NSM2016
基于霍尔原理,具有共模磁场抑制和
过流保护功能的电流传感器
Datasheet (CN) 0.6
Product Overview
NSM2016 是一款集成路径电流传感器,具有 1.2mΩ 极低
的导通电阻,减少了芯片上的热损耗。
纳芯微创新的隔离技术以及信号调理设计能够满足高隔离
等级的同时感测流过内部 Busbar 的电流。内部采用差分霍
尔对,因此对外部杂散磁场有很强的抵御能力。
NSM2016 支持固定输出模式,减少了外部共模干扰(比如
温度等)
。对比同样 Shunt+隔离运放的电流采样方式,
NSM2016 省去了原边供电并且 Layout 简单方便,同时具有
极高隔离耐压以及 Lifetime 稳定性。
在高边电流检测应用中只需用一颗 NSM2016 即可达到
600Vpk 工作电压,无需加任何保护器件即可耐受 6kV 浪涌
电压。
工作温度:-40℃ ~ 125℃
原边导通电阻:1.2mΩ
SOIC8 封装
满足 UL62368/EN62368 安规认证
ROHS
Applications
光伏
工业电源
电机控制
OBC/DCDC/PTC Heater
充电桩
由于 NSM2016 内部精确的温度补偿算法以及出厂精度校准,
此电流传感器在全温度工作范围都可以保持很好的精度,
客户无需做二次编程。
NSM2016 具有过流保护功能。
支持 3.3V/5V 供电电压(不同供电版本)
。
Device Information
Part Number
NSM2016
Package
SOIC8
Body Size
4.9mm*3.9mm
Key Features
高带宽以及快速响应时间
Functional Block Diagrams
380kHz 带宽
1.5us 响应时间
高精度电流测量
差分霍尔检测可抵御外界杂散磁场
满足 UL 标准的高隔离等级
耐受隔离耐压(VISO):3000Vrms
最大浪涌隔离耐压(VIOSM):6kV
CMTI > 100V/ns
CTI(I)
爬电距离/电气间距:4mm
纳芯微创新的斩波以及旋转电流激励技术使得零点
温漂很小
Figure 1. NSM2016 Block Diagram
固定输出
Fault 过流保护功能
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INDEX
1. PIN CONFIGURATION AND FUNCTIONS ............................................................................................................................... 3
2. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS .......................................................................................................................................... 4
3. ISOLATION CHARACTERISTICS ............................................................................................................................................. 4
4. SPECIFICATIONS .................................................................................................................................................................. 5
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
4.5.
4.6.
4.7.
4.8.
COMMON CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 5V/3.3V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) ............................................ 5
NSM2016-25B3F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 3.3V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)............................ 6
NSM2016-25B3FL-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 3.3V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) ......................... 6
NSM2016-20U5F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 5V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) .............................. 6
NSM2016-50U5F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 5V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED) .............................. 7
NSM2016-45B5F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 5V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)............................... 8
NSM2016-05B5F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 5V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)............................... 8
NSM2016-65B5F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 5V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)............................... 9
NSM2016-50B3F-DSPR CHARACTERISTICS (TA= -40°C TO 125°C, VCC = 3.3V, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)............................ 9
5. FUNCTION DESCRIPTION ................................................................................................................................................... 11
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
OVERVIEW ................................................................................................................................................................ 11
NSM2016 F 版本(固定输出版本) .......................................................................................................................... 11
过流保护功能 ........................................................................................................................................................ 11
NSM2016 上电启动时间波形 ................................................................................................................................ 12
NSM2016 上升时间及响应时间波形..................................................................................................................... 13
NSM2016 带宽测试 ............................................................................................................................................... 14
NSM2016 专业术语定义........................................................................................................................................ 15
Preliminary
6. APPLICATION NOTE ........................................................................................................................................................... 18
6.1.
6.2.
6.3.
典型应用电路 ........................................................................................................................................................ 18
PCB LAYOUT .............................................................................................................................................................. 18
热评估实验 ............................................................................................................................................................ 18
7. PACKAGE INFORMATION ................................................................................................................................................... 20
8. ORDER INFORMATION ...................................................................................................................................................... 21
9. TAPE AND REEL INFORMATION ......................................................................................................................................... 22
10. REVISION HISTORY .......................................................................................................................................................... 23
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1. Pin Configuration and Functions
1
IP+
2
IP+
3
4
VCC
8
VOUT
7
IP-
FAULT
6
IP-
GND
5
NSM2016
TOP VIEW
Figure 1.1 NSM2016 Package
Table 1.1 NSM2016 Pin Configuration and Description
NSM2016 PIN
NO.
SYMBOL
FUNCTION
1-2
IP+
电流流入芯片,正方向
3-4
5
6
7
8
Preliminary
IP-
电流流出芯片,负方向
GND
电源地
FAULT
Fault 引脚,输出过流信号,Active Low,开漏输出
Vout
输出电压
Vcc
电源输入
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2. Absolute Maximum Ratings
Parameters
Symbol
Min
VCC
-0.3
6.5
V
25℃
Vout/Vref电压
-0.3
VDD+0.3
V
25℃
其他引脚
-0.3
VDD+0.3
V
25℃
VCC 电压
Typ
Max
Unit
储存温度
TStorage
-40
150
℃
工作温度
Toperation
-40
125
℃
150
℃
结温
Comments
VHBM
±8
kV
AEC-Q100 标准实验
VCDM
±2
kV
AEC-Q100 标准实验
Latch-up
±500
mA
AEC-Q100标准实验
ESD
3. Isolation Characteristics
Parameters
Symbol
Rating
Unit
Comments
kV
根据IEC61000-4-5 1.2us/50us
波形
60s隔离耐压参数,根据
UL62368-1,出厂前会测试
3.6kV/1s验证绝缘性能,同时
验证局部放电小于5pC
Preliminary
冲击电压(Dielectric Surge Voltage)
Vsurge
6
隔离耐压
VISO
3000
Vrms
基本绝缘工作电压(Working Voltage for Basic
Isolation)
VWVBI
424
Vrms
600
Vdc
共模瞬态抑制
CMTI
>100
V/ns
判断失效标准为输出尖峰大
于100mV,并且持续时间长
于1us
爬电距离
Creepage
4
mm
最小爬电间隙
电气距离
Clearance
4
mm
最小空气间隙
漏电起痕指数
CTI
>=600
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最大允许基本绝缘工作电
压,根据UL60950-1以及
UL62368-1
CTI I
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4. Specifications
4.1. Common Characteristics (TA= -40°C to 125°C, VCC = 5V/3.3V, unless otherwise specified)
Parameters
工作电压
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Comments
3.0
3.3
3.6
V
3.3V供电版本
4.5
5
5.5
V
5V供电版本
15
mA
没有负载,Vcc=5V
TA = 25℃
VCC
工作电流
ICC
12
原边导通电阻
RP
1.2
mΩ
内部滤波电阻[1]
Rfilter
4.7
kΩ
上电启动时间
Tpo
1
ms
输出负载电容[1][2]
CL
输出负载电阻[1][2]
RL
输出短路电流
Ishort
10
10
推荐客户要在VCC达到VCCmin 1ms
以后读取数据,POR之后1ms内
部寄存器loading
nF
kΩ
±30
mA
Vout短路到VCC和短路到GND,
TA = 25℃
Preliminary
TA = 25℃, CL=1nF, RL=10K to VCC
or GND
输出轨到轨电压[1][2]
Vs
共模磁场抑制比[1][2]
CMFR
>40
dB
电源抑制比
PSRR
-50
dB
DC to 1 kHz, 100 mV pk-pk ripple
around VCC =5V, IP=0A
输出上升时间
Tr
1
us
TA = 25℃, CL=1nF, 在5V,50AB量
程测量,F版本
输出延迟时间
Tpd
1
us
TA = 25℃, CL=1nF, 在5V,50AB量
程测量,F版本
输出响应时间
Tresponse
1.5
us
TA = 25℃, CL=1nF, 在5V,50AB量
程测量,F版本
带宽[1][2]
BW
380
kHz
-3dB, CL=1nF, TA = 25℃, 在5V,
50AB量程测量,F版本
噪声密度[1][2]
ND
120
uArms/
√Hz
TA = 25℃, CL=1nF, VCC= 5V
非线性度
ENL
±0.2
%
Fault上拉电阻
Rpu
过流阈值
Ift
100
%IPR
过流迟滞
Ihys
10
%IPR
TA = 25℃, CL=1nF, NSM201650B5F, Ift threshold=100%IPR
过流响应时间
Tfr
1.5
us
电流发生过流,到Fault引脚拉低
的时间,4.7k上拉
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0.1
VCC-0.1
4.7
100
V
kΩ
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Parameters
Datasheet (CN) 0.6
Symbol
Min
过流精度
Typ
Max
±8
Unit
Comments
%IPR
TA = 25℃, CL=1nF, NSM201650B5F, Ift threshold=100%IPR
[1]: 被设计保证。
[2]: 被实验室验证保证。
[3]: 4.X 中的数据的增加或者减少,在评估不影响客户使用的情况下,不会向客户发送 PCN。
4.2. NSM2016-25B3F-DSPR Characteristics (TA= -40°C to 125°C, VCC = 3.3V, unless otherwise specified)
Typ[1]
Parameters
Symbol
Min
Max
电流感测量程
Ipr
-25
灵敏度
Sens
55
mV/A
Iprmin