XC51200DZA

XC51200 DDR 驱动器 产品概述 XC51200是一款应用于小尺寸中的低输入电压灌/拉电流双倍速率（DDR）终端稳压 器。XC51200具有快速的动态响应，并且仅需要20uF的输出电容就能满足DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, 低功耗DDR3和DDR4 VTT总线终端的电源要求。此外XC51200还提供了 漏极开路的PGOOD信号，用于监控输出状态；和EN信号，用于DDR在S3期间为VVT放 电。 型号描述 完整型号 XC51200DZC XC51200DZA 质量保证等级 军级 工业级 结温范围 -55°C to 125°C -40°C to 125°C 封装类型 DFN3x3-10 DFN3x3-10 主要功能           输入电压：支持2.5V轨电压和3.3V轨电压 VLDOIN电压范围：1.1V到3.5V 仅需要20uF的最小输出电容 用于监控输出状态的PGOOD信号 使能功能选项 REFIN输入可以通过电阻分压对输入进行灵活的跟踪 遥感（VOSNS） 内置软启动，欠压保护 热保护 支持DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, 低功率DDR3, DDR4 VVT应用 企标代号：QJ/PWV5069-2018（军级） QJ/PWV5016-2017（工业级） XC51200 Rev. 2.1 江苏展芯半导体技术有限公司 1 XC51200 DDR 驱动器 典型电路 图1 典型应用电路 XC51200 Rev. 2.1 江苏展芯半导体技术有限公司 2 XC51200 DDR 驱动器 脚位图 （俯视图） (DFN3x3-10) 图2 脚位示意图 脚位名称 REFIN VLDOIN VO PGND VOSNS REFOUT 脚位编号 1 2 3 4 5 6 EN 7 GND 8 PGOOD 9 VIN Exposed Pad 10 XC51200 Rev. 2.1 功能描述 基准电压输入脚，与GND之间加0.1uF的陶瓷电容 LDO的供电脚，与PGND之间至少加10uF以上的陶瓷电容 LDO的功率输出脚，与PGND之间至少加20uF以上的陶瓷电容 LDO的功率地 LDO的电压采样脚，将该脚连接到输出电容或负载的正端 基准电压输出脚，和GND之间加0.1uF的陶瓷电容 外部使能控制，当置高时芯片工作，置低时关闭。在DDR VVT 应用中，将该脚连接到SLP_S3。切勿悬空 信号地 漏极开路power good信号，当输出在±20%REFOUT范围内时 拉高 输入电源脚，和GND之间至少加1uF以上的陶瓷电容 底部散热焊盘，通常会将其和PCB GND敷铜连接，以获得较好 的散热性能 江苏展芯半导体技术有限公司 3 XC51200 DDR 驱动器 最大耐受值 REFIN, REFOUT, VIN, VO, VLDOIN, VOSNS ---------------------------------- -0.3 to 3.6V EN, PGOOD------------------------------------------------------------------------------ -0.3 to 6.5V 耗散功率： PD @ TA=25°C ------------------------------------------------------------------------------- 2W 热阻(Note)： θJC ---------------------------------------------------------------------------------------- 10°C/W θJA ---------------------------------------------------------------------------------------- 50°C/W 最大结温 ---------------------------------------------------------------------------------------- 150°C 最大引脚温度(焊接时，10秒) -------------------------------------------------------------- 260°C 存储温度范围 ----------------------------------------------------------------------- -65°C to 150°C Note: 热阻参数是在自然对流条件下，将芯片直接焊接在一块60mm x 60mm, 2oz铜厚，FR4材质的四层PCB上测试得到 的。需要注意的是，在实际设计与应用中，PCB布局，敷铜厚度，PCB层数及尺寸，导热过孔数量等因素都将直接影响 到热阻的大小。 推荐工作条件 VIN ------------------------------------------------------------------------------------- 2.375V to 3.5V EN, VLDOIN, VOSNS -------------------------------------------------------------------- 0 to 3.5V REFIN -------------------------------------------------------------------------------------- 0.5 to 1.8V PGOOD, VO--------------------------------------------------------------------------------- 0 to 3.5V REFOUT ------------------------------------------------------------------------------------ 0 to 1.8V 结温范围 ----------------------------------------------------------------------------- -55°C to 125°C 电气参数 (测试条件VIN=3.3V, VLDOIN=1.8V, VREFIN=0.9V ,VVOSNS=0.9V, VEN=VVIN, COUT=3x10uF, TA=25°C, •标识代表全工作温度范 围内规格) 参数 工作电流 符号 工作电流 IIN 关机电流 IIN(SDN) 测试条件 VEN=3.3V, 空载 • 65 • VEN=0V, VREFIN>0.4V, 空 载 • • ILODIN VEN=3.3V, 空载 VLDOIN关机电流 ILODIN(SDN) VEN=0V, 空载 REFIN输入电流 输出电压 IREFIN VEN=3.3V VO输出直流电压 VVOSNS VREFOUT=1.25V(DDR1), IO=0A 典型值 0.7 VEN=0V, VREFIN=0V, 空载 VLDOIN输入电流 XC51200 Rev. 2.1 最小值 200 1 最大值 单位 50 1 mA mA µA µA µA µA µA µA µA µA µA 15 V mV 2 100 500 50 0.1 • • 江苏展芯半导体技术有限公司 -15 1.25 4 XC51200 DDR 驱动器 输出电压公差 VO拉电流限制 VO灌电流限制 VVOTOL IVOSRCL IVOSNCL 输出关机放电电阻 RDSCHRG VREFOUT=0.9V(DDR2), IO=0A VREFOUT=0.75V(DDR3), IO=0A VREFOUT=0.675V(DDR3L), IO=0A VREFOUT=0.6V(DDR4), IO=0A -2A