2N65G

UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 TC=25 TC=25°°C） ●最大额定值（TC=25 （Tc=25 ●Absolute Maximum Ratings Ratings（ Tc=25°°C） TO-220/220F/251T/252/223 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current －Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT VDS 650 V VGS ±30 V ID 2.0* A ID 1.25* IDM 8.0* VDS=650V Ω RDS(ON)=5.5 =5.5Ω ID=2.0A A A TO-220/220F Ptot TO-251T/252 W SOT-223 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature Tj 150 °C TSTG -55-150 °C 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ② EAS 120 mJ *Drain current limited by maximum junction temperature SOT-223 Tc=25 ●电特性（Tc=25 Tc=25°°C） （Tc=25 Tc=25°°C） Characteristics（ ●Electronic Characteristics 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current 跨导 Forward Transconductance www.umw-ic.com 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT V 0.6 2.0 V/°C 4.0 V VDS =650V, VGS =0V, Tj=25°C 25 µA VDS =520V, VGS =0V, Tj=125°C 250 µA IDSS gfs VDS =40V, ID=1A ③ 1 1.5 S 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 栅极漏电流 Gate-body Leakage Current (VDS = 0) IGSS VGS =±30V 漏-源导通电阻 Static Drain-source On Resistance RDS(ON) VGS =10V, ID=1.0A ③ 4.5 输入电容 Input Capacitance Ciss VGS = 0V, VDS = 25V F = 1.0MHZ 311 pF 关断延迟 Turn -Off Delay Time Td(off) VDD=300V, ID =2.0A RG=25Ω ③ 24 ns 栅极电荷 Total Gate Charge Qg 14.5 nC 1.8 nC 8.3 nC 栅源电荷 Gate-to-Source Charge 栅漏电荷 Gate-to-Drain Charge 二极管正向电流 Continuous Diode Forward Current 二极管正向压降 Diode Forward Voltage 最小值 MIN ID =2.0A, VDS = 520V VGS = 10V ③ Qgs Qgd 典型值 TYP IS Tj=25°C, Is=2.0A VGS =0V ③ VSD 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,If=2.0A di/dt=100A/μs ③ 最大值 MAX 单位 UNIT ±100 nA 5.5 Ω 2.0 A 1.4 V 368 ns 1.0 uC ●热特性 Thermal Characteristics ●Thermal 参数 PARAMETER 最大值 MAX 符号 SYMBOL 热阻结-壳 Thermal Resistance Junction-case 热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-ambient 单位 UNIT TO-220 TO-220F RthJC 2.31 4.46 ℃/W RthJA 62.5 62.5 ℃/W 注释((Notes Notes)): ① 脉冲宽度：以最高节温为限制 Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature ② Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=56mH, RG =25Ω, IAS=2.0A ③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％ Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% www.umw-ic.com 2 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 1 输出特性曲线, Tc=25℃ Fig1 Typical Output Characteristics, Tc=25℃ 图 2 输出特性曲线, Tc=150℃ Fig2 Typical Output Characteristics, Tc=150℃ 图 3 导通电阻与温度曲线 Fig3 Normalized On-Resistance Vs.Temperature 图 4 二极管正向电压曲线 Fig4 Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 图 5 最大漏极电流与壳温曲线 Fig5 Maximum Drain Current Vs.Case Temperature www.umw-ic.com 3 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 ● 特性曲线 图 6-1 2N65(TO-126&126S) 最大安全工作区曲线 图 6-2 2N65(TO-220) 最大安全工作区曲线 Fig6-1 Maximum Safe Operating Area Fig6-2 Maximum Safe Operating Area 图 6-3 2N65(TO-220F) 最大安全工作区曲线 Fig6-3 Maximum Safe Operating Area www.umw-ic.com 4 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 220 封装 TOTO-220 符号 SYMBOL A 最小值 min 4.00 B 符号 SYMBOL E 1.20 1.50 e B1 1.00 1.40 F 1.10 1.45 b1 0.65 1.00 L 12.50 14.50 c 0.35 0.75 L1 3.00 D 15.00 16.50 Q 2.50 3.00 D1 5.90 6.90 Q1 2.00 3.00 φP 3.60 3.90 5 最小值 min 9.90 单位：毫米/UNIT：mm 典型值 最大值 nom max 10.70 最大值 max 4.80 www.umw-ic.com 典型值 nom 2.54 3.50 4.00 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-220F 封装 mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 最大值 典型值 max nom 2.54 最大值 max 95 4. 4.9 符号 SYMBOL e 最小值 min 2.30 2.90 L 12.50 14.30 b 0.45 0.90 L1 9.10 10.05 b1 1.10 1.70 L2 15.00 16.00 c 0.35 0.90 L3 3.00 4.00 D 14.50 17.00 øp 3.00 3.50 D1 6.10 9.00 Q 2.30 2.80 E 9.60 10.30 符号 SYMBOL A 最小值 min 40 4. 4.4 A1 www.umw-ic.com 典型值 nom 6 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 T 封装机械尺寸 TO-251 TO-251T T (IPAK) MECHANICAL DATA TO-251 TO-251T 单位:毫米/UNIT：mm 最大值//max 符号//SYMBOL 最小值//min A 2.10 2.50 A1 0.95 1.30 B 0.80 1.25 b 0.50 0.80 b1 0.70 0.80 c 0.45 0.70 c1 0.45 0.70 D 6.35 6.80 D1 5.10 5.50 E 5.30 6.30 e 2.25 L 7.00 9.20 H 0.35 0.45 W1 0.30 0.50 W2 0.20 0.40 典型值//nom 2.30 2.35 [S/L] www.umw-ic.com 7 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 S 封装机械尺寸 TO-251 TO-251S S (IPAK) MECHANICAL DATA TO-251 TO-251S 符号//SYMBOL 最小值//min A 2.20 2.40 b 0.60 0.85 C 0.45 D 6.50 6.70 D1 5.10 5.50 E 5.9 6.20 e 2.18 L 11.00 12.40 L1 4.8 5.3 L2 3.5 4.2 www.umw-ic.com 典型值//nom 单位:毫米/UNIT：mm 最大值//max 0.50 2.29 8 0.60 2.38 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-252 封装机械尺寸 TO-252 MECHANICAL DATA mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 最小值 最大值 min max 0.85 1.25 符号 SYMBOL A 最小值 min 2.10 最大值 max 2.50 符号 SYMBOL B b 0.50 0.80 b1 0.50 0.90 b2 0.45 0.70 C 0.45 0.70 D 6.30 6.75 D1 5.10 5.50 E 5.30 6.30 e1 2.25 2.35 L1 9.20 10.60 e2 4.45 4.75 L2 0.90 1.75 L3 0.60 1.10 K 0.00 0.23 www.umw-ic.com 9 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 TO-252 编带规格尺寸 TO-252 TAPE AND REEL DATA mm 单位::毫米//UNIT UNIT：mm 符号 SYMBOL 最小值 min 最大值 max 符号 SYMBOL 最小值 min 最大值 max W 16.0-0.3 16.0+0.3 F 7.5-0.1 7.5+0.1 P0 4.0-0.1 4.0+0.1 D 1.5-0.0 1.5+0.1 P 8.0-0.1 8.0+0.1 P1 2.0-0.1 2.0+0.1 K 2.65 2.80 D1 1.5-0.0 1.5+0.1 使用供带方向/USER DIRECTION OF FEED 编带器件定位/UNIT ORIENTATION www.umw-ic.com 10 友台半导体有限公司 UMW R UMW 2N65 NN-沟道功率 MOS 管 SOT-22 ３ 封装机械尺寸 SOT-22 ３ MECHANICAL DATA www.umw-ic.com 11 友台半导体有限公司