物料型号：C3M0060065L
器件简介：碳化硅功率MOSFET，采用C3M™ MOSFET技术，N沟道增强模式，第三代SiC MOSFET技术，具有优化的封装和独立的驱动源引脚。
引脚分配：2（KELVIN）、3-8（源极）、D（漏极）
参数特性：650V阻断电压，低导通电阻，高速开关，低电容，快速内置二极管，无卤素，符合RoHS标准。
功能详解：减少开关损耗，最小化门驱动震荡，提高系统效率，降低冷却需求，增加功率密度，提高系统开关频率。
应用信息：数据中心电源、电信电源、储能系统、太阳能（光伏）逆变器、高电压DC/DC转换器。
封装信息：TOLL封装，尺寸和标记信息详见数据手册。
以上信息摘自Wolfspeed的PDF文档，提供了C3M0060065L碳化硅功率MOSFET的详细规格和性能数据。
