FSS2306

1 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FSS2306 SOT-23-3L 場效應晶體管(SOT-23-3L Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型 MOS 场效应管 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BV DSS 20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +12 V Drain Current (continuous)漏極電流-連續 ID 5 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM 20 A PD 1300 mW Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to+150 ℃ Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ ■ DEVICE MARKING 打標 FSS2306=A6SHB · 安徽富信半導體科技有限公司 2 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FSS2306 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 20 23 — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = 250uA,VGS= VDS) VGS(th) 0.5 0.8 1..5 V Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS= 1.25A,VGS=0V) VSD — — 1.2 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 30V) (VGS=0V, VDS= 24V, TA=55℃) IDSS — — 1 10 uA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+12V, VDS=0V) IGSS — — +100 nA Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= 5A,VGS=4.5V) RDS(ON) — 25 35 mΩ Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= 2.6A,VGS= 2.5V) RDS(ON) — 30 45 mΩ Input Capacitance 輸入電容 (VGS=10V, VDS= 15V,f=1MHz) CISS — 820 — pF Output Capacitance 輸出電容 (VGS=10V, VDS= 15V,f=1MHz) COSS — 90 — pF Turn-ON Time 开启時間 (VDS= 15V, VGS= 10V, RGEN=6Ω) t(on) — 8.5 — ns Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= 15V, VGS= 10V, RGEN=6Ω) t(off) — 31 — ns Pulse Width