2SB1132-Q

2SB1132-Q

  • 厂商:

    BLUEROCKET(蓝箭电子)

  • 封装:

    SOT89-3

  • 描述:

    Q(120-270) PNP 电流:1A 电压:32V

  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1132-Q 数据手册
2SB1132 Rev.D Nov.-2015 描述 / DATA SHEET Descriptions SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package.  特征 / Features 饱和压降低,与 2SD1664 互补。 Low VCE(sat),complements the 2SD1664.  用途 / Applications 用于中功率放大。 Medium power amplifier applications. 内部等效电路 引脚排列 1 2 / Pinning 3 PIN1:Base 印章代码 / Equivalent Circuit PIN 2:Collector PIN 3:Emitter / Marking hFE Classifications Symbol hFE Range R 82~180 120~270 180~390 HBAQ ** HBAP ** http://www.fsbrec.com Q ** Marking P HBAR 1/6 2SB1132 Rev.D Nov.-2015 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit Collector to Base Voltage VCBO -40 V Collector to Emitter Voltage VCEO -32 V Emitter to Base Voltage VEBO -5.0 V Collector Current-Continuous IC -1.0 A Collector Current-Continuous(Pulse) ICP -2.0 A Collector Power Dissipation PC 500 mW Collector Power Dissipation PC(Tc=25℃) 2.0 W Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ Junction Temperature Storage Temperature Range  电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit VCBO IC=-50μA IB=0 -40 V VCEO IC=-1.0mA IB=0 -32 V Emitter to Base Breakdown Voltage VEBO IE=-50μA IC=0 -5.0 V Collector Cut-Off Current ICBO VCB=-20V IE=0 -0.5 μA Emitter Base Cut-Off Current IEBO VEB=-4.0V IC=0 -0.5 μA DC Current Gain hFE VCE=-3.0V IC=-0.1A VCE(sat) IC=-500mA IB=-50mA -0.2 fT VCE=-5.0V f=30MHz VCB=-10V f=1.0MHz IE=50 mA 150 Collector to Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance http://www.fsbrec.com Cob IE=0 82 390 20 -0.5 V MHz 30 pF 2/6 2SB1132 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET  电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 3/6 2SB1132 Rev.D Nov.-2015 外形尺寸图 DATA SHEET / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 4/6 2SB1132 Rev.D Nov.-2015 印章说明 / DATA SHEET Marking Instructions ** HBAP 说明: H:  为公司代码 BA: 为型号代码 P:  为 hFE 分档代码 **:  为生产批号代码,随生产批号变化。 Note: H: Company Code. BA: Product Type. P:  hFE Classifications Symbol **: Lot No. Code, code change with Lot No. http://www.fsbrec.com 5/6 2SB1132 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明: Note: 1、预热温度 25~150℃,时间 60~90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃,时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2~10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度:260±5℃ 包装规格 Time:10±1 sec / REEL Package Type 封装形式 使用说明 Temp.:260±5℃ / Packaging SPEC. 卷盘包装 SOT-89 时间:10±1 sec. Units 包装数量 Dimension 包装尺寸 3 (unit:mm ) Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 1,000 7 7,000 8 56,000 7〞×12 180×120×180 385×257×392 / Notices http://www.fsbrec.com 6/6
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