ME358ASG

ME358 1MHz，轨到轨 I/O，低功耗运算放大器 概述 特点 ME358 是一款轨到轨输入输出，电压反馈运算放大  通用型，低功耗 器。输入共模范围和输出摆幅较大，最低工作电源电压仅  轨到轨 I/O, 为 2.1V, 最 高 电 压 可 达 5.5V 。 工 作 环 境 温 度 范 围  输入失调电压典型值为 0.8mV -40℃~85℃。  增益稳定, 单位增益带宽 1MHz ME358 双通道的静态电流仅为 90uA，同时可以提供  低输入偏置电流：10pA 1MHz 的单位增益带宽。输入失调电流仅为 10pA，因此  工作电压范围：2.1V~5.5V ME358 可以广泛应用在积分器，光电二极管，压敏传感  输入电压范围：-0.1V~+5.5V(Vs=5.5V 时) 器等领域。轨到轨 I/O 可以为系统工程师的设计提供极大  低静态电流：90uA（双通道） 的便利。低静态电流适合应用于电池驱动的低功耗系统环  工作温度范围：-40℃~85℃ 境。 应用场合  传感器 封装形式  8-pin SOP8，CPC8，SOT23-8  压力传感放大器  移动通讯设备  音频输出  便携应用  烟雾监测  电池驱动的设备 V04 www.microne.com.cn Page 1 of 12 ME358 选购指南 ME 3 58 X X G 环保标识 封装形式 S:SOP8 V8:CPC8 M8:SOT23-8 版本或功能 产品品种号 产品类别号 公司标志 产品型号 产品说明 ME358ASG 封装形式：SOP8 ME358AV8G 封装形式：CPC8 ME358BM8G 脚位不同，封装形式：SOT23-8 注：如需其他封装形式的产品，请联系我司销售人员。 V04 www.microne.com.cn Page 2 of 12 ME358 芯片脚位图 1 8 +Vs OUTA 2 7 -INA OUTB - + 6 3 +INA -INB + - 4 5 +INB -Vs ME358A 系列 ME358B 系列 引脚功能说明 PIN 脚位 (A 系列) PIN 脚位 (B 系列) 符号名 功能说明 1 1 OUTA A通道输出端。 2 8 -INA A 通道反相输入端。 3 7 +INA A 通道同相输入端。 4 6 -Vs IC负电源。 5 5 +INB B通道同相输入端。 6 4 -INB B通道反相输入端。 7 3 OUTB B通道输出端。 8 2 +Vs IC正电源。 绝对最大额定值 参数 最小值 最大值 单位 电源电压 2.1 6 V 输入电压范围 -Vs-0.3 +Vs+0.3 V 储存温度 -55 150 ℃ 耐 ESD 电压 4000V V 结温 -40 150 ℃ 工作温度 -40 85 ℃ θJA 焊接温度 SOP8 125 CPC8 173 ℃/W ℃ 260/10S 注意：绝对最大额定值是本产品能够承受的最大物理伤害极限值，请在任何情况下勿超出该额定值。 V04 www.microne.com.cn Page 3 of 12 ME358 电气特性 (正常条件 TA = 25 ºC ,VS = +5V, RL = 100kΩ connected to VS/2, and VOUT = VS/2, 除非另行标注) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入失调电压 VOS VCM = VS/2 -4 0.8 +4 mV 输入偏置电流 IB 10 pA 输入失调电流 IOS 1 pA 输入共模电压范围 VCM 共模抑制比 开环电压增益 输入失调电压温度系数 输出电压范围 输出电流 CMRR AOL ΔVOS/ΔT VOH VOL VOH VOL ISOURCE ISINK VS = 5.5V VS = 5.5V, VCM = -0.1V to 4V VS = 5.5V, VCM = -0.1V to 5.6V R L= 5kΩ, V O= +0.1V to +4.9V RL = 100kΩ, VO = +0.035V to +4.965V -0.1 73 85 70 80 80 86 83 89 工作电压范围 VS = +2.5V to +5.5V, VCM = +0.5V V dB dB RL = 100kΩ RL = 100kΩ RL = 10kΩ RL = 10kΩ RL = 10Ω to VS/2 +5.5 70 60 2.1 μV/℃ V mV V mV 2 4.999 1 4.996 5 85 75 mA 5.5 V 电源抑制比 PSRR 静态电流 IQ 单位增益带宽 GBW RL = 100kΩ，CL=100pF 1 MHz 相位裕度 PM RL = 100kΩ，CL=100pF 63 º 摆率 SR A V = 1, V OUT = 1.5V to 3.5V， RL = 100kΩ，CL=100pF 0.58 V/μs 建立时间 0.1% tS A V = 1, V OUT = 1.5V to 3.5V， RL = 100kΩ，CL=100pF 4.2 μs 2.6 μs 27 nV / Hz nV / Hz 过载恢复时间 噪声谱密度 V04 en 61 82 90 VIN ·Gain > VS，RL = 100kΩ， CL=100pF f = 1kHz f = 10kHz www.microne.com.cn 20 dB μA 130 Page 4 of 12 ME358 典型性能参数 Small-Signal Step Response，100mV Step Large-Singal Step Response，2V Step Gain=+1 Gain=+1 Cload=100pF Cload=100pF Rload=100K Rload=100K Ω Ω 2us/div 10us/div Overload Recovery Time 500mV /div Vs=5V 200mV /div Gain=-8 Vin=500mV Ω 1us/div V04 www.microne.com.cn Page 5 of 12 ME358 典型性能参数（续） V04 www.microne.com.cn Page 6 of 12 ME358 应用指导 驱动电容负载 在单位增益情况下 ME358 可以直接驱动 250PF 的电容负载而不导致振荡。单位增益跟随器是带电容负载时最敏 感的电路结构。直接驱动电容负载会使得相位裕度减小，产生振铃甚至发生振荡。实际应用中驱动电容负载需要更好 的驱动电路结构，常见的用法如图 1 所示，在运放结构和负载电容之间增加一个隔离电阻。隔离电阻 RISO 和负载电容 CL 产生了一个零点，可以提高系统的稳定性。隔离电阻 RISO 越大，VOUT 系统越稳定。注意，这种方法会导致增益减小， 因为 RISO 对于负载电阻 RLOAD 会起到电压分隔的作用。 RISO - VIN + VOUT CL 图 1.驱动大电容负载 图 2 提供了一个改进的电路结构。它可以产生较好的直流精度和交流稳定性。通过将输出和反向端连接起来，RF 可以使直流工作点更加精确。C F 和 R Iso 抵消了负载电容导致的相位裕度减小，通过将输出端的高频信号反馈到运放 的反向输入端，从而保证了整个环路系统的相位裕度。 RF CF - RISO VOUT + CL 图 2.驱动大电容负载改进电路 对于跟随器以外的其他电路结构，有另外两种方法来提高相位裕度： 1.提高运放的闭环增益； 2.增加一个电容与反馈电阻并联，以抵消运放反向输入端节点的寄生电容。 电源和旁路电容的布局 ME358 可以在电源电压+2.1V~+5.5V，或在双电源系统电压±1.05V ~±2.75V 的范围内工作。对于单电源系统，电 源需要使用旁路电容到地，通常用一个 0.1uF 的陶瓷电容，它必须放置在靠近+V S 引脚的位置。对于双电源系统，+V S和 -V S 都需要用旁路电路耦合到地，通常用一个 0.1uF 的陶瓷电容。在需要更好应用效果的电路中可以使用 2.2uF 的钽电容进行替换。如图 3 所示： V04 www.microne.com.cn Page 7 of 12 ME358 +Vs +Vs（Vdd） 0.1uF 0.1uF INN INP - 10uF 10uF VOUT INN - INP + + VOUT 0.1uF 10uF -Vs -Vs（GND） 图 3.电源和旁路电容布局 PCB 板走线布局 为了获得最佳性能，设计 PCB 板时必须十分用心。良好的地线布局可以减小寄生电容和运放输入输出引脚的噪声， 从而提高系统性能。为了减小寄生电容，需要尽量缩短 PCB 走线，外围元器件的排布需要尽可能靠近运放引脚。运放 的输入偏置电流典型值仅有 10pA，为了避免 PCB 板表面漏电流对运放产生干扰，PCB 板的表面必须确保清洁干燥。 V04 www.microne.com.cn Page 8 of 12 ME358 封装信息  封装类型: SOP8 参数 尺寸（mm） 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 1.3 1.8 0.0512 0.0709 A1 0.05 0.25 0.002 0.0098 A2 1.25 1.65 0.0492 0.065 A3 0.5 0.7 0.0197 0.0276 b 0.3 0.51 0.0118 0.0201 c 0.17 0.25 0.0067 0.0098 D 4.7 5.1 0.185 0.2008 E 5.8 6.2 0.2283 0.2441 E1 3.8 4 0.1496 0.1575 e 1.27(TYP) 0.05(TYP) h 0.25 0.5 0.0098 0.0197 L 0.4 1.27 0.0157 0.05 L1 θ c1 V04 1.04(TYP) 0 0.0409(TYP) 8° 0.25(TYP) 0 8° 0.0098(TYP) www.microne.com.cn Page 9 of 12 ME358  封装类型: CPC8 参数 尺寸（mm） 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 2.5 2.7 0.0984 0.1063 A1 0.35 0.45 0.0138 0.0177 e 0.53 (TYP) 0.0209 (TYP) B 2.5 2.7 0.0984 0.1063 B1 3.8 4.2 0.1496 0.1654 b 0.16 0.26 0.0063 0.0102 C 0.8 1.1 0.0315 0.0433 C1 0 0.15 0 0.0059 C2 0.15 0.18 0.0059 0.0071 C3 0.25 (TYP) 0.0098 (TYP) L 0.4 0.6 0.0157 0.0236 θ 0° 8° 0° 8° V04 www.microne.com.cn Page 10 of 12 ME358  封装类型: SOT23-8 参数 尺寸（mm） 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 1.05 1.25 0.0413 0.0492 A1 0 0.1 0.0000 0.0039 A2 1.05 1.15 0.0413 0.0453 b 0.3 0.5 0.0118 0.0197 c 0.1 0.2 0.0039 0.0078 θ 0 8° 0.0000 8° D 2.8 3.02 0.1102 0.1189 E 1.5 1.7 0.0591 0.0669 E1 2.6 3 0.1024 0.1181 e 0.65(TYP) 0.0256(TYP) e1 0.975(TYP) 0.0384(TYP) L c1 V04 0.3 0.6 0.2(TYP) 0.0118 0.0236 0.0079(TYP) www.microne.com.cn Page 11 of 12 ME358  本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之更改。  本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。另外，应用 电路示例为产品之代表性应用说明，非保证批量生产之设计。  本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载或复制等。  本资料所记载之产品，未经本公司书面许可，不得作为健康器械、医疗器械、防灾器械、瓦斯关联 器械、车辆器械、航空器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使用。  尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性，但是半导体产品有可能按照某种概率发生故障或错误工 作。为防止因故障或错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等，请充分留心冗余设计、 火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计。 V04 www.microne.com.cn Page 12 of 12