JD12864ZK

中文模块使用说明书 JD12864AZK 系列图形点阵 液晶显示模块使用说明书 感谢您关注和使用我们的点阵系列液晶显示器产品，欢迎您 提出您的要求、意见和建议，我们将竭诚为您服务、让您满意。 您可以浏览 http://www.szjingdong.com.cn 了解最新的产品与应用 信息 精东电子有限公司 Jing Dong Electronics Co.,Ltd. 中文模块使用说明书 一、液晶模块概述 液晶显示模块是 128×64 点阵的汉字图形型液晶显示模块，可显示汉字及图形，内置国 标 GB2312 码简体中文字库（16X16 点阵）、128 个字符（8X16 点阵）及 64X256 点阵显示 RAM （GDRAM）。可与 CPU 直接接口，提供两种界面来连接微处理机：8-位并行及串行两种连接方 式。具有多种功能：光标显示、画面移位、睡眠模式等。 二、模块基本特性 视域尺寸：62.0×44.0mm 显示类型：黄底黑字 LCD 显示角度：6 点钟直观 驱动方式：1/32 duty，1/6 bias 连接方式：导电胶条，铁框 ● 补充说明：模块外观尺寸可根据用户的要求进行适度调整。 三、外形尺寸（Unit：mm） 13.0±0.2 P2.54*19=48.26 MAX. 12.3 20-R0.5 20 70.0±0.2 2-65.0±0.2 58.4±0.3 A.A. 38.34 128X64DOTS V.A. 44.0± 0.3 2.5± 0.2 1 1.6±0.2 2-68.0±0.2 76.2±0.3 4-R1.5 7.8±0.3 0.378 0.06 0.06 78.0±0.2 0.54 2-5.0±0.2 2-2.5±0.2 A.A. 56.004 V.A. 62.0±0.3 第 1 页 共 16 页 JD12864AZK 使用说明书 四、模块引脚说明 JD12864AZK 模块引脚说明 引脚 名称 方向 说明 1 VSS - GND（0V） 2 VDD - Supply Voltage For Logic (+5v) 3 VO - Supply Voltage For LCD （悬空） 4 RS(CS) I H: Data L: Instruction Code 5 R/W(STD) I H: Read L: Write 6 E(SCLK) I Enable Signal，高电平有效 7 DB0 I/O 数据 0 8 DB1 I/O 数据 1 9 DB2 I/O 数据 2 10 DB3 I/O 数据 3 11 DB4 I/O 数据 4 12 DB5 I/O 数据 5 13 DB6 I/O 数据 6 14 DB7 I/O 数据 7 15 PSB I H: Parallel Mode L: Serial Mode 16 NC - 空脚 17 /RST I Reset Signal，低电平有效 18 NC - 空脚 19 LEDA - 背光源正极（+5V） 20 LEDK - 背光源负极（OV） JD12864ZK 使用说明书 五、JD12864AZK 液晶硬件接口 1、逻辑工作电压(VDD)：4.5～5.5V 2、电源地(GND)：0V 3、LCD 驱动电压(V0)：0～-10V 4、工作温度(Ta)： -20～ +70℃（宽温） 保存温度(Tstg)：-25～ +75℃ 5、电气特性见附图 1 外部连接图（参考附图 2） 模块有并行和串行两种连接方法（时序如下）： 1、8 位并行连接时序图 MPU 写资料到模块 MPU 从模块读出资料 第 2 页 共 16 页 第 3 页 共 16 页 JD12864ZK 使用说明书 2、串行连接时序图 CS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 SCLK STD RW RS 0 D7 D6 D5 D4 0 0 0 0 D3 D2 D1 D0 Lower data Highter data Synchronizing Bit string 0 0 0 0 1st byte 2 nd byte 3、AC 电气特性（TA=25℃ VCC=5V） SYMBOL Characteristics Test condition Min. Typ. Max. Fosc OSC frequency Rf=39KΩ 480 540 600 PARAMETER SYMBOL MESURE TIME FOR WRITE MODE(WRITING DATA FROM MPU TO ST7920) System cycle time TC 13,000 Address setup time TAS 1,500 Address hold time TAH 1,500 Data setup time TDSW 1,000 Data hold time TH 20 Enable pulsewidth TPW 1,500 Enable rise/fall time TR,TF 25 FOR READ MODE(READING DATA FROM ST7920 TO MPU) System cycle time TC 13,000 Address setup time TAS 1,500 Address hold time TAH 1,500 Data setup time TDDR 1,000 Data hold time TH 20 Enable pulsewidth TPW 1,500 Enable rise/fall time TR,TF 25 Unit KHz UNIT ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 六、用户指令集 1、指令表 1：（RE=0：基本指令集） 指令 指令码 说明 执行时间 （540KHZ） RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 清除显示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 将 DDRAM 填 满 “ 20H ”， 并 且 设 定 DDRAM 的地址计数器（AC）到“00H” 4.6ms 地址归位 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 设定 DDRAM 的地址计数器（AC）到 “00H”，并且将游标移到开头原点位置； 这个指令并不改变 DDRAM 的内容 4.6ms 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 指定在资料的读取与写入时，设定游标 移动方向及指定显示的移位 72us 0 0 0 0 0 0 1 D C B 进入点 设定 显示状态 开/关 D=1：整体显示 ON C=1：游标 ON 72us 第 4 页 共 16 页 JD12864ZK 使用说明书 B=1：游标位置 ON 游标或显示 移位控制 功能设定 设定 CGRAM 地 址 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 S/C DL X R/L 0 RE X X 设定 游标的 移动与 显示的 移位控 制位 元；这个指令并不改变 DDRAM 的内容 72us DL=1 （必须设为 1） X X RE=1： 扩充指令集动作 72us RE=0： 基本指令集动作 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定 CGRAM 地址到地址计数器（AC） 72us 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定 DDRAM 地址到地址计数器（AC） 72us 读取忙碌标 志（BF）和 地址 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 读取忙碌标志（BF）可以确认内部动作 是否 完成， 同时可 以读出 地址计 数器 （AC）的值 0us 写资料到 RAM 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 写 入 资 料 到 内 部 的 RAM （DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM） 72us 读出 RAM 的值 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 从 内 部 RAM 读 取 资 料 （DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM） 72us 说明 执行时间 （540KHZ） 进入待命模式，执行其他命令都可终止 待命模式 72us 设定 DDRAM 地址 指令表—2：（RE=1：扩充指令集） 指令 指令码 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 待命模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 卷动地址或 IRAM 地址 选择 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR 反白选择 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 睡眠模式 0 0 0 0 0 0 1 SL X X SR=1：允许输入垂直卷动地址 SR=0：允许输入 IRAM 地址 选择 4 行中的任一行作反白显示，并可 决定反白与否 SL=1：脱离睡眠模式 SL=0：进入睡眠模式 72us 72us 72us RE=1： 扩充指令集动作 扩充功能设 定 0 0 0 0 1 1 X 1 RE G 0 RE=0： 基本指令集动作 G=1 ：绘图显示 ON 72us G=0 ：绘图显示 OFF 设定 IRAM 地址或卷动 地址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定绘图 RAM 地址 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 SR=1：AC5—AC0 为垂直卷动地址 SR=0：AC3—AC0 为 ICON IRAM 地址 设定 CGRAM 地址到地址计数器（AC） 72us 72us 备注：1、当模块在接受指令前，微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态，即读取 BF 标志时 BF 需为 0，方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查 BF 标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延 迟一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成，指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。 2、 RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在 最后的状态，除非再次变更“RE”位元，否则使用相同指令集时，不需每次重设“RE”位元。 JD12864ZK 使用说明书 第 5 页 共 16 页 具体指令介绍： 1、清除显示(指令代码为 01H) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L L H 功能：清除显示屏幕，把 DDRAM 位址计数器调整为“00H” 2、位址归位(02H) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L H X 功能：把 DDRAM 位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示 DDRAM 3、点设定(07H/04H/05H/06H) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L H I/D S 功能：设定光标移动方向并指定整体显示是否移动。 I/D=1 光标右移，I/D=0 光标左移。 SH=1 且 DDRAM 为写状态：整体显示移动，方向由 I/D 决定（I/D=1 左移，I/D=0 右移） SH=0 或 DDRAM 为读状态：整体显示不移动 4、显示状态 开/关(08H/0CH/0EH/0FH) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H D C B 功能： D=1；整体显示 ON C=1；游标 ON B=1；游标位置 ON 5、游标或显示移位控制(10H/14H/18H/1CH) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L H S/C R/L X X 功能：10H/14H：光标左/右移动；18H/1CH：整体显示左右移动，光标跟随移动，AC 值不变 6、功能设定（36H/30H/34H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H DL X 0 RE X X 功能：DL=1（必须设为 1） RE=1；扩充指令集动作 RE=0：基本指令集动作 7、设定 CGRAM 位址(40H-7FH) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：设定 CGRAM 位址到位址计数器（AC） 8、设定 DDRAM 位址（80H-9FH） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：设定 DDRAM 位址到位址计数器（AC） 9、读取忙碌状态（BF）和位址(BF=1, 状态忙) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H L BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：读取忙碌状态（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出位址计数器（AC）的值 10、写资料到 RAM CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能：写入资料到内部的 RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） JD12864ZK 使用说明书 第 6 页 共 16 页 11、读出 RAM 的值 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能：从内部 RAM 读取资料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 12、待命模式(01H) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L L H 功能：进入待命模式，执行其他命令都可终止待命模式 13、卷动位址或 IRAM 位址选择(02H/03H) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L H SR 功能：SR=1；允许输入卷动位址 SR=0；允许输入 IRAM 位址 14、反白选择（04H\05H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L H R1 R0 功能：选择 4 行中的任一行作反白显示，并可决定反白的与否 15、睡眠模式（08H/0CH） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H SL X X 功能：SL=1；脱离睡眠模式 SL=0；进入睡眠模式 16、扩充功能设定（36H/30H/34H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H H X 1 RE G L 功能：RE=1；扩充指令集动作 RE=0；基本指令集动作 G=1；绘图显示 ON G=0；绘图显示 OFF 17、设定 IRAM 位址或卷动位址（40H-7FH） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：SR=1；AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0；AC3~AC0 写 ICONRAM 位址 18、设定绘图 RAM 位址（80H-FFH） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：设定 GDRAM 位址到位址计数器（AC） 0 JD12864ZK 使用说明书 七、显示坐标关系 1、图形显示坐标 第 7 页 共 16 页 第 8 页 共 16 页 JD12864ZK 使用说明书 2、汉字显示坐标 Line1 Line2 Line3 Line4 80H 90H 88H 98H 3、字符表 代码（02H---7FH） 81H 91H 89H 99H 82H 92H 8AH 9AH X 坐标 83H 93H 8BH 9BH 84H 94H 8CH 9CH 85H 95H 8DH 9DH 86H 96H 8EH 9EH 87H 97H 8FH 9FH 第 9 页 共 16 页 JD12864ZK 使用说明书 八、显示步骤 1、显示资料 RAM（DDRAM） 显示资料 RAM 提供 64×2 个位元组的空间，最多可以控制 4 行 16 字（64 个字）的中文字型显示， 当写入显示资料 RAM 时，可以分别显示 CGROM、HCGROM 与 CGRAM 的字型；ST7920A 可以显示三 种字型 ，分别是半宽的 HCGROM 字型、CGRAM 字型及中文 CGROM 字型 ，三种字型的选择，由在 DDRAM 中写入的编码选择，在 0000H—0006H 的编码中将自动的结合下一个位元组，组成两个位元组的 编码达成中文字型 的编码（A140—D75F），各种字型详细编码如下： 1、显示半宽字型 ：将 8 位元资料写入 DDRAM 中，范围为 02H—7FH 的编码。 2、显示 CGRAM 字型：将 16 位元资料写入 DDRAM 中，总共有 0000H，0002H，0004H，0006H 四 种编码。 3、显示中文字形：将 16 位元资料写入 DDRAMK ，范围为 A1A1H—F7FEH 的编码。 绘图 RAM（GDRAM） 绘图显示 RAM 提供 64×32 个位元组的记忆空间，最多可以控制 256×64 点的二维绘图缓冲空间，在 更改绘图 RAM 时，先连续写入水平与垂直的坐标值，再写入两个 8 位元的资料到绘图 RAM，而地址计数 器（AC）会自动加一；在写入绘图 RAM 的期间，绘图显示必须关闭，整个写入绘图 RAM 的步骤如下： 1、关闭绘图显示功能。 2、先将垂直的坐标（Y）写入绘图 RAM 地址； 3、再将水平的位元组坐标（X）写入绘图 RAM 地址； 4、将 D15——D8 写入到 RAM 中； 5、将 D7——D0 写入到 RAM 中； 6、打开绘图显示功能。 绘图显示的记忆体对应分布请参考表 2、游标/闪烁控制 ST7920A 提供硬体游标及闪烁控制电路，由地址计数器（address counter）的值来指定 DDRAM 中的 游标或闪烁位置。 九、显示示例程序 以下程序为 51 系列驱程 1、发送子程序 SEND_DATA: LCALL NOP SETB CLR SETB MOV CHK_BUSY ;检测模块内部工作状态 RS RW E P1, A ；RS=1 选择数据寄存器 ；RW=0 写状态 ； ；送数据到 I/O 口 第 10 页 共 16 页 JD12864ZK 使用说明书 SEND_INT: LCALL CLR NOP MOV RET LCALL NOP CLR CLR SETB MOV LCALL CLR NOP MOV RET DELAY01 E ；延时 ； P1,#0FFH CHK_BUSY ;检测模块内部工作状态 RS RW E P1, A DELAY01 E ；RS=0 选择指令寄存器 ；RW=0 写状态 ； ；送数据到 I/O 口 ；延时 ； P1,#0FFH 2、读子程序 CHK_BUSY: HEHE1: READ: CLR SETB SETB MOV JB CLR RET LCALL SETB SETB SETB MOV LCALL CLR NOP MOV RET RS RW E P1, A P1.7,HEHE1 E ；RS=0 选择指令寄存器 ；RW=1 读状态 ； ；读入数据 ；判别 BF 位 ； CHK_BUSY RS RW E P1, A DELAY01 E ;检测模块内部工作状态 ；RS=1 选择数据寄存器 ；RW=1 读状态 ； ；从 I/O 口读数据 ；延时 ； P1,#0FFH 3、串口写子程序： ;------------------------;Serial ModeWrite Data/Write Instrution ;Use CS=RS\SCLK=E\STD=R/W ;rs_stu=1 Write Data ;Rs_stu=0 Write Instrution ;------------------------SERIAL_WRITE: PUSH A CLR SCLK MOVA,DA_IN SETB SCLK SETB CS CLR SCLK SETB STD SETB SCLK JD12864ZK 使用说明书 第 2 页 共 16 页 CLR SCLK SETB SETB CLR SCLK SCLK SCLK CLR SCLK SETB SETB CLR SCLK SCLK CLR SCLK JB SETB CLR STD SCLK CLR SCLK SETB ACC.3,WD31 SJMP CLR STD SCLK SCLK WD2 WD31: SETB STD WD2: SETB SCLK CLR SCLK CLR SCLK JNB RS_STU,WSTU JB SETB STD CLR STD SJMP WSTU1 SJMP WSTU: CLR STD WSTU1: SETB SCLK ACC.2,WD21 WD1 WD21: SETB STD WD1: SETB SCLK CLR SCLK CLR SCLK CLR STD JB SETB SCLK CLR SCLK JB CLR STD SJMP ACC.7,WD7 CLR STD SJMP ACC.1,WD11 WD6 WD11: SETB STD WD0: SETB SCLK CLR SCLK WD7: SETB STD JB WD6: SETB SCLK CLR STD CLR SCLK JB ACC.0,WD01 SJMP ACC.6,WD61 CLR STD SJMP WD0 WD5 WD02 WD01: SETB STD WD02: SETB SCLK CLR SCLK WD61: SETB STD CLR STD WD5: SETB SCLK SETB SCLK CLR SCLK CLR SCLK JB SETB ACC.5,WD51 CLR STD SJMP SCLK CLR SCLK WD4 SETB SCLK WD51: SETB STD CLR SCLK WD4: SETB SCLK SETB SCLK CLR SCLK CLR SCLK JB POP A ACC.4,WD41 CLR STD SJMP RET WD42 WD41: SETB STD WD42: SETB SCLK CLR SCLK CLR STD SETB SCLK CLR SCLK SETB SCLK CLR SCLK