FS3415

安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FS3415 SOT-23-3L 場效應晶體管(SOT-23-3L Field Effect Transistors) P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs Q-P 沟道增强型 MOS 场效应管 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rat 額定值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS -20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +10 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 ID -4.5 A Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDM -18 A PD 1300 mW Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ ESD Rating 靜電保護範圍 ESD Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to+150 ℃ ■ DEVICE MARKING 打標 FS3415=AFHV21 2000V HBM 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FS3415 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V) BVDSS -20 -22 — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS) VGS(th) -0.3 -0.6 -1 V VSD — -0.8 -1.5 V IDSS — — -1 -10 uA IGSS — — +10 uA Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -4A,VGS= -4.5V) RDS(ON) — 30 40 mΩ Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -3A,VGS= -2.5V) RDS(ON) — 40 50 mΩ Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -2A,VGS= -1.8V) RDS(ON) — 50 68 mΩ CISS — 1100 — pF COSS — 195 — pF CRSS — 105 — pF Qg — 13 — nS gFS 8 — — S t(on) — 9.5 — ns t(off) — 94 — ns Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS= -1A,VGS=0V) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -16V) (VGS=0V, VDS= -16V, TA=55℃) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz) Reverse Transfer Capacitance 回饋電容 (VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz) Total Gate Charge 柵極電荷密度 (V DS =-10V,I D =-4A,V GS =-4.5V) Forward Trans-conductance 正向傳輸導納 (V DS =-5V,I D =-4A) Turn-ON Time 开启時間 (VDS= -10V, ID= -2.8A, RGEN=6Ω) Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= -10V, ID= -2.8A, RGEN=6Ω) Pulse Width