8550M-D

8550M Rev.G Jan.-2022 DATA SHEET 描述 / Descriptions SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features 与 8050M 互补。 Complementary pair with 8050M. 用途 / Applications 用于功率放大电路。 Power amplifier applications. 内部等效电路 / Equivalent Circuit 引脚排列 / Pinning 3 1 2 PIN1：Base PIN 2：Emitter PIN 3：Collector 放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking hFE Classifications Symbol hFE Range Marking http://www.fsbrec.com B C D 85～160 120～200 160～300 HY2B HY2C HY2D 1/6 8550M Rev.G Jan.-2022 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit Collector to Base Voltage VCBO -40 V Collector to Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter to Base Voltage VEBO -6.0 V Collector Current IC -1.5 A Base Current IB -0.5 A Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ Storage Temperature Range 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit VCBO IC=-0.1mA IE=0 -40 V VCEO IC=-2.0mA IB=0 -25 V VEBO IE=-0.1mA IC=0 -6.0 V ICBO VCB=-35V IE=0 -0.1 μA IEBO VEB=-6.0V IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-1.0V IC=-100mA 85 hFE(2) VCE=-1.0V IC=-800mA 40 hFE(3) VCE=-1.0V IC=-5.0mA 45 VCE(sat) IC=-800mA IB=-80mA -0.28 -0.5 V VBE(sat) IC=-800mA IB=-80mA -0.98 -1.2 V Base-Emitter Voltage VBE VCE=-1.0V IC=-10mA -0.66 -1.0 V Transition Frequency fT VCE=-10V VCB=-10V f=1.0MHz IC=-50mA IE=0 Emitter Cut-Off Current DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Output Capacitance http://www.fsbrec.com Cob 100 300 200 MHz 15 pF 2/6 8550M Rev.G Jan.-2022 DATA SHEET 电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 3/6 8550M Rev.G Jan.-2022 DATA SHEET 外形尺寸图 / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 4/6 8550M Rev.G Jan.-2022 DATA SHEET 印章说明 / Marking Instructions HY2B 说明： H： 为公司代码 Y2： 为型号代码 B： 为 hFE 档次代码 Note: H： Company Code Y2： Product Type Code B： hFE Classifications Symbol Code http://www.fsbrec.com 5/6 8550M Rev.G Jan.-2022 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 350 Temperature(℃) 300 245±5℃ 250 5±0.5 sec 200 150 60~90 sec 100 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 Time(sec) 说明： Note: 1、预热温度 150～180℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:150~180℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 时间：10±1 sec. Temp.:260±5℃ Time:10±1 sec 包装规格 / Packaging SPEC. 卷盘包装 / REEL Package Type 封装形式 SOT-23 Dimension 包装尺寸 (unit：mm3) Units 包装数量 Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 3,000 10 30,000 6 180,000 7〞×8 180×120×180 390×385×205 使用说明 / Notices http://www.fsbrec.com 6/6