BP1808

BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 概述 特点     BP1808 可通过外置采样电阻调节输出电流的大小，   其输出电流的精度可达±3%。BP1808 可通过 DIM  Pin 进行 PWM 和模拟调光。  BP1808 采用 420kHz 固定开关频率，可使用小尺寸  的电感和输入/输出电容。电流模式控制使其拥有  出色的响应速度，并使环路补偿更为简单。   BP1808 具有多重保护功能，包括过流保护、输入 欠压保护、输出过压保护、芯片过热调节等。 BP1808 是一款多工作模式、宽输入/输出范围的高 压 DC-DC LED 驱动芯片，内部集成 70V/300mΩ功 率开关。BP1808 可以工作于升压、降压、和升降 压模式，其输入/输出电压范围可达 3V—60VDC。 3V 到 60VDC 输入/输出范围 支持升压、降压、和升降压模式 内置 70V/300mΩ 功率 MOSFET ±3%输出电流精度 支持 PWM 调光及模拟调光 420kHz 固定工作频率 内置软启动 逐周期的峰值电流限制 输入欠压保护 输出过压保护 过温调节功能 散热增强的 SOP8-EP 封装 应用 BP1808 采用散热增强的 SOP8-EP 封装。     典型应用(升压) 5 SW 6 VDD VIN MR16 LED 射灯 智能调光 LED 灯 车载 LED 灯 太阳能 LED 灯 VOUT 7 CS 8 BP1808 2 COMP OVP 1 3 DIM GND 4 option 图 1 BP1808 典型应用图(升压) BP1808_CN_DS_Rev.1.1 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 定购信息 定购型号 封装 温度范围 BP1808 SOP8-EP -40 ℃到 105 ℃ 包装形式 打印 编带 BP1808 XXXXXY XYY 4,000 颗/盘 管脚封装 CS OVP DIM GND BP1808 XXXXXY XYY COMP VOUT XXXXXY: lot code X: 年号 YY：周号 VDD SW 图 2 管脚封装图 管脚描述 管脚号 管脚名称 1 OVP 过压保护端，连接至输出脚和地之间的分压电阻。 2 COMP 环路补偿端，连接补偿电阻（可选）串联补偿电容到地。 3 DIM 调光输入端，不调光时悬空。 4 GND 芯片地。 5 SW 开关端，连接内部 MOSFET 漏极及外部整流二极管阳极，保持 PCB 板 上连线尽可能短。 6 VDD 芯片内部电源输出端，连接 1uF 旁路电容到地。 7 VOUT 输出电压连接点，并提供芯片电源 8 CS BP1808_CN_DS_Rev.1.1 描述 LED 电流采样端，连接采样电阻到 VOUT 端。 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 极限参数(注 1) 符号 参数 参数范围 单位 SW 开关管漏极峰值电压 -0.3~70 V VOUT 输出电压采样端电压 -0.3~70 V CS LED 电流采样端电压 -0.3~70 V OVP 过压保护端电压 -0.3~70 V VDD 芯片内部电源输出电压 -0.3~6 V COMP 环路补偿端电压 -0.3~6 V DIM 调光端电压 -0.3~6 V PDMAX 功耗(注 2) 1 W θJA PN 结到环境的热阻 60 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ 2 kV ESD (注 3) 注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保 证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规 范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMAX,θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX - TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注 3：人体模型，100pF 电容通过 1.5kΩ 电阻放电。 BP1808_CN_DS_Rev.1.1 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only BP1808 晶丰明源半导体 电气参数(注 4, 符号 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 5) （无特别说明情况下，VOUT=15V,TA=25℃） 描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 60 V 电源电压 VIN 输入电压 3 VDD_ON VDD 启动电压 VDD 上升 2.5 V VDD_UVLO,HYS VDD 欠压保护迟滞电压 VDD 下降 200 mV VDD_Reg 芯片内部电源输出电压 VOUT=6V 4.9 V ISD 静态电流（关机） VDIM=0V 80 μA IQ 静态电流（无开关动 作） VCOMP=0V 200 μA fSW 开关频率 420 kHz Dmax 最大占空比 工作电流及频率 VOUT-VCS=0.1V 85 % 过压保护 VOVP 过压保护电压 1.2 V 0.4 V 200 mV 1.3 μA 使能/调光 VEN 使能电压 DIM 上升 VEN_HYS 使能迟滞 IDIM DIM 端上拉电流 VDIM_LOW DIM 模拟调光下限电压 0.55 V VDIM_HIGH DIM 模拟调光上限电压 1.75 V fDIM PWM 调光频率范围 TShutDown DIM 关机延时 DIM=0V 0.1 DIM 为低 10 kHz 15 ms 200 mV 300 mΩ 3 A 电流采样 VOUT-VCS 采样电压 功率管 Rdson 功率管导通电阻 Ilim 限流保护 BVDSS 功率管的击穿电压 ID=200mA VGS=0V/IDS=10uA 70 V 过热调节 TThermal 140 过热调节起始温度 注 4：典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。 注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。 BP1808_CN_DS_Rev.1.1 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only ℃ BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 内部结构框图 - CS COMP + VOUT + 过热调节 LDO SW VDD 逻辑控制 振荡器 GND 1.2V OVP - + 调光 DIM 图 3 BP1808 内部框图 BP1808_CN_DS_Rev.1.1 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 应用信息 5 SW 6 VDD VIN VOUT 7 CS 8 BP1808 2 COMP OVP 1 3 DIM GND option 4 图 1 典型应用—升压（VINVLED） 3 DIM VOUT 7 CS 8 6 VDD VIN BP1808 2 COMP OVP 1 option 4 GND SW 5 图 3 典型应用—升/降压（VINVLED） BP1808_CN_DS_Rev.1.1 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 BP1808 是一款多工作模式、宽输入/输出范围的高 压 DC-DC LED 驱动芯片，可以工作于升压、降压、 和升降压模式。 下，DIM 端高电平须大于 1.75V。在 DIM 端施加一 100Hz—10kHz PWM 信号，LED 平均电流将根据 PWM 占空比从 0%—100%变化。 启动与关机 过压保护 BP1808 内置软启动功能，当 COMP 电压上升至 1V 时，软启动结束，内置 MOSFET 开始开关。 在升压和升/降压型应用中，LED 开路将触发过压 保护。过压保护点可通过外部分压电阻设置，OVP 比较器参考电压为 1.2V，迟滞 100mV。建议将过压 保护电压设置比正常 VOUT 电压高 30%以上。 当 COMP 电容值小于 8nF 时，COMP 电压以最大斜率 1V/ms 上升，软启动时间为 1ms；若需要更长的软 启动时间，可适当加大 COMP 端的电容，当 COMP 电 容大于 8nF 时，软启动充电电流以最大值 8uA 给 COMP 电容充电，直到 COMP 电压上升至 1V，此时 的软启动时间为𝑡𝑠𝑠 : 𝑡𝑠𝑠 = 1𝑉 ∗ C𝐶𝑂𝑀𝑃 8𝑢𝐴 过温调节功能 BP1808 具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐 渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使电 源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片 内部设定过热调节温度点为 140℃。 电容选择 tss 输入电容典型值为 10μF， 输出电容典型值为 1μF， 若需进一步减小输入/输出纹波，可选用更大的电 容。在开关频率下，输入/输出电容的容抗需尽可 能的小，建议使用 X5R 或 X7R 的陶瓷电容。CCOMP 被 用于环路补偿和软启动，推荐使用 1nF 的电容。 2ms 1ms 8nF 16nF CCOMP 软启动时间与 COMP 电容关系曲线 电感选择 当 DIM 端电压持续小于 0.2V 超过 15ms 时， BP1808 进入关机状态。在此状态下静态电流减小至 80μA， COMP 电容被放电至零。 LED 电流设置 二极管选择 LED 电流可通过连接在 CS 端和 VOUT 端之间外部 采样电阻设置。 该电阻值可通过下式计算： R 𝐶𝑆 = 0.2 𝐼𝐿𝐸𝐷 由于 BP1808 开关频率较高，为了提高效率，建议 使用具有快恢复时间和低导通压降的肖特基二极 管作为整流二极管。肖特基二极管的平均电流等 级需大于平均输出电流。二极管反向击穿电压需 大于输出电压。 PCB 设计 ILED 为 LED 的电流平均值。 模拟和 PWM 调光 BP1808 支持模拟和 PWM 调光。当 DIM 电压小于 0.2V，芯片处于关机状态。在模拟调光模式下，当 DIM 电压在 0.55V—1.75V 范围内变化时，LED 电 流将在 0%—100%范围内线性变化。当 DIM 电压大 于 1.75V 时，LED 电流为最大值。在 PWM 调光模式 BP1808_CN_DS_Rev.1.1 常用电感范围为 10μH—47μH。为避免磁芯饱和， 建议选取电感饱和电流超过正常工作时电感电流 峰值 30%—40%的电感。 在设计 BP1808 PCB 时，COMP 和 VDD 的旁路电容需 要紧靠各自的引脚和芯片地,尤其是 VDD 电容的地 必须紧靠芯片电容的地。输入/输出电容的地尽可 能靠近芯片地，连线尽可能的粗，可以大块铺铜连 接。流过大电流的走线一定要短且粗，尽量缩短 RCS、 电感、二极管、输入/输出电容到芯片的连线。使 SW 线尽可能远离 RCS。 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only BP1808 晶丰明源半导体 升压型、降压型、升降压型 LED 驱动芯片 封装 BP1808_CN_DS_Rev.1.1 www.bpsemi.com BPS Confidential – Customer Use Only