CR6853B
具有低 EMI 技术的低成本绿色节能 PWM 控制器
主要特点
低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位
模式)控制
在输入90V~264V的宽电压下可实现恒
定最大输出功率
低启动电流 (约3μA)
GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V
低工作电流 (约1.2mA)
VDD引脚过压保护34.0V
电流模式控制
欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短
内置同步斜坡补偿
低EMI技术
具有自动恢复的保护功能
PWM频率外部可调
高压BiCMOS工艺
轻载工作无音频噪音
SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封
内置前沿消隐
路保护、过载保护等保护功能
装
应用
AC/DC电源适配器
备用开关电源
电池充电器
机顶盒开关电源
开放式电源
LED照明电源
概述
CR6853B 是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式
AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负
载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的
目的。CR6853B 具有很低的启动电流,因此可以采用一个 2 兆欧姆的启动电阻。为了提高
系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B 内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电
路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除
开关管每次开启产生的干扰。CR6853B 内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流
限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。
而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B 提供 SOT23-6L,SOP-8L
和 DIP-8L 无铅封装。
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管脚排列图
DIP-8L
SOP-8L
SOT23-6L
引脚描述
名称
GND
描述
芯片地
FB
输出电压反馈输入脚。引脚的输出电流可以控制PWM的工作周期、短路保护
和过载保护
RI
用来调节PWM开关频率。通过改变该脚和地之间的电阻实现
SEN
原边电流检测脚,通过检测SEN电阻上的电压检测流过功率管的电流大小,通
过该脚可以调节最大输出功率
VDD
芯片供电电源
GATE
图腾柱输出驱动外围功率管
典型应用
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结构图
内部电路结构简图
极限参数
符号
参数
值
单位
VDD
工作电压
40
V
IOVP
VDD过电压时最大输入电流
20
mA
VFB
FB引脚工作电压
-0.3 to 6V
V
VSEN
SENSE引脚工作电压
-0.3 to 6V
V
功率消耗
300
mW
ESD能力-人体模式
2000
V
ESD能力-机械模式
200
V
2秒 SOT23-6L
220
℃
10秒 DIP-8L
260
℃
10秒 SOP-8L
230
℃
-55 to + 150
℃
PD
ESD
TL
焊接温度
TSTG
储存温度范围
推荐工作环境
符号
参数
单位
VDD
VDD 电源电压
10~30
V
RI
RI 引脚电阻值
100
kohm
TOA
工作环境温度
-20~85
℃
PO
最大输出功率
0~60
W
30~150
kHz
FPWM
PWM频率
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最小~最大
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电气特性
Ta=25°C (除了另作说明), VDD = 16V
符号
参数
环境
最小
典型
最大
单位
3.0
20.0
μA
电源电压(VDD Pin)
IST
ISS
启动电流
工作电流
VFB=0V
3.0
mA
VFB=3V
1.2
mA
VFB=Open
0.8
mA
VDDON
开启电压
13.0
14.0
15.0
V
VDDOFF
关闭电压
7.8
8.8
9.8
V
VDDCLAMP
VDDAIS
IVDD=10mA
VDD 引脚钳位电压
Anti Intermission Surge
VDD 电压
34.0
V
9.4
V
电压反馈 (FB Pin)
IFB
短路电压
VFB=0V
0.7
mA
VFB
开路电压
VFB=Open
4.8
V
零占空系数,FB 电流
0.59
mA
IPFM
进入 PFM,FB 电流
0.50
mA
ICRM
进入 CRM,FB 电流
0.55
mA
VPFM
进入 PFM,FB 电压
1.80
V
VCRM
进入 CRM,FB 电压
1.40
V
IOLP&SCP
进入 OLP 和 SCP,FB 电流
170
μA
VOLP&SCP
进入 OLP 和 SCP,FB 电压
3.7
V
TOLP&SCP
OLP 和 SCP 延迟时间
IFB_OD
RI=100K
33
35
50
ms
0.80
0.75
V
1.05
0.95
V
电感(SEN Pin)
VTH_L
VTH_H
峰值限制低端电压
(Dmin=0%)
峰值限制高端电压
(Dmax=78%)
TPD
系统输出延迟
RCS
SENSE 端输入阻抗
TLEB
前沿消隐时间(LEB)
RI=100K,
FB=3.3V
RI=100K,
FB=3.3V
FB=3.3V
RI=100K
75
ns
40
kohm
300
ns
振荡器(RI Pin)
FOSC
PWM 工作时频率
RI=100Kohm
FPFM
PFM 工作最低频率
RI=100Kohm
22
kHz
DCMAX_W
最大占空比
RI=100Kohm
78
%
DCMAX_F
最大占空比
RI=100Kohm
78
-30-100℃
5
%
300
ns
ΔFTEMP
频率温度稳定
TBLANK
前沿消隐时间
FJITTER
频率抖动
RI=100Kohm
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60
-4
65
70
4
kHz
%
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门驱动输出(GATE Pin)
VOL
GATE 输出低电平
VOH
GATE 输出高电平
TR1
上升时间 1
VDD=16V,
IO=20mA
VDD=16V,
IO=20mA
CL=500pF
TF1
下降时间 1
TR2
0.8
10
V
V
123
ns
CL=500pF
71
ns
上升时间 2
CL=1000pF
248
ns
TF2
下降时间 2
CL=1000pF
116
ns
TR3
上升时间 3
CL=1500pF
343
ns
TF3
下降时间 3
CL=1500pF
153
ns
TR4
上升时间 4
CL=2000pF
508
ns
TF4
下降时间 4
CL=2000pF
209
ns
输出钳位电压
VDD=20V
18.0
V
低电磁干扰频率
RI=100Kohm
65
kHz
调频范围/基频
RI=100Kohm
VGCLAMP
低电磁干扰技术
fEMI
Δf_osc
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-3
3
%
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工作描述
电流模式
电流模式控制比电压模式控制多了一个电流反馈环。当初级线圈上的电流在采样电阻
RSENSE 上的电压达到电压环的输出误差电压时,锁存器复位,功率管截止。这样逐个检测和调
节电流脉冲就可以达到控制输出电压的目的。电流反馈具有良好的线性调整率和快速的输入
输出动态响应;消除了输出滤波电感带来的极点,使系统由二阶降为一阶,频响特性好,稳定幅
度大,同时还优化了过载保护和短路保护。
启动电流和欠压锁定
CR6853B的启动电流很小,因此在不增加启动时间的基础上,一个更大的启动电阻可以
采用;对于一个宽输入电压(90V~264V)的AC-DC适配器,一个2 MΩ,1/8 W 的启动电阻和
一个10μF/25V VDD 电容器可以采用。
CR6853B的启动/关闭电压被设定在14V/8.8V。启动时,VDD电容器必须通过启动电阻
充电高于14V,关闭时,VDD电容上的电压必须低于8.8V。这5.2V的迟滞电压有效地保证了
芯片能够正常启动。
内部偏置电流和工作频率
RI引脚和GND引脚之间的电阻决定了内部偏置电流的大小,而内部振荡器利用该电流
对固定电容充放电产生振荡信号。所以增加电阻可以减小偏置电流,同时降低开关频率。 RI
和PWM开关频率的关系如下:
FOSC
6700
(kHz )
RI ( K)
例如,一个 100kΩ 的电阻可以产生一个 20μA 的偏置电流和一个65K的PWM开关频率;
CR6853B的建议工作频率范围是50KHz到150KHz之间。
绿色节能
对一个小功率反激电源而言,主要的损耗包括传导损耗、开关损耗和控制芯片的损耗,
而这些损耗都和开关频率有关。所以在轻负载或则无负载时,通过降低PWM工作频率,可
以有效的减小反激电源的待机功耗。为了实现符合标准的待机功耗,CR6853B采用了PWM,
PFM 和CRM相结合的控制方法:在中等负载或重载时,CR6853B工作在PWM方式,频率
为65kHz(RI外接100K电阻时) ;通过修改脉冲宽度,CR6853B可以控制输出电压。当负载逐
渐减小时,FB端反馈电流增加。当反馈电流超过0.5mA时,内部模式控制器进入PFM和PWM。
振荡器的工作频率逐渐降低,当反馈电流超过0.55mA时,振荡器的工作频率保持不变,最
后稳定在22kHz附近。为了进一步降低待机功耗,CR6853B引入一种周期复位技术,当FB端
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的反馈电流大于0.59mA时,内部逻辑电路在PWM的下降沿对寄存器复位,在PWM上升沿通
过检测输出电压值对寄存器置位。因此内部振荡器频率保持不变,逻辑电路将会复位一些脉
冲以至于在输出GATE的实际频率降低。
CR6853B Green-Power Functio
同步斜坡补偿
虽然电流模式控制比起普通的电压模式控制具有很多优点,但是,同时存在着峰值感应
电流模式转换器的缺点。特别是当PWM占空比大于50 %,整个控制环路可能变得不稳定,抗干
扰性能变差。CR6853B在每一个开关周期里引入一个同步的斜坡补偿可以提高系统的稳定
性,防止电压毛刺产生的次谐波振荡。但是,过大的斜坡补偿会影响电路在高电压时的正常
工作,所以CR6853B中:
VSLOP 0.33
DUTY
0.4389 DUTY
DUTYMAX
动态峰值限制
流经功率管的电流在 RSENSE 上产生一个电压 VSENSE ,当该电压达到内部设定值 VTH,
寄存器复位、GATE 关断,所以通过调节 RSENSE 的大小,可以调整电源的最大输出功率。由
于宽电压输入时,受系统延时的影响,高压时输出的最大功率更大,为了减小该差异,
CR6853B 中设计了一个动态峰值限制电路,它通过在 0.65V~0.85V 之间动态调节 VTH 的电
压以减小高低压输出最大功率的差异。
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Vsense
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
Duty Cycle
0.65
0% 10%20%30%40%50%60%70%80%90%
短路保护和过载保护
为了防止过载或者短路条件下的电路损坏,CR6853B 提供了一个较好的短路和过载保
护功能。当短路或过载发生在输出结束的时候,反馈周期将会增加反馈引脚的电压。当电压
超过 3.7V 或反馈电流在 170uA 以下,内部探测电路将会发出一个信号去关闭门以及下拉电
源电压,之后电路重启。为了避免当电路重启时的错误操作,延迟时间被设定。当 RI 的电
阻是 100Kohm 时,延迟时间 TOLP&SCP 在 33mS 和 50mS 之间。RI 和 TOLP&SCP 之间的关系可
以用下面的公式来表示。
RI 2
RI 3
(mS ) TOLP & SCP
(mS )
3
6 10
6 10 3
防间歇性脉冲
在供电时,负载突然变小,将出现由系统延迟造成的两个现象。他们分别为输出电压超
标和间歇性脉冲。为了避免这两个现象的发生,CR6853B 里内置了防间歇性脉冲的系统。
负载减小时,反馈电流迅速增大。开关将会自动关闭一会儿。器件引脚的工作电压会逐渐
减小。当电压达到 9.4V 时,开关引脚将会再次打开,其频率为 22KHz。
前沿消隐(LEB)
开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺,它通过 RSENSE 采样后,对内部逻辑电路带
来干扰,引起内部寄存器的误动作。为了消除开关毛刺的影响,CR6853B 中设计了 300nS
的前沿消隐电路,它可以代替传统的外接 RC 滤波电路,节省外围元件。
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过压保护 (OVP)
为了提高芯片的可靠性,保护芯片不会因过电压而损坏,CR6853B 中集成了 34V 的过
压保护电路,当 VDD 电压超过 34V 时,首先关闭输出开关,同时内部泄流电路开启。
输出驱动和软钳位
CR6853B 输出采用图腾柱结构驱动外围功率 MOS 管;为了减小驱动时的贯通电流,引
入了死区时间,如图:当一个 NMOS 关断后,另外一个 NMOS 才开启;同时,为了保护外
围的功率管不会发生栅击穿和钳位齐纳管的电流饱和,在输出上采用了软钳位技术。
低电磁干扰技术
CR6853B 引进了频率低电磁干扰技术。如下图,内部振荡器频率可自行调节。整个上
升周期包括 128 脉冲,抖动范围在-4%到+4%。因此这个功能可以使对电源模块的电磁干扰
降到最低。
Frequency(HZ)
70K
65K
60K
Time
Frequency low EMI
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特性曲线及波形
VDD=16V,RI=100kohm,TA=25℃ 除了另作说明。
Ivdd_start vs VDD
Vth_OC( V ) vs Duty( %)
1.2
16
12
Vth_OC(V)
Ivdd_start (A)
14
10
8
6
4
1.0
0.8
2
0
0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
20
VDD (V)
80
Fosc (kHz) vs Temperature
1.8
68
1.6
67
Fosc (kHz)
Ivdd_start (A)
60
Duty (%)
Ivdd_start vs Temperature
1.4
1.2
1.0
66
65
64
63
0.8
62
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
-20
0
Temperature (C)
20
40
60
80
100 120
Temperature (C)
UVLO_OFF vs Temperature
UVLO_ON vs Temperature
14.1
9.0
14.0
8.8
UVLO_ON (V)
UVLO_OFF(V)
40
13.9
13.8
13.7
13.6
8.6
8.4
8.2
8.0
-20
0
20
40
60
80
100 120
-20
Temperature (C)
0
20
40
60
80
100 120
Temperature (C)
Fosc (kHz) vs RI (kohm)
140
Fosc (kHz)
120
100
80
60
40
20
0
50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
RI (kohm)
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封装尺寸
DIP-8L
符号
毫米
最小
典型
最大
A
3.60
3.80
4.00
A1
0.51
-
-
A2
3.20
3.30
3.40
A3
1.55
1.60
1.65
b
0.44
-
0.52
b1
0.43
0.46
0.49
B1
1.52REF
c
0.25
-
0.29
c1
0.24
0.25
0.26
D
9.15
9.25
9.35
E1
6.25
6.35
6.45
e
2.54BSC
eA
7.62REF
eB
7.62
-
9.30
eC
0
-
0.84
L
3.00
-
-
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SOT23-6L
符号
毫米
最小
典型
最大
A
-
-
1.25
A1
0.04
-
0.10
A2
0.90
1.10
1.30
A3
0.55
0.65
0.75
b
0.38
-
0.48
b1
0.37
0.40
0.43
c
0.11
-
0.21
c1
0.10
0.13
0.16
D
2.72
2.92
3.12
E
2.60
2.80
3.00
E1
1.40
1.55
1.60
e
0.95BSC
e1
1.90BSC
L
0.30
-
0.60
θ˚
0
-
8˚
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SOP-8L
符号
毫米
最小
典型
最大
A
1.35
-
1.75
A1
0.10
-
0.225
A2
1.30
1.40
1.50
A3
0.60
0.65
0.70
b
0.35
-
0.49
b1
0.38
0.41
0.44
c
0.20
-
0.24
c1
0.19
0.20
0.21
D
4.70
4.90
5.10
E
5.80
6.00
6.20
E1
3.70
3.90
4.10
e
1.27BSC
h
0.25
-
0.50
L
0.4
-
1.25
L1
θ˚
1.05REF
0°
-
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印章信息
产品 logo
CR 6853T
产品型号
CR 系列产品
AABBCCC
内控编码
订购信息
产品型号
封装类型
包装材质
一管
一盒
一箱
CR6853B
DIP-8L
管装
50
2000
20000
DIP-8L 封装产品最小订购量为 2000 片,即一盒的芯片数量。
印章信息
产品 logo
CR 6853S
产品型号
CR 系列产品
AABBCCC
内控编码
订购信息
产品型号
封装类型
包装材质
一盘
一盒
一箱
CR6853B
SOP-8L
编带
4000
-
40000/48000
SOP-8L 封装产品最小订购量为 40000/48000 片,即一箱的芯片数量。
印章信息
6853 ABB
内控编码
产品型号
订购信息
产品型号
封装类型
包装材质
一盘
一盒
一箱
CR6853B
SOT23-6L
编带
3000
30000
120000
SOT23-6L封装产品最小订购量为30000片,即一盒的芯片数量。
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