KTA1666-Y

KTA1666 Rev.E Mar.-2016 描述 / DATA SHEET Descriptions SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package.  特征 / Features 饱和压降低,开关时间快，体积小，可与互补 KTC4379。 Low saturation voltage, high speed switching time, small flat package, Complementary to KTC4379. 用途 / Applications 用于功率放大和开关。 Power amplifier and switching applications. 内部等效电路 引脚排列 1 2 / Pinning 3 PIN1：Base 印章代码 / Equivalent Circuit PIN 2：Collector PIN 3：Emitter / Marking hFE Classifications Symbol hFE Range 70～140 HNO 120～240 HNY ** http://www.fsbrec.com Y ** Marking O 1/6 KTA1666 Rev.E Mar.-2016 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit Collector to Base Voltage VCBO -50 V Collector to Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter to Base Voltage VEBO -5.0 V Collector Current - Continuous IC -2.0 A Collector Base – Continuous IB -0.4 A Collector Power Dissipation PC 500 mW Collector Power Dissipation* *PC 1.0 W Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ Junction Temperature Storage Temperature Range *KTA1666 mounted on ceramic substrate(250mm2×0.8t) 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit Collector Cut-Off Current ICBO VCB=-50V IE=0 -0.1 μA Emitter Base Cut-Off Current IEBO VEB=-5.0V IC=0 -0.1 μA Collector to Emitter Breakdown Voltage VCEO IC=-10mA IB=0 -50 hFE(1) VCE=-2.0V IC=-0.5A 70 hFE(2) VCE=-2.0V IC=-1.5A 40 DC Current Gain V 240 Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=-1.0A IB=-0.05A -0.5 V Base to Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=-1.0A IB=-0.05A -1.2 V fT VCE=-2.0V IC=-0.5A 120 MHz Collector Output Capacitance Cob VCB=-10V f=1MHz IE=0 40 pF Turn-On Time ton 0.1 μS Storage Time tstg 1.0 μS 0.1 μS Transition Frequency Fall Time http://www.fsbrec.com tf -IB1=IB2=0.05A 2/6 KTA1666 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET  电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 3/6 KTA1666 Rev.E Mar.-2016 外形尺寸图 DATA SHEET / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 4/6 KTA1666 Rev.E Mar.-2016 印章说明 / DATA SHEET Marking Instructions ** HNO 说明： H： 为公司代码 N： 为型号代码 O： 为 hFE 档次代码 **：  为生产批号代码，随生产批号变化。 Note: H: Company Code. N: Product Type. O： hFE Classifications **: Lot No. Code, code change with Lot No. http://www.fsbrec.com Symbol 5/6 KTA1666 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明： Note: 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 包装规格 Time:10±1 sec / REEL Package Type 封装形式 使用说明 Temp.:260±5℃ / Packaging SPEC. 卷盘包装 SOT-89 时间：10±1 sec. Units 包装数量 Dimension Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 1,000 7 7,000 8 56,000 包装尺寸 3 (unit：mm ) Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 7〞×12 180×120×180 385×257×392 / Notices http://www.fsbrec.com 6/6