XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
1
SN74HC/HCT373是一个带三态输出的8位D型锁存器。该器件具有锁存使能(LE) 和输出使能
—
( OE)输入。当LE为高电平时,输入端的数据进入锁存器中。在这种情况下,锁存器是透明的,每
次其相应的D输入更改时, 锁存器输出都会更改。当LE为低电平时,锁存器储存LE下降沿前一个建立
—
—
时间的输入端信息。OE上的高电平使输出呈现高阻态。OE输入的运行不会影响锁存器的状态。 输入
内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过VCC 的电压。
其主要特点如下:
. 输入电平:
SN74HC373 :CMOS 电平
SN74HCT373 :TTL电平
. 面向总线应用的三态同相输出
. 公共三态输出使能输入
. 在功能上与SN74HC/HCT563和SN74HC/HCT573相同
. 工作环境温度范围:-40℃~+105℃
. 封装形式:DIP20/SOP20/TSSOP20
订购信息
产品型号
封装
包装
包装数量
SN74HC373N
DIP-20
74HC373N
Tube
720/Box
SN74HC373DTR
SOP-20
74HC373
Tape
2000/Reel
SN74HCT373DTR
SOP-20
74HCT373
Tape
2000/Reel
SN74HCT373TDTR
TSSOP-20
74HCT373
Tape
2000/Reel
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丝印
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XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
2
2.1
11
3
D0
4
7
8
13
14
17
18
LE
Q0
D1
Q1
D2
Q2
D3
Q3
D4
Q4
D5
Q5
D6
Q6
D7
Q7
OE
2
5
6
9
12
15
16
19
1
图 1 逻辑符号
OE
1
LE 11
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
3
EN
C1
2
1D
4
5
7
6
8
9
13
12
14
15
17
16
18
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
图 2 IEC 逻辑符号
3
4
7
8
13
14
17
18
11
1
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
LATCH
1 TO 8
3-STATE
OUTPUTS
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
2
5
6
9
12
15
16
19
LE
OE
图 3 功能框图
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XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
LE
LE
LE
D
Q
LE
图 4 逻辑框图(一个锁存)
D0
D2
D1
D
Q
D
LATCH
1
Q
D
LE LE
D
Q
LATCH
3
LE LE
LATCH
2
LE LE
D4
D3
Q
D5
D
LATCH
4
LE LE
D
Q
Q
D
LATCH
6
LE LE
LATCH
5
LE LE
D7
D6
Q
D
LATCH
7
LE LE
Q
LATCH
8
LE LE
LE
OE
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
图 5 逻辑框图
2.2
XBLWversion1.0
OE
1
20 VCC
Q0
2
19 Q7
D0
3
18 D7
D1
4
17 D6
Q1
5
16 Q6
Q2
6
15 Q5
D2
7
14 D5
D3
8
13 D4
Q3
9
12 Q4
GND 10
11 LE
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带三态控制的8位D型锁存器
2.3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
—
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
LE
Q4
D4
D5
Q5
Q6
D6
D7
Q7
VCC
三态输出使能输入(低电平有效)
三态锁存输出
数据输入
数据输入
三态锁存输出
三态锁存输出
数据输入
数据输入
三态锁存输出
地 ( 0 V)
锁存使能输入(高电平有效)
三态锁存输出
数据输入
数据输入
三态锁存输出
三态锁存输出
数据输入
数据输入
三态锁存输出
电源电压
2.4
OE
—
LE
使能和读取寄存器
(透明模式)
L
H
锁存和读取寄存器
L
L
H
X
锁存寄存器和失能输出
注:
Dn
L
H
l
h
X
L
H
L
H
X
Qn
L
H
L
H
Z
H=高电平; L=低电平;Z=高阻态;X=无关;
h=LE下降沿前一个建立时间的高电平电压;
l= LE下降沿前一个建立时间的低电平电压。
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带三态控制的8位D型锁存器
3
3.1
除非另有规定, Tamb=25℃
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
贮存温度
总功耗
焊接温度
VCC
IIK
IOK
IO
ICC
IGND
Tstg
Ptot
TL
—
VIVCC+0.5V
VOVCC+0.5V
VO=-0.5V~(VCC+0.5V)
—
—
—
—
DIP
SOP
10 秒
-0.5
—
—
—
—
-70
-65
—
V
mA
mA
mA
mA
mA
℃
mW
+7.0
±20
±20
±35
+70
—
+150
500
245
250
℃
注:
[1] DIP20 封装: 高于 70℃,Ptot 的值以 12mW/K 线性降低。
[2] SOP20 封装:高于 70℃,Ptot 的值以 8mW/K 线性降低。
[3] (T)SSOP20 封装: 高于 60℃,Ptot 的值以 5.5mW/K 线性降低。
3.2
电源电压
输入电压
输出电压
VCC
VI
VO
输入上升和下降
转换速率
Δt/ΔV
工作环境温度
Tamb
电源电压
输入电压
输出电压
输入上升和下降
转换速率
工作环境温度
VCC
VI
VO
XBLWversion1.0
SN74HC373
—
—
—
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
—
SN74HCT373
2.0
0
0
—
—
—
-40
5.0
—
—
—
1.67
—
—
6.0
VCC
VCC
625
139
83
V
V
V
+105
ns/V
ns/V
ns/V
℃
V
V
V
—
—
—
4.5
0
0
5.0
—
—
5.5
VCC
VCC
Δt/ΔV
VCC=4.5V
—
1.67
139
ns/V
Tamb
—
-40
—
+105
℃
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带三态控制的8位D型锁存器
3.3
3.3.1
1
(除非另有规定,Tamb=25℃,GND=0V)
高电平输入
电压
VIH
低电平输入
电压
VIL
高电平输出
电压
VOH
低电平输出
电压
VOL
输入漏电流
截止状态输
出电流
静态电流
输入电容
II
IOZ
ICC
CI
SN74HC373
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
IO=-20uA;VCC=2.0V
IO=-20uA;VCC=4.5V
IO=-20uA;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL
IO=-6.0mA;VCC=4.5V
IO=-7.8mA;VCC=6.0V
IO=20uA;VCC=2.0V
IO=20uA;VCC=4.5V
IO=20uA;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL
IO=6.0mA;VCC=4.5V
IO=7.8mA;VCC=6.0V
VI=VCC或GND;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL ;VCC=6.0V;
VO=VCC or GND
VI=VCC或GND;IO=0A;VCC=6.0V
—
SN74HCT373
1.5
3.15
4.2
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
0
0
0
0.15
0.16
—
—
—
—
—
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
—
±0.1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
—
—
±0.5
uA
—
—
—
3.5
8.0
—
uA
pF
—
—
—
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
1.35
1.8
高电平输入
电压
低电平输入
电压
VIH
VCC=4.5V~5.5V
2.0
1.6
—
V
VIL
VCC=4.5V~5.5V
—
1.2
0.8
V
高电平输出
电压
VOH
4.4
3.98
低电平输出
电压
输入漏电流
截止状态输
出电流
静态电流
VOL
4.5
4.32
0
0.16
—
—
—
0.1
0.26
±0.1
V
V
V
V
uA
—
—
±0.5
uA
—
8.0
uA
108
uA
串通电流
输入电容
XBLWversion1.0
II
IOZ
ICC
ΔICC
CI
IO=-20uA
IO=-6.0mA
IO=20uA
VI=VIH或VIL;
VCC=4.5V
IO=6.0mA
VI=VCC或GND;VCC=5.5V
VI=VIH或VIL;
VCC=4.5V
VI=VIH或VIL ;VCC=5.5V;
VO=VCC或GND
VI=VCC或GND;IO=0A;VCC=5.5V
每个输入引脚;
VI=VCC-2. 1V;其他输入接
在VCC或GND上;
VCC=4.5V~5.5V;IO=0A
—
—
—
Dn输入
—
—
30
LE输入
—
150
540
uA
—
100
360
uA
3.5
—
pF
—
OE输入
—
—
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XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
3.3.2
2
(除非另有规定,Tamb=-40℃~+85℃,GND=0V)
高电平输入
电压
VIH
低电平输入
电压
VIL
高电平输出
电压
VOH
SN74HC373
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
IO=-20uA;VCC=2.0V
IO=-20uA;VCC=4.5V
IO=-20uA;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL
IO=-6.0mA;VCC=4.5V
IO=-7.8mA;VCC=6.0V
IO=20uA;VCC=2.0V
IO=20uA;VCC=4.5V
IO=20uA;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL
IO=6.0mA;VCC=4.5V
IO=7.8mA;VCC=6.0V
VI=VCC或GND;VCC=6.0V
1.5
3.15
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±1.0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
—
—
±5.0
uA
—
—
80
uA
—
—
—
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
—
—
—
0.5
1.35
1.8
—
—
—
—
—
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
低电平输出
电压
VOL
输入漏电流
截止状态输
出电流
静态电流
II
IOZ
高电平输入
电压
VIH
VCC=4.5V~5.5V
2.0
—
—
V
低电平输入
电压
VIL
VCC=4.5V~5.5V
—
—
0.8
V
高电平输出
电压
VOH
4.4
3.84
低电平输出
电压
输入漏电流
截止状态输
出电流
静态电流
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.1
0.33
±1.0
V
V
V
V
uA
—
—
±5.0
uA
—
—
80
uA
Dn输入
—
—
135
uA
LE输入
—
—
675
uA
—
—
450
uA
串通电流
XBLWversion1.0
ICC
II
IOZ
ICC
ΔICC
VI=VIH或VIL ;VCC=6.0V;
VO=VCC或GND
VI=VCC或GND;IO=0A;VCC=6.0V
SN74HCT373
IO=-20uA
IO=-6.0mA
IO=20uA
VI=VIH或VIL;
VCC=4.5V
IO=6.0mA
VI=VCC或GND;VCC=5.5V
VI=VIH或VIL;
VCC=4.5V
VI=VIH或VIL ;VCC=5.5V;
VO=VCC或GND
VI=VCC或GND;IO=0A;VCC=5.5V
每个输入引脚;
VI=VCC-2. 1V;其他输入接
在VCC或GND上;
VCC=4.5V~5.5V;IO=0A
—
OE输入
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第 7 页 共 20 页
XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
3.3.3
3
(除非另有规定,Tamb=-40℃~+105℃,GND=0V)
高电平输入
电压
VIH
低电平输入
电压
VIL
高电平输出
电压
VOH
SN74HC373
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
IO=-20uA;VCC=2.0V
IO=-20uA;VCC=4.5V
IO=-20uA;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL
IO=-6.0mA;VCC=4.5V
IO=-7.8mA;VCC=6.0V
IO=20uA;VCC=2.0V
IO=20uA;VCC=4.5V
IO=20uA;VCC=6.0V
VI=VIH或VIL
IO=6.0mA;VCC=4.5V
IO=7.8mA;VCC=6.0V
VI=VCC或GND;VCC=6.0V
1.5
3.15
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±1.0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
—
—
±10
uA
—
—
160
uA
—
—
—
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
—
—
—
0.5
1.35
1.8
—
—
—
—
—
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
低电平输出
电压
VOL
输入漏电流
截止状态输
出电流
静态电流
II
IOZ
高电平输入
电压
VIH
VCC=4.5V~5.5V
2.0
—
—
V
低电平输入
电压
VIL
VCC=4.5V~5.5V
—
—
0.8
V
高电平输出
电压
VOH
4.4
3.7
低电平输出
电压
输入漏电流
截止状态输
出电流
静态电流
VOL
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.1
0.4
±1.0
V
V
V
V
uA
—
—
±10
uA
—
—
160
uA
Dn输入
—
—
147
uA
LE输入
—
—
735
uA
—
—
490
uA
串通电流
XBLWversion1.0
ICC
II
IOZ
ICC
ΔICC
VI=VIH或VIL ;VCC=6.0V;
VO=VCC或GND
VI=VCC或GND;IO=0A;VCC=6.0V
SN74HCT373
IO=-20uA
IO=-6.0mA
IO=20uA
VI=VIH或VIL;
VCC=4.5V
IO=6.0mA
VI=VCC或GND;VCC=5.5V
VI=VIH或VIL;
VCC=4.5V
VI=VIH或VIL ;VCC=5.5V;
VO=VCC或GND
VI=VCC或GND;IO=0A;VCC=5.5V
每个输入引脚;
VI=VCC-2. 1V;其他输入接
在VCC或GND上;
VCC=4.5V~5.5V;IO=0A
—
OE输入
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第 8 页 共 20 页
XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
3.3.4
1
(除非另有规定,Tamb=25℃,GND=0V ,CL=50pF)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
41
15
12
12
50
18
15
14
44
16
13
150
30
—
30
150
30
26
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
—
47
17
14
150
30
26
ns
ns
ns
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
LE为高电平;
VCC=4.5V
见图8
VCC=6.0V
VCC=2.0V
Dn到LE;
VCC=4.5V
见图10
VCC=6.0V
VCC=2.0V
Dn到LE;
VCC=4.5V
见图10
VCC=6.0V
每个锁存; VI=GND~VCC
SN74HCT373
VCC=4.5V
Dn到Qn;
见图7
VCC=5.0V;CL=15pF
VCC=4.5V
LE到Qn;
见图8
VCC=5.0V;CL=15pF
—
—
—
80
16
14
50
10
9
+5
+5
+5
60
12
10
—
14
5
4
17
6
5
14
5
4
-8
-3
-2
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
—
—
—
—
17
14
16
13
—
32
—
ns
ns
ns
ns
ten
VCC=4.5V;见图9
—
19
32
ns
tdis
VCC=4.5V;见图9
—
18
30
ns
Dn到Qn;
见图7
传输延时
tpd
LE到Qn;
见图8
—
OE到Qn的使
能时间
SN74HC373
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=5.0V;CL=15pF
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=5.0V;CL=15pF
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
ten
见图9
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
—
OE到Qn的失
能时间
tdis
转换时间
tt
脉冲宽度
t
建立时间
tsu
保持时间
th
功耗电容
CPD
传输延时
W
tpd
见图9
Qn;
见图7,8
—
OE到Qn的使
能时间
—
26
175
35
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
OE到Qn的失
能时间
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XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
转换时间
脉冲宽度
Dn到LE的建
立时间
Dn到LE的保
持时间
功耗电容
注:
tW
Qn;VCC=4.5V;见图7,8
LE为高电平;VCC=4.5V;见图8
—
16
5
4
—
ns
ns
tsu
VCC=4.5V;见图10
12
6
—
ns
th
VCC=4.5V;见图10
4
-1
—
ns
CPD
每个锁存; VI=GND~VCC- 1.5V
—
41
—
pF
tt
12
[1] tpd与tPLH和tPHL相同。
[2] ten与tPZH和tPZL相同。
[3] tdis 与tPLZ和tPHZ相同。
[4] tt与tTHL和tTLH相同。
[5] CPD用于决定动态功率损耗(PD单位为uW)。
PD=CPD ×VCC2 ×fi ×N+∑(CL ×VCC2 ×fo),其中:
fi=输入频率(MHz);
fo=输出频率(MHz);
CL=输出负载电容(pF);
VCC=电源电压(V);
N=输入开关数;
∑(CL ×VCC2 ×fo)=输出总和。
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带三态控制的8位D型锁存器
3.3.5
2
(除非另有规定,Tamb=-40℃~+85℃,GND=0V ,CL=50pF)
传输延时
tpd
—
OE到Qn的使
能时间
ten
—
OE到Qn的失
能时间
tdis
转换时间
tt
脉冲宽度
tW
建立时间
tsu
保持时间
传输延时
SN74HC373
VCC=2.0V
Dn到Qn;
VCC=4.5V
见图7
VCC=6.0V
VCC=2.0V
LE到Qn;
VCC=4.5V
见图8
VCC=6.0V
VCC=2.0V
见图9
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
见图9
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
Qn;
VCC=4.5V
见图7,8
VCC=6.0V
VCC=2.0V
LE为高电平;
VCC=4.5V
见图8
VCC=6.0V
VCC=2.0V
Dn到LE;
VCC=4.5V
见图10
VCC=6.0V
th
Dn到LE;
见图10
tpd
Dn到Qn;
见图7
LE到Qn;
见图8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
20
17
65
13
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
190
38
33
220
44
37
190
38
33
190
38
33
75
15
13
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
SN74HCT373
5
5
5
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
VCC=4.5V
—
—
38
ns
VCC=4.5V
—
—
40
ns
—
OE到Qn的使
能时间
ten
VCC=4.5V;见图9
—
—
40
ns
tdis
VCC=4.5V;见图9
—
—
38
ns
tt
t
Qn;VCC=4.5V;见图7,8
LE为高电平;VCC=4.5V;见图8
—
20
—
—
15
W
—
ns
ns
tsu
VCC=4.5V;见图10
15
—
—
ns
th
VCC=4.5V;见图10
4
—
—
ns
—
OE到Qn的失
能时间
转换时间
脉冲宽度
Dn到LE的建
立时间
Dn到LE的保
持时间
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带三态控制的8位D型锁存器
注:
[1] tpd与tPLH和tPHL相同。
[2] ten与tPZH和tPZL相同。
[3] tdis 与tPLZ和tPHZ相同。
[4] tt与tTHL和tTLH相同。
3.3.6
3
(除非另有规定,Tamb=-40℃~+105℃,GND=0V ,CL=50pF)
Dn到Qn;
见图7
传输延时
tpd
LE到Qn;
见图8
—
OE到Qn的使
能时间
ten
见图9
OE到Qn的失
能时间
tdis
见图9
转换时间
tt
Qn;
见图7,8
—
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SN74HC373
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
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225
45
38
265
53
45
225
45
38
225
45
38
90
18
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
第 12 页 共 20 页
XBLW SN74HC/HCT373
带三态控制的8位D型锁存器
脉冲宽度
tW
LE为高电平;
见图8
建立时间
tsu
Dn到LE;
见图10
保持时间
th
Dn到LE;
见图10
tpd
Dn到Qn;
见图7
LE到Qn;
见图8
传输延时
120
24
20
75
15
13
5
5
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VCC=4.5V
—
—
45
ns
VCC=4.5V
—
—
48
ns
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
SN74HCT373
—
OE到Qn的使
能时间
ten
VCC=4.5V;见图9
—
—
48
ns
tdis
VCC=4.5V;见图9
—
—
45
ns
tt
—
24
—
—
18
tW
Qn;VCC=4.5V;见图7,8
LE为高电平;VCC=4.5V;见图8
—
ns
ns
tsu
VCC=4.5V;见图10
18
—
—
ns
th
VCC=4.5V;见图10
4
—
—
ns
—
OE到Qn的失
能时间
转换时间
脉冲宽度
Dn到LE的建
立时间
Dn到LE的保
持时间
注:
[1] tpd与tPLH和tPHL相同。
[2] ten与tPZH和tPZL相同。
[3] tdis 与tPLZ和tPHZ相同。
[4] tt与tTHL和tTLH相同。
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带三态控制的8位D型锁存器
4
4.1
VI
ttW
90%
negative
pulse
VM
VM
10%
0V
VI
tf
tr
tr
tf
90%
positive
pulse
VM
0V
VM
10%
tW
VCC
VCC
G
VI
DUT
VO
RL
S1
open
CL
RT
图6 测量开关时间的测试电路
测试电路的定义:
RL=负载电阻
CL=负载电容, 包括探针、夹子上的电容
RT=终端电阻须与信号发生器的输出阻抗 Zo 匹配
S1=测试选择开关
4.2
Dn input
VM
tPLH
Qn output
t
VM
tPHL
90%
10%
图7 数据输入(Dn) 到输出 (Qn)的传输延时和输出转换时间
TLH
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tTHL
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带三态控制的8位D型锁存器
VM
LE input
tW
tPHL
t PLH
90%
VM
Qn output
10%
tTHL
tTLH
图8 锁存使能输入(LE) 的脉冲宽度,锁存使能输入(LE)到输出(Qn)
的传输延时和输出转换时间
VI
OE input
VM
GND
t PLZ
tPZL
VCC
output
LOW-to-OFF
OFF-to-LOW
output
HIGH-to-OFF
OFF-to-HIGH
VM
10%
VOL
t PZH
t PHZ
VOH
90%
VM
GND
outputs
disabled
outputs
enabled
outputs
enabled
图9 使能和失能时间
LE input
VM
tsu
tsu
th
Dn input
th
VM
图 10 数据输入(Dn) 到锁存输入(LE)的建立和保持时间
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带三态控制的8位D型锁存器
4.3
VM
0.5×VCC
1.3V
SN74HC373
SN74HCT373
VM
0.5×VCC
1.3V
4.4
S1
VI
SN74HC373
SN74HCT373
XBLWversion1.0
VCC
3V
tr tf
6ns
6ns
CL
15pF,50pF
15pF,50pF
RL
1kΩ
1kΩ
tPHL tPLH
tPZH tPHZ
tPZL tPLZ
open
open
GND
GND
VCC
VCC
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带三态控制的8位D型锁存器
5
5.1 DIP20
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带三态控制的8位D型锁存器
5.2
SOP20
XBLWversion1.0
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带三态控制的8位D型锁存器
5.3
TSSOP20
XBLWversion1.0
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财产损失情况
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优的集成电路产品.
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