BM3451QMDC-T20B

BM3451 系列 3/4/5 节可充电电池保护 IC BYD Microelectronics Co., Ltd. 产品概述 BM3451 系列是专业的 3/4/5 节可充电电池保护芯片，具有高集成度的特点，适用于电动工具，电动自 行车以及 UPS 后备电源等。 BM3451 通过检测各节电池的电压、充放电电流以及环境温度等信息实现电池过充、过放、放电过电流、 短路、充电过电流、温度保护等保护功能，通过外置电容来调节过充、过放、过电流保护延时。 BM3451 提供了电池容量平衡功能，消除电池包中各节电池容量差异，延长电池组寿命。 BM3451 可以实现多个芯片级联，对 6 节或 6 节以上电池包进行保护。 功能特点 ⑴ 各节电池的高精度电压检测功能； ·过充电检测电压 3.6 V ~ 4.6 V 精度±25 mV（+25℃） 精度±40 mV（-40℃至+85℃） 精度±50 mV 精度±80 mV 精度±100 mV ·过充电滞后电压 0.06V~0.12V ·过放电检测电压 1.6 V ~ 3.0 V ·过放电滞后电压 0 V ~ 0.4 V ⑵ 3 段放电过电流检测功能； ·过电流检测电压 1 0.025 V ~ 0.30 V (50 mV 步进) 精度±15 mV ·过电流检测电压 2 0.2 / 0.3 / 0.4 / 0.6 V ·短路检测电压 0.6V / 0.8 / 1.2 V ⑶ 充电过电流检测功能； 充电过电流检测电压 -0.03 /-0.05 / -0.1 / -0.15 / -0.2 V ⑷ 可应用于 3/4/5 节电池组； ⑸ 延时外置可调； ·通过改变外接电容大小设置过充电、过放电、过电流 1、过电流 2 检测延迟时间 ⑹ 内置平衡控制端子； ⑺ 可通过外部信号控制充电、放电状态； ⑻ 充、放电控制端子最高输出电压 12 V； ⑼ 温度保护功能； ⑽ 断线保护功能； ⑾ 低功耗； ·工作时（带温度保护） 25 μA 典型值 ·工作时（无温度保护） 15 μA 典型值 ·休眠时 6 μA 典型值 应用领域 ·电动工具 ·电动自行车 ·UPS 后备电源 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 1 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 封装形式 ·TSSOP28 ·TSSOP20 功能框图 BALUP VCC 平衡 控制1 VC5 DOIN COIN OR CO、DO 级联控制 BAL5 VC4 TOV TOVD TOC1 TOC2 BAL4 外置 延时控制 VC3 逻辑处理 NTC TRH 温度保护 VM 充电器负载 检测 BAL3 VC2 BAL2 VC1 CO DO CO、DO 驱动输出 BALDN 平衡 控制2 BAL1 OR GND 3/4/5节适应 VIN 过电流 检测 SET OCCT 图 1 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 2 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 产品选型 1. 产品命名 BM3451 XXXX -TxxX 版本： A：A版本 B：B版本 封装形式： T20：TSSOP20不带平衡 T28：TSSOP28带平衡 过流2与短路 放电过流1与充电过流 过放阈值 BM3451系列产品 过充阈值 图 2 2. 产品目录 过充电 检测电 压 VDET1 过充电 解除电 压 VREL1 过放电 检测电 压 VDET2 过放电 解除电 压 VREL2 放电过 流1检 测电压 VOC1 放电过 流2检 测电压 VOC2 短路检 测电压 平衡启 动电压 VSHORT 充电过 流检测 电压 VOVCC BM3451BFDC-T28A 3.650V 3.550V 2.000V 2.500V 0.100V 0.300V 0.600V -0.100V 3.405V BM3451BHDC-T28A 3.650V 3.550V 2.350V 2.550V 0.100V 0.300V 0.600V -0.100V 3.405V BM3451HEDC-T28A 3.850V 3.790V 2.000V 2.500V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V 3.590V BM3451UNDC-T28A 4.235V 4.175V 2.800V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V 4.180V BM3451TNDC-T28A 4.250V 4.190V 2.800V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V 4.190V BM3451TJDC-T28A 4.250V 4.190V 2.500V 2.700V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V 4.190V BM3451VJDC-T28A 4.300V 4.240V 2.500V 2.700V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V 4.240V BM3451SMDC-T28A 4.225V 4.165V 2.750V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V 4.165V BM3451HEDC-T20B 3.850V 3.750V 2.000V 2.500V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451SMDC-T20B 4.225V 4.105V 2.750V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451TNDC-T20B 4.250V 4.130V 2.800V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451TJDC-T20B 4.250V 4.130V 2.500V 2.700V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451VJDC-T20B 4.300V 4.180V 2.500V 2.700V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451RMDC-T20B 4.200V 4.080V 2.750V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451XJDC-T20B 4.350V 4.230V 2.500V 2.800V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451YNDC-T20B 4.375V 4.255V 2.850V 3.100V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - BM3451ZKDC-T20B 4.425V 4.305V 2.650V 2.950V 0.100V 0.300V 0.600V -0.050V - BM3451QMDC-T20B 4.175V 4.055V 2.750V 3.000V 0.100V 0.400V 0.800V -0.050V - 型号/项目 VBAL 表 1 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 3 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 引脚排布 TSSOP28 TSSOP20 BALUP 1 28 VCC DOIN 2 27 VC5 COIN 3 26 BAL5 DOIN 1 20 VCC TOV 4 25 VC4 COIN 2 19 VC5 TOVD 5 24 BAL4 TOV 3 18 VC4 TOC1 6 23 VC3 TOVD 4 17 VC3 TOC2 7 22 BAL3 TOC1 5 16 VC2 NTC 8 21 VC2 TOC2 6 15 VC1 TRH 9 20 BAL2 NTC 7 14 GND BM3451 BM3451 VM 10 19 VC1 TRH 8 13 SET CO 11 18 BAL1 VM 9 12 VIN CO 10 11 DO DO 12 17 GND BALDN 13 16 SET VIN 14 15 OCCT Top View 图 3 TSSOP28 引脚号 TSSOP20 引脚号 名称 1 - BALUP 2 1 DOIN DO 控制端子 3 2 COIN CO 控制端子 4 3 TOV 接电容，用于控制过充电检测延时 5 4 TOVD 接电容，用于控制过放电检测延时 6 5 TOC1 接电容，用于控制过电流 1 检测延时 7 6 TOC2 接电容，用于控制过电流 2 检测延时 8 7 NTC 接负温度系数热敏电阻，用于温度检测 9 8 TRH 接电阻，用于调节高温保护温度 10 9 VM 过电流保护锁定、充电器及负载检测端子 11 10 CO 充电控制 MOS 栅极连接端子，高电平与高阻态输出，最高 12V 12 11 DO 放电控制 MOS 栅极连接端子，CMOS 输出，最高 12V 13 - BALDN 14 12 VIN 15 - OCCT 过流带载恢复控制端子 16 13 SET 3/4/5 节应用选择端子 17 14 GND 芯片的地、电池 1 的负电压连接端子 18 - BAL1 电池 1 的平衡控制端子 Datasheet 描述 平衡信号传输端子 平衡信号传输端子 放电过电流及充电过电流检测端子 WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 4 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 19 15 VC1 电池 1 的正电压、电池 2 的负电压连接端子 20 - BAL2 电池 2 的平衡控制端子 21 16 VC2 电池 2 的正电压、电池 3 的负电压连接端子 22 - BAL3 电池 3 的平衡控制端子 23 17 VC3 电池 3 的正电压、电池 4 的负电压连接端子 24 - BAL4 电池 4 的平衡控制端子 25 18 VC4 电池 4 的正电压、电池 5 的负电压连接端子 26 - BAL5 电池 5 的平衡控制端子 27 19 VC5 电池 5 的正电压连接端子 28 20 VCC 芯片的电源、电池 5 的正电压连接端子 表 2 绝对最大额定值 项目 符号 适用端子 绝对最大额定值 单位 电源电压 VCC - GND-0.3 ~ GND+30 V 各节电池电压 VCELL Vcell5、Vcell4、Vcell3、 Vcell2、Vcell1 GND-0.3 ~ GND+6 V 低压管脚耐压 Vin-lv Tov、Tovd、Toc1、Toc2、 NTC、TRH、VIN GND-0.3 ~ GND+5.5 V VM 输入端子电压 VM VM GND-20 ~ GND+30 V DO 输出端子电压 VDO DO GND-0.3 ~ VCC+0.3 V CO 输出端子电压 VCO CO GND-20 ~ VCC+0.3 V 工作环境温度 TA - -40 ~ 85 ℃ 贮存温度 TSTG - -40 ~ 125 ℃ 表 3 注意：绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。一旦超过此额定值，有可能造成产品 劣化等物理性损伤。 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 5 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 电气特性 项 （除特殊说明外：TA=25℃） 目 符号 测试条件*1 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VCC - 5 - 30 V 正常功耗（无 NTC） IVCC1 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V - 15 25 μA 正常功耗（带 NTC） IVCC2 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V - 25 40 μA VC5 功耗 IVC5 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V 3 4 6 μA VC4 功耗 IVC4 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V -4 -2 0 μA VC3 功耗 IVC3 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V 0 2 4 μA VC2 功耗 IVC2 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V -4 -2 0 μA VC1 功耗 IVC1 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V 0 2 4 μA 休眠功耗 ISTB V1=V2=V3=V4=V5=2.0V - - 10 μA 保护阈值 VDET1 V1=V2=V3=V4=3.5V V5=3.5→4.4V VDET1 -0.025 VDET1 VDET1 +0.025 V 保护延时 TOV V1=V2=V3=V4=3.5V COV=0.1μF V5=3.5V→4.4V 0.5 1.0 1.5 s 解除阈值 VREL1 V1=V2=V3=V4=3.5V V5=4.4V→3.5V VREL1 -0.05 VREL1 VREL1 +0.05 V 解除延时 TREL1 V1=V2=V3=V4=3.5V V5=4.4V→3.5V 10 20 30 ms 温度系数 1 KU1 Ta= -40℃ to 85℃ -0.6 0 0.6 mV/℃ 保护阈值 VDET2 V1=V2=V3=V4=3.5V V5=3.5V→2.0V VDET2 -0.08 VDET2 VDET2 +0.08 V 保护延时 TOVD V1=V2=V3=V4=3.5V COVD=0.1μF V5=3.5V→2.0V 0.5 1.0 1.5 s 解除阈值 VREL2 V1=V2=V3=V4=3.5V V5=2.0V→3.5V VREL2 -0.10 VREL2 VREL2 +0.10 V 解除延时 TREL2 V1=V2=V3=V4=3.5V V5=2.0V→3.5V 10 20 30 ms 保护阈值 VOC1 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→0.12V VOC1 *85% VOC1 VOC1 *115% V 保护延时 TOC1 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V COC1=0.1μF V6=0V→0.12V 100 200 300 ms 解除延时 TROC1 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→0.12V→0V 100 200 300 ms 过流下拉 电阻 RVMS V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→0.12V 100 300 500 kΩ 过充电 过放电 放电过流 1 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 测试 电路 1 2 3 Page 6 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. 过流 2 温度系数 2 KU2 Ta= -40℃ to 85℃ -0.1 0 0.1 mV/℃ 保护阈值 VOC2 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→0.5V VOC2 *80% VOC2 VOC2 *120% V 保护延时 TOC2 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V COC2=0.1μF V6=0V→0.5V 10 20 30 ms TROC2 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→0.5V→0V 100 VSHORT V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→1.2V 保护延时 TSHORT V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→1.2V→0V 100 300 600 μs 保护阈值 VOVCC V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→-0.2V VOVCC -0.015 VOVCC VOVCC +0.015 V TOVCC V1=V2=V3=V4=V5=3.5V V6=0V→-0.2V 10 20 30 ms 充电高温 TCH V1=V2=V3=V4=V5=3.5V RNTC=100 kΩ, RTRH=54 kΩ -5 TCH +5 ℃ 充电高温 迟滞 TCHR V1=V2=V3=V4=V5=3.5V RNTC=100 kΩ, RTRH=54 kΩ / 5 / ℃ 放电高温 TDH V1=V2=V3=V4=V5=3.5V RNTC=100 kΩ, RTRH=54 kΩ -5 TDH +5 ℃ 放电高温 迟滞 TDHR V1=V2=V3=V4=V5=3.5V RNTC=100 kΩ, RTRH=54 kΩ / 10 / ℃ VBAL V1=V2=V3=V4=3.5V V5=3.5V→4.30V VBAL -0.05 VBAL VBAL +0.05 V 5 CO RCO 正常态，Co 为”H” (12V) 3 5 8 kΩ 6 DO RDO 正常态，Do 为”H” (12V) 3 5 8 保护态，Do 为”L” kΩ 0.20 0.35 0.50 7 启动态为”H” 1.4 2.0 2.6 关断态为”L” 0.5 0.8 1.1 启动态为”H” 1.4 2.0 2.6 关断态为”L” 0.5 0.8 1.1 启动态为”H” 1.4 2.0 2.6 关断态为”L” 0.5 0.8 1.1 kΩ 8 启动态为”H” 1.4 2.0 2.6 关断态为”L” 0.5 0.8 1.1 启动态为”H” 1.4 2.0 2.6 关断态为”L” 0.5 0.8 1.5 解除延时 保护阈值 短路 充电过流 保护延时 温度保护 平衡启动 阈值电压 BAL1 输出电阻 BM3451 系列 RBAL1 BAL2 RBAL2 BAL3 RBAL3 BAL4 BAL5 RBAL4 RBAL5 3 VSHORT *80% 200 VSHORT 300 VSHORT *120% ms V 3 4 / 表 4 *1：以上测试条件均以锂电参数参考设计，其他档位参数根据实际电压调整。 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 7 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 工作说明 1. 过充电 电池充电且 VIN >VOVCC 即未发生充电过流时，只要 VC1、(VC2-VC1)、(VC3-VC2)、(VC4-VC3)或 (VC5-VC4)中任意电压值高过 VDET1 并持续了一段时间 TOV，芯片即认为电池包中出现了过充电状态， CO 由高电平变为高阻态，被外接电阻下拉至低电平，将充电控制 MOS 管关断，停止充电。 满足下面两个条件之一即可解除过充电状态： ⑴ 所有电芯的电压都低于 VREL1 并持续 TREL1； ⑵ VM> 100mV（接入负载），电池电压低于 VDET1 并持续 TREL1。 2. 过放电 电池放电且 VIN< VOC1 即未发生放电过流时，只要 VC1、(VC2-VC1)、(VC3-VC2)、(VC4-VC3)或 (VC5-VC4)中任意电压值低于 VDET2 并持续了一段时间 TOVD，芯片即认为电池包中出现了过放电状态， DO 由高电平变为低电平，将放电控制 MOS 管关断，停止放电，此时芯片进入休眠模式。 满足下面两个条件之一即可解除过放电状态（休眠状态） ： ⑴ VM =0 且所有电芯的电压都高于 VREL2 并持续 TREL2； ⑵ VM TOC2 > TSHORT。过电流保护时 DO 被锁定为低电平，断开负载即可解除 锁定。 4. 延时设置 过充电延时，过放电延时由下述公式计算（单位：s） ： Tov = 107 x COV Tovd = 107 x COVD 放电过电流 1 延时由下述公式计算（单位：s） ： 6 Toc1 = 2 x 10 x COC1 放电过电流 2 延时由下述公式计算（单位：s） ： 5 Toc2 = 2 x 10 x COC2 5. 充电过电流 在充电时，如果充电电流过大且 VIN50V μF 表 7 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 19 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 测试电路 本章说明是在 5 节电池应用即 SET 端子悬空情况下的 BM3451 系列测试方法。4 节电池应用的情况下， SET 端子接 VCC 电平，并将 VC1 短接至 GND；3 节电池应用的情况下，SET 端子接 GND 电平，并将 VC1 与 VC2 短接至 GND。4 节电池和 3 节电池测试方法可按 5 节电池的测试方法类推。 1. 正常功耗及休眠功耗 测试电路 1 ⑴ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，观察电流表的读数，流出 GND 的电流即正常功耗。 ⑵ 在⑴的基础上，设定 V1=V2=V3=V4=V5=2.0V，观察电流表的读数，流出 GND 的电流即休眠功耗。 2. 过充电测试 测试电路 2 2.1 过充电保护及保护解除阈值 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，确保 DO、CO 都为”H”。逐渐增大 V5，维持时间不小于过充电保护延时， 当 CO 由”H”变”L”时的 V5 电压即为过充电保护阈值电压（VDET1）；逐渐减小 V5，维持时间不小于过充电 保护解除延时，当 CO 重新变为”H”时，V5 电压即为过充电保护解除阈值电压（VREL1） 。 2.2 过充电保护及过充电回复延时 ⑴ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，确保 DO、CO 都为”H”。将 V5 骤升至 4.4V，监控 CO 电压并维持一 段时间，CO 由”H”变”L”的时间间隔即为过充电延时。 ⑵ 设定 V1=V2=V3=V4=3.5V，V5=4.4V，确保 DO 为”H”，CO 为”L”。将 V5 骤降至 3.5V，监控 CO 电 压并维持一段时间，CO 由”L”变”H”的时间间隔即为过充电回复延时。 3. 过放电测试 测试电路 2 3.1 过放电保护及过放电保护解除阈值 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，确保 DO、CO 都为”H”。逐渐减小 V5，维持时间不小于过放电保护延时， 当 DO 由”H”变为”L”时的 V5 电压即为过放电保护阈值电压（VDET2） ；逐渐增大 V5，维持时间不小于过放 电保护解除延时，当 DO 重新变为”H”时，V5 电压即为过放电保护解除电压（VREL2） 。 3.2 过放及过放回复延时 ⑴ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，确保 DO、CO 都为”H”。将 V5 骤降至 2.0V，监控 DO 电压并维持 一段时间，DO 由”H”变为”L”的时间间隔即为过放电延时。 ⑵ 设定 V1=V2=V3=V4=3.5V，V5=2.0V，确保 DO 为”L”，CO 为”H”。将 V5 骤升至 3.5V，监控 DO 电 压并维持一段时间，DO 由”L”变为”H”的时间间隔即为过放电回复延时。 4. 放电过电流及短路测试 测试电路 3 4.1 过电流及短路保护阈值 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V6=0，确保 DO、CO 都为”H”。逐渐增大 V6，维持时间不小于过电流 1 保护延时，当 DO 由”H”变为”L”时的 V6 电压即为过电流 1 保护阈值（VDET3）。过电流 2 阈值（VDET4） 及短路阈值（VSHORT）的测试需同时根据设定的保护延时长短去判断。 4.2 过电流及过电流回复延时 ⑴ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V6=0，确保 DO、CO 都为”H”。将 V6 骤然增大至 0.2V，监控 DO 电压并维持一段时间，DO 由”H”变为”L”的时间间隔即为过电流 1 延时。 ⑵ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V6=0，确保 DO、CO 都为”H”。逐步将 V6 骤然增大，即每次增大 至的 V6 电压值比前一次大，同时监测 DO 由”H”变为”L”的延时，监测到的第一个比过电流 1 短的延 时对应的 V6 的电压即为过电流 2 阈值，这个延时即为过电流 2 延时。 ⑶ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V6=0，确保 DO、CO 都为”H”。逐步将 V6 骤然增大，即每次增大 至的 V6 电压值比前一次大，同时监测 DO 由”H”变为”L”的延时，监测到的第一个比过电流 2 短的延 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 20 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 时对应的 V6 的电压即为短路阈值，这个延时即为短路延时。 ⑷ 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V、V6=0.2V，确保 DO 为”L” ，CO 为”H”。将 V6 骤然降至 0V，监控 DO 电压并维持一段时间，DO 由”L”变为”H”的时间间隔即为过电流 1 回复延时。同样的测试方法可 以测出过电流 2 回复延时及短路回复延时。 5. 充电过电流测试 测试电路 4 5.1 充电过电流保护阈值 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V7=0，确保 DO、CO 都为”H”。 逐渐增大 V7，维持时间不小于充电过 电流保护延时，Co 由”H”变为”L”时 V7 即为充电过电流保护阈值。 5.2 充电过电流保护延时 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V7=0V，确保 DO、CO 都为”H”。将 V7 骤然增大至 0.3V，监控 CO 电 压并维持一段时间，CO 由”H”变为”L”的时间间隔即为充电过电流保护延时。 6. 平衡启动阈值 测试电路 5 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，确保 BAL1 为 0V，逐渐增大 V1，同时检测 BAL1 的电压，当 BAL1 由 0V 变为高电平（V1 的电压）时对应的 V1 的电压即为平衡启动阈值电压（VBAL），其他节测试方法类似。 7. 输入/输出电阻测试 7.1 CO、DO 输出电阻 （1）CO、DO 为高电平时的输出电阻 测试电路 6 设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，V6=12.0V，开关 K 断开，确保此时 CO 输出为”H”，测量 CO 端的电压 VA；闭合开关 K，V6 从 12V 开始降低，监测电流表的读数为 IA，当 IA=50uA 时测得 CO 端的电压 VB， 则 CO 输出电阻 RCOH = (VA - VB)/50 (MΩ) 同样的测试方法可用于测试 DO 输出电阻 RDOH，只需将测试端子改为 DO 即可。 （2）DO 为低电平时的输出电阻 测试电路 7 设定 V1=V2=V3=V4=V5=2.00V、V8=0.00V，开关 K 断开，用电压表测试 DO 端电压，确保此时 DO 输 出为 0V。将开关 K 闭合，调节 V8 从 0V 开始上升，同时监测电流表的读数为 IA，当 IA=-50uA 时测得 DO 电位为 VDO，则 DO 输出电阻 RDOL=VDO/50 (MΩ)。 7.2 平衡端子 BAL1、BAL2、BAL3、BAL4、BAL5 输出电阻 测试电路 8 （1）设定 VBAL < V1 < VDET1，V2=V3=V4=V5=3.5V，K1 闭合，K2、K3、K4、K5 断开，V9=VBAL 开始 下降，当电流表读数为 50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则启动态输出电阻 RBAL1H=(V1-V_9)/50 (MΩ)； （2）设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，K1 闭合，K2、K3、K4、K5 断开，V9=0V 开始上升，当电流表读 数为-50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则关断态输出电阻 RBAL1L=V_9/50 (MΩ)； （3）设定 VBAL < V2 < VDET1，V1=V3=V4=V5=3.5V，K2 闭合，K1、K3、K4、K5 断开，V9=V1+VBAL 开始下降，当电流表读数为 50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则启动态输出电阻 RBAL2H=(V1+V2-V_9) /50 (MΩ)； （4）设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，K2 闭合，K1、K3、K4、K5 断开，V9=V1 开始上升，当电流表示 数为-50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则关断态输出电阻 RBAL2L=(V_9-V1)/50 (MΩ)； （5）设定 VBAL < V3 < VDET1，V1=V2=V4=V5=3.5V，K3 闭合，K1、K2、K4、K5 断开，V9=V1+V2+VBAL 开 始 下 降 ， 当 电 流 表 读 数 为 50uA 时 对 应 V9 电 压 为 V_9 ， 则 启 动 态 输 出 电 阻 RBAL3H=(V1+V2+V3-V_9)/50 (MΩ)； （6）设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，K3 闭合，K1、K2、K4、K5 断开，V9=V1+V2 开始上升，当电流 表示数为-50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则关断态输出电阻 RBAL3L=(V_9-V1-V2)/50 (MΩ)； Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 21 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 （7）设定 VBAL < V4 < VDET1，V1=V2=V3=V5=3.5V，K4 闭合，K1、K2、K3、K5 断开，V9=V1+V2+V3+ VBAL 开 始 下 降 ， 当 电 流 表 读 数 为 50uA 时 对 应 V9 电 压 为 V_9 ， 则 启 动 态 输 出 电 阻 RBAL4H=( V1+V2+V3+V4-V_9)/50 (MΩ)； （8）设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，K4 闭合，K1、K2、K3、K5 断开，V9=V1+V2+V3 开始上升，当 电流表读数为-50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则关断态输出电阻 RBAL4L==(V_9-V1-V2-V3)/50 (MΩ)； （9）设定 VBAL < V5 < VDET1，V1=V2=V3=V4=3.5V，K5 闭合，K1、K2、K3、K4 断开，V9=V1+V2+V3+V4+ VBAL 开 始 下 降 ， 当 电 流 表 读 数 为 50uA 时 对 应 V9 电 压 为 V_9 ， 则 启 动 态 输 出 电 阻 RBAL5H=( V1+V2+V3+V4+V5-V_9)/50 (MΩ)； （10）设定 V1=V2=V3=V4=V5=3.5V，K5 闭合，K1、K2、K3、K4 断开，V9=V1+V2+V3+V4 开始上升， 当电流表读数为-50uA 时对应 V9 电压为 V_9，则关断态输出电阻 RBAL5L==(V_9-V1-V2-V3-V4)/50 (MΩ)； 1MΩ 1MΩ 1MΩ BALUP DOIN COIN TOV TOVD TOC1 TOC2 NTC TRH VM CO DO BALDN VIN Datasheet 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 1MΩ VCC BALUP VC5 DOIN V5 BAL5 0.1μF VC4 V4 BAL4 V3 NTC V2 BAL2 TRH VM VC1 GND SET TOC1 TOC2 VC2 BAL1 TOV TOVD 0.1μF VC3 BAL3 COIN + A - V1 CO DO 5MΩ BALDN VIN OCCT WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 VCC VC5 BAL5 V5 VC4 BAL4 V4 VC3 BAL3 V3 VC2 BAL2 V2 VC1 BAL1 V1 GND SET OCCT Page 22 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 测试电路 1 1MΩ 测试电路 2 1MΩ 1MΩ BALUP DOIN COIN TOV 0.1μF TOVD TOC1 TOC2 0.1μF NTC TRH VM CO DO BALDN VIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 1MΩ VCC BALUP VC5 DOIN V5 BAL5 0.1μF VC4 V4 BAL4 TOV TOVD 0.1μF VC3 V3 BAL3 COIN TOC1 TOC2 NTC VC2 V2 BAL2 TRH VC1 VM V1 BAL1 CO GND DO SET BALDN 5MΩ OCCT VIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 测试电路 3 1MΩ DOIN COIN TOV TOVD TOC1 TOC2 NTC TRH VM CO DO BALDN VIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 BALUP VC5 DOIN V5 BAL5 COIN TOV VC4 V4 BAL4 TOVD TOC1 VC3 V3 BAL3 TOC2 NTC VC2 V2 BAL2 TRH VM VC1 V1 BAL1 + GND - SET OCCT V A CO K DO BALDN V VIN V6 DOIN COIN TOV 1MΩ BALUP DOIN COIN TOV TOVD TOC1 TOC2 NTC TRH VM CO DO BALDN V VIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 TOVD VCC TOC1 VC5 BAL5 V5 VC4 BAL4 V4 VC3 BAL3 V3 VC2 BAL2 V3 BAL3 VC2 V2 BAL2 VC1 V1 BAL1 GND SET OCCT 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 VCC VC5 V5 BAL5 VC4 V4 BAL4 VC3 V3 BAL3 VC2 V2 BAL2 VC1 V1 BAL1 GND SET OCCT V2 TOC2 NTC TRH VM CO DO BALDN VIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 VCC VC5 V5 BAL5 VC4 V4 BAL4 VC3 V3 BAL3 VC2 V2 BAL2 VC1 V1 BAL1 GND SET OCCT VC1 BAL1 K1 V1 GND K2 K3 K4 K5 + SET OCCT V9 测试电路 7 Datasheet VC3 1MΩ BALUP - V4 BAL4 测试电路 6 1MΩ V8 V5 VC4 1MΩ VCC 测试电路 5 + K A VC5 BAL5 测试电路 4 1MΩ BALUP 1MΩ VCC V7 V6 1MΩ BM3451 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 - A 测试电路 8 WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 23 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 封装示意图及参数 TSSOP28 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 24 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 TSSOP20 包装： TSSOP20 封装形式：13 寸的 MBB 静电袋，每盘装 4000 颗。 TSSOP28 封装形式：13 寸的 MBB 静电袋，每盘装 2000 颗。 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 25 of 26 BYD Microelectronics Co., Ltd. BM3451 系列 • 本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之修改，比亚迪微电子公司拥有优先修改 权。 • 尽管本公司一向致力于提高产品质量和可靠性，但是半导体产品有可能按某种概率发生故 障或错误工作，为防止因故障或错误工作而产生人身事故，火灾事故，社会性损害等，请 充分留意冗余设计、火灾蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计。 • 本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载及复制等。 Datasheet WI-D06F08-H-0098Rev. A/4 Page 26 of 26