DH553

DH553 1. 概述 DH553 是一款基于混合信号 CMOS 技术的全极型霍尔效 应传感器，这款 IC 采用了先进 的斩稳定技术，因而能够提供 准确而稳定的磁开关点。 DH553的输出晶体管在面向封装标示的一面存在一定强南极或北极磁场时会被锁定在开 (BOP)状态，而在无磁场时锁定 在关(BRP)状态。 2. 特点 3. 应用  低功耗电池供电  固态开关  全极性的输出开关  速度检测  工作电压范围 2.5-5.5V  断续器  高灵敏度、高响应频率  低占空比替代簧片开关的磁传感器 4. 功能框图 VDD OUT Voltage Regulator Chopper UA Package Pin 1 – VDD Pin 2 – GND Pin 3 – OUT Hall Plate SO Package Pin 1 – VDD Pin 2 – OUT Pin 3 – GND GND 5. 专业术语 术语 描述 MilliTesla (mT) 高斯，磁感应强度单位 1mT = 10 高斯 RoHS 危险物质限制 SOT 小轮廓晶体管（SOT 封装）—也可以用封装号“SO”引用 ESD 防静电 BLDC 无刷直流 Operating Point (BOP) 使输出导通的作用于封装标记面的磁感应强度（VOUT = VDSon） Release Point (BRP) 使输出截止的作用于封装标记面的磁感应强度（VOUT = high） 电话：０７５５－８４８２１７６１　　１３４３０７２２５１１ 网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｌｌ－ｗａｆｅｒ．ｃｏｍ 地址：深圳市龙岗区龙西清水路务地埔龙昌１０楼１００１ 1/6 DH553 6. 管脚定义和描述 UA 引脚编号 SO引脚编号 名称 类型 功能 1 1 VDD 电源 电源电压引脚 3 2 OUT 输出 开漏极输出引脚 2 3 GND 地 接地引脚 DH 553 DH553 7. 极限参数 参数 符号 参数值 单位 电源电压 VDD 7 V 电源电流 IDD 5 mA 输出电压 VOUT 7 V 输出电流 IOUT 10 mA 工作温度范围 TA -40 to 85 ℃ 储存温度范围 TS -50 to 150 ℃ 4000 V ESD 灵敏度 注意：超过以上极限参数，可能会造成永久性伤害。长时间处于极限条件下可能影响器件的可靠 性。为保障器件正常工作，应满足以下电学特性一节中规定的工作条件。 8. 电学特性 直流工作参数：TA = 25℃，VDD =3V（除非另有说明） 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VDD Operating 2.5 3.5 6 V 电源电流 IDD B < BRP 1 2 mA VDSon IOUT = 10mA, B > BOP 0.5 V 输出漏电流 IOFF B < BRP, VOUT = 24V 1 5 µA 输出上升时间 TR RL = 1KΩ, CL = 20pF 0.25 μs 输出下降时间 TF RL = 1KΩ, CL = 20pF 0.25 μs 最大转换频率 FSW 10 KHz 封装热阻 RTH 301 ℃/W 输出饱和电压 Single layer (1S) JEDEC board 电话：０７５５－８４８２１７６１　　１３４３０７２２５１１ 网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｌｌ－ｗａｆｅｒ．ｃｏｍ 地址：深圳市龙岗区龙西清水路务地埔龙昌１０楼１００１ 2/6 DH553 9. 磁场特性 直流工作参数：TA = 25℃，VDD=3VDC（除非另有说明） 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 工作点 BOP - +/-30 +/-60 Gs 释放点 BRP +/-5 +/-25 - Gs 磁滞 BHYS - 10 - Gs 10. 静电保护 根据Mil. Std. 883F method 3015.7做静电等级的人体模型测试： 临界值 参数 符号 单位 VESD 防静电电压 最小值 最大值 - ±4 备注 kV 11. 使用方法 强烈建议器件的电源（VDD 引脚）和地（GND 引脚）之间连接一个外部旁路电容（邻近霍尔 传感器）以减少外部噪声以及斩波稳定技术产生的噪声。如下所示两张图，通常情况下用 0.1μF 的电容。 对于反向电压保护，建议连接一个电阻或二极管与 VDD 引脚串联。当使用电阻时，以下三点 很重要： - 该电阻需要限制反向电流最大不超过 50mA（VCC / R1 ≤ 50mA） - 产生的设备电源电压 VDD 必须大于 VDD min（VDD = VCC – R1*IDD） - 该电阻必须承受在反向电压条件下的功率损耗 当使用二极管时，反向电流不能通过并且压降通常是一个常数（≈0.7V）。因此，推荐在 5V 应用中使用 100Ω/0.25W 电阻，在更高电源电压下使用二极管。两种方案都提供了必要的反向 电压保护。当使用一个弱电源时或者当该器件要用于噪音环境时，推荐使用右图。由 R1 和 C1 组成的低通滤波器和齐纳二极管 Z1 绕过干扰和发生在器件电源电压 VDD 上的峰值。二极管 D1 提供了额外的反向电压保护。 Typical Three-Wire Application Circuit C1 100n VDD DH553 OUT R2 10k GND Automotive and Severe Environment Protection Circuit R1:100 C1 100n D1 C2 4.7n 电话：０７５５－８４８２１７６１　　１３４３０７２２５１１ 网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｌｌ－ｗａｆｅｒ．ｃｏｍ 地址：深圳市龙岗区龙西清水路务地埔龙昌１０楼１００１ Z1 VDD DH553 GND OUT R2 10k C2 4.7n 3/6 DH553 12. CMOS Hall IC 工艺 斩波稳定放大器使用开关电容技术以消除放大器的偏置电压，这个电压在 Bipolar 器件中是 产生温漂的主要因素。CMOS 工艺使这种先进的技术成为可能。CMOS 芯片比 Bipolar 芯片更 小，能在更小的空间里嵌入复杂的电路中。这样的小芯片尺寸也有利于更小的物理应力和更低的 功耗。 13. 安装提示 考虑到 Hall IC 以及磁材料的温度系数，气隙以及生命周期变化，在波峰焊接的时候要注意 应用温度范围。典型的红外焊料回流简介：  不要快速加热或冷却  建议在加热到最高温之前先在150℃温度下预热两分钟。  建议在软熔达到最大值之前先在240℃温度下软熔3秒。 14. ESD 防范 电子半导体产品对静电比较敏感，所以每次处理半导体产品时要注意静电控制程序。 电话：０７５５－８４８２１７６１　　１３４３０７２２５１１ 网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｌｌ－ｗａｆｅｒ．ｃｏｍ 地址：深圳市龙岗区龙西清水路务地埔龙昌１０楼１００１ 4/6 DH553 15. 封装 2.0 0.75 1.52 ± 0.02 15.1 UA 封装（TO-92 扁平型） 3° ± 1° 1.5 45° ± 1° 4.0 ± 0.02 3.90 3.0 ± 0.02 DH 2 1 2 3 3 4 3 1 2 3 3° ± 1° 6° ±1° 3° ± 1° 6° ±1° Notes: 14 ± 1 0.05 ± 0.05 3.90 0.38 1 2 3 2.41±0.2 553 0.44 3.90 2 3 1 4 2 3 Sensor Location 3 1 2 3 Active Area Depth: 0.84(Nom) 1 2 3 1）. 测量单位：mm； 2）. 引脚必须避开 Flash 和电镀针孔； 3）. 不要弯曲距离封装接口 1mm 以内的引脚线； 4）. 管脚： 脚 1 电源 脚2 地 脚 3 输出 1.27 电话：０７５５－８４８２１７６１　　１３４３０７２２５１１ 网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｌｌ－ｗａｆｅｒ．ｃｏｍ 地址：深圳市龙岗区龙西清水路务地埔龙昌１０楼１００１ 5/6 DH553 16.2 SO 封装（SOT23-3L） Notes: Top View 1）. 测量单位：mm； 3 2）. 引脚必须避开 Flash 和电镀针孔； DH553 1 1.50 2.65 1.70 2.95 3）. 不要弯曲距离封装接口 1mm 以内的引脚线； 4）. 管脚: 脚 1 电源 脚 2 输出 脚3 地 2 1.80 2.00 Side View 2.82 3.02 End View 1.05 1.15 3.00 0.70 0.90 3.00 0.10 0.20 3.00 0.30 0.60 3.00 0.00 0.10 3.00 0.30 0.50 3.00 封装霍尔敏感点位置 Bottom View of SOT-23 Package 3 Chip 0.85 0.75 2 3 0.56 0.66 1 2 1.50 3 1.40 电话：０７５５－８４８２１７６１　　１３４３０７２２５１１ 网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｌｌ－ｗａｆｅｒ．ｃｏｍ 地址：深圳市龙岗区龙西清水路务地埔龙昌１０楼１００１ 6/6