C3M0160120D

物料型号：C3M0160120D 器件简介：采用C3M™ SiC MOSFET技术，N-Channel Enhancement Mode，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容特性。 引脚分配：Pin 1 = Gate，Pin 2,4 = Drain，Pin 3 = Source。 参数特性：包括最大漏源电压(VDSmax)为1200V，最大栅源电压(VGSmax)动态为-8V/+19V，静态工作栅源电压(VGSop)为-4V/+15V，连续漏电流(ID)为17A等。 功能详解：文档提供了详细的电气特性表，包括击穿电压、阈值电压、栅源漏电流、导通电阻、跨导、输入/输出电容和反向传输电容等。 应用信息：适用于可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源和不间断电源(UPS)等。 封装信息：TO-247-3封装，符合无卤素和RoHS标准。