C2M1000170J-TR

物料型号： - C2M1000170J - 封装：TO-263-7

器件简介： - C2M1000170J是一款基于C2MTM MOSFET技术的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET。 - 特点包括高阻断电压与低导通电阻(RDS(on))、易于并联和驱动、低寄生电感、低阻抗封装、独立的驱动源引脚、超低漏源电容、无卤素、符合RoHS标准、快速内禀二极管以及宽爬电距离。

引脚分配： - GATE（1） - KELVIN（2） - SOURCE（5） - DRAIN（8）

参数特性： - 最大漏源电压(VDS max)：1700V - 最大栅源电压(VGS max)：-10至+25V - 连续漏电流(ID)：3.9A - 脉冲漏电流(ID(pulse))：15A - 最大功耗(PD)：60W - 工作结温和存储温度(TJ, Tstg)：-55至+150°C

功能详解： - 提供了详细的电气特性，包括漏源击穿电压、栅阈值电压、栅源漏电流、漏源导通电阻、跨导等参数。 - 反向二极管特性，包括正向电压、连续正向电流、反向恢复时间等。 - 热阻特性。

应用信息： - 辅助电源 - 开关电源 - 高压容性负载

封装信息： - 提供了TO-247-4L和TO-263-7L的封装尺寸图以及推荐的焊盘布局。