2SK3018

厂商：
KUU(永裕泰)
封装：
SOT-23
描述：
MOSFETs N-沟道 30V 100mA SOT23

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2SK3018 数据手册

2SK3018 N-channel MOSFET SOT-23 FEATURES z Low on-resistance z Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment z Easily designed drive circuits z Easy to parallel z 3 1 2 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Marking: KN Equivalent circuit MOSFET MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C unless otherwise noted) Value Units Drain-Source voltage 30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Current 0.1 A PD Power Dissipation 0.2 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient Symbol Parameter VDS 625 ℃ /W MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Units Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 10µA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS =30V,VGS = 0V 0.2 µA Gate –Source leakage current IGSS VGS =±20V, VDS = 0V ±500 nA Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = 3V, ID =100µA 1.5 V Drain-Source On-Resistance RDS(on) VGS = 4V, ID =10mA 8 Ω VGS =2.5V,ID =1mA 13 Ω Forward Transconductance gFS VDS =3V, ID = 10mA 30 V 0.8 mS 20 Dynamic Characteristics* Input Capacitance Ciss 13 pF Output Capacitance Coss 9 pF Reverse Transfer Capacitance Crss 4 pF td(on) 15 ns VGS =5V, VDD =5V, 35 ns ID =10mA, Rg=10Ω, RL=500Ω 80 ns 80 ns VDS =5V,VGS =0V,f =1MHz Switching Characteristics* Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time tr td(off) Fall Time tf *These parameters have no way to verify. 1/2 2SK3018 Typical Characteristics Transfer Characteristics Output Characteristics 0.20 200 Ta=25℃ VGS=3.0V 4.0V 100 Pulsed 3.5V 0.15 ID VGS=2.5V 0.10 DRAIN CURRENT DRAIN CURRENT ID (A) (mA) 30 0.05 10 3 1 VGS=2.0V VDS=3V 0.3 Ta=25℃ VGS=1.5V Pulsed 0.1 0.00 0 1 2 3 4 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE RDS(ON) VDS 0 5 4 (V) Pulsed ( Ω) Ta=25℃ Pulsed ( Ω) Ta=25℃ ON-RESISTANCE RDS(ON) 10 RDS(ON) ON-RESISTANCE 3 VGS 15 40 20 ID=100mA 5 ID=50mA VGS= 2.5V VGS= 4V 0 1 10 3 0 100 30 DRAIN CURRENT ID 200 0 (mA) IS —— VSD VGS=0V 100 Ta=25℃ Pulsed 30 10 3 1 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE 5 10 GATE TO SOURCE VOLTAGE 200 IS (mA) 2 RDS(ON) —— VGS —— ID 60 SOURCE CURRENT 1 GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) 0.8 1.0 VSD (V) 2/2 15 VGS (V) 20

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2SK3018

物料型号为2SK3018，是一款N沟道MOSFET，封装为SOT-23。

器件特点包括低导通电阻和快速开关速度，适用于低电压驱动，便于设计驱动电路，易于并联。

引脚分配如下： 1. GATE（栅极） 2. SOURCE（源极） 3. DRAIN（漏极）

参数特性包括： - 最大漏源电压（Vos）：30V - 最大栅源电压（VGss）：+20V - 连续漏极电流（lo）：0.1A - 最大功耗（Po）：0.2W - 最高结温（TJ）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-55℃至150℃ - 从结到环境的热阻（ROJA）：625°C/W

功能详解： - 该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合便携式设备使用。

- 易于设计驱动电路，并且可以轻松并联使用。

应用信息： - 由于其低电压驱动和易于并联的特性，2SK3018适用于需要低功耗和高效率的应用场合。

封装信息： - 封装类型为SOT-23，这是一种小外形晶体管封装，适用于表面贴装技术。

此外，还提供了该器件的电气特性，包括关断特性、导通特性、动态特性和开关特性等详细参数。

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