G3R350MT12J

1. 物料型号： - 型号：G3R350MT12J - 电压等级：1200V - 导通电阻：350mΩ

2. 器件简介： - 该器件是一款1200V耐压、350mΩ导通电阻的碳化硅(SiC) MOSFET，采用N沟道增强型模式。 - 特点包括第三代G3RM技术、低功耗、低电容、符合RoHS标准、优化设计的电磁性能、低成本性能比、强健的体内二极管、100%雪崩测试。

3. 引脚分配： - D：漏极 - G：栅极 - S：源极 - REACH KS：Kelvin源极

4. 参数特性： - 漏源电压(VDS)最大1200V。 - 栅源电压(VGS)动态范围-10V至+22V，操作电压+15V至+18V。 - 连续正向电流(IDS)在25°C时为10A，在100°C时为7A。 - 脉冲漏极电流(ID(pulse))为16A。

5. 功能详解： - 器件在开关应用中具有低导通损耗和快速高效的开关特性，减少了开关尖峰和降低了损耗，提高了功率密度和系统效率。 - 并联时不会出现热失控，具有更高的鲁棒性和系统可靠性。

6. 应用信息： - 应用领域包括辅助电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、高电压DC-DC转换器、开关模式电源、辅助电机驱动、高频转换器等。

7. 封装信息： - 封装形式为TO-263-7。 - 提供了详细的封装尺寸和推荐的焊盘布局。