物料型号：
- C2M1000170J
- 封装：TO-263-7
器件简介：
- C2M1000170J是一款基于C2MTM MOSFET技术的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET。
- 特点包括高阻断电压与低导通电阻(RDS(on))、易于并联和驱动、低寄生电感、低阻抗封装、独立的驱动源引脚、超低漏源电容、无卤素、符合RoHS标准、快速内禀二极管以及宽爬电距离。
引脚分配：
- GATE（1）
- KELVIN（2）
- SOURCE（5）
- DRAIN（8）
参数特性：
- 最大漏源电压(VDS max)：1700V
- 最大栅源电压(VGS max)：-10至+25V
- 连续漏电流(ID)：3.9A
- 脉冲漏电流(ID(pulse))：15A
- 最大功耗(PD)：60W
- 工作结温和存储温度(TJ, Tstg)：-55至+150°C
功能详解：
- 提供了详细的电气特性，包括漏源击穿电压、栅阈值电压、栅源漏电流、漏源导通电阻、跨导等参数。
- 反向二极管特性，包括正向电压、连续正向电流、反向恢复时间等。
- 热阻特性。
应用信息：
- 辅助电源
- 开关电源
- 高压容性负载
封装信息：
- 提供了TO-247-4L和TO-263-7L的封装尺寸图以及推荐的焊盘布局。
