EMB12P03V

EMB12P03V     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  D RDSON (MAX.)  ‐30V  12mΩ  ID  ‐21A  G   UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Gate‐Source Voltage  SYMBOL  LIMITS  UNIT  VGS  ±20  V  TA = 25 °C  Continuous Drain Current  ‐21  ID  TA = 100 °C  ‐16  Pulsed Drain Current1  IDM  ‐84  Avalanche Current  IAS  ‐13  L = 0.1mH, ID=‐13A, RG=25Ω EAS  8.45  L = 0.05mH  EAR  4.23  Avalanche Energy  2 Repetitive Avalanche Energy   TA = 25 °C  Power Dissipation  A  mJ  2.5  PD  TA = 100 °C  W  1  Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  RJC    6  Junction‐to‐Case  UNIT  °C / W  3 Junction‐to‐Ambient   RJA  1 Pulse width limited by maximum junction temperature.  2 Duty cycle  1％  3 50°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.    50    2013/6/21  p.1  EMB12P03V       ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  MIN  TYP UNIT MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = ‐250A  ‐30      Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = ‐250A  ‐1  ‐1.5 ‐3  Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V      ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = ‐24V, VGS = 0V      ‐1  A VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      ‐10  1 On‐State Drain Current   ID(ON)  VDS = ‐5V, VGS = ‐10V  ‐21      Drain‐Source On‐State Resistance1  RDS(ON)  VGS = ‐10V, ID = ‐13A    10.5 12  VGS = ‐4.5V, ID = ‐9A    15 20  VDS = ‐5V, ID = ‐13A    30   Forward Transconductance1  gfs  V  A  mΩ S  DYNAMIC  Input Capacitance  Ciss      2363   Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz    385   Reverse Transfer Capacitance    Crss    326   Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    4.0   Qg(VGS=10V)     45   Qg(VGS=4.5V) VDS = ‐15V, VGS = ‐10V,    20     5.6     8.5   Total Gate Charge1,2  1,2 ID = ‐13A  Gate‐Source Charge   Qgs  Gate‐Drain Charge1,2  Qgd  Turn‐On Delay Time1,2  td(on)      15   tr   VDS = ‐15V,      12   td(off)  ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 2.7Ω    35   tf      10   1,2 Rise Time   1,2 Turn‐Off Delay Time   Fall Time1,2  pF Ω  nC nS SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  Continuous Current  IS        ‐3.5 Pulsed Current3  ISM        ‐14  Forward Voltage1  VSD  IF = IS A, VGS = 0V      ‐1.2 V  Reverse Recovery Time    trr  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    32   nS Reverse Recovery Charge  Qrr      26   nC 2013/6/21  p.2  A  EMB12P03V     1 Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％.  2 Independent of operating temperature.  3 Pulse width limited by maximum junction temperature.  Ordering & Marking Information:  Device Name: EMB12P03V for EDFN 3 x 3      B12 P03   B12P03: Device Name    ABCDEFG     Outline Drawing                        ABCDEFG: Date Code  A1 Θ1 b E1 E 0.10 e c A D D1 L E3 E2 L1 Dimension in mm  A1  b  c  D  D1  E  E1  E2  E3  e  L  L1  Ѳ1    Min.  0.70  0  0.24  0.10  2.95 2.25 3.15 2.95 1.65     0.30    0∘    Typ.  0.80    0.30  0.152 3.00 2.35 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40  0.13 10∘    Max.  0.90  0.05  0.37  0.25  3.15 2.45 3.40 3.15 1.96     0.50    12∘  0.65 0.4 0.5 2.05 2.6 0.6   Recommended minimum pads         0.6 A  3.75 Dimension  2013/6/21  p.3  EMB12P03V     On‐Region Characteristics 50 On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage 2.4 ‐ 5.0V ‐ 6.0V V   = ‐ 10V GS 2.2 ‐ 4.5V ‐ 7.0V               R         ‐Normalized DS(ON) Drain‐Source On‐Resistance ‐I  ‐ Drain Current( A ) D 40 30 20 10 2.0 1.8 V    = ‐ 4.5V GS 1.6 ‐ 5 V 1.4 ‐ 6 V 1.2 ‐ 7 V ‐ 10 V 1.0 0 1 0 0.8 3 2 0 ‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V ) DS 30 40 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage 0.06 I      = ‐13 A D V     = ‐ 10V GS I   = ‐ 6.5 A D 1.4 R        ‐ On‐Resistance( Ω) DS(ON)        R        ‐ Normalized DS(on) Drain‐Source On‐Resistance 0.05 1.2 1.0 0.04 0.03 0.02 T   = 125°C A 0.8 0.01 0.6 ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 0 150 T   ‐ Junction Temperature (°C) J Transfer Characteristics 40 T   = 25°C A 0 5 10 ‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS 15 20 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V    = 0V GS ‐ 55°C ‐Is ‐ Reverse Drain Current( A ) V   = ‐ 5V DS 25°C 30 ‐I  ‐ Drain Current( A ) D 50 ‐ I   ‐ Drain Current( A ) D On‐Resistance Variation with Tem perature 1.6 20 10 T   = 125°C A 20 10 10 T   = 125°C A 1 25°C 0.1 ‐55°C 0.01 0.001 0 1.5 2013/6/21  2 2.5 3 ‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS 3.5 4 0.0001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 ‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V ) SD p.4  EMB12P03V     Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics 10 3000 f = 1 MHz V   = 0 V GS 2400 8 V     = ‐ 5V DS ‐ 15V Ciss ‐ 10V Capacitance( pF ) ‐ V    ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS I   = ‐ 13A D 6 4 2 1800 1200 600 Coss Crss 0 0 15 0 45 30 60 75 0 5 Q   ‐ Gate Charge( nC ) g 10 1ms 10ms 100ms 1s 1 10s DC 0.1 V   = ‐10V GS Single Pulse R     = 50°C/W JA T   = 25°C A 0.01 0.1 25 30 100 1000 Single Pulse R    = 50°C/W θJA T  = 25°C A 100μs R D S 20 50 P( pk ),Peak Transient Power( W ) ‐I   ‐ Drain Current( A ) D it   Lim   (O  N  ) 15 Single Pulse Maximum Power Dissipation Maximum Safe Operating Area 100 10 ‐ V   , Drain‐Source Voltage( V ) DS 1 10 ‐V    ‐ Drain‐Source Voltage( V ) DS 40 30 20 10 0 0.001 100 0.01 0.1 1 10 Transient Thermal Response Curve 1     r( t ),Normalized Effective Transient Thermal Resistance Duty Cycle = 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 Notes: 0.02 P DM 0.01 t1 0.01 t2 1.Duty Cycle,D = t1 t2 Single Pulse 2.R     = 50°C/W θ JA 3.T  ‐  T   = P * R     (t) θJA J A 4.R    (t)=r(t) + R JA θ JA θ 0.001 10 ‐4 2013/6/21  10 ‐3 10 ‐2 ‐1 10 t  ,Time (sec) 1 1 10 100 1000 p.5