XBLW GT4428
双通道 2A 超高速功率开关驱动器
概述
XBWL GT4428 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅 极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。 GT4428 芯片
在其额定功率和电压范围内的任何条件 下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高 达 5V 的噪声尖峰(任一极性) 时,
GT4428 芯片不 会受到损坏。GT4428 芯片可以接受高达 500mA 的 反向电流强制返回其输出,而不会造成损坏或逻辑混 乱。所
有端子均受到高达 2.0 kV 静电放电 (ESD) 的全 面保护。
主要特点
锁存保护:可承受 0.5A 反向电流
低至- 10V 的输入逻辑保护
输出阻抗低
单芯片集成两路驱动
输出峰值电流:2A
工作范围:4.5V~25V
最大输入电压可达 5V
高电容负载驱动能力:-- 在 1nF 负载时,开关时间< 25ns
上升/下降时间匹配
传播延时:40ns
宽温度范围:-40℃~ 125℃
芯片开通/关断延时特性 -- Ton/Toff =70ns/70ns
符合 RoSH 标准 采用SOP-8封装
应用范围
交换式电源、开关变换器
线路驱动器
脉冲变压器驱动
驱动 MOSFETs和 IGBTs
电机控制
脉冲发生器
电源开关
DC-DC 转换器
D 类开关放大器
订购信息
产品型号
GT4428DTR
XBLWversion1.0
封装
SOP-8
丝印
GT4428
包装
编带
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技术支持热线:4009682003
包装数量
3000只/盘
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XBLW GT4428
双通道 2A 超高速功率开关驱动器
简化示意图、功能框图
引脚功能描述
8-脚 SOIC8 顶视图
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芯片引脚描述
名称
功能
1
NC
空引脚
2
INA
通道 A 输入端
3
GND
引脚地
4
INB
通道 B 输入端
5
OUTB
6
VCC
7
OUTB
8
NC
通道 B 输出
电源
通道 A 输出
空引脚
产品规格
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 GND 为参考的, 电流参数以流入端
口为正, 环境温度为 25℃。
VCC
电源电压
—
25
VIN
逻辑输入电压(INA/INB)
-10
VCC+0.3
人体放电模式
—
2000
V
机器放电模式
—
500
V
PD
SOIC 封装功率(TA ≤70°C)
—
470
mW
TJ
结温
TS
存储温度
ESD
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+150
-45
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+150
V
°C
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XBLW GT4428
双通道 2A 超高速功率开关驱动器
为了正确地操作,器件应当在以下推荐条件下使用。所有电压参数的额定值是以 GND 为参考的, 电流参数以流
入端口 为正,环境温度为 25℃。
符号
定义
最小
最大
单位
VCC
电源电压
4.5
20
V
TC
环境温度
-40
125
°C
电气特性
无特殊说明的情况下 TA
=
25℃, 4.5V ≤VCC≤18V。
2.4
“ 1 ”输入电压
VIH
逻辑高电平
VIL
逻辑低电平 “0 ”输入电压
IIN
输入电流 (0V≤VIN≤VCC)
VOH
高电平输出电压降
VCC–0.025
VOL
低电平输出电压降
ROH
V
0.8
V
200
μA
—
—
V
—
—
0.025
V
高电平状态,输出电阻(VCC= 18V,IO= 100mA)
—
4
8
Ω
ROL
低电平状态,输出电阻(VCC= 18V,IO= 100mA)
—
2
4
Ω
IPK
峰值输出电流
IREV
锁存保护可承受反向电流(工作周期≤2%,t≤300us,VCC=
18V)
—
>0.5
—
A
tR
上升时间(VCC= 18V,CLOAD= 100pF)
—
—
30
ns
tF
下降时间(VCC= 18V,CLOAD= 100pF)
—
—
30
ns
tON
开通传输延时(VCC= 18V,CLOAD= 100pF)
—
—
70
ns
tOFF
关断传输延时(VCC= 18V,CLOAD= 100pF)
—
—
70
ns
IQ1
电源电流(VINA=VINB=逻辑高)
—
—
1
mA
IQ0
电源电流(VINA=VINB=逻辑低)
—
—
1
mA
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—
—
2
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A
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功能描述
输入输出(A 通道反相)波形图
输入输出(B 通道同相)波形图
芯片工作逻辑
GT4428 信号输入端口(INA 、INB)采用电平触发模式,即电压值符合逻辑要求,芯片即可正常工作,如表
所示。
INPUT
INA
L
H
L
H
注:H 代表高电平;L 代表低电平
OUTPUT
INB
L
H
H
L
OUTA
L
H
L
H
OUTB
L
H
H
L
GT4428 包含有两路独立的信号输入端口用于接收来自主控的控制信号,不会发生互相干扰。这两个端口设
计有高度的可靠性,即使发生 500mA 的反向电流强制返回其输出,也不会造成损坏或逻辑混乱。信号输入端口同
时具备了直接处理-10V 电压的能力,在较大的噪声波形影响下仍然能保证芯片的安全工作,增加了芯片的稳定性
。 不建议在设计时通过调整输入端口波形斜率或延迟等方式以实现调整输出波形的目的。如果需要调整功率端的
上升下降时间,则建议在输出端到功率端之间增加额外的电阻。GT4428 的 INA 信号输入端口有对 VCC 的上拉电阻
,建议在不使用时将该端口与 VCC 短接;INB 信号输入端口有对 GND 的上拉电阻,建议在不使用时将该端口与 GND
短接。
GT4428 的 A 通道输出与输入信号反相,B 通道输出与输入信号同相位,可以用于驱动 P 型或者 N 型
MOSFET。 每个输出端口都能提供峰值为 2A 的上拉或者下拉电流, 其高速大电流的特点可以用于驱动高频
应用设计中的MOSFET。
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双通道 2A 超高速功率开关驱动器
应用信息
GT4428 的高速大电流特性可以用于高频电源等应用场景。其典型应用有,主控 IC 的 PWM 输出级功率往
往不足以驱动功率端的 MOSFET,因此与 MOSFET 之间需要一个大功率的驱动级芯片用于驱动 MOSFET 的栅极
电压,这样才能保证 MOSFET 工作在一个稳定状态。
在高频大功率的应用环境中,保证芯片的稳定运行显得尤为重要。因此在 GT4428 应用时提出以下建议:
1)GT4428 在开关过程中,会输出峰值为 2A 的开关电流,并且随着频率的增加,对 VCC 的稳定性要求更为
苛刻。 因此在设计时,可以选用一个较大容值的电解电容用于稳定 VCC 电压,并且为了应对高频特性,可
以再选用一个 低 ESR/ESL 的电容(陶瓷电容或者贴片电容)并联使用。在物理层面上, 电容应该尽可能
地靠近 VCC 与 GND 两端。 2)输出端口也是组成电源回路的一部分,为了保证输出波形的平整性,输出端
口在设计时应该与功率端 MOSFET
的栅极尽可能地靠近。另外,可以在 OUT 外设计额外的电阻,可以使工作波形更加平稳。
为了实现高速低侧门驱动器的最佳性能。建议使用时关注以下几点:
1)低 ESR/ESL 电容必须紧密连接到 VCC 和 GND 引脚之间的 IC , 以支持在 mosfet 开启期间从 VDD 引
出的高峰值 电流。
2)接地方面的考虑:
n 设计接地连接的首要目标是将 MOSFET 栅极充放电回路限制在尽量小的环路面积内。这种方式降低了环路电
感,能够有效避免 MOSFET 栅极上的噪声问题。同时,栅极驱动芯片应尽量靠近 MOSFET。
n 星点接地是减少一个电流回路到另一个电流回路的噪声耦合的好方法。驱动器的地单点与功率 MOSFET 的源
、 PWM 控制器的地等其他电路节点连接。连接的路径必须尽可能短以减少电感,尽可能宽以减少电阻。
n 使用接地面屏蔽噪音。 由于 OUT 的快速上升和下降时间可能会破坏过渡期间的输入信号,通过接地面屏蔽
噪 声,可以保证输入信号不收到干扰。接地面不能是任何电流回路的传导通路,同时地平面必须连接到星点
建 立地电位。除了屏蔽噪音外,接地平面还可以帮助散热。
3) 在有噪声的环境中,为了防止噪声导致输出故障,可以将未使用的 PIN 连接到 VDD 或 GND。
4)电源回路和信号回路分开,如输出和输入信号。
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封装信息
SOIC-8 Package Dimensions
Size
Symbol
A
A1
A2
A3
b
b1
c
c1
MIN(mm)
TYP(mm)
MAX(mm)
0.10
1.30
0.60
0.39
0.38
0.21
0.19
1.40
0.65
0.41
0.20
1.75
0.225
1.50
0.70
0.48
0.43
0.26
0.21
Size
Symbol
D
E
E1
e
h
L
L1
θ
MIN(mm)
TYP(mm)
MAX(mm)
4.70
5.80
3.70
4.90
6.00
3.90
1.27BSC
0.50
5.10
6.20
4.10
-
8°
0.25
1.05BSC
0
0.50
SOIC-8 Package Outlines
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- 500+1.26144
- 1000+1.20096