护延时 = 10S
OCD1T[3:0] = 1100：放电过流1保护延时 = 15S
OCD1T[3:0] = 1101：放电过流1保护延时 = 20S
OCD1T[3:0] = 1110：放电过流1保护延时 = 30S
OCD1T[3:0] = 1111：放电过流1保护延时 = 40S
注释：放电过流1保护电压值为VRS2-VRS1。
60
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.13 放电过流2设置寄存器
0DH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCD2V/OCD2T
OCD2V3
OCD2V2
OCD2V1
OCD2V0
OCD2T3
OCD2T2
OCD2T1
OCD2T0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
放电过流2保护电压设置控制位
OCD2V[3:0] = 0000：放电过流2保护电压 = 30mV
OCD2V[3:0] = 0001：放电过流2保护电压 = 40mV
OCD2V[3:0] = 0010：放电过流2保护电压 = 50mV
OCD2V[3:0] = 0011：放电过流2保护电压 = 60mV
OCD2V[3:0] = 0100：放电过流2保护电压 = 70mV
OCD2V[3:0] = 0101：放电过流2保护电压 = 80mV
OCD2V[3:0] = 0110：放电过流2保护电压 = 90mV
OCD2V3~
7:4
OCD2V[3:0] = 0111：放电过流2保护电压 = 100mV
OCD2V0
OCD2V[3:0] = 1000：放电过流2保护电压 = 120mV
OCD2V[3:0] = 1001：放电过流2保护电压 = 140mV
OCD2V[3:0] = 1010：放电过流2保护电压 = 160mV
OCD2V[3:0] = 1011：放电过流2保护电压 = 180mV
OCD2V[3:0] = 1100：放电过流2保护电压 = 200mV
OCD2V[3:0] = 1101：放电过流2保护电压 = 300mV
OCD2V[3:0] = 1110：放电过流2保护电压 = 400mV
OCD2V[3:0] = 1111：放电过流2保护电压 = 500mV
放电过流2保护延时设置控制位
OCD2T[3:0] = 0000：放电过流2保护延时 = 10mS
OCD2T[3:0] = 0001：放电过流2保护延时 = 20mS
OCD2T[3:0] = 0010：放电过流2保护延时 = 40mS
OCD2T[3:0] = 0011：放电过流2保护延时 = 60mS
OCD2T[3:0] = 0100：放电过流2保护延时 = 80mS
OCD2T[3:0] = 0101：放电过流2保护延时 = 100mS
OCD2T[3:0] = 0110：放电过流2保护延时 = 200mS
OCD2T3~
3:0
OCD2T[3:0] = 0111：放电过流2保护延时 = 400mS
OCD2T0
OCD2T[3:0] = 1000：放电过流2保护延时 = 600mS
OCD2T[3:0] = 1001：放电过流2保护延时 = 800mS
OCD2T[3:0] = 1010：放电过流2保护延时 = 1S
OCD2T[3:0] = 1011：放电过流2保护延时 = 2S
OCD2T[3:0] = 1100：放电过流2保护延时 = 4S
OCD2T[3:0] = 1101：放电过流2保护延时 = 8S
OCD2T[3:0] = 1110：放电过流2保护延时 = 10S
OCD2T[3:0] = 1111：放电过流2保护延时 = 20S
注释：放电过流2保护电压值为VRS2-VRS1。
61
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.14 短路保护设置寄存器
0EH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
SCV/SCT
SCV3
SCV2
SCV1
SCV0
SCT3
SCT2
SCT1
SCT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
7:4
SCV3~
SCV0
3:0
SCT3~
SCT0
说明
短路保护保护电压设置控制位
SCV[3:0] = 0000：短路保护电压 = 50mV
SCV[3:0] = 0001：短路保护电压 = 80mV
SCV[3:0] = 0010：短路保护电压 = 110mV
SCV[3:0] = 0011：短路保护电压 = 140mV
SCV[3:0] = 0100：短路保护电压 = 170mV
SCV[3:0] = 0101：短路保护电压 = 200mV
SCV[3:0] = 0110：短路保护电压 = 230mV
SCV[3:0] = 0111：短路保护电压 = 260mV
SCV[3:0] = 1000：短路保护电压 = 290mV
SCV[3:0] = 1001：短路保护电压 = 320mV
SCV[3:0] = 1010：短路保护电压 = 350mV
SCV[3:0] = 1011：短路保护电压 = 400mV
SCV[3:0] = 1100：短路保护电压 = 500mV
SCV[3:0] = 1101：短路保护电压 = 600mV
SCV[3:0] = 1110：短路保护电压 = 800mV
SCV[3:0] = 1111：短路保护电压 = 1000mV
短路保护延时设置控制位
SCT[3:0] = 0000：短路保护延时 = 0uS
SCT[3:0] = 0001：短路保护延时 = 64uS
SCT[3:0] = 0010：短路保护延时 = 128uS
SCT[3:0] = 0011：短路保护延时 = 192uS
SCT[3:0] = 0100：短路保护延时 = 256uS
SCT[3:0] = 0101：短路保护延时 = 320uS
SCT[3:0] = 0110：短路保护延时 = 384uS
SCT[3:0] = 0111：短路保护延时 = 448uS
SCT[3:0] = 1000：短路保护延时 = 512uS
SCT[3:0] = 1001：短路保护延时 = 576uS
SCT[3:0] = 1010：短路保护延时 = 640uS
SCT[3:0] = 1011：短路保护延时 = 704uS
SCT[3:0] = 1100：短路保护延时 = 768uS
SCT[3:0] = 1101：短路保护延时 = 832uS
SCT[3:0] = 1110：短路保护延时 = 896uS
SCT[3:0] = 1111：短路保护延时 = 960uS
注释：短路保护电压值为VRS2-VRS1。
注释：短路保护延时仅指内部电路检测延时，如果Sense电阻两端有RC滤波网络，则会因此引入一定延时（＜50uS）。
62
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.15 充电过流设置寄存器
0FH
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OCCV/OCCT
OCCV3
OCCV2
OCCV1
OCCV0
OCCT3
OCCT2
OCCT1
OCCT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
说明
充电过流保护电压设置控制位
OCCV[3:0] = 0000：充电过流保护电压 = 20mV
OCCV[3:0] = 0001：充电过流保护电压 = 30mV
OCCV[3:0] = 0010：充电过流保护电压 = 40mV
OCCV[3:0] = 0011：充电过流保护电压 = 50mV
OCCV[3:0] = 0100：充电过流保护电压 = 60mV
OCCV[3:0] = 0101：充电过流保护电压 = 70mV
OCCV[3:0] = 0110：充电过流保护电压 = 80mV
OCCV3~
7:4
OCCV[3:0] = 0111：充电过流保护电压 = 90mV
OCCV0
OCCV[3:0] = 1000：充电过流保护电压 = 100mV
OCCV[3:0] = 1001：充电过流保护电压 = 110mV
OCCV[3:0] = 1010：充电过流保护电压 = 120mV
OCCV[3:0] = 1011：充电过流保护电压 = 130mV
OCCV[3:0] = 1100：充电过流保护电压 = 140mV
OCCV[3:0] = 1101：充电过流保护电压 = 160mV
OCCV[3:0] = 1110：充电过流保护电压 = 180mV
OCCV[3:0] = 1111：充电过流保护电压 = 200mV
充电过流保护延时设置控制位
OCCT[3:0] = 0000：充电过流保护延时 = 10mS
OCCT[3:0] = 0001：充电过流保护延时 = 20mS
OCCT[3:0] = 0010：充电过流保护延时 = 40mS
OCCT[3:0] = 0011：充电过流保护延时 = 60mS
OCCT[3:0] = 0100：充电过流保护延时 = 80mS
OCCT[3:0] = 0101：充电过流保护延时 = 100mS
OCCT[3:0] = 0110：充电过流保护延时 = 200mS
OCCT3~
3:0
OCCT[3:0] = 0111：充电过流保护延时 = 400mS
OCCT0
OCCT[3:0] = 1000：充电过流保护延时 = 600mS
OCCT[3:0] = 1001：充电过流保护延时 = 800mS
OCCT[3:0] = 1010：充电过流保护延时 = 1S
OCCT[3:0] = 1011：充电过流保护延时 = 2S
OCCT[3:0] = 1100：充电过流保护延时 = 4S
OCCT[3:0] = 1101：充电过流保护延时 = 8S
OCCT[3:0] = 1110：充电过流保护延时 = 10S
OCCT[3:0] = 1111：充电过流保护延时 = 20S
注释：充电过流1保护电压值为VRS1-VRS2。
63
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.16 充放电过流自动恢复/二次过充电保护延时设置寄存器
10H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
MOST/OCRT/PFT
CHS1
CHS0
MOST1
MOST0
OCRT1
OCRT0
PFT1
PFT0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
位符号
7:6
CHS1~ CHS0
5:4
MOST1~MOST0
3:2
OCRT1~OCRT0
1:0
PFT1~PFT0
说明
充放电状态检测电压设置
CHS [1:0] = 00：充放电状态检测电压 = 200uV
CHS [1:0] = 01：充放电状态检测电压 = 500uV
CHS [1:0] = 10：充放电状态检测电压 = 1000uV
CHS [1:0] = 11：充放电状态检测电压 = 2000uV
充放电MOSFET开启延时设置
MOST[1:0] = 00：充放电MOSFET开启延时 = 64uS
MOST[1:0] = 01：充放电MOSFET开启延时 = 128uS
MOST[1:0] = 10：充放电MOSFET开启延时 = 256uS
MOST[1:0] = 11：充放电MOSFET开启延时 = 512uS
充放电过流自恢复延时设置
OCRT[1:0] = 00：充放电过流自动恢复延时 = 8S
OCRT[1:0] = 01：充放电过流自动恢复延时 = 16S
OCRT[1:0] = 10：充放电过流自动恢复延时 = 32S
OCRT[1:0] = 11：充放电过流自动恢复延时 = 64S
二次过充电保护延时设置
PFT[1:0] = 00：二次过充电保护延时 =8S
PFT[1:0] = 01：二次过充电保护延时= 16S
PFT[1:0] = 10：二次过充电保护延时= 32S
PFT[1:0] = 11：二次过充电保护延时= 64S
Table 13.17 充电高温保护设置寄存器
11H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTC
OTC7
OTC6
OTC5
OTC4
OTC3
OTC2
OTC1
OTC0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTC7~OTC0
说明
充电高温保护阈值
Table 13.18 充电高温保护释放设置寄存器
12H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTCR
OTCR7
OTCR6
OTCR5
OTCR4
OTCR3
OTCR2
OTCR1
OTCR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTCR7~OTCR0
说明
充电高温保护释放阈值
64
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.19 充电低温保护设置寄存器
13H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTC
UTC7
UTC6
UTC5
UTC4
UTC3
UTC2
UTC1
UTC0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTC7~UTC0
说明
充电低温保护阈值
Table 13.20 充电低温保护释放设置寄存器
14H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTCR
UTCR7
UTCR6
UTCR5
UTCR4
UTCR3
UTCR2
UTCR1
UTCR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTCR7~UTCR0
说明
充电低温保护释放阈值
Table 13.21 放电高温保护设置寄存器
15H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTD
OTD7
OTD6
OTD5
OTD4
OTD3
OTD2
OTD1
OTD0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTD7~OTD0
说明
放电高温保护阈值
Table 13.22 放电高温保护释放设置寄存器
16H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
OTDR
OTDR7
OTDR6
OTDR5
OTDR4
OTDR3
OTDR2
OTDR1
OTDR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
OTDR7~OTDR0
说明
放电高温保护释放阈值
65
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.23 放电低温保护设置寄存器
17H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTD
UTD7
UTD6
UTD5
UTD4
UTD3
UTD2
UTD1
UTD0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTD7~UTD0
说明
放电低温保护阈值
Table 13.24 放电低温保护释放设置寄存器
18H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
UTDR
UTDR7
UTDR6
UTDR5
UTDR4
UTDR3
UTDR2
UTDR1
UTDR0
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
位编号
7:0
位符号
UTDR7~UTDR0
说明
放电低温保护释放阈值
Table 13.25 温度内部参考电阻系数寄存器
19H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
TR
-
TR6
TR5
TR4
TR3
TR2
TR1
TR0
读
-
读
读
读
读
读
读
读
位编号
7
6:0
位符号
TR6~ TR0
说明
Reserved
温度内部参考电阻系数
66
V0.9A
Preliminary
SH367309
13.3 EEROM&RAM寄存器列表及详述
序号(Hex)
状态位
名字
7
6
5
4
3
2
1
0
00H
SCONF1
ENPCH
ENMOS
OCPM
BAL
CN3
CN2
CN1
CN0
01H
SCONF2
E0VB
-
UV_OP
DIS_PF
CTLC1
CTLC0
OCRA
EUVR
02H
OVT/LDRT/OVH
OVT3
OVT2
OVT1
OVT0
LDRT1
LDRT0
OV.9
OV.8
03H
OVL
OV.7
OV.6
OV.5
OV.4
OV.3
OV.2
OV.1
OV.0
04H
UVT/OVRH
UVT3
UVT2
UVT1
UVT0
-
-
OVR.9
OVR.8
05H
OVRL
OVR.7
OVR.6
OVR.5
OVR.4
OVR.3
OVR.2
OVR.1
OVR.0
06H
UV
UV.7
UV.6
UV.5
UV.4
UV.3
UV.2
UV.1
UV.0
07H
UVR
UVR.7
UVR.6
UVR.5
UVR.4
UVR.3
UVR.2
UVR.1
UVR.0
08H
BALV
BALV.7
BALV.6
BALV.5
BALV.4
BALV.3
BALV.2
BALV.1
BALV.0
09H
PREV
PREV.7
PREV.6
PREV.5
PREV.4
PREV.3
PREV.2
PREV.1
PREV.0
0AH
L0V
-
L0V.6
L0V.5
L0V.4
L0V.3
L0V.2
L0V.1
L0V.0
0BH
PFV
PFV.7
PFV.6
PFV.5
PFV.4
PFV.3
PFV.2
PFV.1
PFV.0
0CH
OCD1V/OCD1T
OCD1V3
OCD1V2
OCD1V1
OCD1V0
OCD1T3
OCD1T2
OCD1T1
OCD1T0
0DH
OCD2V/OCD2T
OCD2V3
OCD2V2
OCD2V1
OCD2V0
OCD2T3
OCD2T2
OCD2T1
OCD2T0
0EH
SCV/SCT
SCV3
SCV2
SCV1
SCV0
SCT3
SCT2
SCT1
SCT0
0FH
OCCV/OCCT
OCCV3
OCCV2
OCCV1
OCCV0
OCCT3
OCCT2
OCCT1
OCCT0
10H
MOST/OCRT/PFT
CHS1
CHS0
MOST1
MOST0
OCRT1
OCRT0
PFT1
PFT0
11H
OTC
OTC7
OTC6
OTC5
OTC4
OTC3
OTC2
OTC1
OTC0
12H
OTCR
OTCR7
OTCR6
OTCR5
OTCR4
OTCR3
OTCR2
OTCR1
OTCR0
13H
UTC
UTC7
UTC6
UTC5
UTC4
UTC3
UTC2
UTC1
UTC0
14H
UTCR
UTCR7
UTCR6
UTCR5
UTCR4
UTCR3
UTCR2
UTCR1
UTCR0
15H
OTD
OTD7
OTD6
OTD5
OTD4
OTD3
OTD2
OTD1
OTD0
16H
OTDR
OTDR7
OTDR6
OTDR5
OTDR4
OTDR3
OTDR2
OTDR1
OTDR0
17H
UTD
UTD7
UTD6
UTD5
UTD4
UTD3
UTD2
UTD1
UTD0
18H
UTDR
UTDR7
UTDR6
UTDR5
UTDR4
UTDR3
UTDR2
UTDR1
UTDR0
19H
TR
-
TR6
TR5
TR4
TR3
TR2
TR1
TR0
1AH~3FH
Reserved
-
-
-
-
-
-
-
-
表9 EEROM寄存器列表
67
V0.9A
Preliminary
序号
(Hex)
SH367309
状态位
名字
7
6
5
4
3
2
1
0
40H
CONF
OCRC
PCHMOS
DSGMOS
CHGMOS
CADCON
ENWDT
SLEEP
IDLE
41H
BALANCEH
CB16
CB15
CB14
CB13
CB12
CB11
CB10
CB9
42H
BALANCEL
CB8
CB7
CB6
CB5
CB4
CB3
CB2
CB1
43H
BSTATUS1
WDT
PF
SC
OCC
OCD2
OCD1
UV
OV
44H
BSTATUS2
-
-
-
OTD
UTC
BSTATUS3
CHGING
DSGING
-
CHG_FET
DSG_FET
46H
TEMP1H
TEMP1.15
TEMP1.14
TEMP1.13
TEMP1.11
UTD
PCHG_FE
T
TEMP1.10
OTC
45H
EEPR_W
R
TEMP1.12
TEMP1.9
TEMP1.8
47H
TEMP1L
TEMP1.7
TEMP1.6
TEMP1.5
TEMP1.4
TEMP1.3
TEMP1.2
TEMP1.1
TEMP1.0
48H
TEMP2H
TEMP2.15
TEMP2.14
TEMP2.13
TEMP2.12
TEMP2.11
TEMP2.10
TEMP2.9
TEMP2.8
49H
TEMP2L
TEMP2.7
TEMP2.6
TEMP2.5
TEMP2.4
TEMP2.3
TEMP2.2
TEMP2.1
TEMP2.0
4AH
TEMP3H
TEMP3.15
TEMP3.14
TEMP3.13
TEMP3.12
TEMP3.11
TEMP3.10
TEMP3.9
TEMP3.8
L0V
4BH
TEMP3L
TEMP3.7
TEMP3.6
TEMP3.5
TEMP3.4
TEMP3.3
TEMP3.2
TEMP3.1
TEMP3.0
4CH
CURH
CUR.15
CUR.14
CUR.13
CUR.12
CUR.11
CUR.10
CUR.9
CUR.8
4DH
CURL
CUR.7
CUR.6
CUR.5
CUR.4
CUR.3
CUR.2
CUR.1
CUR.0
4EH
CELL1H
CELL1.15
CELL1.14
CELL1.13
CELL1.12
CELL1.11
CELL1.10
CELL1.9
CELL1.8
4FH
CELL1L
CELL1.7
CELL1.6
CELL1.5
CELL1.4
CELL1.3
CELL1.2
CELL1.1
CELL1.0
50H
CELL2H
CELL2.15
CELL2.14
CELL2.13
CELL2.12
CELL2.11
CELL2.10
CELL2.9
CELL2.8
51H
CELL2L
CELL2.7
CELL2.6
CELL2.5
CELL2.4
CELL2.3
CELL2.2
CELL2.1
CELL2.0
52H
CELL3H
CELL3.15
CELL3.14
CELL3.13
CELL3.12
CELL3.11
CELL3.10
CELL3.9
CELL3.8
53H
CELL3L
CELL3.7
CELL3.6
CELL3.5
CELL3.4
CELL3.3
CELL3.2
CELL3.1
CELL3.0
54H
CELL4H
CELL4.15
CELL4.14
CELL4.13
CELL4.12
CELL4.11
CELL4.10
CELL4.9
CELL4.8
55H
CELL4L
CELL4.7
CELL4.6
CELL4.5
CELL4.4
CELL4.3
CELL4.2
CELL4.1
CELL4.0
56H
CELL5H
CELL5.15
CELL5.14
CELL5.13
CELL5.12
CELL5.11
CELL5.10
CELL5.9
CELL5.8
57H
CELL5L
CELL5.7
CELL5.6
CELL5.5
CELL5.4
CELL5.3
CELL5.2
CELL5.1
CELL5.0
58H
CELL6H
CELL6.15
CELL6.14
CELL6.13
CELL6.12
CELL6.11
CELL6.10
CELL6.9
CELL6.8
59H
CELL6L
CELL6.7
CELL6.6
CELL6.5
CELL6.4
CELL6.3
CELL6.2
CELL6.1
CELL6.0
5AH
CELL7H
CELL7.15
CELL7.14
CELL7.13
CELL7.12
CELL7.11
CELL7.10
CELL7.9
CELL7.8
5BH
CELL7L
CELL7.7
CELL7.6
CELL7.5
CELL7.4
CELL7.3
CELL7.2
CELL7.1
CELL7.0
5CH
CELL8H
CELL8.15
CELL8.14
CELL8.13
CELL8.12
CELL8.11
CELL8.10
CELL8.9
CELL8.8
5DH
CELL8L
CELL8.7
CELL8.6
CELL8.5
CELL8.4
CELL8.3
CELL8.2
CELL8.1
CELL8.0
5EH
CELL9H
CELL9.15
CELL9.14
CELL9.13
CELL9.12
CELL9.11
CELL9.10
CELL9.9
CELL9.8
5FH
CELL9L
CELL9.5
CELL10.1
3
CELL9.4
CELL10.1
2
CELL9.3
CELL10.1
1
CELL9.2
CELL10.1
0
CELL9.0
CELL10H
CELL9.6
CELL10.1
4
CELL9.1
60H
CELL9.7
CELL10.1
5
CELL10.9
CELL10.8
表10 RAM寄存器列表
68
V0.9A
Preliminary
序号
(Hex)
SH367309
状态位
名字
7
6
5
4
3
2
1
0
CELL10.6
CELL11.1
4
CELL11.6
CELL12.1
4
CELL12.6
CELL13.1
4
CELL13.6
CELL14.1
4
CELL14.6
CELL15.1
4
CELL15.6
CELL16.1
4
CELL16.6
CELL10.5
CELL11.1
3
CELL11.5
CELL12.1
3
CELL12.5
CELL13.1
3
CELL13.5
CELL14.1
3
CELL14.5
CELL15.1
3
CELL15.5
CELL16.1
3
CELL16.5
CELL10.4
CELL11.1
2
CELL11.4
CELL12.1
2
CELL12.4
CELL13.1
2
CELL13.4
CELL14.1
2
CELL14.4
CELL15.1
2
CELL15.4
CELL16.1
2
CELL16.4
CELL10.3
CELL11.1
1
CELL11.3
CELL12.1
1
CELL12.3
CELL13.1
1
CELL13.3
CELL14.1
1
CELL14.3
CELL15.1
1
CELL15.3
CELL16.1
1
CELL16.3
CELL10.2
CELL11.1
0
CELL11.2
CELL12.1
0
CELL12.2
CELL13.1
0
CELL13.2
CELL14.1
0
CELL14.2
CELL15.1
0
CELL15.2
CELL16.1
0
CELL16.2
CELL10.1
CELL10.0
CELL11.9
CELL11.8
CELL11.1
CELL11.0
CELL12.9
CELL12.8
CELL12.1
CELL12.0
CELL13.9
CELL13.8
CELL13.1
CELL13.0
CELL14.9
CELL14.8
CELL14.1
CELL14.0
CELL15.9
CELL15.8
CELL15.1
CELL15.0
CELL16.9
CELL16.8
CELL16.1
CELL16.0
61H
CELL10L
62H
CELL11H
63H
CELL11L
64H
CELL12H
65H
CELL12L
66H
CELL13H
67H
CELL13L
68H
CELL14H
69H
CELL14L
6AH
CELL15H
6BH
CELL15L
6CH
CELL16H
6DH
CELL16L
CELL10.7
CELL11.1
5
CELL11.7
CELL12.1
5
CELL12.7
CELL13.1
5
CELL13.7
CELL14.1
5
CELL14.7
CELL15.1
5
CELL15.7
CELL16.1
5
CELL16.7
6EH
CADCDH
CDATA.15
CDATA.14
CDATA.13
CDATA.12
CDATA.11
CDATA.10
CDATA.9
CDATA.8
6FH
CADCDL
CDATA.7
CDATA.6
CDATA.5
CDATA.4
CDATA.3
CDATA.2
CDATA.0
CDATA.0
70H
BFLAG1
WDT_FL
G
PF_FLG
SC_FLG
OCC_FLG
LOAD_FL
G
OCD_FLG
UV_FLG
OV_FLG
71H
BFLAG2
RST_FLG
WAKE_FL
G
CADC_FL
G
VADC_FL
G
OTD_FLG
UTD_FLG
OTC_FLG
UTC_FLG
72H
RSTSTAT
-
-
-
-
-
-
WDT1
WDT0
表11 RAM寄存器列表
69
V0.9A
Preliminary
SH367309
13.1 RAM特殊寄存器
Table 13.26 系统配置寄存器
40H
第7位
第6位
第5位
第4位
第3位
第2位
第1位
第0位
CONF
OCRC
PCHMOS
DSGMOS
CHGMOS
CADCON
ENWDT
SLEEP
IDLE
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
复位值
(POR/WDT/LVR/PIN)
0
1
1
1
0
0
0
0
位编号
位符号
7
OCRC
6
PCHMOS
预充电MOSFET控制位
0：预充电MOSFET关闭
1：预充电MOSFET由硬件保护模块决定
5
DSGMOS
放电MOSFET控制位
0：放电MOSFET关闭
1：放电MOSFET由硬件保护模块决定
4
CHGMOS
充电MOSFET控制位
0：充电MOSFET关闭
1：充电MOSFET由硬件保护模块决定
3
CADCON
CADC设置控制位
0：SH367309关闭CADC
1：SH367309开启CADC进行电流采集
2
ENWDT
1
SLEEP
0
IDLE
说明
过流保护控制位
过流保护状态清除需在OCRC位连续写：0-1-0
看门狗设置控制位
0：SH367309关闭看门狗模块
1：SH367309开启看门狗模块
SLEEP设置控制位
0：SH367309不进入SLEEP状态
1：SH367309将进入SLEEP状态，唤醒后硬件自动清零
注释：当设置为“1”时，如果SH367309连接充电器，则不进入SLEEP状态，硬件会自
动清零。
IDLE设置控制位
0：SH367309不进入IDLE状态
1：SH367309将进入IDLE状态，唤醒后硬件自动清零
注释：当设置为“1”时，如果SH367309发生了任何保护，则不进入IDLE状态，硬件会
自动清零。
70
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.27 系统状态寄存器BSTATUS1
43H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS1
WDT
PF
SC
OCC
OCD2
OCD1
UV
OV
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
7
WDT
6
PF
二次过充电保护状态位
1：发生二次过充电保护
0：未发生二次过充电保护
5
SC
短路保护状态位
1：发生短路保护
0：未发生短路保护
4
OCC
充电过流保护状态位
1：发生充电过流保护
0：未发生充电过流保护
3
OCD2
放电过流2保护状态位
1：发生放电过流2保护
0：未发生放电过流2保护
2
OCD1
放电过流1保护状态位
1：发生放电过流1保护
0：未发生放电过流1保护
1
UV
欠压保护状态位
1：发生欠压保护
0：未发生欠压保护
0
OV
过压保护状态位
1：发生过压保护
0：未发生过压保护
看门狗状态位
1：看门狗溢出
0：看门狗正常
71
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.28 系统状态寄存器BSTATUS2
44H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
BSTATUS2
-
-
-
-
OTD
UTD
OTC
UTC
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
7:4
-
3
OTD
放电高温保护状态位
1：发生放电高温保护
0：未发生放电高温保护
2
UTD
放电低温保护状态位
1：发生放电低温保护
0：未发生放电低温保护
1
OTC
充电高温保护状态位
1：发生充电高温保护
0：未发生充电高温保护
0
UTC
充电低温保护状态位
1：发生充电低温保护
0：未发生充电低温保护
Reserved
72
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.29 系统状态寄存器BSTATUS3
45H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
BSTATUS3
CHGING
DSGING
-
EEPR_WR
L0V
读/写
读
读
读
读
读
读
读
读
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
7
CHGING
充电状态位
1：充电状态
0：非充电状态
6
DSGING
放电状态位
1：放电状态
0：非放电状态
5
-
Reserved
4
EEPR_WR
3
L0V
2
PCHG_FET
1
CHG_FET
充电MOSFET开关状态位
1：充电MOSFET开启
0：充电MOSFET关闭
0
DSG_FET
放电MOSFET开关状态位
1：放电MOSFET开启
0：放电MOSFET关闭
Bit2
Bit1
Bit0
PCHG_FET CHG_FET DSG_FET
Description
EEPROM写操作状态位
1：EEPROM写操作错误
0：EEPROM写操作正确
低电压禁止充电状态位
1：发生低电压禁止充电
0：未发生低电压禁止充电
预充电MOSFET开关状态位
1：预充电MOSFET开启
0：预充电MOSFET关闭
73
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.30 系统标志寄存器BFLAG1
70H
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
BFLAG1
WDT_FLG
PF_FLG
SC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
复位值
0
0
0
0
0
Bit2
Bit1
Bit0
UV_FLG
OV_FLG
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
0
0
0
OCC_FLG LOAD_FLG OCD_FLG
Bit Number
Bit Mnemonic
Description
7
WDT_FLG
6
PF_FLG
二次过充电保护标志位
1：发生过二次过充电保护
0：未发生过二次过充电保护
5
SC_FLG
短路保护标志位
1：发生过短路保护
0：未发生过短路保护
4
OCC_FLG
充电过流保护标志位
1：发生过充电过流保护
0：未发生过充电过流保护
3
LOAD_FLG
LDO3过流标志位
1：发生过过流
0：未发生过过流
2
OCD_FLG
放电过流保护标志位
1：发生过放电过流保护
0：未发生过放电过流保护
1
UV_FLG
欠压保护标志位
1：发生过欠压保护
0：未发生过欠压保护
0
OV_FLG
过压保护标志位
1：发生过过压保护
0：未发生过过压保护
看门狗标志位
1：发生过看门狗溢出
0：未发生过看门狗溢出
74
V0.9A
Preliminary
SH367309
Table 13.31 系统标志寄存器BFLAG2
71H
BFLAG2
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
RST_FLG WAKE_FLG CADC_FLG VADC_FLG OTD_FLG UTD_FLG OTC_FLG UTC_FLG
读/写
读/写“0”
读/写“0”
读
读
读/写“0”
读/写“0”
读/写“0”
读/写”0”
复位值
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit Number
Bit Mnemonic
7
RST_FLG
6
WAKE_FLG
唤醒中断标志位
1：从IDLE状态(检测到充放电电流)或者SLEEP状态(充电器连接)被唤醒
0：未被唤醒
CADC_FLG
CADC中断标志位
1：发生过CADC中断
0：未发生过CADC中断
该bit被读取之后，硬件会自动清零
4
VADC_FLG
VADC中断标志位
1：发生过VADC中断
0：未发生过VADC中断
该bit被读取之后，硬件会自动清零
3
OTD_FLG
放电高温保护标志位：
1：发生过放电高温保护
0：未发生过放电高温保护
2
UTD_FLG
放电低温保护标志位
1：发生过放电低温保护
0：未发生过放电低温保护
1
OTC_FLG
充电高温保护标志位
1：发生过充电高温保护
0：未发生过充电高温保护
0
UTC_FLG
充电低温保护标志位
1：发生过充电低温保护
0：未发生过充电低温保护
5
Description
复位标志位
1：系统复位后，自动置1，需MCU清零
0：未被唤醒
13.2 EEPROM映射寄存器
00H~3FH为EEPROM对应地址映像区，寄存器相关特性及功能参见EEPROM寄存器即可。
13.3 其他寄存器
ADC相关寄存器在规格书中均有详细描述，不再赘述。
75
V0.9A
Preliminary
SH367309
14. 极限电气参数
若工作条件超过“极限参数”的范围，将造成SH367309永久性破坏。
信号名
供电端
输入
信号类型
模拟
模拟
模拟
模拟
模拟
模拟
模拟
模拟
输出
模拟
数字
模拟
模拟
模拟
模拟
模拟
模拟
数字
模拟
工作温度
存储温度
管脚名
VBAT
LDO_P
RS1
VC1
VC2~VC17
RS2
CHGD/DSGD
CTL/SHIP/
MODE/LDO_EN
T1~T3
SCL/SDA
VPRO
CHG/PCHG
DSG
PF
V11/ CAPP/
CAPS/CAPN
VCC/ALARM
LDO_O
极限范围
VSS -0.3 ~ 70
VSS-0.3~13
VSS-0.3 ~ VSS+0.3
-0.3 ~ 5
VSS -0.3 ~ 70
VSS-1V ~ VCC+0.3
VBAT-70 ~ VBAT+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
VSS-0.3 ~ VBAT+0.3
V
VSS-0.3 ~ VCC+0.3
VSS-0.3 ~ 5.5
VSS-0.3 ~ VPRO+0.3
VBAT-70 ~ V11+0.3
VSS-0.3 ~ V11+0.3
VSS-0.3 ~ VBAT+0.3
VSS-0.3 ~ V11+0.3
VSS-0.3 ~ 5.5
VSS-0.3 ~ 5.5
VSS-0.3~5.5
-40 to 85
-40 to 125
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
C
C
表12 极限参数表
76
V0.9A
Preliminary
SH367309
15. 电气特性
15.1 常温电气特性(以下所有电气特性，均为TA=25℃)
参数
VBAT
IOP1
IOP2
IOP3
IOP4
IOP5
IOP6
IVCN-1
IVCN-2
说明
工作电压
采集模式
保护模式
仓运模式
IDLE状态
Powerdown状态
SLEEP状态
电芯到芯片管脚漏电
电芯到芯片管脚漏电
工作参数
典型值
最大值
65
70
105
40
55
1.5
2
40
50
3
5
35
45
1
1.5
最小值
8.5
-
系统配置
最小值
典型值
参数
说明
VH-CTL
CTL高电平
VCC-0.3
VL-CTL
CTL低电平
VH-MODE
单位
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
测试条件
无保护出现，LDO1、LDO2无负载
VBAT=60V，采集模式/保护模式功耗测
试时：无保护出现，无平衡动作，LDO1、
LDO2无负载，CHG/DSG 悬空，在芯
片VSS处测量
VCn-VCn-1=3.8V,针对VC1~VC16
VCn-VCn-1=3.8V,针对VC17
最大值
单位
-
VBAT
V
-
-
0.3
V
MODE高电平
VBAT-0.3
-
VBAT
V
VL-MODE
MODE低电平
-
-
0.3
V
VH-LDO_EN
LDO_EN高电平
VBAT-0.3
-
VBAT
V
VL-LDO_EN
LDO_EN低电平
-
-
0.3
V
VH-SHIP
SHIP高电平
VBAT-0.3
-
VBAT
V
VL-SHIP
SHIP低电平
-
-
0.3
V
TL-ALARM
ALARM方波低电平时间
0.8
1
1.2
mS
TI-ALARM
ALARM方波间隔时间
0.8
1
1.2
mS
tMOSFET
充放电MOSFET开启延时
充放电MOSFET开启延时精度
64
512
64
uS
uS
MOST/OCRT/PFT(10H)可设置
tcycle
VADC采集电压/电流周期
95
105
mS
每1S采集一次温度
100
Powerdown状态
典型值
最大值
VUV-200 VUV-250
参数
VPD
说明
Powerdown允许电压
最小值
VUV-150
TPD
Powerdown允许延时
-
10
-
S
TWARMUP
上电WarmUp时间
-
-
250
mS
77
单位
mV
测试条件
测试条件
当过放电状态发生后再检测
Powerdown状态
V0.9A
Preliminary
参数
VIH
VIL
说明
数字输入逻辑高电平
数字输入逻辑低电平
VOL
数字输出逻辑低电平
VPRO
EEPROM烧写电压
参数
说明
VCC
稳压源输出电平
参数
说明
V11
稳压源输出电平
参数
VOUT
REGLINE
REGLOAD
ILOAD
tOVER
说明
稳压源输出电平
电压线性度
负载线性度
过流电流阈值
过流检测延时
SH367309
数字/模拟端口电平
最小值
典型值
最大值
2
5
0.6
0.4
0.4
0.4
7.7
8
8.3
单位
V
V
V
V
V
V
测试条件
SDA/SCL
SDA/SCL
SDA/SCL，IOL=3mA
PF，IOL=100uA
ALARM, IOL=1mA
由外部提供
LDO1 Regulator
最小值
典型值
最大值
3.1
3.3
3.5
3.1
3.3
3.5
单位
V
V
测试条件
13≤VBAT≤60V，Iload≤10mA
8.5≤VBAT＜13V，Iload≤2mA
最小值
8.5
8
LDO2 Regulator
典型值
最大值
11
13
-
单位
V
V
测试条件
VBAT≥13V，ILOAD=5mA
VBAT=10V，ILOAD=5mA
最小值
3.1
50
-
LDO3 Regulator
典型值
最大值
3.3
3.5
10
50
30
100
75
100
2
-
单位
V
mV
mV
mA
mS
测试条件
12≤VBAT≤60V，Iload=25mA
VBAT=50V，0.1mA≤Iload≤25mA
注释：当负载电流超过过流电流阈值 ILOAD，系统会锁定在最大电流，此时不能保证输出电压。
参数
VIN1
TIN1
VACC
说明
输入范围
转换时间
绝对精度
最小值
0
-5
电压采集
典型值
最大值
5
5
5
单位
V
mS
mV
测试条件
单位
V
mS
℃
测试条件
单位
mV
mS
uV
测试条件
参数
VIN2
TIN2
TACC
说明
输入范围
转换时间
绝对精度
最小值
0
-2
温度采集
典型值
最大值
3
5
2
参数
VIN3
TIN3
IACC
说明
输入范围
转换时间
绝对精度
最小值
-200
-150
电流采集
典型值
最大值
200
5
150
78
V0.9A
Preliminary
SH367309
参数
VIN4
TIN4
INL
说明
输入范围
转换时间
积分非线性误差
最小值
-200
237.5
-
CADC
典型值
最大值
200
250
262.5
±1
±3
参数
说明
VCHGH/VDSGH/
VPCHGH
CHG/DSG/PCHG高电
平
最小值
8
MOSFET驱动能力
典型值
最大值
11
13
VDSGL
单位
mV
mS
LSB
单位
V
测试条件
4Hz采样率
6.5
-
-
V
DSG低电平
-
-
1
V
测试条件
VBAT≥13V，外接1MΩ电阻到地
VBAT=8.5V(LDO1、LDO2无负载)，外
接1MΩ电阻到地
IOL=0.5mA
tCH
CHG上拉时间
-
100
200
uS
CLOAD = 50nF，VCHG由10%升高到90%
tPCH
PCHG上拉时间
-
500
1000
uS
CLOAD = 4700pF,VPCHG由10%升高90%
tDL
DSG下拉时间
-
150
400
uS
tDH
DSG上拉时间
-
200
600
uS
参数
说明
VCH
充放电状态检测电压
最小值
50
350
850
1850
充放电状态检测
典型值
最大值
200
350
500
650
1000
1150
2000
2150
参数
说明
最小值
过充电保护
典型值
最大值
VOV
过充电保护电压
3.6
-
过充电恢复电压
3.3
VOVR
VOVA
tOV
过充电保护/恢复电压精
度
过充电保护延时
过充电保护延时精度
单位
uV
uV
uV
uV
CLOAD = 50nF，串联电阻为1kΩ，VDSG
由90%降低到10%
CLOAD = 50nF，串联电阻为1kΩ，VDSG
由10%升高到90%
测试条件
CHS[1:0]=00
CHS[1:0]=01
CHS[1:0]=10
CHS[1:0]=11
单位
测试条件
4.5
V
寄存器OV可设置
-
4.5
V
寄存器OVR可设置
-25
-
25
mV
0.1
100mS
-tOV*5%
-
40
200mS
+tOV*5%
S
可配置
2*tcycle
-
mS
tcycle=100mS
单位
测试条件
tOVR
过充电保护恢复延时
-
参数
说明
最小值
VUV
过放电保护电压
2.0
-
3.1
V
寄存器UV可设置
过放电恢复电压
2.0
-
3.6
V
寄存器UVR可设置
-25
-
25
mV
0.1
100mS
-tUV*5%
-
40
200mS
+tUV*5%
S
可配置
-
2*tcycle
-
mS
tcycle=100mS
VUVR
VUVA
TUV
TUVR
过放电保护/恢复电压精
度
过放电保护延时
过放电保护延时精度
过放电恢复延时
过放电保护
典型值
最大值
79
V0.9A
Preliminary
SH367309
平衡
典型值
最大值
参数
说明
最小值
单位
测试条件
VBAL
平衡开启电压
3.3
-
4.5
V
可设置寄存器BALV
VBALA
平衡开启电压精度
-25
-
25
mV
RBL
平衡内阻
120
260
400
Ω
tbalanceT
平衡开启时间
-
400
-
mS
负载释放/充电器/电流检测
最小值
典型值
最大值
参数
说明
VCHGD1
充电器检测电平1
-0.25
-
-
V
VCHGD2
充电器释放电平2
-
-
-0.05
V
VCHGD3
充电器检测电平3
1.0
-
-
V
VDSGD
负载释放判断电平
1.0
-
-
V
RDSGD
DSGD管脚内部下拉电阻
500
900
1400
KΩ
VCD1
放电电流检测阈值
0.5
1.4
2.6
mV
VCD2
充电电流检测阈值
-2.6
-1.4
-0.5
mV
tCD
充放电电流检测延时
10
15
20
mS
参数
说明
最小值
VPCH
预充电开启电压
1.0
-
VPCHA
预充电开启电压精度
-25
tPCHG
预充电延时
950
预充电
典型值
最大值
单位
电芯电压等于VBAL+100mV
测试条件
进退SLEEP状态，充电器检测方式：
CHGD电平小于VCHGD1，判为充电器
连接
充电过流释放，充电器检测方式：
CHGD电平大于VCHGD2，判为充电器
释放
进退Powerdown状态，充电器检测方
式：CHGD电平小于VCHGD3，判为充
电器连接
VBAT=50V,DSGD管脚外接3V电源
IDLE唤醒到ALARM输出低电平脉冲
的时间间隔
单位
测试条件
3.0
V
通过寄存器PREV可设置
-
25
mV
1000
1250
mS
二次过充电保护
典型值
最大值
参数
说明
最小值
单位
测试条件
VP2N
二次过充电保护电压
3.8
-
5
V
通过寄存器PFV可设置
二次过充电保护电压精
度
二次过充电保护延时
二次过充电保护延时精
度
-25
-
25
mV
8
100mS
-tP2N*5%
-
64
200mS
+tP2N*5%
S
可配置
参数
说明
最小值
单位
测试条件
VL0V
低电压禁止充电电压
0.5
-
2
V
可通过寄存器L0V设置
VL0VA
低电压禁止充电电压精度
-25
-
25
mV
VP2NA
tP2N
低电压禁止充电
典型值
最大值
80
V0.9A
Preliminary
SH367309
过流保护
典型值
最大值
参数
说明
最小值
VDOC1
放电过流1保护电压
20
-
VDOC1精度
-10
-
VDOCA1
放电过流1保护延时
0.05
tDOC1
放电过流1保护延时精
度
-tDOC1*5%
VDOC2
放电过流2保护电压
30
-
VDOC2精度
-10
-
VDOCA2
放电过流2保护延时
0.01
tDOC2
放电过流2保护延时精
度
-tDOC2*5%
VDOC3
短路保护电压
50
-
VDOC3精度
-10
-
VDOCA3
-10%
-
单位
测试条件
200
mV
可配置
10
mV
VDOC1 ＜ 100mV
10%
VDOC1
VDOC1 ≥ 100mV
40
S
可配置
500
mV
可配置
10
mV
VDOC2 ＜ 100mV
10%
VDOC2
VDOC2 ≥ 100mV
20
S
可配置
1000
mV
可配置
10
mV
VDOC3 ＜ 100mV
10%
VDOC3
VDOC3 ≥ 100mV
960
μS
测试时，短路保护电压输入≥
500mV+100mV
64
uS
tDOC1*5%
-10%
-
tDOC2*5%
-10%
短路保护延时
0
短路保护延时精度
0
VCOC
充电过流保护电压
-200
-
-20
mV
可配置
VCOC精度
-10
-
10
mV
VCOCA
VCOC ＜ 100mV
-10%
-
10%
VCOC
VCOC ≥ 100mV
充电过流保护延时
0.01
-
20
S
可配置
充电过流保护延时精度
-tCOC*5%
mS
可配置
-
tDOC3
tCOC
tD1
放电过流检测负载
释放延时
放电过流检测负载
释放延时精度
100
tCOC*5%
-
2000
-tD1*5%
tD1*5%
tD2
充电器拔出释放延时
400
500
600
mS
检测充电过流退出
tD3
检测充电器连接延时
400
500
600
mS
退SLEEP状态，退“上电待激活状态”
充放电过流自恢复延时
充放电过流自恢复延时
精度
8
-
64
S
可配置
tAUTO
-tAUTO*5%
tAUTO*5%
81
V0.9A
Preliminary
SH367309
温度保护
典型值
最大值
参数
说明
最小值
单位
测试条件
TOTC
充电高温保护温度
45
-
70
℃
寄存器OTC可设置，1℃一档
TUTC
充电低温保护温度
-20
-
10
℃
寄存器UTC可设置，1℃一档
TOTD
放电高温保护温度
45
-
80
℃
寄存器OTD可设置，1℃一档
TUTD
放电低温保护温度
-40
-
10
℃
寄存器UTD可设置，1℃一档
TOTCR
充电高温恢复温度
40
-
70
℃
寄存器OTCR可设置，1℃一档
TUTCR
充电低温恢复温度
-20
-
15
℃
寄存器UTCR可设置，1℃一档
TOTDR
放电高温恢复温度
40
-
80
℃
寄存器OTDR可设置，1℃一档
TUTDR
放电低温恢复温度
-40
-
15
℃
寄存器UTDR可设置，1℃一档
tT
温度保护延时
-
2
-
S
TOA
温度精度
-
2
4
℃
TWI通讯时序
参数
符号
最小值
典型值
最大值
单位
条件
TWI频率范围
fTWI
10
-
100
kHz
总线空闲间隔
tBUF
4.7
-
-
μs
低电平周期
tLOW
4.7
-
-
μs
高电平周期
tHIGH
4.0
-
50
μs
数据保持时间
tHD:DAT
300
-
-
ns
数据建立时间
tSU:DAT
250
-
-
ns
STA 保持时间
tHD:STA
4.0
-
-
μs
STA 建立时间
tSU:STA
4.7
-
-
μs
STO 建立时间
tSU:STO
4.0
-
-
μs
上升时间
tR
-
-
1000
ns
(VILMAX – 0.15V) to (VIHMIN+ 0.15V)
下降时间
tF
-
-
300
ns
(VIHMIN+ 0.15V) to (VILMAX – 0.15)
超时周期
tTIMEOUT
-
25
-
ms
RC精度
fE
-
-
±10
%
tLOW
tR
TA=-40℃~85 ℃
tF
tHD:STA
SCL
tHD:STA
tHD:DAT
tHIGH
tSU:STA
tSU:STO
tSU:DAT
tBUF
SDA
P
RS
S
82
P
V0.9A
Preliminary
SH367309
15.2 全温度电气特性(以下所有电气特性，均为TA=-40℃~85℃)
参数
TA
IOP1
IOP2
IOP3
IOP4
IOP5
IOP6
IVCN-1
IVCN-2
说明
工作环境温度
采集模式
保护模式
仓运模式
IDLE状态
Powerdown状态
SLEEP状态
电芯到芯片管脚漏电
电芯到芯片管脚漏电
最小值
-40
-
典型值
70
40
1.5
40
3
35
-
最大值
85
105
55
2
50
6
45
1
2
单位
℃
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
VBAT=60V，采集模式/保护模式功耗测
试时：无保护出现，无平衡动作，LDO
无负载，CHG/DSG 悬空，在芯片VSS
端测量。
tCH
CHG上拉时间
-
100
200
uS
CLOAD = 50nF，VCHG由10%升高到90%
tPCH
PCHG上拉时间
-
500
1000
uS
CLOAD = 4700pF,VPCHG由10%升高90%
tDL
DSG下拉时间
-
150
400
uS
tDH
DSG上拉时间
-
200
600
uS
充放电状态检测电压
50
350
850
1850
200
500
1000
2000
350
650
1150
2150
uV
uV
uV
uV
CLOAD = 50nF，串联电阻为1kΩ，VDSG
由90%降低到10%
CLOAD = 50nF，串联电阻为1kΩ，VDSG
由10%升高到90%
CHS[1:0]=00
CHS[1:0]=01
CHS[1:0]=10
CHS[1:0]=11
平衡内阻
75
300
500
Ω
电芯电压等于VBAL+100mV
-50
-
50
mV
-50
-
50
mV
-50
-50
-
50
50
mV
mV
-50
-
50
mV
-50
-
50
mV
VCH
RBL
VOVA
VUVA
VBALA
VPCHA
VP2NA
VL0VA
过充电保护/恢复电压精
度
过放电保护/恢复电压精
度
平衡开启电压精度
预充电开启电压精度
异常过充电保护电压精
度
低电压禁止充电电压精
度
测试条件
VCn-VCn-1=3.8V,针对VC1~VC16
VCn-VCn-1=3.8V,针对VC17
进退SLEEP状态，充电器检测方式：
CHGD电平小于VCHGD1，判为充电器连
接
充电过流释放，充电器检测方式：
CHGD电平大于VCHGD2，判为充电器释
放
进退Powerdown状态，充电器检测方
式：CHGD电平小于VCHGD3，判为充电
器连接
VCHGD1
充电器检测电平1
-0.25
-
-
V
VCHGD2
充电器释放电平2
-
-
-0.05
V
VCHGD3
充电器检测电平3
1.0
-
-
V
VDSGD
负载释放判断电平
1.0
-
-
V
RDSGD
DSGD管脚内部下拉电阻
500
900
1400
KΩ
VCD1
放电电流检测阈值
0.5
1.4
2.6
mV
VCD2
充电电流检测阈值
-2.6
-1.4
-0.5
mV
放电过流1保护精度
-10
-
10
mV
VDOCA1
VDOC1 ＜ 100mV
-10%
-
10%
VDOC1
VDOC1 ≥ 100mV
83
检测负载释放
VBAT=50V，DSGD管脚外接3V电源
V0.9A
Preliminary
参数
说明
VDOCA2
放电过流2保护精度
VDOCA3
短路保护精度
VCOCA
充电过流保护精度
TOA
温度保护精度
SH367309
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
-10
-
10
mV
VDOC2 ＜ 100mV
-10%
-
10%
VDOC2
VDOC2 ≥ 100mV
-10
-
10
mV
VDOC3 ＜ 100mV
-10%
-
10%
VDOC3
VDOC3 ≥ 100mV
-10
-
10
mV
VCOC ＜ 100mV
-10%
-
10%
VCOC
VCOC ≥ 100mV
-
2
4
℃
84
V0.9A
Preliminary
SH367309
16. 封装信息
TQFP 48L
unit: inches/mm
HD
D
37
36
12
25
E
1
e
b
24
A
A2
c
13
HE
48
A1
2
See Detail F
L
L1
DETAIL F
Symbol
Dimensions in inches
A
A1
A2
D
E
HD
HE
b
e
c
L
L1
2
Dimensions in mm
MIN
--0.002
0.035
0.270
MAX
0.047
0.006
0.041
0.281
MIN
--0.05
0.9
6.85
0.270
0.281
6.85
7.15
8.8
9.2
8.8
9.2
0.15
0.27
0.500 TYP
0.090
0.200
0.45
0.75
0.85
1.15
0°
10°
0.346
0.362
0.346
0.362
0.005
0.011
0.020 TYP
0.004
0.008
0.018
0.030
0.033
0.045
0°
10°
MAX
1.2
0.15
1.05
7.15
注意:
1. 封装尺寸不包括模的毛边凸起或门毛刺
2. 如无特殊规定，容差为±0.1毫米
3. 共面性：0.1毫米
4. 控制尺寸为毫米。对转换成的英寸不做要求
85
V0.9A
Preliminary
SH367309
17. 订购信息
产品编号
封装
包装
最小起订量
SH367309U/048UR
TQFP48L
Tray盘
2.5K
18. 规格书更改记录
SH367309规格书更改记录
版本
V0.9A
内容
1.
1.
2.
3.
V0.8A
4.
5.
6.
7.
修改“参考原理图”，VCN端口滤波电容及其他部分电容耐压值16V调整为25V，为了BOM
表统一
修改“参考原理图”VC17滤波电容耐压值调整为16V（原耐压为50V）
修改“表2.功能模式列表”：IDLE模式，看门狗WDT取决于进入IDLE之前的状态，故建
议进入IDLE之前，关闭WDT模块
修改“8.6 二次过充电描述”：DIS_PF=0，二次过充电有效；二次过充电保护后，关闭
VADC和CADC采集
新增“8.7 断线保护功能”描述
修改“9.1 平衡功能控制”：新增MCU控制平衡进退方式描述
修改“15.1 常温电气特性”：预充电延时单位修改为mS
修改“17. 订购信息”：最小起订量2.5K
86
日期
2019.01.31
2018.08.30
V0.9A
Preliminary
SH367309
目录
1.
特点 ................................................................................................................................................................................. 1
2.
概述 ................................................................................................................................................................................. 1
3.
方框图.............................................................................................................................................................................. 2
4.
管脚配置图 ...................................................................................................................................................................... 3
5.
管脚描述 .......................................................................................................................................................................... 4
6.
典型应用电路 ................................................................................................................................................................... 5
6.1 保护模式16串同口应用 ..................................................................................................................................................... 5
6.2 保护模式16串半分口应用 .................................................................................................................................................. 6
6.3 保护模式带平衡16串半分口应用 ....................................................................................................................................... 7
6.4 保护模式16串全分口应用 .................................................................................................................................................. 8
6.5 保护模式10串全分口应用 .................................................................................................................................................. 9
6.6 采集模式16串半分口应用 ................................................................................................................................................ 10
7.
工作模式 ........................................................................................................................................................................ 11
7.1 概述 ................................................................................................................................................................................ 11
7.2 保护模式 ......................................................................................................................................................................... 12
7.2.1 正常工作状态 ............................................................................................................................................................... 12
7.2.2 Powerdown状态 ........................................................................................................................................................... 12
7.3 采集模式 ......................................................................................................................................................................... 12
7.3.1 正常状态 ...................................................................................................................................................................... 12
7.3.2 IDLE状态 ..................................................................................................................................................................... 12
7.3.3 SLEEP状态 .................................................................................................................................................................. 12
7.4 仓运模式 ......................................................................................................................................................................... 13
7.5 烧写模式 ......................................................................................................................................................................... 13
7.6 WarmUp ......................................................................................................................................................................... 13
7.6.1 硬件复位 ...................................................................................................................................................................... 13
7.6.2 软件复位 ...................................................................................................................................................................... 13
8.
保护功能 ........................................................................................................................................................................ 14
8.1 概述 ................................................................................................................................................................................ 14
8.2 过充电保护...................................................................................................................................................................... 14
8.3 过放电保护...................................................................................................................................................................... 15
8.4 电流保护 ......................................................................................................................................................................... 18
8.4.1 放电过流1保护 ............................................................................................................................................................. 18
8.4.2 短路保护 ...................................................................................................................................................................... 18
8.4.3 充电过流保护 ............................................................................................................................................................... 18
8.4.4 电流保护特殊设置 ........................................................................................................................................................ 24
87
V0.9A
Preliminary
SH367309
8.4.4.1 电流保护自恢复设置 ................................................................................................................................................. 24
8.4.4.2 电流保护软件恢复设置 .............................................................................................................................................. 24
8.4.4.3 电流保护执行动作设置 .............................................................................................................................................. 24
8.5 温度保护 ......................................................................................................................................................................... 25
8.5.1 充电高温保护 ............................................................................................................................................................... 25
8.5.2 充电低温保护 ............................................................................................................................................................... 25
8.5.3 放电高温保护 ............................................................................................................................................................... 26
8.5.4 放电低温保护 ............................................................................................................................................................... 26
8.5.5 温度保护阈值计算公式 ................................................................................................................................................. 30
8.6 二次过充电保护 .............................................................................................................................................................. 30
8.7 断线保护功能 .................................................................................................................................................................. 32
8.8 禁止低压电芯充电功能 .................................................................................................................................................... 33
8.9 平衡功能 ......................................................................................................................................................................... 34
9.
AFE功能 ........................................................................................................................................................................ 35
9.1 平衡控制功能 .................................................................................................................................................................. 35
9.2 充放电状态...................................................................................................................................................................... 35
9.3 看门狗寄存器（WDT）................................................................................................................................................... 36
10.
MOSFET驱动 ................................................................................................................................................................ 37
10.1 预充电MOSFET ............................................................................................................................................................ 38
10.2 强制开启充电MOSFET功能 .......................................................................................................................................... 39
11.
管脚功能 ........................................................................................................................................................................ 40
11.1 CTL管脚........................................................................................................................................................................ 40
11.2 LDO_EN管脚 ................................................................................................................................................................ 40
11.3 MODE管脚 .................................................................................................................................................................... 40
11.4 ALARM管脚 .................................................................................................................................................................. 41
11.5 STA检测 ....................................................................................................................................................................... 41
12.
功能模块 ........................................................................................................................................................................ 42
12.1 电压/温度/电流采集用VADC ......................................................................................................................................... 42
12.1.1 特性 ........................................................................................................................................................................... 42
12.1.2 采集范围及结果存放 .................................................................................................................................................. 42
12.1.3 电压/温度/电流计算公式 ............................................................................................................................................. 47
12.1.4 VADC采集时序 .......................................................................................................................................................... 48
12.2 电流采集专用CADC ...................................................................................................................................................... 48
12.2.1 特性 ........................................................................................................................................................................... 48
12.2.2 采集范围及结果存放 .................................................................................................................................................. 48
12.2.3 电流计算公式 ............................................................................................................................................................. 49
12.2.4 CADC工作模式设置 ................................................................................................................................................... 49
88
V0.9A
Preliminary
SH367309
12.3 TWI串行通讯接口 ......................................................................................................................................................... 50
12.3.1 特性 ........................................................................................................................................................................... 50
12.3.2 工作方式 .................................................................................................................................................................... 50
12.3.3 数据传输格式 ............................................................................................................................................................. 50
12.3.4 传输模式 .................................................................................................................................................................... 51
12.3.5 通信协议 .................................................................................................................................................................... 51
12.3.5.1 概述 ........................................................................................................................................................................ 51
12.3.5.2 EEPROM寄存器读写协议 ....................................................................................................................................... 51
12.3.5.3 RAM寄存器读写协议............................................................................................................................................... 52
12.3.5.4 软件复位协议 .......................................................................................................................................................... 52
12.3.5.5 CRC8校验............................................................................................................................................................... 52
13.
EEPROM及RAM寄存器设置.......................................................................................................................................... 53
13.1 EEPROM及RAM概述 ................................................................................................................................................... 53
13.2 EEPROM寄存器列表及详述 ......................................................................................................................................... 54
13.3 EEROM&RAM寄存器列表及详述.................................................................................................................................. 67
13.1 RAM特殊寄存器 ............................................................................................................................................................ 70
13.2 EEPROM映射寄存器 .................................................................................................................................................... 75
13.3 其他寄存器.................................................................................................................................................................... 75
14.
极限电气参数 ................................................................................................................................................................. 76
15.
电气特性 ........................................................................................................................................................................ 77
15.1 常温电气特性(以下所有电气特性，均为TA=25℃) ......................................................................................................... 77
15.2 全温度电气特性(以下所有电气特性，均为TA=-40℃~85℃)........................................................................................... 83
16.
封装信息 ........................................................................................................................................................................ 85
17.
订购信息 ........................................................................................................................................................................ 86
18.
规格书更改记录 ............................................................................................................................................................. 86
89
V0.9A
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