QX3H7C-CuH-S

QX3H7 光电耦合器 1. 概述 QX3H7是一款由发光二极管和光电晶体管组成的 5. 产品型号命名规则 光电耦合器。四引脚封装（SSOP4）。 2. 特性  电流转换比 (CTR)范围: 80%~600% ( IF=5mA,VCE=5V )  输入-输出隔离电压 (Viso=3750 V rms )  爬电距离≥5mm  外部电气间隙≥5mm  DTI≥0.3mm 例如： 3. 应用 产品型号 描述  通讯设备 QX3H7A-CuH-S A 档,铜框架,SSOP,无卤  可编程控制器 QX3H7B-CuH-S B 档,铜框架,SSOP,无卤  信号传输 QX3H7C-CuH-S C 档,铜框架,SSOP,无卤 QX3H7D-CuH-S D 档,铜框架,SSOP,无卤  DC-DC 转换器 4. 结构原理图和封装 1 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 6. 印字 ●印字中“ ”为群芯品牌 LOGO ●印字中的“X”代表产品分档：A、B、C、D...... ●印字中“Y”代表年份；A(2018), B(2019), C(2020)…... ●印字中“WW”代表周号 ●印字中“N”代表星期几 ●印字中的“H”代表无卤 7. 极限参数(Ta=25C) 发射端 接收端 参数 正向电流 正向峰值电流(1us , pulse) 反向电压 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 90°C 以上) 热阻(结-环境) 热阻(结-壳) 集电极功耗 额定值降低因子(在 Ta = 70°C 以上) 集电极电流 集电极-发射极电压 发射极-集电极电压 符号 IF IFP VR PD PDD RthJ-A RthJ-C PC PCD IC VCEO VECO Ptot Viso Topr Tstg Tsol 总功耗 输入输出瞬时耐受电压 工作温度 存储温度 焊接温度 2 额定值 50 1 6 70 2.0 325 200 150 3.1 50 80 7 200 3750 -55~+110 -55~+125 260 单位 mA A V mW mW/°C °C/W °C/W mW mW/°C mA V V mW Vrms °C °C °C 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 8. 产品特性参数 (Ta=25C) 参数 发 射 端 符号 条件 最小 典型 最大 单位 正向电压 VF IF=20mA - 1.2 1.4 V 反向电流 IR VR=4V - - 10 µA 终端电容 Ct V=0,f=1kHz - 30 250 pF ICEO VCE=20V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BVCEO IC=0.1mA, IF=0 80 - - V 发射极-集电极击穿电压 BVECO IE=0.01mA, IF=0 7 - - V 电流转换比 CTR* IF=5mA ,VCE=5V 80 - 600 % 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IF=10mA,IC=1mA - 0.1 0.2 V 隔离电阻 RISO DC500V,40~60%R.H. 5x1010 1x1011 - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.3 1.0 pF 上升时间 Tr - 5 18 µs 下降时间 Tf - 3 18 µs 集电极暗电流 接 收 端 传 输 特 性 VCE=2V IC=2mA,RL=100Ω * CTR=IC/IFx 100% CTR 分档表 Condition:(IF=5mA ,VCE=5V) 分档 CTR A 80~160 B 130~260 C 200~400 D 300~600 3 L 80~100 Q 100~200 80~600 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 9. 典型光电特性曲线 测试线路图 Fig.1 电流转换比 vs 正向电流曲线图 V CC RD VCE=5V TA=25℃ IN PUT RL OUTPUT 电流转换比 CTR (%) INPUT 10% OUTPUT 90% ton 响 应 时间 测 试 线 路 toff tr VCC tf RL RD OUTPUT 正向电流 IF (mA) 频 率 响应 测 试 线 路 Fig.2 正向电流 vs 正向电压曲线图 Fig.3 集电极电流 vs 集-发电压曲线图 集电极电流 IC (mA) 正向电流 IF(mA) IF=30mA IF=20mA 75℃ -55℃ 0℃ 25℃ 50℃ -25℃ Fig.4 相对电流转换比 vs 环境温度曲线图 Fig.5 饱和压降 vs 环境温度曲线图 Normalized to VCE =5V，IF=5mA TA=25℃ 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) (V) 相对电流转换比 (%) IF=5mA 集电极-发射电压 VCE (V) 正向电压 VF (V) VCE =5V IF=5mA IF=10mA VCE =0.8V IF=2mA 环境温度 Ta(C) IC=1mA IF=20mA 环境温度 Ta(C) 4 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 Fig.6 集电极暗电流 vs 环境温度曲线图 Fig.7 响应时间 vs 负载电阻曲线图 响应时间 (µs) 集电极暗电流 ICEO (nA) IC =2mA TA=25℃ VCE =20V 负载电阻 RL () 环境温度 Ta(C) Fig.9 饱和压降 vs 正向电流曲线图 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) (V) 电压增益 Av (dB) Fig.8 频率响应曲线图 RL=100Ω RL=1K RL=10K IC =2mA TA=25℃ IC=0.5mA IC=1mA IC=3mA IC=5mA IC=7mA 正向电流 IF (mA) 频率 f (kHz) 5 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 封装表面温度-Tc（℃） 10. 回流焊温度曲线图 TP TP-5°C TL Ts max Ts min ts 符号 最小值 最大值 单位 预热温度 Ts 150 200 ℃ 预热时间 ts 60 120 s 3 ℃/s 升温速率 tp 液相线温度 TL tL 时间高于 TL tL 峰值温度 Tc 在(TP-5)和 TP 之间的时间 25 217 60 ℃ 150 s TP 260 ℃ tp 30 s 6 ℃/s 降温速率 Time (s) 注：1. 建议在所示的温度和时间条件下进行回流焊，最多不能超过三次； 2. 手工烙铁焊接 A. 手工烙铁焊仅用于产品返修或样品测试； B. 手工烙铁焊要求：温度 360℃ ± 5℃，时间≤3s 11. 外形尺寸 5.3±0.2 5.3±0.2 5.3±0.2 7±0.3 7±0.3 7±0.3 0.203±0.1 0.203±0.1 2.05±0.2 0.203±0.1 0.1±0.1 0.1±0.1 0.4±0.1 0.4±0.1 0.4±0.1 1.27±0.12 1.27±0.12 1.27±0.12 0.1±0.1 2.7±0.2 2.7±0.2 2.7±0.2 4.55±0.2 4.55±0.2 4.55±0.2 2.05±0.2 2.05±0.2 单位: mm SSOP4 6 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 12. 焊盘尺寸(仅供参考) 0.8 0.8 1.4 1.1 6.2 1.27 注：单位（mm），上图为产品正视图。 2.54 13. 包装 包装方式 盘数量 盒数量 箱数量 编带 3K/盘 (Φ33 蓝盘) ■ SSOP4 编带包装 1) 每箱数量：60000 只。 2) 每卷数量：3000 只。 3) 内包装：每盒 2 卷。 4) 示意图：（单位：mm） (P2) 2±0.1 2 盘/盒 10 盒/箱 (P) 4±0.1 盒规格(cm) 箱规格(cm) 备注 430*400* 0.075mm 34*6*34 38*36*36.5 首端各空 50 个空 格，末端空 100 (Po) 4±0.1 (Do)Φ1.55±0.05 +0.1 (D1)Φ1.5- 0.0 (T) 0.25±0.05 4.54 (F) 5.5±0.1 (W) 12±0.2 (E) 1.75±0.1 SSOP4 静电袋(cm) (Bo) 7.46±0.1 ■汇总表 封装 形式 10° 2.1±0.1 (Ko) 2.45±0.1 0.52 (Ao) 2.98±0.1 7 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN QX3H7 光电耦合器 14. 注意  QX 持续不断改进质量、可靠性、功能或设计，保留此文件更改的权利恕不另行通知。  请遵守产品规格书使用，QX 不对使用时不符合产品规格书条件而导致的质量问题负责。  产品用于办公自动化设备、通信设备、音频/视频设备、电气应用和仪器仪表等电子应用。  对于需要高可靠性或安全性的设备/装置，如空间应用、核电控制设备、医疗设备等，请联系我们的销售 人员。  当需要用于任何“特定”应用的设备时，请咨询我们的销售人员  如对文件中表述的内容有疑问，欢迎联系我们。 8 2022-10-18 DS-QX3H7-V1.0-CN