13005

厂商：
ST(先科)
封装：
TO220FB-3L
描述：
通用三极管 TO220FB-3L NPN Ic=4A

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13005 数据手册

13005-HAF NPN Silicon Epitaxial Planar Power Transistor Features • Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant TO-220FB Plastic Package 1.Base 2.Collector 3.Emitter Applications • For high-voltage, high-speed power switching Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V IC 4 A Power Dissipation (Ta = 25 OC) Ptot 2 W Power Dissipation (Tc = 25 OC) Ptot 29 W Tj 150 O C Tstg - 55 to + 150 O C Symbol Max. Unit Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 62.5 /W Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 4.31 /W Collector Current Junction Temperature Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter ® 1/5 Dated: 18/03/2022 Rev:03 13005-HAF Characteristics at Ta = 25 OC Parameter DC Current Gain at VCE = 5 V, IC = 1 A at VCE = 5 V, IC = 2 A Collector Base Cutoff Current at VCB = 700 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 9 V Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 10 mA Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 1 A, IB = 0.2 A at IC = 2 A, IB = 0.5 A at IC = 4 A, IB = 1 A Base Emitter Saturation Voltage at IC = 1 A, IB = 0.2 A at IC = 2 A, IB = 0.5 A Gain Bandwidth Product at VCE = 10 V, IC = 500 mA, f = 1 MHz Collector Base Capacitance at VCB = 10 V, f = 0.1 MHz Symbol Min. Typ. Max. Unit hFE hFE 10 8 - 60 40 - ICBO - - 1 mA IEBO - - 1 mA V(BR)CEO 400 - - V - - 0.5 0.6 1 V V V VBE(sat) - - 1.2 1.6 V V fT 4 - - MHz Cob - 40 - pF VCE(sat) ® 2/5 Dated: 18/03/2022 Rev:03 13005-HAF Electrical Characteristics Curves Fig. 1 Output Characteristics Curve Fig. 2 Output Characteristics Curve Fig. 2 Collector Curren vs. VBE Fig. 4 hFE vs. Collector Current ® 3/5 Dated: 18/03/2022 Rev:03 13005-HAF Electrical Characteristics Curves Fig. 6 VCE(sat) vs. Collector Current Fig. 5 VBE(sat) vs. Collector Current Fig 7. Output Capacitance Fig. 8 Power Derating Curve ® 4/5 Dated: 18/03/2022 Rev:03 13005-HAF Package Outline Dimensions (Units: mm) UNIT TO-220FB A 2.9 B 6.8 C 0.7 D 15 E 1.5 F 0.9 2.7 6.4 0.3 11 1.1 0.7 UNIT P P1 Q mm 13.3 12.7 8.2 7.6 3.7 3.5 mm G 2.54 TYP. W 10.2 9.8 H 4.7 4.3 H1 2.5 2.2 K 3.1 2.7 L 16.8 14.8 L1 9.4 9.0 N 1.4 1.2 Marking information " 13005 " = Part No. " **** " = Date Code Marking Font type: Arial 13005 **** ® 5/5 Dated: 18/03/2022 Rev:03

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13005

物料型号：13005-HAF 器件简介：NPN硅外延平面功率晶体管，符合RoHS标准，无卤素和锑，采用TO-220FB塑料封装。 引脚分配：1. 基极，2. 集电极，3. 发射极。 参数特性： - 集电极-基极电压(Vcbo)：700V - 集电极-发射极电压(Vceo)：400V - 发射极-基极电压(Vebo)：9V - 集电极电流(Ic)：4A - 总功耗(Ptot)：在25°C时为2W，在25°C时为29W - 结温(Tj)：最高150℃ - 存储温度范围(Tstg)：-55至+150℃

热特性： - 从结到环境的热阻(RθJA)：最大62.5℃/W - 从结到封装的热阻(RθJC)：4.31℃/W

功能详解： - 适用于高电压、高速功率开关 - 在Vce=5V，Ic=1A时，直流电流增益(hFE)：典型值8，最小值10，最大值60 - 在VcB=700V时，集电极-基极截止电流(IcBo)：最大1mA - 在VEB=9V时，发射极-基极截止电流(IEBO)：最大1mA - 在Ic=10mA时，集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)：400V - 在Ic=1A，Ib=0.2A时，集电极-发射极饱和电压(VcE(sat))：典型值0.5V - 在Ic=2A，Ib=0.5A时，集电极-发射极饱和电压：典型值0.6V - 在Ic=4A，Ib=1A时，集电极-发射极饱和电压：典型值1V - 在Ic=1A，Ib=0.2A时，基极-发射极饱和电压(VBE(sat))：典型值1.2V - 在Ic=2A，Ib=0.5A时，基极-发射极饱和电压：典型值1.6V - 在Vce=10V，Ic=500mA，f=1MHz时，增益-带宽积(fT)：4MHz - 在VcB=10V，f=0.1MHz时，集电极-基极电容(Cob)：典型值40pF

应用信息：用于高电压、高速功率开关。 封装信息：TO-220FB塑料封装，详细尺寸和标记信息已列出。

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