CYHCPL3120

CYHCPL3120 概述: CYHCPL3120 是一种 2.5A 输出电流栅极驱动光电耦合器， 可驱动大多数中功率 IGBT 和 MOSFET。在电机控制逆 变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率 IGBT 和 MOSFET。 其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器。 特性:       35kV/us 最小共模抑制； 2.5A 峰值输出电流驱动能力， 适用于最大1200V/120A 的 IGBT； 输出级采用 P-沟道 MOSFET，使输出电压振幅可接近电源端； 开关速度快 -延迟时间最大 400ns -最大 100ns 的脉宽失真; 带滞后的欠压闭锁； 工作温度范围：-40℃ to 100℃；  RDS(ON)典型值仅 1Ω，功耗更小； 1414 峰值工作隔离电压(VIORM)  CQC 认证（NO:CQC20001268610）  应用:     工业逆变器 不间断电源 感应加热 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动 结构原理图和封装： 注： （1） 5、8 脚间必须接 0.1uF 的旁路电容。 （2） 6、7 脚外接电路需要并联使用。 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 1 DPC-CYHCPL3120-CN-Rev.1 CYHCPL3120 极限参数(除非另有规定，TA=25)： 符号 参数 额定值 单位 IFM 最大正向输入电流 25 mA VR IO(PEAK) V DD-V SS 输入反向电压 5 3.0 V A 电源电压 0 to 30 V V O(PECK) 峰值输出电压 0 to V DD V tR(IN), tF(IN) 输入信号上升下降时间 500 ns TSTG 贮存温度 -55 to 125 ℃ TA 工作温度 -40 to 100 ℃ 峰值输出电流 注：超过最大额定值时，可能损坏器件。建议器件不要在推荐的工作条件之外工作，这可能会影响器件的功能。另外， 长期在超出推荐工作条件下工作，可能影响器件的可靠性。最大额定值仅说明应力等级。 隔离特性： 除非另有规定，适用于所有的推荐条件，典型值在T A =25℃ 下测量。 Min. 符号 参数 条件 V ISO 入出间隔离电压 TA =25℃，R.H.5V 2.3 5.0 mA V Io=0mA，VO 5V 11.5 12.7 13.5 V IF=10mA，VO 5V IF=10mA，VO