MS5189N

MS5182N/MS5189N 16bit、4/8 通道、200KSPS、 SAR 型 ADC 产品简述 MS5182N/MS5189N 是 4/8 通道、16bit、电荷再分配逐次 逼近型模数转换器。采用单电源供电。 MS5182N/MS5189N 内 部集成无失码的 16 位 SAR ADC、低串扰多路复用器、内部低 漂移基准电压源(可以选择 2.5 或 4.096 V)、温度传感器、可选 择的单极点滤波器以及当多通道依次连续采样时非常有用的序 列器。 MS5182N/MS5189N 使用 SPI 接口实现寄存器的配置和转 QFN20 换数据的接收。SPI 接口使用单独的电源(VIO)。 MS5182N/MS5189N 采用小型 QFN20 封装，工作温度范围 为-40°C 到+120°C。 主要特点 应用  16 位无失码分辨率  多通道系统监控  集成多路复用器：4 路(MS5182N)，8 路(MS5189N)  电池供电设备  可选择输入配置，单极性和双极性输入，单端和差分输入  医疗设备：ECG、EKG  INL：±0.4LSB（典型），正负 1.5LSB（最大）  移动通信：GPS  动态范围：93.8dB  电力线监控  SINAD：92.5dB(20kHz)，THD：-100dB(20kHz)  数据采集  模拟输入范围：0 到 VREF（VREF 可达 VDD）  地震数据采集系统  多种基准：内部 2.5V 或 4.096V、外部基准  仪器仪表  内部温度传感器  过程控制  通道序列器  单电源工作：2.3V 到 5.5V，逻辑电源：1.8V 到 5.5V  串行接口：兼容 SPI、MICROWIRE、QSPI 和 DSP  功耗：3.5mW(2.5V@200kSPS)，12.5mW(5V@200kSPS)  待机电流：50nA 产品规格分类 产品 封装形式 丝印名称 MS5182N QFN20 MS5182N MS5189N QFN20 MS5189N 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 1页 MS5182N/MS5189N 管脚图 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 2页 MS5182N/MS5189N 管脚说明 管脚编号 管脚名称 MS5182N MS5189N 管脚属性 管脚描述 电源。需外部基准源并通过 10uF 和 100nF 电容去 1,20 VDD VDD P 耦时，标称值为 2.3V 至 5.5V。 使用内部基准源 2.5V 时，最小值为 3.0V 使用内部基准源 4.096V 时，最小值为 4.5V 基准电压输入/输出，需接一个 10uF 的去耦电容。 2 REF REF I/O 使能内部基准源时，此引脚可输出 2.5V 或 4.096V 基准电压。禁用内部基准源并使能内部缓冲器时， REFIN 外接参考电压通过 buffer 输出到 REF 脚上。 内部基准输出/基准电压缓冲输入端口。 使用内部基准源时，内部输出无缓冲基准电压，并 3 REFIN REFIN I/O 需要接一个 0.1uF 去耦电容。使能内部基准电压缓 冲器时，施加一个 0.5V 至(VDD-0.5V)的基准源，经 过缓冲后提供给 REF 引脚。 4 GND GND P 地 5 GND GND P 地 6 NC IN4 I 7 IN2 IN5 I 8 NC IN6 I 9 IN3 IN7 I 10 COM COM I 11 CNV CNV I 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com MS5182N：悬空 MS5189N：模拟输入通道 4 MS5182N：模拟输入通道 2 MS5189N：模拟输入通道 5 MS5182N：悬空 MS5189N：模拟输入通道 6 MS5182N：模拟输入通道 3 MS5189N：模拟输入通道 7 共模通道输入。所有输入通道(IN7IN0)都可以参考 一个 0V 或 VREF/2 V 的共模点。 转换输入。在上升沿，CNV 启动转换。转换器件， 如果 CNV 保持低电平，则繁忙指示器使能。 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 3页 MS5182N/MS5189N 管脚编号 管脚名称 管脚属性 管脚描述 MS5182N MS5189N 12 DIN DIN I 13 SCK SCK I 串行数据时钟输入 14 SDO SDO O 串行数据输出 15 VIO VIO P 16 IN0 IN0 I 17 NC IN1 I 18 IN1 IN2 I 19 NC IN3 I EPAD EPAD 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 数据输入。此输入用于写入 14 位配置寄存器。可 以在转换期间和转换后写入配置寄存器。 输入/输出接口数字电源。此引脚的标称电源与主机 接口电源相同（1.8V、2.5V、3V 或 5V）。 模拟输入通道 0 MS5182N：悬空 MS5189N：模拟输入通道 1 MS5182N：模拟输入通道 1 MS5189N：模拟输入通道 2 MS5182N：悬空 MS5189N：模拟输入通道 3 散热片，推荐接系统地 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 4页 MS5182N/MS5189N 内部框图 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 5页 MS5182N/MS5189N 极限参数 芯片使用中，任何超过极限参数的应用方式会对器件造成永久的损坏，芯片长时间处于极限工作 状态可能会影响器件的可靠性。极限参数只是由一系列极端测试得出，并不代表芯片可以正常工作在 此极限条件下。 参数 符号 额定值 单位 电源电压范围 VDD -0.3  +7.0 V IN -0.3  VDD+0.3 V VREFIN -0.3  VDD+0.3 V 数字输入电压范围 -0.3  VIO+0.3 V 数字输出电压范围 -0.3  VIO+0.3 V 输入端口电流 10 mA 工作温度范围 -40  120 °C -60  150 °C 焊接温度(10s) 260 °C ESD 电压(HBM) 4000 V 模拟输入电压范围 参考电压范围 储存温度范围 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com Tstg 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 6页 MS5182N/MS5189N 电气参数 VDD = 2.3 V 到 5.5 V, VIO = 1.8 V 到 VDD，参考电压(VREF) = VDD， TA = -40°C到+120°C。 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 模拟输入 单极性模式 0 +VREF 双极性模式 -VREF/2 +VREF/2 正输入，单极性或双极性模式 -0.1 VREF+0.1 V 负或COM输入，单极性模式 -0.1 +0.1 V 负或COM输入，双极性模式 VREF/2-0.1 VREF/2+0.1 V 模拟输入电压范围 模拟绝对输入电压 VREF/2 V 模拟输入CMRR Fin=200KHz 68 dB 25°C漏电流 采集阶段 1 nA 转换速率 全带宽 1/4带宽 VDD=4.5V到5.5V 0 200 kSPS VDD=2.3V到4.5V 0 200 kSPS VDD=4.5V到5.5V 0 50 kSPS VDD=2.3V到4.5V 0 50 kSPS 满量程阶跃，全带宽 2 us 满量程阶跃，1/4带宽 12 us 瞬态响应 精度 16 无失码精度 Bits 积分非线性误差 -1.5 ±0.4 +1.5 LSB 微分非线性误差 -1 ±0.25 +1 LSB 跃迁噪声 REF=VDD=5V 0.5 LSB 增益误差 -8 ±1 +8 LSB 增益误差匹配 -4 ±0.5 +4 LSB ±1 增益误差温漂 失调误差 VDD=4.5V到5.5V -8 VDD=2.3V到4.5V 失调误差温漂 电源灵敏度 VDD=5V±5% 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com +8 ±5 -4 失调误差匹配 ±1 ppm/°C 版本号：V1.4 ±0.5 LSB LSB +4 LSB ±1 ppm/°C ±1.5 LSB 2022.01.21 共 15页 第 7页 MS5182N/MS5189N 参数 测试条件 最小值 典型值 92.5 93.5 91 92.3 87.5 88.8 91 92.5 最大值 单位 交流精度 信噪比SNR Fin=20kHz,VREF=5V Fin=20kHz，内部 VREF=4.096V Fin=20kHz，内部 VREF=2.5V 信纳比 Fin=20kHz,VREF=5V Fin=20kHz,VREF=5V,-60dB 输入 Fin=20kHz，内部 VREF=4.096V dB dB 33.5 90 91 总谐波失真THD Fin=20kHz -100 dB 无杂散动态范围 Fin=20kHz 110 dB 通道之间串扰 Fin=100kHz -125 dB 全带宽 1.6 MHz 1/4 带宽 0.4 MHz VDD=5V 2.5 ns 采样动态性能 -3dB输入带宽 孔径延迟 内部基准电压 REF输出电压 2.5V@25°C 2.490 2.500 2.510 V 4.096V@25°C 4.086 4.096 4.106 V 2.5V@25°C 1.2 V 4.096V@25°C 2.3 V REF输出电流 ±300 uA 温度漂移 ±10 ppm/°C REFIN输出电压 输入电压调整率 VDD=5V±5% ±15 ppm/V 开启建立时间 CREF=10uF 4 ms 外部基准电压 电压范围 漏电流 REF输入 0.5 VDD+0.3 V REFIN输入 0.5 VDD-0.5 V 200kSPS,VREF=5V 50 uA 183 mV 1 mV/°C 温度传感器 输出电压 温度灵敏度 @25°C 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 8页 MS5182N/MS5189N 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 数字输入 输入低电平 -0.3 +0.3*VIO V 输入高电平 0.7*VIO VIO+0.3 V 低电平输入电流 -1 +1 uA 高电平输入电流 -1 +1 uA 数字输出 输出高电平 Isource=-500uA 输出低电平 Isink=+500uA VIO-0.3 V 输出短路电流 0.4 V 80 mA 电源 VDD 额定性能 2.3 5.5 V VIO 额定性能 1.8 VDD+0.3 V 待机电流 VDD=VIO=5V,25°C 50 VDD=2.5V，100kSPS转换速率 0.7 VDD=2.5V，200kSPS转换速率 1.4 VDD=5V，200kSPS转换速率 2.5 3 3.2 4 工作电流 VDD=5V，200kSPS转换速率， 内部基准源 nA mA 温度范围 额定性能 Tmin到Tmax 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com -40 版本号：V1.4 120 °C 2022.01.21 共 15页 第 9页 MS5182N/MS5189N 时序参数 除非另有说明，VDD=4.5V到5.5V，VIO=1.8V至VDD，所有规格均相对于TMIN至TMAX而言。 参数 转换时间：CNV上升沿至数据可用 符号 最小值 tCONV 最大值 单位 3.0 us 采集时间 tACQ 1.8 us 转换间隔时间 tCYC 4 us 转换器件数据写入/读取 tDATA 1.2 us CNV脉冲宽度 tCNVH 10 ns SCK周期 tSCK tDSDO+2 ns SCK低电平时间 tSCKL 12 ns SCK高电平时间 tSCKH 12 ns SCK下降沿至数据仍然有效 tHSDO 5 ns SCK下降沿至数据有效延迟时间 tDSDO VIO高于2.7V 18 ns VIO高于2.3V 23 ns VIO高于1.8V 28 ns VIO高于2.7V 18 ns VIO高于2.3V 22 ns VIO高于1.8V 25 ns 32 ns CNV低电平至SDO D15 MSB有效 CNV高电平或最后一个SCK下降沿至SDO高阻态 tEN tDIS CNV低电平至SCK上升沿 tCLSCK 10 ns SCK上升沿至DIN有效设置时间 tSDIN 5 ns SCK上升沿至DIN有效保持时间 tHDIN 5 ns 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 10页 MS5182N/MS5189N 除非另有说明，VDD=2.7V到4.5V，VIO=1.8V至VDD，所有规格均相对于TMIN至TMAX而言。 参数 转换时间：CNV上升沿至数据可用 符号 最小值 tCONV 最大值 单位 3.5 us 采集时间 tACQ 1.8 us 转换间隔时间 tCYC 5 us 转换器件数据写入/读取 tDATA 1.2 us CNV脉冲宽度 tCNVH 10 ns SCK周期 tSCK tDSDO+2 ns SCK低电平时间 tSCKL 12 ns SCK高电平时间 tSCKH 12 ns SCK下降沿至数据仍然有效 tHSDO 5 ns SCK下降沿至数据有效延迟时间 tDSDO VIO高于3V 24 ns VIO高于2.7V 30 ns VIO高于2.3V 38 ns VIO高于1.8V 48 ns VIO高于3V 21 ns VIO高于2.7V 27 ns VIO高于2.3V 35 ns VIO高于1.8V 45 ns 50 ns CNV低电平至SDO D15 MSB有效 CNV高电平或最后一个SCK下降沿至SDO高阻态 tEN tDIS CNV低电平至SCK上升沿 tCLSCK 10 ns SCK上升沿至DIN有效设置时间 tSDIN 5 ns SCK上升沿至DIN有效保持时间 tHDIN 5 ns 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 11页 MS5182N/MS5189N 封装外形图 QFN20(4x4) 尺寸（毫米） 符号 A 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 最小值 典型值 最大值 0.700 0.750 0.800 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 12页 MS5182N/MS5189N 印章与包装规范 1. 印章内容介绍 产品型号：MS5182N、MS5189N 生产批号：XXXXXXX 2. 印章规范要求 采用激光打印，整体居中且采用 Arial 字体。 3. 包装规范说明 型号 封装形式 只/卷 卷/盒 只/盒 盒/箱 只/箱 MS5182N QFN20 4000 1 4000 8 32000 MS5189N QFN20 4000 1 4000 8 32000 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 13页 MS5182N/MS5189N 声明  瑞盟保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息 是否完整。  在使用瑞盟产品进行系统设计和整机制造时，买方有责任遵守安全标准并采取相应的安全措施， 以避免潜在失败风险可能造成的人身伤害或财产损失！  产品提升永无止境，本公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 14页 MS5182N/MS5189N MOS 电路操作注意事项 静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于受 静电放电的影响而引起的损坏： 1、操作人员要通过防静电腕带接地。 2、设备外壳必须接地。 3、装配过程中使用的工具必须接地。 4、必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。 +86-571-89966911 杭州市滨江区伟业路 1 号 http:// www.relmon.com 高新软件园 9 号楼 701 室 杭州瑞盟科技股份有限公司 http://www.relmon.com 版本号：V1.4 2022.01.21 共 15页 第 15页