MMBT3906

安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD MMBT3906 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -40 Vdc Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -40 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -6.0 Vdc Ic -200 mAdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■ THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■ DEVICE MARKING 打標 MMBT3906=2A HFE 100~200, 100~300 PD 150℃, -55to+150℃ 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD MMBT3906 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓(Ic=-10μAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE=-10μAdc,Ic=0) Base Cutoff Current 基極截止電流(VCE=-30Vdc, VEB =-3.0 Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCE=-30Vdc, VEB =-3.0Vdc) ■ ON Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 V(BR)CEO -40 — Vdc V(BR)CBO -40 — Vdc V(BR)EBO -6.0 — Vdc IBEX — -50 nAdc ICEX — -50 nAdc Symbol 符號 hFE Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 CHARCTERISTICS(2)導通電特性 Characteristic 特性參數 DC Current Gain 直流電流增益 (Ic=-0.1mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-1.0mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-10mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-50mAdc,VCE=-1.0Vdc) (Ic=-100mAdc,VCE=-1.0Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (Ic=-10mAdc, IB=-1.0mAdc) (Ic=-50mAdc, IB=-5.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極發射極飽和壓降 (Ic=-10mAdc, IB=-1.0mAdc) (Ic=-50mAdc, IB=-5.0mAdc) VCE(sat) VBE(sat) — 40 70 100 60 30 — — 300 — — — — -0.25 -0.4 -0.65 — -0.85 -0.95 Vdc Vdc 安徽富信半导体科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD MMBT3906 ■ SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 fT 300 — MHz Cobo — 4.0 pF Cibo — 8.0 pF hie 1.0 10 kΩ hre 0.5 8.0 ×10-4 hfe 100 400 — hoe 1.0 40 μmhos NF — 5.0 dB Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 td — 35 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 (Ic=-10mAdc,VCE=-20Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=-5.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Input Capacitance 輸入電容 (VEB=-0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz) Input Impedance 輸入阻抗 (VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz) Voltage Feedback Ratio 電壓反饋係數 (VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz) Small-Signal Current Gain 小信號電流增益 (VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz) Output Admittance 輸出導納 (VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz) Noise Figure 噪声係數 (VCE=-5.0Vdc, IC=-100μAdc,Rs=1.0 kΩf=1.0KHz) ■ SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性 Characteristic 特性參數 Delay Time 延遲時間 Rise Time 上升時間 Storage Time 儲存時間 (VCC=-3.0Vdc,VBE=-0.5Vdc, IC=-10mAdc, IB1=-1.0mAdc) (VCC=-3.0Vdc,IC=-10mAdc, IB1=IB2=-1.0mAdc) ns tr — 35 ts — 225 Fall Time tf 下降時間 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width