C3M0120100J

物料型号：C3M0120100J 器件简介：C3M0120100J 是一款由 Wolfspeed 生产的硅碳化物（SiC）功率 MOSFET，采用 N-Channel Enhancement Mode。

引脚分配：包括漏极（Drain）、栅极（Gate）、驱动源（Driver Source）、源极（Source）。

参数特性：包括漏源电压（VDS）、最大栅源电压（VGS(max)）、操作栅源电压（VGS op）、漏源导通电阻（Rps(on)）、输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）等。

功能详解：该器件具有低寄生电感、高阻断电压、快速内建二极管、低反向恢复电荷、低输出电容等特点。

应用信息：适用于可再生能源、电动车电池充电器、高压 DC/DC 转换器、开关模式电源等。

封装信息：采用 TO 263-7L 封装，封装图提供了详细的尺寸和公差信息。

该器件符合 RoHS 标准，无卤素，并且 Wolfspeed 提供了相关的合规性声明。

此外，文档还包含了电气特性、热特性、性能图和典型应用电路。