CR634X-5/7/8/9
高精度CC/CV原边检测PWM开关
主要特点
待机低于75mW
原边检测拓扑结构,无需光耦和TL431
内置过温度保护功能
全电压范围内高精度恒压和恒流输出
内置输出短路保护功能
可编程CC/CV模式控制
内置前沿消隐
采用多模式控制的效率均衡技术
启动电流和工作电流低
动态负载调节
VDD端过压保护
内置输出线电压补偿功能
输出端过压保护
内置初级电感量偏差补偿功能
逐周期过流保护
内置全电压功率自适应补偿功能
DIP-8L、SOP-7L绿色封装
基本应用
小功率电源适配器
电脑和服务器辅助电源
蜂窝电话充电器
替代线性调整器和RCC
数码相机充电器
产品概述
CR634X 是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关,待机功耗小于 75mW。CR634X 内
部采用了多模式控制的效率均衡技术,用于优化芯片系统待机功耗和提升效率,同时采用了
初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术,保证了芯片在批量生产过程中
CC/CV 输出精度,内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围(90V~264V)
内输出恒定的功率。
CR634X 集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO)
,VDD 过压保护(OVP),
软启动,过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP)
,输出过压保护,输出短路保护,内置
前沿消隐电路,使得芯片具有更高的可靠性。
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
引脚分布
DIP-8L
SOP-7L
引脚描述
引脚
符号
描述
1
VDD
IC 供电引脚。该引脚为芯片的正常工作提供电压。
2
NC
空置。
3
FB
辅助绕组电压反馈输入端,通过一个电阻分压器连接到反射输
出电压的辅助绕组上。
4
CS
CS 电阻引脚,用于初级峰值电流检测。
5/6
DRAIN
HV MOSFET 漏端引脚。
7/8
GND
地线引脚。
典型应用
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
结构图
简化内部电路结构图
极限参数
参数
值
单位
DRAIN 引脚电压
-0.3 to BVdss
V
VDD 引脚电压
-0.3 to 30
V
CS/FB 引脚电压
-0.3 to 7
V
最小/最大结温
-40 to 150
℃
储藏温度
-50 to 155
℃
DIP-8L/SOP-7L 焊接温度 (10 秒)
260
℃
DIP8
RθJA
75
℃/W
SOP7
RθJA
95
℃/W
推荐应用功率范围
封装
230VAC 15%
适配器
1
85-265VAC
适配器 1
CR6345
SOP-7L
≤7W
≤6W
CR6347
SOP-7L
≤12W
≤10W
CR6348
DIP-8L
≤15W
≤13W
CR6349
DIP-8L
≤20W
≤18W
1. 适配器应用实际最大功率必须保证足够的 DRAIN 散热面积,测试条件 40℃环境温度。增加散热面积或
风冷来减小热阻可以获得更高的输出功率。
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
电气特性
(VDD=16V, TA=25℃ 除了另作说明)
符号
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
电源电压(VDD 引脚)
IST
VDD 启动电流
VDD=15V
5
15
μA
IOP
工作电流
VFB=2.5V
0.8
1.0
mA
UVLO_ON
导通阈值电压
7.0
7.6
8.2
V
UVLO_OFF
15.5
16.8
18
V
VDD_OVP
关断阈值电压
VDD OVP
触发电压
VCS=0V,VFB=2.5V
26.5
28.5
30.5
V
VDD_CLAMP
VDD 钳位电压
IVDD=7mA
28
30
32
V
电流检测引脚(CS 引脚)
TLEB
LEB 时间
300
ns
TD_OC
过流检测控制延时
100
ns
VTH_OC_MIN
VTH_OC_MAX
TON_MAX
最小 OCP 过功率阈
值电压
最大 OCP 过功率阈
值电压
485
最大开启时间
500
515
mV
580
mV
50
μs
FB 引脚
VFB_REF
反 馈 环 路 FB 阈 值
电压
2.475
TPAUSE_MIN 最小关断时间
F_MIN
2.525
2
最小频率
ICOMP_MAX 最大线补电流
VOUT_OVP
2.5
输出过功率阈值电
压
V
μs
300
400
500
Hz
40
45
50
μA
2.95
3.05
3.15
V
功率 MOSFET
BVdss
MOSFET 漏源击穿
电压
VGS=0V, IDS=250μA
VGS=10V
IDS=0.5A
RDS_ON*
MOSFET 漏源静态
导通电阻
VGS=10V
IDS=1.0A
VGS=10V
IDS=1.0A
VGS=10V
IDS=2.0A
CR6345
SOP-7L
CR6347
SOP-7L
CR6348
DIP-8L
CR6349
DIP-8L
650
V
9
11
ohm
5.5
6.5
ohm
4.5
5.0
ohm
2.2
ohm
过温保护
OTP_TH
过温保护
160
℃
OTP_REC
恢复温度
130
℃
* 集成化功率 MOSFET 的内阻和封装形式、散热、环境温度都有关系,本说明书所给值为
室温下分立封装的 MOSFET 内阻。
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
工作原理
CR634X 是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关,待机功耗小于 75mW。CR634X 内
部采用了多模式控制的效率均衡技术,用于优化芯片系统待机功耗和提升效率,同时采用了
初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术,保证了芯片在批量生产过程中
CC/CV 输出精度,内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围(90V~264V)
内输出恒定的功率。它采用原边控制方式,因此不需要 TL431 和光耦。
恒流/恒压工作
CR634X 作为充电器运用时,芯片首先工作在 CC 模式,并以恒定的输出电流对电池充
电,当电池电压达到满电压时迅速切换到 CV 工作模式,输出电压通过变压器绕组反馈到
FB 端,采样电路采样到的 FB 端电压与误差放大器基准电压比较放大以后再经过芯片内部
环路调节控制输出电压恒定。
工作原理
为了确保 CR634X 在 CC/CV 模式下正常工作,设计必须保证芯片工作在 DCM 模式。
在开关管导通期间,变压器初级电感电流以固定的斜率上升,在开关管关断时刻达到最
大值 I P ,同时初级绕组上的电流按照一定的匝比关系转移到次级绕组上,所以次级绕组上
的峰值电流为:
IS
NP
.I P
NS
(1)
辅助绕组上的电压反射出输出电压如下所示:
V AUX
N AUX
.(VO V )
NS
(2)
其中 V 为输出续流二极管的管压降。
图1
辅组绕组上电压波形曲线
FB 端通过辅组绕组和 GND 之间的分压电阻进行采样。内置采样电路在退磁时间一半
的时刻开始采样并保持到下一次采样,再将采样电压与误差放大器基准电压比较放大,根据
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
负载状态调整开关管关断时间来调整输出电压。
CC 工作点和输出功率可调
CR634X 通过调节 CS 端的外接电阻 RS 实现不同的 CC 工作电流和输出功率输出,在
RS 比较大的情况下,CC 工作点和输出功率都比较小,如图 2 所示。
图 2 RS 取值、CC 恒流和 VO 关系示意图
OCP 补偿
如果没有 OCP 补偿,在 CC 模式下最大电流限制变化会比较大。所以 OCP 的阈值电
压需根据输入交流电压的高低而自动调节。OCP 电压斜波补偿能够抵消交流电压高时引起
过流点的偏大。CR634X 内部集成了 OCP 补偿模块,不需要额外器件。CR634X 内部 OCP
补偿模块是通过检测导通时间来实现这个功能的。当导通时间在 2.0μs 到 4.5μs 之间,OCP
阈值电压线性从 500mV 增加到 580mV,当导通时间大于 4.5μs,OCP 阈值电压被钳位在
580mV。如下图所示:
VTH_OCP
580 mV
500 mV
2.0
4.5
TON (μs)
图 3 OCP 补偿示意图
开关的频率
CR634X 的开关频率根据负载状态和工作模式的不同而改变。
当工作在反激断续工作模式下时,最大输出功率为
POMAX
1
2
LP FSW I P
2
(3)
式中 LP 为初级绕组的电感值, I P 为初级绕组的峰值电流。
在 CC 模式下,当初级绕组的电感量发生改变时,导致最大输出电流发生改变。为了补
偿初级电感量的变化,开关频率通过内部电路锁定为:
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
FSW
1
(4)
2TDEMAG
CR634X 采用芯片内部设置 LP FSW 为常数的方法克服了 CC 模式下最大输出电流随着初
级电感量的变化而改变的缺陷。
线损补偿
为了达到良好的负载调整率,CR634X 内部集成了线损补偿功能。FB 端的采样电压由
两部分组成:1、输出电压通过变压器绕组反馈到 FB 端的电压;2、芯片内部线损补偿电流
流过分压电阻所产生的电压,这个电流与开关管关断时间成正比,与负载电流成反比,所以
使得由于输出负载电流变化而导致的输出电压变化能够得到有效补偿。
最大补偿百分比为:
V
VOUT
I comp _ cable (R 1 // R 2) 10 6
2.5
100%
(5)
其中 V 为负载补偿电压, VOUT 为输出电压。
CS 电流检测和前沿消隐
CR634X 的峰值电流检测通过检测 CS 脚的外接电阻 RS 上的电压,并且内部设计前沿消
隐电路滤除功率 MOSFET 在开启瞬间的电流尖峰,
所以 CS 输入脚的 RC 滤波电路不再需要。
保护功能
CR634X 为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。这些保护措施包括欠压锁定
(UVLO),VDD 过压保护(OVP),软启动,过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),
VOUT 过压保护,输出短路保护,内置前沿消隐电路等。芯片的供电电源 VDD 由辅助绕组
提供。当 VDD 低于进入欠压锁定的阈值电压时,开关将会被关断,随后系统自动进入重启
状态。
V2.2
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
特性曲线及波形
(VDD=16V, TA=25℃ 除了另作说明)。
UVLO_OFF vs Temperature
8.0
UVLO_ON (V)
UVLO_OFF(V)
17.2
17.0
16.8
16.6
UVLO_ON vs Temperature
7.8
7.6
7.4
7.2
7.0
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120
-40 -20
Temperature (C)
5.0
900
4.5
880
4.0
860
3.5
60
80
100 120
IOP vs Temperature
820
2.5
2.0
800
1.5
780
760
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120
-40 -20
Temperature (C)
VGATE_CLAMP vs Temperature
11.6
11.4
11.2
0
20
40
60
80
20
40
60
80
100 120
TON_MAX vs Temperature
TON_MAX (s)
11.8
-40 -20
0
Temperature (C)
12.0
VGATE_CLAMP (V)
40
840
3.0
1.0
54
52
50
48
46
44
42
40
38
36
100 120
-40 -20
Temperature (C)
0
20
40
60
80
100 120
Temperature (C)
VTH_OC vs Temperature
VFB_REF vs Temperature
2.54
540
2.52
VFB_REF (V)
520
VTH_OC (mV)
20
IOP (A)
IST (A)
IST vs Temperature
500
480
460
440
2.50
2.48
2.46
2.44
2.42
420
400
2.40
-40 -20
0
20
40
60
80
Temperature (C)
V2.2
0
Temperature (C)
100 120
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120
Temperature (C)
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
封装信息
DIP-8L
符号
毫米
最小
典型
最大
A
3.60
3.80
4.00
A1
0.51
-
-
A2
3.20
3.30
3.40
A3
1.55
1.60
1.65
b
0.44
-
0.52
b1
0.43
0.46
0.49
B1
V2.2
1.52REF
c
0.25
-
0.29
c1
0.24
0.25
0.26
D
9.15
9.25
9.35
E1
6.25
6.35
6.45
e
2.54BSC
eA
7.62REF
eB
7.62
-
9.30
eC
0
-
0.84
L
3.00
-
-
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CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
SOP-7L
符号
毫米
最小
典型
最大
A
-
-
1.75
A1
0.10
-
0.225
A2
1.30
1.40
1.50
A3
0.60
0.65
0.70
b
0.39
-
0.47
b1
0.38
0.41
0.44
c
0.20
-
0.24
c1
0.19
0.20
0.21
D
4.80
4.90
5.00
E
5.80
6.00
6.20
E1
3.80
3.90
4.00
e
1.27BSC
h
0.25
-
0.50
L
0.50
-
0.80
L1
θ˚
V2.2
1.05REF
0°
-
8°
10/11
CR634X
高精度CC/CV原边检测PWM开关
印章信息
产品 logo
CR 634X
产品型号
CR 系列产品
AABBCCP
内控编码
订购信息
产品型号
封装类型
包装材质
一盘
一盒
一箱
CR634X
SOP-7L
编带
4000
24000
48000
CR634X
DIP-8L
料管
50
2000
20000
SOP-7L 封装产品最小订购量为 48000 片,即一箱的芯片数量。DIP-8L 封装产品最小订
购量为 2000 片,即一盒的芯片数量。
V2.2
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