ES580LUA

数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 1. 概述 ES580 是一款基于混合信号 CMOS 技术的单极锁 存型霍尔效应传感器，器件内部集成了电压调节器、带 动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一个 开漏极输出驱动，这些都在一个封装里。 这款 IC 采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提 供准确而稳定的磁开关点。除了以下“应用”中列出的 应用外，这款传感器还有很多其他应用。 因为 ES580 的宽工作电压以及宽泛的温度选择范围，使得它非常适合用于汽车、工业以及 消费行业中。 这款 IC 有贴片型的 SOT 封装和可以直接插入的单排直插 TO-92 扁平型封装，这两款 3 个 引脚的封装都符合 RoHS 标准。 2. 特点 3. 应用  宽工作电压范围：3.5V ~ 24V  汽车、消费、工业  极高磁灵敏度  固态开关  CMOS 工艺  断流器  稳定的斩波放大  速度检测  优越的温度稳定性  线性位置检测  极低的开关点漂移  角位置检测  对物理应力不敏感  接近探测  低电流消耗  开漏极输出  贴 片 型 SOT23-3L 及 扁 平 型 TO-92 3L 封装，都符合 RoHS 标准 4. 功能框图 VDD OUT Voltage Regulator Chopper UA 封装 Pin 1 – VDD Pin 2 – GND Pin 3 – OUT Hall Plate SO 封装 Pin 1 – VDD Pin 2 – OUT Pin 3 – GND GND ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 1/7 数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 5. 专业术语 术语 描述 MilliTesla (mT) 高斯，磁感应强度单位 1mT = 10 高斯 RoHS 危险物质限制 SOT 小轮廓晶体管（SOT 封装）—也可以用封装号“SO”引用 ESD 防静电 BLDC 无刷直流 Operating Point (BOP) 使输出导通的作用于封装标记面的磁感应强度（VOUT = VDSon） Release Point (BRP) 使输出截止的作用于封装标记面的磁感应强度（VOUT = high） 6. 管脚定义和描述 SO引脚编号 UA 引脚编号 名称 类型 功能 1 1 VDD 电源 电源电压引脚 2 3 OUT 输出 开漏极输出引脚 3 2 GND 地 接地引脚 ES58 xxxx 580ym 7. 独特特性 基于混合信号 CMOS 工艺，Innosen ES580 是一款具有极高磁灵敏度的霍尔效应器件，这 种多用途锁存器符合大多数应用需求。 斩波稳定放大器使用开关电容技术以消除霍尔传感器和放大器的偏置电压。CMOS 工艺使 比 Bipolar 工艺得到更小的芯片尺寸以及更低的功耗这种先进的技术成为可能。更小的芯片尺寸 也是减少物理应力影响的一个重要因素。这些结合能得到更稳定的磁特性以及使得设计更快更精 确。 宽电压范围从 3.5V~24V，低功耗以及 L，E 级的宽工作温度范围使得该器件适合于汽车、 工业以及消费行业。 ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 2/7 数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 8. 极限参数 参数 符号 参数值 单位 电源电压 VDD 28 V 电源电流 IDD 50 mA 输出电压 VOUT 28 V 输出电流 IOUT 50 mA 储存温度范围 TS -50 ~ 150 ℃ 最大结温 TJ 165 ℃ 符号 参数值 单位 温度后缀“E” TA -40 ~ 85 ℃ 温度后缀“L” TA -40 ~ 150 ℃ 操作温度范围 注意：超过以上极限参数，可能会造成永久性伤害。长时间处于极限条件下可能影响器件的可靠 性。为保障器件正常工作，应满足以下电学特性一节中规定的工作条件。 9. 电学特性 直流工作参数：TA = 25℃，VDD =3.5V ~ 24V（除非另有说明） 参数 符号 测试条件 最小值 电源电压 VDD Operating 3.5 电源电流 IDD 最大值 单位 24 V B < BRP 5 mA VDSon IOUT = 20mA, B > BOP 0.5 V 输出漏电流 IOFF B < BRP, VOUT = 24V 1 10 µA 输出上升时间 TR RL = 1KΩ, CL = 20pF 0.25 μs 输出下降时间 TF RL = 1KΩ, CL = 20pF 0.25 μs 最大转换频率 FSW 10 KHz 封装热阻 RTH 301 ℃/W 输出饱和电压 Single layer (1S) JEDEC board 典型值 注意：ES580 的输出在电源电压超过 2.2V 时改变，但是磁特性只有在电源电压超过 3.5V 时才 正常。 10. 磁场特性 直流工作参数：VDD =3.5V ~ 24V（除非另有说明） 参数 符号（测试条件） 最小值 工作点 BOP (TA=25℃, VDD=12V DC) 释放点 磁滞 最大值 单位 3.0 7.0 mT BRP (TA=25℃, VDD=12V DC) 1.0 6.0 mT BHYS (TA=25℃, VDD=12V DC) 1.0 3.0 mT ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 典型值 1.5 Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 3/7 数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 11. 不同磁极的输出特性 直流工作参数：TA = -40℃ ~ 150℃ ， VDD =3.5V ~ 24V（除非另有说明） 参数 测试条件 输出 S 极 (UA) B > BOP 低 N 极 (SO) B > BOP 低 B= 0 or B < BRP 高 没有或磁场较弱 OUT = Low (VDSon) OUT = Low (VDSon) 12. 使用方法 强烈建议器件的电源（VDD 引脚）和地（GND 引脚）之间连接一个外部旁路电容（邻近霍尔 传感器）以减少外部噪声以及斩波稳定技术产生的噪声。如下所示两张图，通常情况下用 0.1μF 的电容。 对于反向电压保护，建议连接一个电阻或二极管与 VDD 引脚串联。当使用电阻时，以下三点 很重要： - 该电阻需要限制反向电流最大不超过 50mA（VCC / R1 ≤ 50mA） - 产生的设备电源电压 VDD 必须大于 VDD min（VDD = VCC – R1*IDD） - 该电阻必须承受在反向电压条件下的功率损耗 当使用二极管时，反向电流不能通过并且压降通常是一个常数（≈0.7V）。因此，推荐在 5V 应用中使用 100Ω/0.25W 电阻，在更高电源电压下使用二极管。两种方案都提供了必要的反向 电压保护。当使用一个弱电源时或者当该器件要用于噪音环境时，推荐使用右图。由 R1 和 C1 组成的低通滤波器和齐纳二极管 Z1 绕过干扰和发生在器件电源电压 VDD 上的峰值。二极管 D1 提供了额外的反向电压保护。 Automotive and Severe Environment Protection Circuit Typical Three-Wire Application Circuit R1:100 C1 100n VDD ES580 OUT GND ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 R2 10k C1 100n D1 Z1 C2 4.7n VDD ES580 OUT GND Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 4/7 R2 10k C2 4.7n 数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 13. ESD 防范 电子半导体产品对静电比较敏感，所以每次处理半导体产品时要注意静电控制程序。 14. 封装 1．96 0.75 1.52 ± 0.02 14.1 UA 封装（TO-92 扁平型） 3° ± 1° 0．89 45° ± 1° 4.0 ± 0.02 3.90 3 4 3 1 2 3 3° ± 1° 6° ±1° 3° ± 1° 6° ±1° Notes: 14 ± 1 2 1 2 3 2.41±0.2 0.05 ± 0.05 3.90 0.38 1 2 3 3.0 ± 0.02 ES58 xxxx 0.44 3.90 2 3 1 4 2 3 Sensor Location 3 1 2 3 Active Area Depth: 0.84(Nom) 1 2 3 1）. 测量单位：mm； 2）. 引脚必须避开 Flash 和电镀针孔； 3）. 不要弯曲距离封装接口 1mm 以内的引脚线； 4）. 管脚： 脚 1 电源 脚2 地 脚 3 输出 Marking: ES58– 器件型号（ES580） ； 1.27 ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 xxxx –批号； Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 5/7 数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 14.2 SO 封装（SOT23-3L） Notes: Top View 1）. 测量单位：mm； 3 2）. 引脚必须避开 Flash 和电镀针孔； 580ym 1 1.50 2.65 1.70 2.95 2 580 – 器件型号（ES580）； 1.80 2.00 Side View 3）. 不要弯曲距离封装接口 1mm 以内的引脚线； 4）. 管脚： 脚 1 电源 脚 2 输出 脚3 地 Marking: y – 年份； m –月份； 2.82 3.02 End View 1.05 1.15 3.00 0.70 0.90 3.00 0.10 0.20 3.00 0.00 0.10 3.00 0.30 0.50 3.00 0.30 0.60 3.00 Hall plate location Bottom View of SOT-23 Package 3 Chip 0.85 0.75 2 3 0.56 0.66 1 2 1.50 3 1.40 ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 6/7 数据手册 极高灵敏度单极霍尔集成电路 ES580 15. 订购信息 产品型号 温度 封装类型 SO (SOT-3L) E ( -40℃ ~ 85℃) UA (TO-92) ES580 SO (SOT-3L) L ( -40℃ ~ 150℃) UA (TO-92) 联系方式： 易良盛科技（天津）有限公司 地址：天津市西青区华鼎新区一号 11 号楼 邮编：300384 电话：022-23716096 传真：022-23716096-8002 网址：www.innosensor.com ©2009-2019 易良盛科技（天津）有限公司 Rev4.0.5.190108 www.innosensor.com 7/7