RoHS Compliant
4GB ECC DDR3 1.35V SO-DIMM
Product Specifications
October 29, 2013
Version 1.1
Apacer Technology Inc.
1F., No.32, Zhongcheng Rd., Tucheng Dist., New Taipei City 236, Taiwan
Tel: +886-2-2267-8000
www.apacer.com
Fax: +886-2-2267-2261
Table of Contents
General Description .......................................................................................................2
Ordering Information .....................................................................................................2
Key Parameters ..............................................................................................................2
Specifications:................................................................................................................3
Features:.........................................................................................................................4
Pin Assignments.............................................................................................................5
Pin Descriptions .............................................................................................................7
Functional Block Diagram.............................................................................................8
Absolute Maximum Ratings ..........................................................................................9
DRAM Component Operating Temperature Range.....................................................10
Operating Conditions ...................................................................................................11
Mechanical Drawing....................................................................................................12
©Apacer Technology Inc.
1
General Description
Apacer 78.B2GCS.AT00C is a 512M x 72 DDR3 SDRAM (Synchronous
DRAM) ECC SO-DIMM. This high-density memory module consists of 18
pieces 256M x 8 bits with 8 banks DDR3 synchronous DRAMs in BGA
packages and a 2K EEPROM. The module is a 204-pins small-outlined, dual
in-line memory module and is intended for mounting into a connector socket.
Decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board for each DDR3
SDRAM. The following provides general specifications of this module.
Ordering Information
Part Number
Bandwidth
Speed Grade
Max Frequency
CAS Latency
78.B2GCS.AT00C
12.8 GB/sec
1600 Mbps
800 MHz
CL11
Density
Organization
Component
Rank
4GB
512M x 72
256M x8*18
2
Key Parameters
MT/s
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
Unit
Grade
-CL7
-CL9
-CL11
tCK (min)
1.875
1.5
1.25
ns
CAS latency
7
9
11
tCK
tRCD (min)
13.125
13.5
13.75
ns
tRP (min)
13.125
13.5
13.75
ns
tRAS (min)
37.5
36
35
ns
tRC (min)
50.625
49.5
48.75
ns
CL-tRCD-tRP
7-7-7
9-9-9
11-11-11
tCK
©Apacer Technology Inc.
2
Specifications:
♦
Support ECC error detection and correction
♦
On-DIMM thermal sensor : Yes
♦
Organization: 512 words x 72 bits, 2 rank
♦
Integrating 18 pieces of 2G bits DDR3 SDRAM sealed FBGA
♦
Package: 204-pin socket type small outline dual in-line memory module (ECC
SO-DIMM)
♦
PCB: height 30.0 mm, lead pitch 0.6 mm (pin), lead-free (RoHS compliant)
♦
Power supply VDD: 1.35V (+0.1V ~ -0.067V)
♦
Serial Presence Detect (SPD)
♦
Eight Internal banks for concurrent operation (Components)
♦
Interface: SSTL_13
♦
Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)
♦
/CAS Latency (CL): 6, 7, 8, 9, 10, 11
♦
/CAS Write Latency (CWL): 5, 6, 7, 8
♦
Supports auto pre-charge option for each burst access
♦
Supports auto-refresh/self-refresh
♦
Refresh cycles: 7.8 ㎲ at 0℃≦ TC ≦ +85℃
♦
PCB: 30µ gold finger
©Apacer Technology Inc.
3
Features:
♦
Double-date-rate architecture: 2 data transfers per clock cycle
♦
The high-speed data transfer is realized by the 8 bits prefetch pipelined
architecture
♦
Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS) is transmitted /
received with data for capturing data at the receiver
♦
DQS is edge-aligned with data for READs; center aligned with data for
WRITEs
♦
Differential clock inputs (CK and /CK)
♦
DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions
♦
Data mask (DM) for writing data
♦
Posted /CAS by programmable additive latency for enhanced command
and data bus efficiency
♦
On-Die-Termination (ODT) for improved signal quality: Synchronous
ODT/Dynamic ODT/Asynchronous ODT
♦
Multi-Purpose Register (MPR) for temperature read out
♦
ZQ calibration for DQ drive and ODT
♦
Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)
♦
/Reset pin for power-up sequence and reset function
♦
SRT range: normal/extended, auto/manual self-refresh
♦
Programmable output driver impedance control
♦
Commands entered at each positive clock input, while data and data mask
are referenced to both edges of DQS
©Apacer Technology Inc.
4
Pin Assignments
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
1
VREFDQ
53
VSS
105
A1
157
DM5
3
VSS
55
DQ24
107
A0
159
DQ42
5
DQ0
57
DQ25
109
VDD
161
DQ43
7
DQ1
59
DM3
111
CK0
163
VSS
9
VSS
61
VSS
113
/CK0
165
DQ48
11
DM0
63
DQ26
115
VDD
167
DQ49
13
DQ2
65
DQ27
117
A10(/AP)
169
VSS
15
DQ3
67
VSS
119
BA0
171
/DQS6
17
VSS
69
CB0
121
/WE
173
DQS6
19
DQ8
71
CB1
123
VDD
175
VSS
21
DQ9
73
VSS
125
/CAS
177
DQ50
23
VSS
75
/DQS8
127
/CS0
179
DQ51
25
/DQS1
77
DQS8
129
/CS1
181
VSS
27
DQS1
79
VSS
131
VDD
183
DQ56
29
VSS
81
CB2
133
DQ32
185
DQ57
31
DQ10
83
CB3
135
DQ33
187
VSS
33
DQ11
85
VDD
137
VSS
189
DM7
35
VSS
87
CKE0
139
/DQS4
191
DQ58
37
DQ16
89
CKE1
141
DQS4
193
DQ59
39
DQ17
91
BA2
143
VSS
195
VSS
41
VSS
93
VDD
145
DQ34
197
SA0
43
/DQS2
95
A12(/BC)
147
DQ35
199
VDDSPD
45
DQS2
97
A8
149
VSS
201
SA1
47
VSS
99
A5
151
DQ40
203
VTT
49
DQ18
101
VDD
153
DQ41
51
DQ19
103
A3
155
VSS
©Apacer Technology Inc.
5
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
Pin No.
Pin name
2
VSS
54
DQ28
106
A2
158
VSS
4
DQ4
56
DQ29
108
BA1
160
DQ46
6
DQ5
58
VSS
110
VDD
162
DQ47
8
VSS
60
/DQS3
112
CK1
164
VSS
10
/DQS0
62
DQS3
114
/CK1
166
DQ52
12
DQS0
64
VSS
116
VDD
168
DQ53
14
VSS
66
DQ30
118
NC(/CS3)
170
VSS
16
DQ6
68
DQ31
120
NC(/CS2)
172
DM6
18
DQ7
70
VSS
122
/RAS
174
DQ54
20
VSS
72
CB4
124
VDD
176
DQ55
22
DQ12
74
CB5
126
ODT0
178
VSS
24
DQ13
76
DM8
128
ODT1
180
DQ60
26
VSS
78
VSS
130
A13
182
DQ61
28
DM1
80
CB6
132
VDD
184
VSS
30
/RESET
82
CB7
134
DQ36
186
/DQS7
32
VSS
84
VREFCA
136
DQ37
188
DQS7
34
DQ14
86
VDD
138
VSS
190
VSS
36
DQ15
88
A15(NC)
140
DM4
192
DQ62
38
VSS
90
A14(NC)
142
DQ38
194
DQ63
40
DQ20
92
A9
144
DQ39
196
VSS
42
DQ21
94
VDD
146
VSS
198
/EVENT*
44
DM2
96
A11
148
DQ44
200
SDA
46
VSS
98
A7
150
DQ45
202
SCL
48
DQ22
100
A6
152
VSS
204
VTT
50
DQ23
102
VDD
154
/DQS5
52
VSS
104
A4
156
DQS5
Notes:
1.
/CS1, ODT1, CKE1: Used for dual-rank UDIMMs; NC on single-rank UDIMMs.
2.
CK1, NC and /CK1, NC : Used for dual-rank UDIMMs; not used on single-rank UDIMMs, but terminated.
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6
Pin Descriptions
Pin Name
Description
Ax*
SDRAM address bus
BAx
SDRAM bank select
DQx
DIMM memory data bus
CBx
DIMM ECC check bits
/RAS
SDRAM row address strobe
/CAS
SDRAM column address strobe
/WE
SDRAM write enable
/CSx
SDRAM Chip select lines
CKEx
SDRAM clock enable lines
CKx
SDRAM clock input
/CKx
SDRAM Differential clock input
DQSx
SDRAM data strobes(positive line of differential pair)
/DQSx
SDRAM data strobes(negative line of differential pair)
DMx
SDRAM input mask
SCL
Clock input for serial PD
SDA
Data input/output for serial PD
SAx
Serial address input
VDD
Power for internal circuit
VDDSPD
Serial EEPROM positive power supply
VREFDQ
SDRAM I/O reference supply
VREFCA
SDRAM command/address reference supply
VSS
Power supply return(ground)
VTT
SDRAM I/O termination supply
/RESET
ODTx
/EVENT
NC
*IC Component Composition:
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Set DRAM to known state
On-die termination control lines
An output of the thermal sensor to indicate critical module temperature
Spare pins(no connect)
128Mx8
256Mx8
512Mx8
1024Mx8
A0~A13
A0~A14
A0~A15
A0~A15
7
Functional Block Diagram
S1#
S0#
DQS0
DQS0#
DM0
DQS4
DQS4#
DM4
DM CS# DQS DQS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
Vss
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
U1
DM CS# DQS DQS#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
U19
Vss
ZQ
DQS1
DQS1#
DM1
Vss
DM CS# DQS DQS#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
Vss
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
U18
DM CS# DQS DQS#
Vss
U17
DM CS# DQS DQS#
Vss
U8
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
Vss
ZQ
DM CS# DQS DQS#
Vss
U9
U11
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
U5
Vss
Rank 0: U1–U9
Rank 1: U11–U19
U15
SCL
U10
Temperature
sensor/
SPD EEPROM
EVT A0
SA0 SA1 SA2
ZQ
BA[2:0]: DDR3 SDRAM
A[14/13:0] DDR3 SDRAM
RAS#: DDR3 SDRAM
CAS#: DDR3 SDRAM
WE#: DDR3 SDRAM
CKE0: Rank 0
CKE1: Rank 1
ODT0: Rank 0
ODT1: Rank 1
RESET#: DDR3 SDRAM
Vddspd
Vdd
Vtt
SDA
A1 A2
EVENT#
Vss
Temperature sensor/SPD EEPROM
CK0
CK0#
Rank 0
CK1
CK1#
Rank 1
DDR3 SDRAM
Control, command, and address termination
Vrefca
DDR3 SDRAM
Vrefdq
DDR3 SDRAM
Vss
DDR3 SDRAM
Clock, control, command, and address line terminations:
CKE[1:0], A[14/13:0],
RAS#, CAS#, WE#,
ODT[1:0], BA[2:0],
S#[1:0]
CK
CK#
Note:
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
Vss
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
BA[2:0]
A[14/13:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET#
U12
Vss
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
U16
DQS8
DQS8#
DM8
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS7
DQS7#
DM7
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
U4
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
Vss
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
U13
ZQ
DM CS# DQS DQS#
Vss
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
U7
Vss
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS3
DQS3#
DM3
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS6
DQS6#
DM6
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
U3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
Vss
ZQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
U14
ZQ
DM CS# DQS DQS#
Vss
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
U6
Vss
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS2
DQS2#
DM2
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS5
DQS5#
DM5
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
U2
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DDR3
SDRAM
Vtt
DDR3
SDRAM
Vdd
1. The ZQ ball on each DDR3 component is connected to an external 240Ω ±1% resistor
that is tied to ground. It is used for the calibration of the component’s ODT and output
driver.
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8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Description
Units
Voltage on VDD pin relative to Vss
VDD
- 0.4 V ~ 1.975 V
V
Voltage on VDDQ pin relative to Vss
VDDQ
- 0.4 V ~ 1.975 V
V
Voltage on any pin relative to Vss
VIN, VOUT
- 0.4 V ~ 1.975 V
V
Storage Temperature
TSTG
-55 to +100
℃
Notes:
1.
Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above
those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect reliability.
2.
Storage Temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM. For the measurement
conditions, please refer to JESD51-2 standard.
3.
VDD and VDDQ must be within 300mV of each other at all times; and VREF must not be greater than 0.6 x VDDQ,
when VDD and VDDQ are less than 500mV; VREF may be equal to or less than 300mV.
.
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9
DRAM Component Operating Temperature
Range
Symbol
TOPER
Parameter
Rating
Units
Notes
Normal Operating Temperature Range
0 to 85
℃
1,2
Extended Temperature Range
85 to 95
℃
1,3
Notes:
1.
Operating Temperature TOPER is the case surface temperature on the center / top side of the DRAM. For
measurement conditions please refer to the JEDEC document JESD51-2.
2.
The Normal Temperature Range specifies the temperatures where all DRAM specifications will be supported
during operation, the DRAM case temperature must be maintained between 0℃ - 85℃ under all operating
conditions.
3.
Some applications require operation of the DRAM in the Extended Temperature Range between 85℃ and 95℃
case temperature. Full specifications are guaranteed in this range, but the following additional conditions apply:
a.
Refresh commands must be doubled in frequency, therefore reducing the Refresh interval tREFI to 3.9 µs.
b.
If Self-Refresh operation is required in the Extended Temperature Range, then it is mandatory to either
use the Manual Self-Refresh mode with
Extended Temperature Range capability (MR2 A6 = 0b and
MR2 A7 = 1b), in this case IDD6 current can be increased around 10~20% than normal Temperature
range.
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10
Operating Conditions
Recommended DC Operating Conditions - DDR3L (1.35V) operation
Symbol
VDD
Rating
Parameter
Supply Voltage
VDDQ Supply Voltage for Output
Units
Min.
Typ.
Max.
1.283
1.35
1.45
V
1.283
1.35
1.45
V
Notes:
1.
If minimum limit is exceeded, input levels shall be governed by DDR3L specifications.
2.
Under 1.5V operation, this DDR3L device operates to the DDR3 specifications under the same speed timings as
defined for this device.
3.
Once initialized for DDR3 operation, DDR3L operation may only be used if the device is in reset while VDD and
VDDQ are changed for DDR3L operation.
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11
Mechanical Drawing
(All dimensions are in millimeters with ±0.15mm tolerance unless specified otherwise.)
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12
Revision History
Revision
Date
Description
0.9
08/28/2012
Official release
1.0
08/29/2012
release
Remark
1. Changed headquarters address
1.1
07/23/2013
2. Added 30µ gold finger
©Apacer Technology Inc.
13
Global Presence
Taiwan (Headquarters)
Apacer Technology Inc.
1F., No.32, Zhongcheng Rd., Tucheng Dist.,
New Taipei City 236, Taiwan R.O.C.
Tel: +886-2-2267-8000
Fax: +886-2-2267-2261
amtsales@apacer.com
U.S.A.
Apacer Memory America, Inc.
386 Fairview Way, Suite102,
Milpitas, CA 95035
Tel: 1-408-518-8699
Fax: 1-408-935-9611
sa@apacerus.com
Japan
Apacer Technology Corp.
5F, Matsura Bldg., Shiba, Minato-Ku
Tokyo, 105-0014, Japan
Tel: 81-3-5419-2668
Fax: 81-3-5419-0018
jpservices@apacer.com
Europe
Apacer Technology B.V.
Science Park Eindhoven 5051 5692 EB Son,
The Netherlands
Tel: 31-40-267-0000
Fax: 31-40-267-0000#6199
sales@apacer.nl
China
Apacer Electronic (Shanghai) Co., Ltd
1301, No.251,Xiaomuqiao Road, Shanghai,
200032, China
Tel: 86-21-5529-0222
Fax: 86-21-5206-6939
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India
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# 535, 1st Floor, 8th cross, JP Nagar 3rd Phase,
Bangalore – 560078, India
Tel: 91-80-4152-9061
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14