MOC3023M

UMW R UMW MOC302X 随机相位双向晶闸管驱动光电耦合器 1. 概述 UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双 向晶闸管组成 的光电耦合器。 2. 特点 4. 结构原理图和封装  峰值击穿电压 400V     输入和输出之间高隔离电压（Viso=5000 Vrms） 紧凑双列直插式封装 无铅，符合 RoHS 标准 UL approved: UL1577, file No. E492440 3. 典型应用        电磁阀控制 镇流器 静态交流电源开关 微处理器 115 到 240VAC 外设接口 白炽灯调光器 温度控制 电机控制 1 6 2 5 3 4 Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. No Connection 4. Terminal 5. Substrate (do not connect) 6. Terminal 5. 极限参数 (TA=25°C) 参数 输入 正向电流 反向电压 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 85°C 以上) 断态输出端电压 输出 额定值 单位 IF VR 60 6 100 3.8 mA V mW mW/°C VDRM 400 V ITSM 1 100 300 7.4 330 5000 -55~+100 -55~+125 260 A mA mW mW/°C mW Vrms °C °C °C PD MOC302X 峰值重复浪涌电流(pw=100μs,120pps) 开启态电流（均方根值） 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 85°C 以上) IT(RMS) PC 总功耗 隔离电压* 工作温度 储存温度 焊接温度（10s） * 在相对湿度 符号 Ptot Viso Topr Tstg Tsol 40 ~ 60%下的进行交流电测试，此时 1、2 和 3 脚短接，4、5 和 6 脚短接。 www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC302X 随机相位双向晶闸管驱动光电耦合器 6. 产品特性参数 (TA=25°C, 除非有特别说明) 参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位 正向电压 VF IF=20mA - 1.18 1.5 V 反向电流 IR VR=6V - - 10 µA - - 100 nA - - 2.5 V - 100 - V/μs - - 30 - - 15 - - 10 输入 断态峰值电流 IDRM 通态峰值电压 VTM VDRM = 额定 VDRM, IF = 0mA ITM=100mA 峰值, IF= 额定 IFT 输出 断态电压临界 上升率 MOC302X dv/dt VPEAK = 额定 VDRM, IF=0 MOC3020 传输特性 LED 触发电流 IFT MOC3021 MOC3022 MOC3023 维持电流 www.umw-ic.com IH 2 主端电压=3V - - 5 - 250 - mA µA 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC302X 随机相位双向晶闸管驱动光电耦合器 7. 典型光电特性曲线图 1.8 图 2 通态特性图 800 1.7 600 1.6 400 通态电流 ITM (mA) 正向电压 VF (V) 图 1 LED 正向电压对正向电流曲线图 1.5 1.4 o TA = -55 C 1.3 o TA = 25 C 1.2 o T A = 100 C 1.1 1.0 1 10 -400 -600 触发电流 IFT （归一化） 1.1 1.0 0.9 0.8 N orm a lized To T A = 2 5 ° C -2 0 0 20 40 20 2 3 N o rm a lize d To: P W in ≥1 00 μs 15 10 5 0 1 60 80 100 环境温度 TA(C) 2 5 10 20 50 100 LED 触发脉冲宽度 PWin (μs) 图 5 维持电流对温度曲线图 图 6 漏电电流对温度曲线图 10000 1000 漏电电流 IDRM(nA) 维持电流 IH(mA) 0 -1 1 通态电压 VTM (V) -2 25 1.2 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -40 -3 图 4 LED 触发电流对 LED 脉冲宽度曲线图 1.3 触发电流 IFT （归一化） -200 LED 正向电流 IF (mA) 1.4 0.6 -40 0 -800 100 图 3 触发电流对环境温度曲线图 0.7 200 -2 0 0 20 40 60 80 环境温度 TA(C) www.umw-ic.com 100 10 1 0.1 -40 -20 0 20 40 60 80 100 环境温度 TA(C) 3 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC302X 随机相位双向晶闸管驱动光电耦合器 图 7 静态 dv/dt 测试电路及波形 R TEST R = 1 0 kΩ 高压脉冲源 C TEST 1 6 2 5 3 4 VT 被测器件 监测V T 波形 VP E A K 0.632 x V PEAK 0 V τ RC 通过 RC 电路施加于被测器件的输出端的高电压脉冲设置到所需的 VPEAK 值上。LED 电流无需加上。波形 VT 使用 X100 探头监测。通过调节 RTEST 值，dv/dt（斜度）增加，直到被测器件观察到被触发（波形崩溃）。dv/dt 然后下 降，直到被测器件停止被触发。此时，记录τRC 值并可计算 dv/dt 了。 dv/dt  0.632  VPEAK RC 例如，对于 MOC302X 系列 VPEAK = 400V。其 dv/dt 值如下计算得到： dv/dt  www.umw-ic.com 0.632  400  252 RC RC 4 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC302X 随机相位双向晶闸管驱动光电耦合器 8. 外形尺寸 单位：mm 7.6 2 TYP. 6.5 0±0. 30 4.5 0±0. 30 7. 12±0.30 0 .50±0. 10 2.5 4 TYP. o 0. 25 5 ~ 15 o 6-pin DIP 7.6 2 TYP. 6 .50±0. 30 3. 50±0 .30 4.30±0. 30 1. 30 7.1 2±0. 30 2. 54 TYP. 0. 25 0.6M IN 10. 30Max 6-pin SOP 9. 印字 ● 第二行印字中“X” 代表IFT 数位：0/1/2/3 ● 第三行印字中“XX” 代表年份 ● 第三行印字中“WW”代表周期 10. 订单信息 型号 封装 最小包装数量 UMW MOC302XM DIP-6 3250 盒 UMW MOC302XSM SOP-6 1000 盘 www.umw-ic.com 5 包装方式 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC302X 随机相位双向晶闸管驱动光电耦合器 ■ SOP-6 编带包装 1) 示意图： www.umw-ic.com 6 友台半导体有限公司