LM385M-2.5/TR

LM385 微功耗电压基准源 产品说明 LM385 是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。它可在 10µA～20mA 工作电流范围内提供稳定的电压基准，具有很低的动 态电阻和良好的温度稳定性。芯片内置的基准调整机构保证了极小 的输出电压容差。由于 LM385 的带隙基准构成组件仅有晶体管和 SOP8 电阻，所以电路具有很低的噪声和良好的长期稳定性。 LM385 设计中已认真考虑了各种负载下的可能遇到的问题，使得 LM385 对外部负载具有很大的适应性，在绝大多数基准电压源应用 场合都能胜任。LM385 较宽的动态工作范围使得芯片在供电电源较 大幅度变化时仍能表现出极佳的调整能力。 MSOP8 LM385 在提供精密基准的同时，只需极低的负载电流，因此特别适 用于微功耗电路，作为电池供电的便携仪器、稳压电源以及通用模 拟电路中基准电压源。 TO-92 LM385 批 量 产 品 分 固 定 电 压 1.2 伏 （ LM385-1.2 ） ， 2.5 伏 （ LM385-2.5 ） 两 种 规 格 。 LM385 标 准 封 装 形 式 有 TO-92 ， SOT-23，SOP8，MSOP8。 SOT23-3 特点     ±4mV（±0.3％）最大初始容差（A 级） 工作电流：10µA~20mA 0.6Ω 最大动态阻抗（A 级） 低温度系数 产品订购信息 产品名称 封装 打印名称 包装 包装数量 LM385Z-1.2 TO-92 LM385-1.2 袋装 1000 只/袋 LM385Z-2.5 TO-92 LM385-2.5 袋装 1000 只/袋 LM385M3-1.2/TR SOT23-3L R11 编带 3000 只/盘 LM385M3-2.5/TR SOT23-3L R12 编带 3000 只/盘 LM385M-1.2/TR SOP8L 385-1.2 编带 2500 只/盘 LM385M-2.5/TR SOP8L 385-2.5 编带 2500 只/盘 LM385MM-1.2/TR MSOP8L 385-1.2 编带 3000 只/盘 LM385MM-2.5/TR MSOP8L 385-2.5 编带 3000 只/盘 http://www.hgsemi.com.cn 1/9 2014 JUN LM385 电路符号 图 1 电路符号 管脚图 图 2 TO-92 管脚图 图 3 SOT23 管脚图 图 4 SOP8 管脚图 管脚描述 管脚号 SOT23 TO-92 SOP8 名称 功能 2 1 8 CATHODE 阴极 3 2 4 ANODE 阳极 FB 电压调整 3 极限参数（超过此限有可能导致损坏） 项目 参数值 单位 反向电流 30 mA 正向电流 10 mA 工作温度范围 0～70 ℃ 存储温度 -55～150 ℃ 10 秒：260 ℃ 焊接温度（点焊，10 秒） http://www.hgsemi.com.cn 2/9 2014 JUN LM385 电参数（一）LM385-1.2V（Ta=25℃,除非另有说明） 参数 反向击穿电压 测试条件 Ta=25℃,10µA≤IR≤20mA 最小值 典型值 最大值 单位 1.200 1.240 1.280 V 8 15 µA 最小工作电流 反向击穿电压随电 流变化率 10µA ≤ IR≤1mA 1 1.5 1mA≤IR≤20mA 10 25 反向动态阻抗 IR=100µA, f=20Hz 1 Ω 多频噪声(rms) IR=100µA,10Hz≤f≤ 10kHz 60 µV 长期稳定性 IR=100µA, T=1000Hr, TA=25°C±0.1°C 20 ppm 平均温度系数 IR = 100 µA 30 ppm/℃ mV 电参数（二） LM385-2.5V（Ta=25℃,除非另有说明） 参数 反向击穿电压 测试条件 Ta=25℃,10µA≤IR≤20mA 最小工作电流 最小值 典型值 最大值 单位 2.47 2.490 2.52 V 15 20 µA 反向击穿电压随电 流变化率 10µA ≤ IR≤1mA 1 1.5 1mA≤IR≤20mA 10 25 反向动态阻抗 IR=100µA, f=20Hz 1 Ω 多频噪声(rms) IR=100µA,10Hz≤f≤ 10kHz 60 µV 长期稳定性 IR=100µA, T=1000Hr, TA=25°C±0.1°C 20 ppm 平均温度系数 IR = 100 µA 30 ppm/℃ http://www.hgsemi.com.cn 3/9 mV 2014 JUN LM385 应用电路图及工作原理说明 宽输入范围参考 微电源参考（9V 电源及 1.5V） 5V 调整器及 10V 参考器 http://www.hgsemi.com.cn 4/9 2014 JUN LM385 1µA～1mA 精密电流源 IOUT＝1.23V/R2 温度表 反向 HFE≈5，选择器件为 2N3638 或 2N2907。 ↑选择在 1.3V 下工作；↕IQ=600µA~900µA 将 LM385 短路，调整 R3 使 IOUT＝temp@1µA/ºK；解除短路，调整 R2，读出合适的百分温度数值：IQ at 1.3V@500 µA；IQ at 1.6V@2.4 mA 0～50℉温度表 将 LM385 短路，调整 R3，使 IOUT＝temp@1.8µA/ºK；解除短接，调整 R2，读取正确的数值，单位为℉。 http://www.hgsemi.com.cn 5/9 2014 JUN LM385 微功耗热隅常温连接补偿器  调整 TC ADJ，直到 R1 两端的电压和与绝对温度相对应的热电隅成比例关系。  调整 ZERO ADJ，直到 R2 两端的电压与相对温度（273.2K）相对应的热电隅成比例关 系。 R1 两端的电压＠ R2 两端的电压＠ 25℃ 25℃ 热电隅类型 比例系数 （µ V/℃） R1（Ω） R2（Ω） J 52.3 523 1.24K 15.60 14.32 T 42.8 432 1K 12.77 11.78 K 40.8 412 953 12.17 11.17 S 6.4 63.4 150 1.908 1.766 典型电源电流为 50µA。 百分度温度计 调整 R1，使 V1＝temp@1mV/ºK；调整 V2 至 273.2mV。 IQ 为 1.3V～ 1.6V 电源电压；age= 50~150 µA http://www.hgsemi.com.cn 6/9 2014 JUN LM385 封装外型尺寸 SOT23-3 Dimensions In Millimeters(SOT23-3) A A1 B C C1 D Min： 1.05 0.00 2.82 2.65 1.50 0.30 0° 0.30 Max： 1.15 0.15 3.02 2.95 1.70 0.60 8° 0.40 Symbol： Q a b 1.90 BSC TO-92 B C D1 D L C1 A b a Dimensions In Millimeters(TO-92) A B C C1 D D1 L a Min： 3.43 4.44 11.2 4.32 3.17 2.03 0.33 0.40 Max： 3.83 5.21 12.7 5.34 4.19 2.67 0.42 0.52 Symbol： http://www.hgsemi.com.cn 7/9 b 1.27BSC 2014 JUN LM385 封装外型尺寸 SOP8 Q A C C1 B D A1 a 0.25 b Dimensions In Millimeters(SOP8) A A1 B C C1 D Min： 1.35 0.05 4.90 5.80 3.80 0.40 0° 0.35 Max： 1.55 0.20 5.10 6.20 4.00 0.80 8° 0.45 Symbol： Q a b 1.27 BSC MSOP8 Q A C1 C B A1 D 0.20 b a Dimensions In Millimeters(MSOP8) A A1 B C C1 D Min： 0.80 0.05 2.90 4.75 2.90 0.35 0° 0.25 Max： 0.90 0.20 3.10 5.05 3.10 0.75 8° 0.35 Symbol： http://www.hgsemi.com.cn 8/9 Q a b 0.65 BSC 2014 JUN LM385 重要声明： 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的相关信息，并核实这些信息是否最新且完整的。华冠半导体对 篡改过的文件不承担任何责任或义务。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并采取安全措施。您将自行承担以下全部责任： 针对您的应用选择 合适的华冠半导体产品； 设计、验证并测试您的应用；确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。以避免潜在风险可能导致 人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可，华冠半导体将不承担产品在这些领域应用造成的后果。 华冠半导体所生产半导体产品的性能提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、 安全信息和其他资源，不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，测试和其他质量控制技术的使用只限于华冠半导体的质量保证范围内。每 个器件并非所有参数均需要检测。 华冠半导体的文档资料，授权您仅可将这些资源用于研发本资料所述的产品的应用。您无权使用任何其他华冠半导体知识产权或任何第三方知 识产权。严禁对这些资源进行其他复制或展示，您应全额赔偿因在这些资源的使用中对华冠半导体及其代理造成的任何索赔、损害、成本、损失和 债务，华冠半导体对此概不负责。 http://www.hgsemi.com.cn 9/9 2014 JUN